KR100364818B1 - 반도체 소자의 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (2)
- 반도체 기판상의 제 1 절연막을 선택적으로 제거하여 소정깊이를 갖는 트랜치를 형성하는 단계;상기 트랜치의 내부에 금속배선 및 하부전극용 제 1 금속막을 형성하는 단계;상기 반도체 기판상에 상기 제 1 금속막의 표면이 소정부분 노출되는 제 2 절연막을 형성하는 단계;상기 반도체 기판의 전면에 유전체막 및 제 3 절연막을 형성하는 단계;상기 유전체막의 표면이 소정부분 노출되도록 상기 제 3 절연막을 선택적으로 제거하는 단계;상기 노출된 유전체막을 선택적으로 제거하는 단계;상기 유전체막 및 제 1 금속막의 표면이 소정부분 노출되도록 제 3, 제 2 절연막을 선택적으로 제거하여 이중 다마신 구조를 갖는 콘택홀을 형성하는 단계;상기 콘택홀의 내부에 상부전극 및 금속배선용 제 2 금속막을 형성하는 단계를 포함하여 형성함을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 유전체막은 이중 다마신 구조를 갖는 콘택홀 형성시 에치 스톱으로 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.
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