KR100471155B1 - 저온소성 유전체 자기조성물과 이를 이용한 적층세라믹커패시터 - Google Patents

저온소성 유전체 자기조성물과 이를 이용한 적층세라믹커패시터 Download PDF

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Abstract

본 발명은 유전체 자기조성물에 관한 것이다. 이 유전체 자기조성물은 aBaTiO3-bMgCO3-cY2O3-dCr2O3-eV2O5- f(xZrO2-y(K, Li)2O-zSiO2)(단 x+y+z=1로서 0.05≤x≤0.18, 0.01≤y≤0.08, 0.74≤z≤0.93이다)로 조성되고, 몰비로 a=100, 1.0≤b≤2.0, 0.2≤ c≤2.0, 0.02≤d≤0.3, 0.02≤e≤0.3, 0.5≤f<2를 만족한다. 이 유전체 자기조성물을 이용하는 적층세라믹 커패시터 역시 제공된다. 본 발명에서는 유전율의 저하 없이 저온소성이 가능하여 유전체를 초박층으로 할 수 있다.

Description

저온소성 유전체 자기조성물과 이를 이용한 적층세라믹 커패시터{Dielectric ceramic composition for low temperature sintering and multiplayer ceramic chip capacitor produced using the composition}
본 발명은 유전체 자기조성물에 관한 것으로, 보다 상세하게는 유전율의 저하 없이 저온소성이 가능하여 유전체를 초박층으로 할 수 있는 유전체 자기조성물과 적층세라믹 커패시터에 관한 것이다.
전기, 전자기기 산업이 발전에 따라 소형이면서 대용량의 전자부품에 대한 요구가 커지고 있다. 적층세라믹 커패시터는 전극과 고유전율계 세라믹을 번갈아 적층한 다층구조로서, 소형이면서 대용량이라는 특징에 의해 폭 넓게 사용되고 있다.
적층 세라믹 커패시터는 고가의 귀금속인 Ag, Pd 대신 값싼 Ni 또는 Ni합금 등의 비금속을 내부전극으로 이용하고 있다. Ni의 내부전극은 대기중에서 유전체층과 동시소성되면 산화되므로, 환원성분위기에서 소성하여야 한다. 그러나, 환원성분위기에서 유전체층은 환원되어 비저항이 낮아진다. 따라서, 비환원성 유전재료가 개발되고 있다.
Ni 전극을 사용하는 내환원성 유전체 자기조성물의 대표적인 기술은 일본 공개특허공보 2000-311828호에 개시되어 있다. 이 유전체 자기조성물은 100몰의 BaTiO3와 MgO, CaO, BaO, SrO 및 Cr2O3로부터 선택된 적어도 1종:0.1~3몰,
(Ba, Ca)xSiO2+x(단, x=0.8~1.2):2~12몰,
V2O5, MoO3 및 WO3로부터 선택된 적어도 1종:0.1~3몰,
R의 산화물(단, R은 Y, Dy, Tb, Gd 및 Ho로부터 선택된 적어도 1종):0.1~10몰을 몰비로 포함한다. 이 유전체 자기조성물은 X7R(EIA규격)특성을 만족하는 것으로, 직류 전계하에서의 용량의 경시변화 및 용량저하가 작은 장점이 있다. 그러나, 소성온도가 1270℃로 너무 높다.
소성온도가 높을 경우 Ni내부전극층이 유전체층 보다 먼저 수축하여 두층이벌어짐(delamination)이 발생하기 쉬우며, 또한, 내부전극의 뭉침현상에 의해 단락(short)불량의 발생율이 높아진다. 특히, 적층세라믹 커패시터의 대용량화와 소형화를 위해 유전체층의 두께를 5㎛이하의 박층으로 하는 기술에서 소성온도가 높으면 내부전극의 단락이 발생할 가능성은 더욱 높아진다. 따라서, Ni내부전극을 사용하는 초박층 세라믹 커패시터에 적용되는 유전체 자기조성물은 1200℃이하의 저온소성이 가능하여야 한다. 또한, 유전체층이 박층화되면 유전체재료에는 보다 많은 고전압이 인가되어 유전율의 저하, 정전용량의 온도특성(Tempreature Coefficient of Capacitance, 이하 TCC라고도 표기)이 나빠지며, DC 바이어스에 의한 용량변화율이 증가된다. 게다가 유전체층의 두께가 3㎛이하까지 박층화 되면 내부전극사이에서 유전체 입자의 개수가 적어져 안정된 특성을 확신하기 어려워진다.
저온소성을 행하는 박층의 적층세라믹 커패시터는 미국특허공보 6243254호에 개시되어 있다. 이 커패시터의 유전체 자기조성물은,
(Ba1-xCaxO)mTiO2+αRe2O3+βMgO+γMnO(단, Re2O3는 Y2O3 등에서 선택된 1종이상)로 표현되는 주성분과, 이 주성분 100중량부에 대해 제1부성분 Li2O-(Si, Ti)O2-MO(단, MO는 Al2O3 및 ZrO2에서 선택된 1종이상) 또는 제2부성분 SiO2-TiO2-XO계 산화물(XO는 BaO 등에서 선택된 적어도 1종)이 0.2~5.0중량부 포함된다. 이 유전체 자기조성물은 1250℃이하의 온도에서 소성이 가능하고 정전용량의 온도특성이 EIA규격에 규정하는 X7R특성을 만족하다. 그러나, 유전체층의 두께를 3㎛이하로 박층화하는 경우에 유전율이 1130~2900으로 유전율 저하가 심해서 박층화와 다층화에 의한 고용량을 구현하기 어렵다.
본 발명에서는 유전율의 저하 없이 저온소성이 가능하여 유전체를 초박층으로 할 수 있으면서 X5R특성(EIA규격)을 만족하는 유전체 자기조성물과 이를 이용한 적층세라믹 커패시터를 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 유전체 자기조성물은, aBaTiO3-bMgCO3-cY2 O3-dCr2O3-eV2O5- f(xZrO2-y(K, Li)2O-zSiO 2)(단 x+y+z=1로서 0.05≤x≤0.18, 0.01≤y≤0.08, 0.74≤z≤0.93이다)로 조성되고, 몰비로 a=100, 1.0≤b≤2.0, 0.2≤ c≤2.0, 0.02≤d≤0.3, 0.02≤e≤0.3, 0.5≤f<2를 만족한다.
또한, 본 발명의 자기커패시터는, 상기 유전체 자기조성물로 이루어진 유전체층과 내부전극이 교대로 적층되는 것을 포함하는 구성된다. 본 발명의 적층세라믹 커패시터는 내부전극이 Ni 또는 Ni합금 등의 비금속에서 선택된 것이며, 유전체층은 5㎛이하, 특히 5~2㎛의 두께를 가질 수 있다.
이하, 본 발명을 상세히 설명한다.
본 발명자들은 xZrO2-y(K, Li)2O-zSiO2의 그라스 조성물이 aBaTiO3 -bMgCO3-cY2O3-dCr2O3-eV2O5의 자기조성물에서 저온소성이 가능하도록 하면서 유전율을 높인다는 사실에 주목하여 본 발명을 완성한 것이다. 본 발명의 유전체 자기조성물은 유전체를 3㎛이하의 초박층으로 하고, 저온소성에 의해 자기커패시터를 제조하여도 유전율을 3000이상으로 높이면서 X5R온도특성을 만족하고 절연저항의 우수하며, DC바이어스에 의한 용량변화율이 작기 때문에 대용량의 적층세라믹 자기커패시터에 유용하다.
본 발명의 유전체 자기조성물에서 탄산 마그네슘(MgCO3)은 1.0~2.0몰비가 바람직하다. 탄산마그네슘은 티탄산 바륨의 입성장을 억제시켜 코아셀을 형성시키는 작용을 한다. 티탄산 바륨의 중심방향으로의 첨가물의 확산을 제어하고 중심부분에 순수한 티탄산 바륨을 코아로서 잔존시키는 역할을 한다. 이러한 역할을 하는 탄산마그네슘의 함량은 몰비로 1.0~2.0의 범위가 바람직하다. 탄산마그네슘의 함량이 1.0몰비 미만이면 티탄산바륨의 과도한 입성장으로 유전율은 상승하나 손실계수가 증가하고 온도용량변화율이 커지게 된다. 2.0초과의 경우 소결성이 악화되고 가속수명이 저하된다.
산화이트륨(Y2O3)
산화이트륨은 Ba자리에 치환되어 가속수명을 향상시키는 역할을 한다. 정전용량의 온도특성을 평탄화하는 효과를 나타내는데, 0.2~2.0몰비로 하는 것이 바람직하다. 만일 산화이트륨이 0.2몰비 미만이면 가속수명이 저하되고, 2.0몰비 초과의 경우 소결성이 저하되고 유전율이 낮아지는 단점이 있다.
산화크롬(Cr2O3)
산화크롬은 내환원성을 강화하는 역할을 한다. 산화크롬의 함량이 0.02몰비 미만인 경우는 반도체화 되고, 0.3몰비 초과의 경우는 절연저항이 저하된다.
산화바나듐(V2O5)
산화바나듐은 신뢰성을 향상시키는 역할을 한다. 산화바나듐의 함량이 0.02몰비 미만의 경우는 가속수명이 저하되고, 0.3몰비 초과이면 유전율과 절연저항이 저하된다.
xZrO2-y(K, Li)2O-zSiO2(단, x+y+z=1, 0.05≤x≤0.18, 0.01≤y≤0.08, 0.74≤z≤0.93)
ZrO2-(K, Li)2O-SiO2는 저온소결조제로서 소성온도를 1200℃이하로 낮추어 준다. 이 그라스 조성물의 함량이 0.5몰비 미만의 경우는 소결성이 나빠지고 정전용량의 온도특성이 규격에서 벗어나며 2.0몰비 이상이면 유전율이 감소하며 과다한 입성장이 일어나서 직류전계하에서의 용량저하가 심해진다.
xZrO2-y(K, Li)2O-zSiO2의 그라스조성물에서 산화지르코늄(ZrO2)은 유전율을 높이고 고온에서의 유전체의 용량변화를 안정시키는 역할을 한다. 산화지르코늄의 함량이 0.05몰비 미만이면 고온 온도특성의 향상효과가 없으며, 0.18몰비을 초과하면 특성향상에 크게 도움이 되지 않는다. 산화리튬(Li2O) 또는 산화칼륨(K2O)은 그라스의 연화온도를 낮추어 주는 역할을 하여 저온소성을 가능하게 한다. 이들의 함량이 0.01몰비 미만의 경우는 소결성이 떨어지며, 0.08몰비 초과이면 연화온도가 너무 낮아져서 저온에서 그라스 조성물의 뭉침으로 인해 소성온도에서 액상의 균일한 분포를 기대할 수 없다. 이에 따라, 소성시 입자의 비정상입성장을 초래하게 된다. 산화실리콘(SiO2)은 그라스조성물의 주성분으로 다른 성분들의 양에 따라 결정된다.
그라스조성물의 입도는 0.5㎛이하가 가장 바람직하다. 그라스조성물의 입도가 0.5㎛ 보다 크면 유리상이 소결도중 국부 용융된 유리의 편석으로 인해 비정상 입성장이 일어나 유전특성이 저하되고 소결체 표면에 유리성분이 편석될 수 있다.
티탄산 바륨(BaTiO3)의 평균입자크기는 0.4㎛이하로 하는 것이 바람직하다. X5R특성재료에서는 소결체의 입자크기가 출발 티탄산 바륨(BaTiO3)의 입경과 거의 같으므로, 티탄산 바륨(BaTiO3)의 입경이 작아지면 비유전율도 낮아진다. 그러나, 유전체 시트 두께를 초박층(약 3㎛이하)으로 하려면, 티탄산 바륨의 입경 크기는 0.4㎛이하로 하는 것이 바람직하다. 유전체층의 얇아질수록 단위 두께당 받는 전계강도가 커지므로 입자크기가 0.4㎛초과할 경우 DC바이어스에 의한 용량변화율이 너무 커진다.
다음, 본 발명의 적층세라믹 커패시터에 대해 설명한다.
본 발명의 적층세라믹 커패시터는 본 발명의 유전체 자기조성물로 이루어진 유전체층과 내부전극층이 교대로 적층되어 이루어진다. 유전체층의 두께는 5㎛이하의, 바람직하게는 5~2㎛으로 하여 대용량화를 구현한다. 내부전극은 니켈 또는 니켈합금과 같은 비금속이 바람직하다. 외부전극은 Ag, Pd, Ag-Pd, Cu, Cu합금 등 여러종류의 도전성 금속의 소결층, 또는 상기 도전성 금속분말과 그라스프릿(glass frit)을 배합한 소결층으로 구성된다. 이 소결층위에 도금층을 형성할 수 있다. 도금층은 단순히 Ni, Cu 또는 Ni-Cu합금 등으로 이루어지는 도금층으로 형성하거나 이 도금층위에 주석 또는 솔더를 포함한 도금층을 형성할 수도 있다.
본 발명의 따른 적층세라믹 커패시터의 제조방법의 일례는 먼저, 유전체 자기조성물의 출발원료로서 고상법에 의해 생산된 분말원료나 수열합성법 또는 알콕시드법 등의 습식 합성법에 의해 생산된 분말원료를 준비한다. 준비된 원료를 소정의 조성비율로 혼합한 후 그 혼합분말에 유기바인더를 첨가하여 슬러리화한다. 이 슬러리를 시트형으로 성형한다. 시트에 내부전극을 형성한다. 내부전극의 형성방법은 스크린인쇄, 진공증착 또는 도금을 포함한다. 내부전극을 갖는 시트를 필요한 수 만큼 적층하여 압착한 후 적층체를 형성한다. 적층체의 양단부에 내부전극과 전기적으로 접속하도록 한쌍의 외부전극을 형성한다. 필요하다면 외부전극위에 도금층을 형성하여 적층세라믹 커패시터를 완성시킨다. 본 발명에서 소성은 1200℃이하, 보다 바람직하게는 1150~1200℃이다.
이하, 본 발명을 실시예를 통하여 보다 구체적으로 설명한다.
[실시예]
(xZrO2-y(K, Li)2O-zSiO2)의 소결조제의 각각의 원소를 칭량하고 1300~1400℃사이의 온도로 용융시키고, 물에서 급랭후 건식분쇄를 거쳐 에틸알콜을 사용하여 입도가 0.5㎛이하가 되도록 분쇄하여 그라스 조성물을 제조하였다.
다음으로 티탄산바륨(BaTiO3)과 첨가제를 혼합하기 전에 첨가제를 따로 혼합한다. 분쇄된 그라스와 나머지 첨가제를 칭량하여 24시간동안 습식 혼합한 후 100℃에서 3시간이상 건조한다. 혼합된 첨가제의 평균입도는 0.3~0.4㎛로 하였다. 이때 첨가제의 입도는 최대 3㎛이하로 하는 것이 좋다.
다음으로 티탄산바륨에 미리 제조된 첨가제를 혼합하여 분산시킨다. 0.4㎛의 티탄산바륨에 솔베트와 분산제를 넣고 3~4시간동안 첨가제와 혼합 및 분산시켰다.
슬러리의 분산이 끝난후 시트로 성형하기 위해서 바인더를 넣고 혼합하였다. 이때 얻어진 슬러리는 필터를 이용하여 거른 다음, 슬리러리를 안정시킨 후 성형을 하였다. 성형은 다이 코터(die coater)로 2.8㎛의 시트로 성형한 다음 2012(2.0mmⅹ1.2mm) 크기의 내부전극패턴을 인쇄한 후 20층을 적층하였다. 그 다음, 85℃에서 1000kg/cm2의 압력으로 15분간 CIP(Cold Isostatic Press)를 행한 후 절단하여 유전특성 평가를 위한 칩을 얻었다. 유전특성 평가시편으로 칩을 만든 이유는 유전체 활성층(Active layer)의 두께에 따라 AC 및 DC 바이어스 의존성이 달라져 유전율, 유전손실(DF), TCC 값이 달라지기 때문이다.
각 시편들은 250~300℃의 공기중에서 열처리하여 결합제를 소각한 다음 튜브로를 이용하여 소성온도와 분위기를 제어하면서 소결을 행하였다. 소성분위기중의 산소분압은 10-11기압으로 하였으며, 소성은 1180℃에서 2시간 유지하였다. 시편의 전기적 특성측정을 위한 외부전극으로 In-Ga을 사용하였다.
정전용량 측정기(Alilent, 4284A)를 이용하여 1KHz, 1Vrms에서 용량과 유전손실을 측정하였으며, C=ε0·εrⅹS/dⅹn(ε0:진공의 유전율, εr:비유전율, S:전극겹침면적, d:유전체의 두께, n:유전체 시트수)식을 이용하여 유전율을 구하였다. DC 바이어스특성 또한 4284A를 이용하여 6.3V의 DC바이어스를 가한 상태에서 1KHz, 1Vrms에서 용량을 측정하여 용량변화율을 구하였다. 절연저항측정은 High resistance meter(alient, 4339B)를 이용하였으며, RC=ρ·ε0·εr(ρ:비저항, ε0:진공의 유전율, εr:비유전율)이용하여 비저항을 구하였다. 용량의 온도의존성
인 TCC는 4220A 테스트 챔버를 이용하여 -55℃에서 85℃(X5R온도범위)사이에서 측정하였다. 소결성은 SEM(Scanning Electron Microscope)을 이용하여 칩의 파단면을 관찰해 평가하였다.
구분 유전체 조성(BaTiO3 100몰 기준) 소성온도(℃)
bMgCO3 cY2O3 dCr2O3 eV2O5 f(xZrO2-y(Li, K)2O-zSiO2)
1.0≤b≤2.0 0.2≤c≤2.0 0.02≤d≤0.3 0.02≤e≤0.3 0.5≤f<2 0.05≤x≤0.18 0.01≤y≤0.08 0.74≤z≤0.93
발명예1 1.3 0.6 0.2 0.1 0.7 0.07 0.02(Li2O) 0.91 1180
비교예2 1.3 0.6 0.2 0.1 0.7 0.03 0.02(Li2O) 0.95 1180
발명예3 1.3 0.6 0.2 0.1 0.7 0.1 0.04(Li2O) 0.86 1180
비교예4 1.3 0.6 0.2 0.1 0.7 0.1 0.15(K2O) 0.75 1180
비교예5 1.4 0.6 0.2 0.1 0.4 0.07 0.02(Li2O) 0.91 1180
비교예6 1.4 0.6 0.2 0.1 0.4 0.1 0.04(Li2O) 0.86 1180
비교예7 1.4 0.2 0.1 0.1 2.0 0.07 0.02(Li2O) 0.91 1180
비교예8 1.5 0.3 0.1 0.1 2.0 0.1 0.04(K2O) 0.86 1180
발명예9 1.5 0.9 0.08 0.03 0.7 0.07 0.02(Li2O) 0.91 1180
발명예10 1.6 0.9 0.1 0.1 0.9 0.1 0.04(Li2O) 0.86 1180
발명예11 1.6 0.9 0.08 0.03 0.9 0.1 0.04(Li2O) 0.86 1180
비교예12 1.3 2.5 0.1 0.1 0.7 0.07 0.02(Li2O) 0.91 1180
비교예13 1.3 2.5 0.1 0.1 0.9 0.07 0.02(Li2O) 0.91 1180
비교예14 1.4 0.3 0 0.1 0.7 0.1 0.04(Li2O) 0.86 1180
비교예15 1.4 0.3 0.1 0.4 0.7 0.1 0.04(Li2O) 0.86 1180
발명예16 1.4 1.5 0.2 0.1 0.7 0.1 0.04(K2O) 0.86 1180
구분 유전율 유전손실(%) TCC(%) 비저항×1011(Ω·cm) 용량감소율(%) 소결성 비고
-55℃ 0℃ 45℃ 85℃
발명예1 3700 4.0 -5.0 0.0 0.2 -8.0 20 -40 양호 양호
비교예2 3450 3.4 2.0 2.0 -5.0 -17.0 22 -42 양호 TCC불량
발명예3 3720 3.8 -6.0 -1.0 1.2 -10.0 23 -39 양호 양호
비교예4 4200 7.0 -16.0 -4.1 1.2 -16.5 18 -64 입성장 TCC, DC바이어스 불량
비교예5 3000 3.0 -4.0 0.2 1.2 -7.0 1.2 -40 미소성 소결불량
비교예6 2800 2.9 -4.2 0.3 1.5 -6.8 2.1 -42 미소성 소결불량
비교예7 4200 5.6 -15.5 -6.0 1.3 -15.2 25 -65 입성장 유전손실, TCC, DC 바이어스 불량
비교예8 4300 6.3 -16.0 -5.2 2.0 -16.2 28 -67 입성장 유전손실, TCC, DC 바이어스 불량
발명예9 3450 3.5 -7.0 -1.7 1.2 -12.0 30 -37 양호 양호
발명예10 3500 3.7 -6.5 -1.0 1.0 -10.0 20 -38 양호 양호
발명예11 3600 3.8 -8.0 0.2 -0.2 -11.0 40 -40 양호 양호
비교예12 3000 2.7 -5.0 -1.8 0.1 -5.0 1.2 -35 미소성 소결불량
비교예13 3100 2.8 -6.0 -2.0 -0.1 -6.0 1.5 -37 미소성 소결불량
비교예14 반도체화
비교예15 3000 2.7 -7.0 -2.0 -0.2 -7.0 0.1 -38 비저항저하 절연저항불량
발명예16 3200 3.0 -4.0 0.0 1.0 -3.0 20 -35 양호 양호
비교예 2의 경우 f(xZrO2-y(Li, K)2O-zSiO2)의 첨가량이 0.7몰비로 소성에는 문제가 없으나, 고온 TCC안정화 역할을 하는 산화지르코늄(ZrO2)의 양이 너무 적어 고온(85℃)에서의 용량변화율이 큼을 알 수 있다.
비교예4의 경우 비정상 입성장이 일어났다. 이는 산화칼륨이 너무 많이 들어가 연화온도가 너무 낮은 그라스조성물을 사용하였기 때문에 저온에서 그라스조성물이 뭉침으로 인해 소성온도에서 액상의 균일한 분포를 얻을 수 없는 것이다. 결국, 소성시 입자의 비정상입성장을 초래하게 된 것으로 판단되어진다. 이러한 비성장입성장으로 인해 유전율은 높아지나 유전손실이 증가하고 DC 바이어스 특성이 나빠지며, 정전용량의 온도특성 또한 나빠진다.
비교예5, 6의 경우 그라스조성물이 너무 적게 들어가서 소결성이 나빠짐으로 인해 미소성이 되었고, 유전율이 감소하며 절연저항 또한 감소하는 경우이다.
비교예 7, 8의 경우 그라스조성물이 너무 많이 첨가되어 과다한 입성장이 일어나 유전율과 유전손실이 증가하고 TCC 및 DC 바이어스 특성이 저하된다.
비교예 12, 13은 그라스조성물의 양이 충분함에도 불구하고 산화이트륨의 양이 너무 많아서 소결성이 떨어지는 경우이다.
비교예 14의 경우는 산화크롬이 첨가되지 않은 경우로, 내환원성이 떨어져 반도체화 되었다.
비교예15의 경우는 산화바나듐이 과도하게 첨가된 경우로, 유전율이 저하되고 절연저항이 열악하여 실용적이 못하다.
이에 반해, 발명예 1, 3, 9, 10, 11, 16은 모두 양호한 유전특성을 보여주고 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 유전체 자기 조성물은 내부전극과 동시소성이 가능할 뿐 아니라, 초박층으로 1200℃이하의 저온소성이 가능하여 전극뭉침에 의한 내부전극의 단락이 발생되지 않는다. 따라서, 내부전극으로 Ni 또는 Ni합금 등의 비금속을 사용하면서 유전체를 초박층으로 할 수 있다. 특히, 유전체를 초박층으로 하여도 높은 유전율을 얻을 수 있어 대용량의 신뢰성이 높은 적층세라믹 커패시터를 제공할 수 있는 유용한 효과가 있는 것이다.

Claims (6)

  1. aBaTiO3-bMgCO3-cY2O3-dCr2O3-eV2 O5-f(xZrO2-y(K,Li)2O-zSiO2)(단 x+y+z=1로서 0.05≤x≤0.18, 0.01≤y≤0.08, 0.74≤z≤0.93이다)로 조성되고, 몰비로 a=100, 1.0≤b≤2.0, 0.2≤ c≤2.0, 0.02≤d≤0.3, 0.02≤e≤0.3, 0.5≤f<2를 만족하는 저온소성 유전체 자기조성물.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 BaTiO3는 평균입도 0.4㎛이하임을 특징으로 하는 저온소성 유전체 자기조성물.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 (xZrO2-y(K, Li)2O-zSiO2)는 평균입도 0.5㎛이하임을 특징으로 하는 저온소성 유전체 자기조성물.
  4. 청구항 1 내지 청구항 3의 어느 한 항의 유전체 자기조성물로 이루어진 유전체층과 내부전극이 교대로 적층되는 것을 포함하는 적층세라믹 커패시터.
  5. 제 4에 있어서, 상기 내부전극은 Ni 또는 Ni합금에서 선택된 것임을 특징으로 하는 적층세라믹 커패시터.
  6. 제 4항에 있어서, 상기 유전체층은 5~2㎛의 두께임을 특징으로 하는 적층세라믹 커패시터.
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