KR100370131B1 - Mim 캐패시터 및 그의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (3)
- 절연 반도체 기판의 일영역상에 형성되는 하부 전극;상기 하부 전극의 일측면과 이에 인접하는 하부 전극의 상면 그리고 절연 반도체 기판상에 절연막을 개재하여 형성되되, 상기 절연 반도체 기판상에 형성되는 부분이 상기 하부 전극과 단차를 갖지 않도록 소정 두께를 갖는 상부 전극;상기 반도체 기판의 전면에 형성되는 층간 절연막;상기 하부 전극과 상기 절연 반도체 기판상에 형성된 상부 전극에 각각 콘택되는 플러그들을 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 MIM 캐패시터.
- 절연 반도체 기판상에 하부전극용 금속막을 형성하고 상기 하부전극용 금속막을 선택적으로 패터닝하여 하부전극을 형성하는 단계;상기 하부전극을 포함한 반도체 기판의 표면상에 절연막과 상부전극용 금속막을 차례로 증착하고 상기 하부전극의 일측면 및 이에 인접한 하부전극의 상면과 제 1 층간 절연막상에 남도록 상기 상부전극용 금속막과 절연막을 선택적으로 제거하여 절연막이 개재된 상부 배선을 형성하는 단계;상기 반도체 기판의 전면에 제 2 층간 절연막을 증착하고 이를 평탄화시키는 단계;상기 제 2 층간 절연막을 선택적으로 제거하여 상기 하부 배선 타측의 일영역을 노출시키는 제 1 콘택홀과 상기 제 1 층간 절연막상에 형성된 상부 배선의 일영역을 노출시키는 제 2 콘택홀을 형성하는 단계; 그리고,상기 제 1 콘택홀 및 제 2 콘택홀을 매립하여 플러그들을 형성하는 단계를 포함하여 형성함을 특징으로 하는 MIM 캐패시터의 제조방법.
- 제 2항에 있어서,상기 플러그를 형성한 이후에 상기 플러그 및 그에 인접한 영역에 금속막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 MIM 캐패시터의 제조방법.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2000-0061041A KR100370131B1 (ko) | 2000-10-17 | 2000-10-17 | Mim 캐패시터 및 그의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2000-0061041A KR100370131B1 (ko) | 2000-10-17 | 2000-10-17 | Mim 캐패시터 및 그의 제조방법 |
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20020030421A KR20020030421A (ko) | 2002-04-25 |
KR100370131B1 true KR100370131B1 (ko) | 2003-02-05 |
Family
ID=19693926
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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KR10-2000-0061041A KR100370131B1 (ko) | 2000-10-17 | 2000-10-17 | Mim 캐패시터 및 그의 제조방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100370131B1 (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101100755B1 (ko) * | 2004-12-30 | 2011-12-30 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 아날로그 회로의 캐패시터 및 그의 제조 방법 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100457226B1 (ko) * | 2001-12-20 | 2004-11-16 | 동부전자 주식회사 | 반도체 소자의 캐패시터 형성방법 |
US6881999B2 (en) | 2002-03-21 | 2005-04-19 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor device with analog capacitor and method of fabricating the same |
KR20060006592A (ko) * | 2004-07-16 | 2006-01-19 | 매그나칩 반도체 유한회사 | Mim 캐패시터 및 그 제조 방법 |
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CN103915315B (zh) * | 2013-01-08 | 2016-06-29 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | Mim电容及其形成方法 |
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Publication number | Publication date |
---|---|
KR20020030421A (ko) | 2002-04-25 |
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