KR100635897B1

KR100635897B1 - 접착제 코팅된 구리 호일, 구리-클래딩된 적층물 및 이를사용한 인쇄 배선판

Info

Publication number: KR100635897B1
Application number: KR1020017007799A
Authority: KR
Inventors: 아라따미찌또시; 다까노노조무; 고바야시가즈히또
Original assignee: 히다찌 가세이 고오교 가부시끼가이샤
Priority date: 1998-12-22
Filing date: 1999-12-20
Publication date: 2006-10-18
Also published as: EP1146101B1; DE69916119D1; WO2000037579A1; TW444530B; US6558797B1; EP1146101A4; KR20010081086A; DE69916119T2; EP1146101A1

Abstract

필수성분으로서 (a) 에폭시 수지, (b) 다관능성 페놀, (c) 임의의 경화촉진제, 및 (d) 트리아진 고리 또는 이소시아누릭 고리를 갖는 화합물을 포함하는 접착 조성물을 구리 호일의 한쪽 면에 적용함으로써 수득되는 접착제 코팅된 구리 호일. 접착제층은 낮은 수흡수도, 높은 내열성 및 구리 호일에의 우수한 접착성을 가진다. 이러한 접착제 코팅된 구리 호일을 사용함으로써, 탁월한 물성을 갖는 구리-클래딩된 적층물 및 인쇄회로판을 수득하는 것이 가능하다.

Description

접착제 코팅된 구리 호일, 구리-클래딩된 적층물 및 이를 사용한 인쇄 배선판 {ADHESIVE-COATED COPPER FOIL, AND COPPER-CLAD LAMINATE AND PRINTED CIRCUIT BOARD BOTH OBTAINED WITH THE SAME}

기술분야

본 발명은 접착제 코팅된 구리 호일, 구리-클래딩된 적층물 및 이를 사용한 인쇄 배선판에 관한 것이다.

배경기술

전자장치의 소형화 및 고성능화의 경향에 수반하여, 이러한 전자장치에 편입된 인쇄배선판은 적층층의 다층화, 적층된 구조물의 박형화, 쓰루홀 (through-hole) 직경의 감소 및 홀 간격의 저하와 같은 여러가지 수단을 통해 고밀도화 쪽으로 또한 진행되고 있다. 게다가, 휴대폰 및 이동 컴퓨터와 같은 정보 단말 기기에 탑재되는 인쇄배선판, 특히 기판 상에 직접 탑재된 MPU를 갖는 플라스틱 패키지 및 각종 모듈용으로 적합화된 인쇄배선판은 대용량의 정보를 고속으로 처리할 수 있도록 요구된다. 이것은 신호 처리의 고속화, 전송 손실의 저감 및 더나아가 다운사이징을 요구하며, 이를 위해서 인쇄회로판의 더욱 높은 고밀도화 및 미세 배선이 필수불가결하다.

미세 배선에 대한 요구를 충족시키기 위하여, 소위 빌드업 인쇄배선판 - 여기서 유리포 등을 사용하지 않는 접착제 코팅된 구리 호일을 보드에 부착한 다음, 쓰루홀 및 간극 비아홀(interstitial via hole)을 레이저 또는 다른 수단에 의해 형성하며, 다음으로 회로를 보드 상에 형성시킴 - 은 당 업계에서 고안되어 보급되고 있다.

한편, MPU (micro processing units)를 탑재한 인쇄회로판 또는 모듈용 인쇄회로판에 대해, 탁월한 내열성을 갖는 높은 Tg (유리전이온도) 재료는 요구되었던 것보다 더 높은 접속 신뢰성을 보장할 것이 요구된다. 높은 Tg 재료를 구현하기 위한 하나의 방법은 에폭시 수지를 다관능성 페놀 수지로 경화시키는 것이다. 상기 수지 시스템을 사용하여, 수흡수도가 낮고 또한 170℃ 이상의 Tg를 갖는 경화체를 수득하는 것이 가능하다. 그렇지만, 높은 Tg 수지 시스템은 딱딱하고 취약하다는 성질을 가지고 있기 때문에, 이들은 접착제 코팅된 구리 호일에 사용될 때 그러한 구리 호일에의 그들의 접착성이 불만족스럽다고 판명된다는 문제점을 가지고 있다. 구리 호일에의 낮은 접착성을 갖는 수지 시스템을 사용할 때, 기판의 성형 또는 실장(mounting) 시에 라인의 박리 또는 단선을 일으키는 경향이 있다. 구리 호일에의 접착성은 장래 배선 고밀도화 진보의 중요한 인자가 될 것이다.

구리 호일과 수지 사이의 접착성을 향상시키기 위한 기법으로서, 예를 들어 JP-A-54-48879호에 개시된 바와 같이 구리 호일을 커플링제로 처리하는 것이 실시되어 왔지만, 높은 Tg 수지 시스템과 같이 딱딱하고 취약한 수지 시스템의 경우에는, 구리 호일을 시판되는 커플링제로 단순히 처리하면 종래의 FR-4 물질을 사용하여 가능한 것보다 더 강한 화학적 수지 접착성을 제공할 수가 없다. 또, 구리 호일을 실란 커플링제로써 처리할 때, 회로 형성후에 기판 표면에 잔류물이 남아 있 으며, 이것은 후속 도금 단계에서의 얼룩 방지 또는 납땜 레지스트에의 접착성에 역효과를 줄 수도 있다.

발명의 개시

본 발명은 이러한 상황의 관점에서 만들어졌으며, 낮은 수흡수도, 높은 내열성 및 구리 호일에의 우수한 접착성을 갖는 접착제 코팅된 구리 호일; 전술한 구리 호일을 사용한 구리-클래딩된 적층물 및 이러한 적층물을 사용한 인쇄배선판을 제공하는 목적이다.

본 발명은, 필수성분으로서 (a) 에폭시 수지, (b) 다관능성 페놀, (c) 임의적 경화촉진제, 및 (d) 트리아진 고리 또는 이소시아누릭 고리를 갖는 화합물을 포함하는 접착 조성물을 구리 호일의 한쪽 면에 적용함으로써 수득되는 접착제 코팅된 구리 호일을 제공하는 것이다.

본 발명은 또한 전술한 접착제 코팅된 구리 호일을 이용하는 구리-클래딩된 적층물, 및 전술한 구리-클래딩된 적층물 상에 회로를 형성시킨 인쇄배선판을 제공하는 것이다.

발명을 수행하기 위한 최적의 양식

본 발명의 상세한 설명은 하기와 같다.

본 발명의 접착제 코팅된 구리 호일용으로 사용되는 접착 조성물은 에폭시 수지를 함유하는 열경화성 수지 조성물이다.

전술한 접착 조성물의 성분을 구성하는 에폭시 수지 (a)로서, 예를 들면, 비스페놀 A 에폭시 수지, 비스페놀 F 에폭시 수지, 비스페놀 S 에폭시 수지, 비스페 놀 에폭시 수지, 페놀성 노볼락 에폭시 수지, 크레졸 노볼락 에폭시 수지, 비스페놀 A 노볼락 에폭시 수지, 비스페놀 F 노볼락 에폭시 수지, 페놀성 살리실알데히드 노볼락 에폭시 수지, 지환족 에폭시 수지, 지방족 사슬 에폭시 수지, 글리시딜 에스테르형 에폭시 수지, 2관능성 페놀의 글리시딜-에테르화 생성물, 2관능성 알콜의 글리시딜-에테르화 생성물, 폴리페놀의 글리시딜-에테르화 생성물, 및 이들의 수소화 생성물 및 할라이드를 사용할 수 있다. 이들 화합물들은 단독으로 또는 이들 둘 이상의 배합물로서 사용될 수도 있다.

다관능성 페놀 (b)는, 전술한 접착 (또는 열경화성 수지) 조성물의 또다른 성분이며, 비스페놀 A 및 포름알데히드의 축합물과 함께 또는 대신에 사용될 수 있다. 본 발명에서 사용가능한 다관능성 페놀의 예로는 비스페놀 F, 비스페놀 A, 비스페놀 S, 폴리비닐 페놀, 페놀, 크레졸, 알킬 페놀 (예. p-t-부틸페놀 및 p-옥틸페놀), 카테콜, 비스페놀 F, 비스페놀 A, 비스페놀 S 등과 같은 페놀을 포름알데히드 및 아세트알데히드와 같은 알데히드와 산성 촉매의 존재하에 반응시켜서 수득가능한 노볼락 수지, 그리고 이들의 할라이드를 포함한다. 이들 페놀은 단독으로 또는 이들 둘 이상을 조합하여 사용될 수 있다. 노볼락 수지, 특히 비스페놀 A를 알데히드와 반응시켜 수득가능한 것들을 바람직하게 사용한다.

조성물에 배합될 다관능성 페놀의 양은 페놀성 히드록실기의 양이 에폭시기의 1당량에 대해 0.5 내지 1.5 당량의 범위 내에 있도록 선택된다.

전술한 접착 조성물에서, 경화 촉진제 (c)가 필요에 따라 함유될 수도 있다. 이러한 경화 촉진제로서, 에폭시 수지 및 페놀성 히드록시기의 에테르화 반응을 촉진시키는 촉매기능을 갖는 임의의 화합물을 사용하는 것이 가능하다. 이러한 화합물로는 알칼리금속 화합물, 알칼리토금속 화합물, 이미다졸 화합물, 유기인 화합물, 2급 아민, 3급 아민, 및 4급 암모늄염을 포함한다. 그의 이미노기가 아크릴로니트릴, 이소시아네이트, 멜라민 아크릴레이트 등으로 마스킹된 이미다졸의 사용은, 종래의 프리프레그(prepreg)보다 2배 이상 보존 안정성을 갖는 프리프레그를 제공할 수 있기 때문에 바람직하다.

2가지 유형 또는 그 이상의 경화 촉진제를 사용하는 것이 가능하다. 경화 촉진제는 에폭시 수지 100중량부에 대해 바람직하게는 0.01 내지 5중량부의 양으로 사용된다. 만일 경화 촉진제의 양이 0.01중량부 미만이면, 그의 촉진 효과가 불충분한 것으로 증명될 수도 있으며, 만일 그 양이 5중량부를 초과하면, 조성물은 보존안정성이 나빠지는 경향이 있다.

전술한 이미다졸 화합물의 예로는 이미다졸, 2-에틸이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 2-페닐이미다졸, 2-운데실이미다졸, 1-벤질-2-메틸이미다졸, 2-헵타데실이미다졸, 4,5-디페닐이미다졸, 2-메틸이미다졸, 2-페닐이미다졸린, 2-운데실이미다졸린, 2-헵타데실이미다졸린, 2-이소프로필이미다졸, 2,4-디메틸이미다졸, 2-페닐-4-메틸이미다졸, 2-에틸이미다졸린, 2-이소프로필이미다졸린, 2,4-디메틸이미다졸린, 및 2-페닐-4-메틸이미다졸린을 포함한다.

마스킹제로서는, 아크릴로니트릴, 페닐렌디이소시아네이트, 톨루이딘 이소시아네이트, 나프탈렌 디이소시아네이트, 메틸렌비스페닐 이소시아네이트, 멜라민 아크릴레이트 등을 사용할 수 있다.

트리아진 또는 이소시아누릭 고리를 갖는 화합물은, 여전히 전술한 접착 조성물의 또다른 성분 (d)로서 사용되는데, 어떤 특별한 제한도 적용되지 않지만, 하기 화학식 (I) 또는 (II)로 나타내는 화합물이 바람직하게 사용된다:

(상기식에서 R₁, R₂ 및 R₃는 독립적으로 아미노기, 알킬기, 페닐기, 히드록실기, 히드록시알킬기, 에테르기, 에스테르기, 산기, 또는 비닐기와 같은 불포화기, 또는 시아노기를 나타냄);

(상기식에서 R₄, R₅ 및 R₆는 독립적으로 아미노기, 알킬기, 페닐기, 히드록실기, 히드록시알킬기, 에테르기, 에스테르기, 산기, 또는 비닐기와 같은 불포화기, 또는 시아노기를 나타냄).

상기 화학식 (I)에서, R₁, R₂ 및 R₃중의 적어도 하나는 바람직하게는 아미노기이다.

예시되는 화학식 (I)로 표현되는 화합물로는, 예를 들면, 멜라민, 아세토구 아나민 및 벤조구아나민과 같은 구아나민 유도체, 시아누르산, 및 메틸 시아누레이트, 에틸 시아누레이트 및 아세틸 시아누레이트와 같은 시아누르산 유도체를 포함한다. 경화제로서 사용하기 위해서는, R₁, R₂ 및 R₃ 중의 둘 또는 셋 모두가 아미노기인 것이 바람직하다.

화학식 (II)로 표현되는 화합물은 예를 들면, 이소시아누르산 및 이소시아누르산 유도체, 예를 들면 메틸 이소시아누레이트, 에틸 이소시아누레이트, 알릴 이소시아누레이트, 2-히드록시에틸 이소시아누레이트, 2-카르복시에틸 이소시아누레이트, 및 클로르화 이소시아누르산을 포함한다.

페놀, 화학식 (I) 또는 (II)의 화합물 및 알데히드의 중축합물 및 이들의 글리시딜-에테르화 생성물들이 또한 트리아진 또는 이소시아누릭 고리를 갖는 화합물로서 사용가능하다.

상기 목적을 위해 사용가능한 페놀은 특정되지 않으며; 예를 들면, 페놀, 크레졸, 크실레놀, 에틸페놀 및 부틸페놀과 같은 알킬페놀, 비스페놀 A, 비스페놀 F, 비스페놀 S, 레조르신 및 카테콜과 같은 다가 페놀, 페닐페놀, 및 아미노페놀을 사용하는 것이 가능하다. 이들 페놀들은 단독으로 또는 이들 둘 이상의 배합물로서 사용될 수도 있다.

전술한 축합물의 출발물질로서 사용가능한 화학식 (I) 또는 (II)의 화합물의 예로는 상기 언급된 것들을 포함한다.

페놀, 화학식 (I) 또는 (II)의 화합물 및 알데히드의 반응 생성물을 수득하 는 대표적인 방법을 아래에 기술한다. 처음에는, 상기 언급된 것들과 같은 페놀, 알데히드 및 화학식 (I) 또는 (II)의 화합물을 염기성 또는 산성 촉매의 존재 하에 반응시킨다. 상기 조작에서, 시스템의 pH는 특정하게 한정되지 아니하나, 트리아진 또는 이소시아누릭 고리를 갖는 대부분의 화합물은 염기성 용액에 용이하게 용해된다는 점에서, 반응을 염기성 촉매의 존재 하에 수행하는 것이 바람직하며, 아민을 그러한 염기성 촉매로서 바람직하게 사용한다. 출발물질의 반응 순서는 또한 제한되지 아니하며; 예를 들면, 페놀 및 알데히드를 먼저 반응시키고, 이어서 화학식 (I) 또는 (II)의 화합물을 첨가할 수도 있고, 또는 역으로 화학식 (I) 또는 (II)의 화합물 및 알데히드를 먼저 반응시키고, 이어서 페놀을 첨가할 수도 있으며, 또는 출발물질들을 모두 함께 첨가할 수도 있다.

상기 반응에서 알데히드 대 페놀의 몰비는 특정되지 아니하지만, 대개 0.2~1.5, 바람직하게는 0.4~0.8이다. 화학식 (I) 또는 (II)의 화합물 대 페놀의 중량비는 (10~98) : (90~2), 바람직하게는 (50~95) : (50~5)이다. 페놀의 중량비가 10% 미만이면, 혼합물을 수지화시키는 것이 어렵게 되며, 상기 중량비가 98%를 초과하면, 원하는 난연 효과를 수득할 수 없다.

상기 반응에서 사용되는 촉매는 특정되지 아니하나, 그의 대표적인 예들 중에서, 알칼리금속 및 알칼리토금속의 히드록사이드, 예를 들면 수산화나트륨, 수산화칼륨 및 수산화바륨; 그들의 옥사이드; 암모니아, 1급 내지 3급 아민, 헥사메틸렌테트라아민 등; 염산, 황산 및 술폰산과 같은 무기산; 옥살산 및 아세트산과 같은 유기산; 루이스산, 및 아연 아세테이트와 같은 2가 금속염이 있다.

금속과 같은 무기 물질이 반응 후에 촉매 잔류물로서 잔류하는 것이 바람직하지 않기 때문에, 아민을 염기촉매로서 그리고 유기산을 산촉매로서 사용하는 것이 권장된다. 반응은 반응을 콘트롤하기 위하여 용매 중에서 수행될 수 있다. 다음으로 반응 혼합물을 중화하고 필요하다면 염과 같은 불순물을 제거하기 위하여 물로 세척한다. 그렇지만, 이것은 아민을 촉매로서 사용하는 경우에는 바람직하게는 수행되지 않는다. 반응이 끝난 후에, 미반응 알데히드와 페놀 및 용매를 전통적인 방법, 예를 들면 상압 증류, 진공 증류 등에 의해 제거한다. 상기 조작에서, 미반응 알데히드 및 메틸올을 제거하는 것이 소망된다. 120℃ 또는 그 이상에서의 열처리가, 미반응 알데히드 및 메틸올기가 실질적으로 없는 수지 조성물을 수득하기 위해 필요하다. 노볼락 수지를 수득하기 위해 사용되는 전통적인 방법에 따라 가열 및 증류를 충분히 수행할 것이 권고된다. 상기 조작에서, 비록 의무적이지는 않지만, 미반응 단일관능성 페놀 단량체의 양을 상기 언급된 바처럼 2% 이하로 바람직하게 억제한다.

이렇게, 페놀, 화학식 (I) 또는 (II) 의 화합물 및 알데히드의 중축합물이 수득된다.

이들 축합물 중에서, 멜라민, 페놀 및 포름알데히드를 산촉매의 존재 하에 반응시킴으로써 수득된 노볼락 수지들은 멜라민-개질된 페놀 수지 또는 멜라민-개질된 페놀성 노볼락으로서, 예를 들면 상품명 페놀라이트(Phenolite) LA-7054 (Dainippon Ink and Chemicals, Inc.), PS-6313 및 PS-6333 (Gunei Chemical Industries Co., Ltd.)으로 상업적으로 구입가능하다.

트리아진 또는 이소시아누릭 고리를 갖는 화합물은 이들의 둘 또는 그 이상의 배합물로서 사용될 수 있다. 이들 화합물들은 질소 함량이 전술한 접착 조성물에서 수지 고형분 ((a), (b) 및 (c))의 총량을 기준으로 0.1 내지 10중량%가 되도록 바람직하게 첨가된다. 질소 함량이 0.1중량% 미만이면, 구리 호일에의 접착성을 향상시키는 효과는 불만족스럽게 되며, 질소 함량이 10중량%를 초과하면, 조성물의 수흡수도가 증가하는 경향이 있다.

전술한 접착 조성물에 있어서, 그것을 난연성으로 만들기 위하여, 할로겐화 에폭시 수지를 에폭시 수지의 적어도 일부로서 배합할 수 있다. 이러한 할로겐화 에폭시 수지로서, 예를 들면, 비스페놀 A 에폭시 수지, 비스페놀 F 에폭시 수지, 비스페놀 S 에폭시 수지, 페놀계 노볼락 에폭시 수지, 크레졸 노볼락 에폭시 수지, 비스페놀 A 노볼락 에폭시 수지, 비스페놀 F 노볼락 에폭시 수지, 페놀계 살리실알데히드 노볼락 에폭시 수지, 지환족 에폭시 수지, 지방족 사슬 에폭시 수지, 글리시딜 에스테르형 에폭시 수지, 이관능성 페놀의 글리시딜-에테르화 생성물, 및 이관능성 알콜의 글리시딜-에테르화 생성물의 할라이드들을 사용할 수 있다.

또, 조성물을 난연성으로 만들기 위해, 할로겐화 다관능성 페놀을 다관능성 페놀의 적어도 일부로서 사용하는 것이 가능하다. 이러한 할로겐화 다관능성 페놀의 예로는 비스페놀 A, 비스페놀 F, 비스페놀 S, 폴리비닐페놀, 및 페놀, 크레졸, 알킬 페놀, 카테콜, 비스페놀 F 등의 노볼락 수지의 할라이드들을 포함한다.

이러한 할라이드는 전술한 접착 조성물에서 할로겐 함량이 수지 고형분 ((a), (b) 및 (c))의 총량을 기준으로 5 내지 30중량%, 바람직하게는 10 내지 20중 량%가 되도록 바람직하게 첨가된다. 너무 낮은 할로겐 함량은 불만족스러운 난연 효과로 결과되며, 반면 너무 높은 할로겐 함량은 열경화성 수지 조성물의 경화된 제품의 유리전이온도를 저하시키는 경향이 있다.

삼산화안티몬, 테트라페닐포스핀 등을 난연제로서 배합하는 것이 또한 가능하다.

무기 충전재 또는 충전재들을 접착 조성물에 배합할 수도 있다. 본 발명에서 사용가능한 무기 충전재로는 결정질 실리카, 용융 실리카, 알루미나, 지르콘, 수산화알루미늄, 수산화마그네슘, 칼슘실리케이트, 알루미늄 실리케이트, 미카, 탄산칼슘, 탄화규소, 질화규소, 질화붕소, 베릴리아, 마그네시아, 지르코니아, 포르스테라이트, 스테아라이트, 스피넬, 무라이트, 티타니아 등의 분말, 티탄산칼륨, 탄화규소, 질화규소, 알루미나 등의 단결정 섬유, 유리 섬유, 각종 휘스커 등을 포함한다. 이들 충전재들 1종 이상을 배합할 수도 있다. 배합될 충전재(들)의 양은 전술한 접착 조성물에서 수지 고형분 ((a), (b) 및 (c))의 결합된 량 100중량부에 대해 바람직하게는 650중량부 또는 그 이하, 특별하게는 200중량부 또는 그 이하이다.

전술한 접착 조성물은 또한 고분자량물질을 함유할 수도 있다. 조성물에서 사용가능한 고분자량 물질의 예는 페녹시 수지, 폴리아미드 수지, 폴리페닐렌 에테르, 폴리부틸렌, 폴리부타디엔, 부타디엔-아크릴로니트릴 고무 및 실리콘 고무이다. 이들 고분자량 물질은 단독으로 또는 이들의 둘 이상의 배합물로서 사용될 수 있다. 이러한 고분자량 물질(들)은 전술한 접착 조성물에서 수지 고형분 ((a), (b) 및 (c))의 결합된 량 100중량부에 대해 바람직하게는 0 내지 150중량부, 특별 하게는 30 내지 100중량부의 양으로 배합된다.

바람직하게는, 전술한 접착 조성물을 용매 (e)에 용해 또는 분산시켜 바니쉬를 형성시킨다. 이런 목적으로 사용가능한 용매는 아세톤, 메틸 에틸 케톤 및 메틸 이소부틸 케톤과 같은 케톤형 용매, 톨루엔 및 크실렌과 같은 방향족 탄화수소 용매, 에틸 아세테이트와 같은 에스테르형 용매, 에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르와 같은 에테르형 용매, N,N-디메틸아세트아미드와 같은 아미드형 용매, 그리고 메탄올 및 에탄올과 같은 알콜형 용매를 포함한다. 이들 용매들은 단독으로 또는 이들의 둘 이상의 배합물로서 사용될 수 있다. 바니쉬 농도는 취급 및 다른 요인을 고려하여 적절하게 결정될 수 있다.

전술한 물질 (a)~(e) ((c) 및 (e)는 필요에 따라 사용됨)를 배합하여 수득된 바니쉬를 구리 호일에 도포하고 80 내지 200℃에서 건조 오븐에서 건조하여 접착제 코팅된 구리 호일을 제조한다.

여기서 사용되는 구리 호일에는 어떤 특별한 한정이 없으며; 인쇄배선판 분야에서 일반적으로 사용되는 임의 유형의 구리 호일을 사용하는 것이 가능하다. 예를 들면, 적층물용으로 대개 사용되는 두께 5 내지 200 ㎛ 구리 호일을 이용한다. 또한 0.5 내지 15 ㎛ 구리 호일 및 10 내지 300 ㎛ 구리 호일이 니켈, 니켈-인 합금, 니켈-주석 합금, 니켈-철 합금, 납, 납-주석 합금 등의 중간층의 양쪽면에 제공된 3층 구조의 복합 호일, 또는 알루미늄과 결합된 구리 호일로 된 복합 호일을 사용하는 것이 가능하다.

접착제 코팅된 구리 호일의 제조에서 건조란, 용매를 사용한 경우에는 용매 의 제거를, 용매를 사용하지 않은 경우에는 실온에서의 유동성의 제거를 의미한다. 접착제 코팅된 구리 호일의 접착성은 바람직하게는 건조되어 B 스테이지 (B stage)를 생성하는 것이다.

접착제 코팅된 구리 호일의 접착 두께는, 내층 회로판 상에 적층된 경우에는, 바람직하게는 내층 회로를 형성하는 전도체의 두께보다 더 크며, 대개 3 내지 200㎛이다. 두께를 더 크게 만들 수도 있는데, 이 경우에, 코팅 및 건조는 여러번 반복될 수도 있다.

여기서 언급되는 "내층 회로판"은 수지가 함침 및 경화되어져 있는 종이, 섬유 또는 다른 물질들의 지지체를 포함하는 회로기판이며, 회로는 이 지지체의 한쪽 또는 양쪽면에 형성되어 있다. 그것은, 전도체 회로를 전기적으로 연결하기 위해 형성되는 쓰루홀 및/또는 비아홀을 갖는 다층 배선판일 수 있다.

접착제 코팅된 구리 호일 및 내층 회로판의 적층 몰딩은 대개 150 내지 180℃ 범위, 어떤 경우에는 130 내지 200℃의 온도에서 대개 2내지 8 ㎫, 어떤 경우에는 0.5 내지 20㎫의 압력에서 수행되는데, 이들은 프레스 용량, 원하는 적층물 두께 및 다른 요인에 좌우되어 적절히 선정된다.

수득된 구리-클래딩된 적층물 상에 회로를 형성시켜 인쇄배선판 또는 다층 인쇄배선판을 완결한다.

회로 형성 작업은 접착제 코팅된 구리 호일 및 내층 회로판의 적층 몰딩 후에 수행되는데, 여기서, 연결 홀들을 레이저 또는 드릴링에 의해 적층 전에 형성시키며, 이어서 구리 호일 표면에 레지스트 패턴을 형성시키고, 구리 호일의 불필요 한 부분을 에칭으로 제거하고, 내층 회로를 도금에 의해 전기적으로 연결하고, 레지스트 패턴을 스트리핑하는 단계로 구성된 절차가 뒤따른다. 각 단계는 종래의 방법에 의해 달성된다. 어떤 경우에, 쓰루홀들을 형성하는 드릴작업은 접착제 코팅된 구리 호일 및 내층 배선판의 적층 몰딩 후에 수행될 수도 있다.

접착제 코팅된 구리 호일은 회로를 형성하면서 원하는 수의 호일을 적층시킴으로써 만들어질 수도 있다.

본 발명은 하기 실시예에서 더욱 상세히 설명되지만, 본 발명의 범주는 이들 실시예로 한정되는 것이 아님이 인식되어야 한다.

실시예 1

100중량부의 비스페놀 A 노볼락 에폭시 수지 (상품명 에피클론(Epiclon) N-865, 다이니뽕잉끼가가꾸고오교사(Dainippon Ink and Chemicals, Inc)에서 제조)를 에폭시 수지(a)로서, 24중량부의 페놀계 노볼락 (상품명 HP-850N, Hitachi Chemical Company, Ltd에서 제조; 히드록시 당량: 108)를 다관능성 페놀 (b)로서, 및 33.5중량부의 멜라민-개질된 페놀계 노볼락 (상품명 페놀라이트(Phenolite) LA-7054, 다이니뽕잉끼가가꾸고오교사에서 제조; 질소 함량: 14 중량%)를 트리아진 또는 이소시아누릭 고리를 갖는 화합물(d)로서 메틸 에틸 케톤에 용해시켰다. 더나가서, 0.3중량부의 1-시아노에틸-2-에틸-4-메틸이미다졸을 경화 촉진제 (c)로서 배합하여 비휘발성 함량 70중량%의 바니쉬를 제조하였다.

실시예 2

100중량부의 에피클론 N-865, 22.6중량부의 HP-850N, 12.9중량부의 페놀라이트 LA-7054, 및 46.8중량부의 테트라브로모비스페놀 A (상품명 파이어 가드(Fire Guard) FG-2000, Teijin Chemicals Ltd.에서 제조: 히드록시 당량: 272; 브롬 함량: 58 중량%)를 메틸 에틸 케톤에 용해시키고, 0.3중량부의 1-시아노에틸-2-에틸-4-메틸이미다졸을 거기에 경화 촉진제로서 배합하여 비휘발성 함량 70중량%의 바니쉬를 제조하였다.

실시예 3

100중량부의 에피클론 N-865, 24중량부의 HP-850N 및 33.5중량부의 페놀라이트 LA-7054를 메틸 에틸 케톤에 용해시켰다. 더나가서, 39.5중량부의 용융 실리카 (상품명 QZ FUSED SS-G1, Izumitec Co., Ltd에서 제조)를 그 용액에 배합하고, 0.3중량부의 1-시아노에틸-2-에틸-4-메틸이미다졸을 경화 촉진제로서 배합하여 비휘발성 함량 60중량%의 바니쉬를 제조하였다.

실시예 4

100중량부의 에피클론 N-865, 24중량부의 HP-850N, 33.5중량부의 페놀라이트 LA-7054, 및 52.6중량부의 브롬-함유 페녹시 수지 (상품명 YPB-40, Tohto Kasei Co., Ltd.에서 제조)를 메틸 에틸 케톤에 용해시키고, 0.3중량부의 1-시아노에틸-2-에틸-4-메틸이미다졸을 경화 촉진제로서 배합하여 비휘발성 함량 60중량%의 바니쉬를 제조하였다.

실시예 5

100중량부의 에피클론 N-865, 22.6중량부의 HP-850N, 12.9중량부의 페놀라이트 LA-7054, 46.8중량부의 파이어 가드 FG-2000 및 60.9중량부의 YPB-40을 메틸 에 틸 케톤에 용해시키고, 0.3중량부의 1-시아노에틸-2-에틸-4-메틸이미다졸을 경화 촉진제로서 배합하여 비휘발성 함량 60중량%의 바니쉬를 제조하였다.

실시예 6

100중량부의 에피클론 N-865, 5.8중량부의 HP-850N, 31.1중량부의 멜라민-개질된 페놀계 노볼락 (상품명 Phenolite LA-7054V, 다이니뽕잉끼가가꾸고오교사에서 제조; 질소함량: 7 중량%), 47.6중량부의 파이어 가드 FG-2000 및 61.6중량부의 YPB-40을 메틸 에틸 케톤에 용해시키고, 0.3중량부의 1-시아노에틸-2-에틸-4-메틸이미다졸을 경화 촉진제로서 배합하여 비휘발성 함량 60중량%의 바니쉬를 제조하였다.

실시예 7

100중량부의 브롬화 비스페놀 A 에폭시 수지 (상품명 Sumiepoxy ESB400T, Sumitomo Chemical Co., Ltd.에서 제조; 에폭시 당량: 400; 브롬 함량: 49 중량%), 19.5중량부의 HP-850N, 9중량부의 페놀라이트 LA-7054 및 42.9중량부의 YPB-40을 메틸 에틸 케톤에 용해시키고, 0.3중량부의 1-시아노에틸-2-에틸-4-메틸이미다졸을 경화 촉진제로서 배합하여 비휘발성 함량 60중량%의 바니쉬를 제조하였다.

실시예 8

100중량부의 에피클론 N-865, 33.6중량부의 HP-850N, 46.7중량부의 파이어 가드 FG-2000 및 70.8중량부의 YPB-40을 메틸 에틸 케톤에 용해시켰다. 여기에, 0.3중량부의 1-시아노에틸-2-에틸-4-메틸이미다졸을 경화 촉진제로서 배합한 다음, 31.9중량부의 멜라민 (질소함량: 66.7 중량%)를 추가로 배합하여 비휘발성 함량 60중량%의 바니쉬를 제조하였다.

비교예 1

100중량부의 에피클론 N-865, 33.6중량부의 HP-850N 및 46.7중량부의 파이어 가드 FG-2000을 메틸 에틸 케톤에 용해시키고, 0.3중량부의 1-시아노에틸-2-에틸-4-메틸이미다졸을 경화 촉진제로서 배합하여 비휘발성 함량 70중량%의 바니쉬를 제조하였다.

비교예 2

100중량부의 에피클론 N-865, 33.6중량부의 HP-850N, 46.7중량부의 파이어 가드 FG-2000 및 60.2중량부의 YPB-40을 메틸 에틸 케톤에 용해시키고, 0.3중량부의 1-시아노에틸-2-에틸-4-메틸이미다졸을 경화 촉진제로서 배합하여 비휘발성 함량 60중량%의 바니쉬를 제조하였다.

비교예 3

100중량부의 에피클론 N-865, 61.4중량부의 페놀라이트 LA-7054 및 53.9중량부의 YPB-40을 메틸 에틸 케톤에 용해시키고, 0.3중량부의 1-시아노에틸-2-에틸-4-메틸이미다졸을 경화 촉진제로서 배합하여 비휘발성 함량 60중량%의 바니쉬를 제조하였다.

비교예 4

100중량부의 에피클론 N-865, 38.7중량부의 페놀라이트 LA-7054, 48.5중량부의 파이어 가드 FG-2000 및 62.5중량부의 YPB-40을 메틸 에틸 케톤에 용해시키고, 0.3중량부의 1-시아노에틸-2-에틸-4-메틸이미다졸을 경화 촉진제로서 배합하여 비휘발성 함량 60중량%의 바니쉬를 제조하였다.

비교예 5

에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르에 용해된 1중량부의 디시안디아미드를 80중량부의 저브롬화 에폭시 수지 (상품명 DER-518, Dow Chemical Japan, Ltd.에서 제조; 브롬 함량: 21 중량%; 에폭시 당량: 485) 및 20중량부의 o-크레졸 노볼락 에폭시 수지 (상품명 에피클론 N-673, 다이니뽕잉끼가가꾸고오교사에서 제조; 에폭시 당량 213)과 배합하였다. 33.8중량부의 YPB-40을 거기에 추가로 배합한 다음, 0.2중량부의 1-시아노에틸-2-에틸-4-메틸이미다졸을 경화 촉진제로서 배합하여 비휘발성 함량 60중량%의 바니쉬를 제조하였다.

실시예 1 내지 8 및 비교예 1 내지 5에서 제조된 바니쉬 각각을 두께 0.018 ㎜ 구리 호일에 도포하고 160℃에서 3분 동안 가열하여 두께 50㎛ 접착층을 갖는 구리 호일 (접착제 코팅된 구리 호일)을 수득하였다. 이렇게 수득된 접착제 코팅된 구리 호일은 두께 0.4㎜ 회로-형성된 인쇄배선판 (상품명 MCL E-679, Hitachi Chemical Company, Ltd에서 제조; 양면 구리-클래딩된 유리포 보강 에폭시 수지 적층물; 구리 호일 두께: 18㎛)의 양면에 그의 접착면을 위치시키고 170℃, 2.5㎫ 및 90분의 조건하에 압착하여, 내층 회로를 갖는 구리-클래딩된 적층물을 만들었다. 내층 회로를 갖는 수득된 구리-클래딩된 적층물 각각을 Tg, 구리 호일 박리강도, 납땜 내열성 및 수흡수도에 대해 결정하였다. 결과는 표 1 및 2에 기재한다.

항목		실시예
항목		1	2	3	4	5	6	7	8
Tg (℃)		175	173	175	172	171	172	140	173
구리호일 박리강도 (kN/m)	평상상태	1.5	1.6	1.5	1.6	1.6	1.6	1.7	1.5
구리호일 박리강도 (kN/m)	200℃	0.7	0.7	0.7	0.8	0.7	0.8	0.6	0.8
납땜 내열성		○	○	○	○	○	○	○	○
수흡수도 (%)		0.6	0.6	0.4	0.6	0.6	0.5	0.4	0.5

항목		비교예
항목		1	2	3	4	5
Tg (℃)		174	171	163	158	118
구리호일 박리강도 (kN/m)	평상상태	1.2	1.3	1.6	1.5	1.7
구리호일 박리강도 (kN/m)	200℃	0.4	0.3	0.6	0.6	0.1
납땜 내열성		○	○	△	△	×
수흡수도 (%)		0.6	0.5	0.7	0.6	1.0

시험 및 측정을 하기 기술된 바처럼 수행하였다.

Tg: 구리 호일을 에칭하고 적층물의 Tg를 열역학적 분석 (TMA)에 의해 결정하였다 (단위: ℃).

구리 호일 박리강도 : 폭 10㎜ 라인을 에칭에 의해 기판 위에 형성시키고 수직 방향으로 벗겨 내면서 그의 박리강도를 인장 시험기로 측정하였다 (단위 kN/m).

납땜 내열성 : 구리 호일을 에칭한 후에, 적층물을 가압 쿠커 시험기에서 2시간 동안 유지한 다음, 260℃ 납땜 배쓰에 20초 동안 침지하였으며, 그의 외관을 육안으로 검사하고 평가하였다. 표에서, ○는 시험편이 이상이 없음을 나타내며, △는 시험편에 미스링 (measling)이 발생한 것을 나타내며, ×는 시험편이 물집 또는 물집들을 가지고 있다는 것을 나타낸다.

수흡수도 : 구리 호일을 에칭한 후에, 적층물을 가압 쿠커 시험기에서 4시간 동안 유지하였다. 수흡수도는 상기 시험기 내에 유지하기 전 및 후의 중량 차이로부터 계산되었다 (단위: 중량%).

실시예 1 내지 8은 평상상태에서 높은 구리호일 박리강도 (1.5 kN/m 이상)를 보여주며 200℃에 위치시켰을 때에도 평상상태 박리강도의 대략 50%를 유지하는데, 고온에서 열화가 적음을 나타낸다. 또한, 페놀계 노볼락을 경화제로서 사용하기 때문에, 실시예 1 내지 8은 대략 140 내지 175℃의 높은 Tg를 가졌으며 높은 납땜 내열성 및 낮은 수흡수도를 보여주었다.

대조적으로, 비교예 1 및 2는 구리 호일 박리강도가 평상상태 및 200℃에서 낮았다. 비교예 3 및 4는, 경화제로서 페놀계 노볼락을 사용하지 않았는데, 내열성이 빈약하였다. 비교예 5는, 디시안디아미드를 사용한 경우이며, 낮은 Tg를 가졌으며 또한 200℃에서의 구리 호일 박리강도가 낮고 수흡수도가 높고 납땜 내열성이 빈약하였다.

실시예 9

100중량부의 비스페놀 A 노볼락 에폭시 수지 (상품명 Epiclon N-865, 다이니뽕잉끼가가꾸고오교사에서 제조; 에폭시 당량: 207)를 에폭시 수지(a)로서, 24.5중량부의 비스페놀 A 노볼락 (상품명 Phenolite VH-4170, 다이니뽕잉끼가가꾸고오교사에서 제조; 히드록시 당량: 114)를 비스페놀 A/포름알데히드 축합물 (b)로서, 및 34.2중량부의 멜라민-개질된 페놀계 노볼락 (상품명 Phenolite LA-7054, 다이니뽕잉끼가가꾸고오교사에서 제조; 질소 함량: 14 중량%)를 트리아진 또는 이소시아누릭 고리를 갖는 화합물(d)로서 메틸 에틸 케톤에 용해시키고, 0.3중량부의 1-시아노에틸-2-에틸-4-메틸이미다졸을 경화 촉진제로서 배합하여 비휘발성 함량 70중량%의 바니쉬를 제조하였다.

실시예 10

100중량부의 에피클론 N-865, 23.2중량부의 페놀라이트 VH-4170, 13.3중량부의 페놀라이트 LA-7054 및 47.5중량부의 테트라브로모비스페놀 A (상품명 Fire Guard FG-2000, 데이진가세이사에서 제조: 히드록시 당량: 272; 브롬 함량: 58 중량%)을 메틸 에틸 케톤에 용해시키고, 0.3중량부의 1-시아노에틸-2-에틸-4-메틸이미다졸을 경화 촉진제로서 배합하여 비휘발성 함량 70중량%의 바니쉬를 제조하였다.

실시예 11

100중량부의 에피클론 N-865, 24.5중량부의 페놀라이트 VH-4170 및 34.2중량부의 페놀라이트 LA-7054를 메틸 에틸 케톤에 용해시켰다. 상기 용액에, 39.8중량부의 용융 실리카 (상품명 QZ FUSED SS-G1, Izumitec Co., Ltd에서 제조)를 배합한 다음, 0.3중량부의 1-시아노에틸-2-에틸-4-메틸이미다졸을 경화 촉진제로서 추가로 배합하여 비휘발성 함량 60중량%의 바니쉬를 제조하였다.

실시예 12

100중량부의 에피클론 N-865, 24.5중량부의 페놀라이트 VH-4170, 34.2중량부의 페놀라이트 LA-7054 및 53중량부의 브롬-함유 페녹시 수지 (상품명 YPB-40, Tohto Kasei Co., Ltd.에서 제조)를 메틸 에틸 케톤에 용해시키고, 0.3중량부의 1-시아노에틸-2-에틸-4-메틸이미다졸을 경화 촉진제로서 배합하여 비휘발성 함량 60중량%의 바니쉬를 제조하였다.

실시예 13

100중량부의 에피클론 N-865, 23.2중량부의 페놀라이트 VH-4170, 13.3중량부의 페놀라이트 LA-7054, 47.5중량부의 파이어 가드 FG-2000 및 61.4중량부의 YPB-40을 메틸 에틸 케톤에 용해시키고, 0.3중량부의 1-시아노에틸-2-에틸-4-메틸이미다졸을 경화 촉진제로서 배합하여 비휘발성 함량 60중량%의 바니쉬를 제조하였다.

실시예 14

100중량부의 에피클론 N-865, 5.8중량부의 페놀라이트 VH-4170, 31.3중량부의 멜라민-개질된 페놀계 노볼락 (상품명 Phenolite LA-5054V, 다이니뽕잉끼가가꾸고오교사에서 제조; 질소 함량: 7 중량%), 47.9중량부의 파이어 가드 FG-2000 및 61.8중량부의 YPB-40을 메틸 에틸 케톤에 용해시키고, 0.3중량부의 1-시아노에틸-2-에틸-4-메틸이미다졸을 경화 촉진제로서 배합하여 비휘발성 함량 60중량%의 바니쉬를 제조하였다.

실시예 15

100중량부의 브롬화 비스페놀 A 에폭시 수지 (상품명 Sumiepoxy ESB400T, Sumitomo Chemical Co., Ltd.에서 제조; 에폭시 당량: 400; 브롬 함량: 49 중량%), 20.2중량부의 페놀라이트 VH-4170, 9.3중량부의 페놀라이트 LA-7054 및 43.3중량부의 YPB-40을 메틸 에틸 케톤에 용해시키고, 0.3중량부의 1-시아노에틸-2-에틸-4-메틸이미다졸을 경화 촉진제로서 배합하여 비휘발성 함량 60중량%의 바니쉬를 제조하였다.

실시예 16

100중량부의 에피클론 N-865, 35.3중량부의 페놀라이트 VH-4170, 47.3중량부 의 파이어 가드 FG-2000 및 71.7중량부의 YPB-40을 메틸 에틸 케톤에 용해시키고, 0.3중량부의 1-시아노에틸-2-에틸-4-메틸이미다졸을 경화 촉진제로서 배합하여 비휘발성 함량 60중량%의 바니쉬를 제조하였다.

비교예 6

100중량부의 에피클론 N-865, 35.3중량부의 페놀라이트 VH-4170 및 47.3중량부의 파이어 가드 FG-2000을 메틸 에틸 케톤에 용해시키고, 0.3중량부의 1-시아노에틸-2-에틸-4-메틸이미다졸을 경화 촉진제로서 배합하여 비휘발성 함량 70중량%의 바니쉬를 제조하였다.

비교예 7

100중량부의 에피클론 N-865, 35.3중량부의 페놀라이트 VH-4170, 47.3중량부의 파이어 가드 FG-2000 및 61중량부의 YPB-40을 메틸 에틸 케톤에 용해시키고, 0.3중량부의 1-시아노에틸-2-에틸-4-메틸이미다졸을 경화 촉진제로서 배합하여 비휘발성 함량 60중량%의 바니쉬를 제조하였다.

실시예 9 내지 16 및 비교예 6 및 7에서 제조된 바니쉬 각각을 두께 0.018 ㎜ 구리 호일에 도포하고 160℃에서 3분 동안 가열하여 두께 50㎛ 접착층을 갖는 구리 호일 (접착제 코팅된 구리 호일)을 수득하였다. 이렇게 수득된 접착제 코팅된 구리 호일을, 회로-형성된 두께 0.4㎜ 인쇄배선판 (상품명 MCL E-679, Hitachi Chemical Company, Ltd에서 제조)의 양면에 각 구리 호일의 접착면이 기판을 향하게 위치시키고, 175℃, 2.5㎫ 및 90분의 조건하에 압착하여, 내층 회로를 갖는 구리-클래딩된 적층물을 만들었다.

내층 회로를 갖는 수득된 구리-클래딩된 적층물 각각을 Tg, 구리 호일 박리강도, 납땜 내열성, 수흡수도 및 가열변색성에 대해 결정하였다. 결과는 표 3 및 4에 기재한다.

비교예 3 내지 5에서 수득된 바니쉬를 사용하여 만들어진, 내층 회로를 갖는 구리-클래딩된 적층물에 관해서는, Tg, 구리 호일 박리강도, 납땜 내열성 및 수흡수도에 관하여 상기 주어진 바와 동일한 데이터가 기재되지만 (표 4), 가열 변색성에 대해서는 하기 기술한 시험 결과를 표 4에 기재하였다.

항목		실시예
항목		9	10	11	12	13	14	15	16
Tg (℃)		174	173	176	174	174	173	141	178
구리호일 박리강도 (kN/m)	평상상태	1.5	1.6	1.5	1.6	1.6	1.5	1.6	1.5
구리호일 박리강도 (kN/m)	200℃	0.7	0.7	0.8	0.7	0.7	0.6	0.6	0.8
납땜 내열성		○	○	○	○	○	○	○	○
수흡수도 (%)		0.6	0.6	0.4	0.6	0.6	0.5	0.4	0.5
가열 변색성		○	○	○	○	○	○	○	○

항목		비교예
항목		6	7	3	4	5
Tg (℃)		180	178	163	158	118
구리호일 박리강도 (kN/m)	평상상태	1.2	1.3	1.6	1.5	1.7
구리호일 박리강도 (kN/m)	200℃	0.4	0.4	0.6	0.6	0.1
납땜 내열성		○	○	△	△	×
수흡수도 (%)		0.6	0.5	0.7	0.6	1.0
가열 변색성		○	○	×	×	○

시험 및 측정을 상기 기술된 방법에 따라 수행하였지만, 가열 변색성은, 구리 호일을 에칭하고, 적층물을 공기중 160℃에서 5시간 동안 위치시킨 다음 그의 색 변화를 육안으로 관찰함으로써 평가되었다. ○: 전혀 변색되지 않음; △: 약간 변색됨; ×: 변색됨.

실시예 9 내지 16은 평상상태에서 높은 구리호일 박리강도 (1.5 kN/m 이상)를 보여주며 심지어 200℃에서도 평상상태 박리강도의 대략 50%를 유지하는데, 고온에서 열화가 적음을 나타낸다. 또한, 비스페놀 A 노볼락 (비스페놀 A/포름알데히드 축합물)을 경화제로서 사용하기 때문에, 실시예 9 내지 16은 대략 140 내지 180℃의 범위의 높은 Tg를 가졌으며 높은 납땜 내열성 및 미약한 가열변색성을 나타내었으며 수흡수도가 낮았다.

대조적으로, 비교예 6 및 7은 구리 호일 박리강도가 평상상태 및 200℃에서 낮았다.

본 발명에 따른 접착제 코팅된 구리 호일은 낮은 수흡수도, 높은 내열성 및 구리 호일에의 우수한 접착성을 가지고 있어, 본 발명의 접착제 코팅된 구리 호일에 내층 회로판을 적층함으로써 탁월한 성질을 갖는 구리-클래딩된 적층물을 수득하고 구리-클래딩된 적층물에 회로를 형성시킴으로써 인쇄배선판을 수득하는 것이 가능하다.

Claims

필수성분으로서 (a) 에폭시 수지, (b) 다관능성 페놀, 및 (d) 하기 화학식 (I)로 나타내는 트리아진 고리를 갖는 화합물; 하기 화학식 (II)로 나타내는 이소시아누릭 고리를 갖는 화합물; 페놀, 하기 화학식 (I)의 화합물 및 알데히드의 중축합물; 및 페놀, 하기 화학식 (II)의 화합물 및 알데히드의 중축합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상을 포함하는 접착 조성물을 구리 호일의 한쪽 면에 적용함으로써 수득되는 접착제 코팅된 구리 호일:

[화학식 I]

(상기식에서 R₁, R₂ 및 R₃는 독립적으로 아미노기, 알킬기, 페닐기, 히드록실기, 히드록시알킬기, 에테르기, 에스테르기, 산기, 불포화기 또는 시아노기를 나타냄)

[화학식 II]

(상기식에서 R₄, R₅ 및 R₆는 독립적으로 아미노기, 알킬기, 페닐기, 히드록실기, 히드록시알킬기, 에테르기, 에스테르기, 산기, 불포화기 또는 시아노기를 나타냄.)
제 1 항에 있어서, 접착 조성물이 난연화제를 추가로 포함하는 접착제 코팅된 구리 호일.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 접착 조성물이, 조성물 중의 질소 함량이 수지 고형분 총량을 기준으로 0.1 내지 10중량%가 되도록 하는 양의 성분 (d)를 함유하는 접착제 코팅된 구리 호일.
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 기재된 접착제 코팅된 구리 호일을 내층 회로판에 적층시킴으로써 수득되는 구리-클래딩된 적층물.
제 4 항에 있어서, 접착제 코팅된 구리 호일에 필요한 홀들이 설치되어져 있는 구리-클래딩된 적층물.
제 4 항 또는 제 5 항에 기재된 구리-클래딩된 적층물에 회로를 형성시킴으로써 수득된 인쇄배선판.
제 1 항에 있어서, 접착 조성물이 경화촉진제를 추가로 포함하는 접착제 코팅된 구리 호일
제 7 항에 있어서, 접착 조성물이 난연화제를 추가로 포함하는 접착제 코팅된 구리 호일.
제 7 항 또는 제 8 항에 있어서, 접착 조성물이, 조성물 중의 질소 함량이 수지 고형분 총량을 기준으로 0.1 내지 10중량%가 되도록 하는 양의 성분 (d)를 함유하는 접착제 코팅된 구리 호일.
제 7 항 또는 제 8 항에 기재된 접착제 코팅된 구리 호일을 내층 회로판에 적층시킴으로써 수득되는 구리-클래딩된 적층물.
제 10 항에 있어서, 접착제 코팅된 구리 호일에 필요한 홀들이 설치되어져 있는 구리-클래딩된 적층물.
제 10 항에 기재된 구리-클래딩된 적층물에 회로를 형성시킴으로써 수득된 인쇄배선판.