KR100290784B1 - 스택 패키지 및 그 제조방법 - Google Patents

스택 패키지 및 그 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100290784B1
KR100290784B1 KR1019980037931A KR19980037931A KR100290784B1 KR 100290784 B1 KR100290784 B1 KR 100290784B1 KR 1019980037931 A KR1019980037931 A KR 1019980037931A KR 19980037931 A KR19980037931 A KR 19980037931A KR 100290784 B1 KR100290784 B1 KR 100290784B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
metal wire
encapsulant
ceramic capsule
semiconductor chip
exposed
Prior art date
Application number
KR1019980037931A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20000019697A (ko
Inventor
박상욱
조순진
Original Assignee
박종섭
현대전자산업주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 박종섭, 현대전자산업주식회사 filed Critical 박종섭
Priority to KR1019980037931A priority Critical patent/KR100290784B1/ko
Priority to US09/393,869 priority patent/US6222259B1/en
Priority to TW088115723A priority patent/TW429567B/zh
Priority to JP26066299A priority patent/JP3752508B2/ja
Publication of KR20000019697A publication Critical patent/KR20000019697A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100290784B1 publication Critical patent/KR100290784B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02—Containers; Seals
    • H01L23/10—Containers; Seals characterised by the material or arrangement of seals between parts, e.g. between cap and base of the container or between leads and walls of the container
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/565—Moulds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/16—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations, e.g. centering rings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/065—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L25/0657—Stacked arrangements of devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/10—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices having separate containers
    • H01L25/105—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/05599—Material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/48145—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being stacked
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/4826—Connecting between the body and an opposite side of the item with respect to the body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4899—Auxiliary members for wire connectors, e.g. flow-barriers, reinforcing structures, spacers, alignment aids
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/8538—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/85399—Material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2225/00—Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2225/03—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
    • H01L2225/04—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers
    • H01L2225/065—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L2225/06503—Stacked arrangements of devices
    • H01L2225/06506—Wire or wire-like electrical connections between devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2225/00—Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2225/03—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
    • H01L2225/04—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers
    • H01L2225/065—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L2225/06503—Stacked arrangements of devices
    • H01L2225/0652—Bump or bump-like direct electrical connections from substrate to substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2225/00—Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2225/03—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
    • H01L2225/04—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers
    • H01L2225/065—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L2225/06503—Stacked arrangements of devices
    • H01L2225/06575—Auxiliary carrier between devices, the carrier having no electrical connection structure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2225/00—Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2225/03—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
    • H01L2225/04—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers
    • H01L2225/065—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L2225/06503—Stacked arrangements of devices
    • H01L2225/06582—Housing for the assembly, e.g. chip scale package [CSP]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2225/00—Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2225/03—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
    • H01L2225/04—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers
    • H01L2225/065—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L2225/06503—Stacked arrangements of devices
    • H01L2225/06582—Housing for the assembly, e.g. chip scale package [CSP]
    • H01L2225/06586—Housing with external bump or bump-like connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2225/00—Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2225/03—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
    • H01L2225/10—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers
    • H01L2225/1005—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2225/00—Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2225/03—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
    • H01L2225/10—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers
    • H01L2225/1005—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L2225/1011—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00 the containers being in a stacked arrangement
    • H01L2225/1017—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00 the containers being in a stacked arrangement the lowermost container comprising a device support
    • H01L2225/1029—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00 the containers being in a stacked arrangement the lowermost container comprising a device support the support being a lead frame
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2225/00—Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2225/03—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
    • H01L2225/10—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers
    • H01L2225/1005—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L2225/1011—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00 the containers being in a stacked arrangement
    • H01L2225/1047—Details of electrical connections between containers
    • H01L2225/1058—Bump or bump-like electrical connections, e.g. balls, pillars, posts
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2225/00—Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2225/03—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
    • H01L2225/10—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers
    • H01L2225/1005—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L2225/1011—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00 the containers being in a stacked arrangement
    • H01L2225/1094—Thermal management, e.g. cooling
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01078—Platinum [Pt]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/014—Solder alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/153—Connection portion
    • H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
    • H01L2924/15311—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/161—Cap
    • H01L2924/1615—Shape
    • H01L2924/16152—Cap comprising a cavity for hosting the device, e.g. U-shaped cap
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

본 발명은 스택 패키지 및 그 제조 방법을 개시한다. 개시된 본 발명은, 양측에 돌출부(52)가 형성된 세라믹 캡슐(50)의 상하부면 각각에 상하부 반도체 칩(30,40)이 접착되고, 하부 반도체 칩(40)의 밑면에 방열판(80)이 부착된다. 각 반도체 칩(30,40)의 패드(31,41)는 상부면에 위치하고, 특히 하부 반도체 칩(40)의 패드(41)는 세라믹 캡슐(50)의 양측으로 노출된다. 각 반도체 칩(30,40)의 패드(31,41)가 금속 와이어(100)로 연결되고, 금속 와이어(100)의 중간은 세라믹 캡슐(50)의 돌출부(52)상에 얹혀진다. 전체가 봉지제(120)로 몰딩되는데, 봉지제(120)의 상부면은 세라믹 캡슐(50)의 돌출부(52) 상단과, 하부면은 방열판(80)과 동일 평면을 이루도록 몰딩되어서, 세라믹 캡슐(50)의 돌출부(52) 상단에 얹혀진 금속 와이어(100)가 노출된다. 노출된 금속 와이어(100)에 범프(140)가 형성되고, 범프(140)에 솔더 볼(150)이 부착된다.

Description

스택 패키지 및 그 제조 방법
본 발명은 반도체 패키지, 특히 적어도 2개 이상의 반도체 소자를 칩 적층(Stack)하여 하나의 패키지로 구성한 스택 패키지 및 그 제조방법에 관한 것이다.
메모리 칩의 용량 증대는 빠른 속도로 진행되고 있다. 현재는 128M DRAM이 양산 단계에 있으며, 256M DRAM의 양산도 가까운 시일안에 도래할 것으로 보인다.
메모리 칩의 용량 증대, 다시말하면 고집적화를 이룰 수 있는 방법으로는 한정된 반도체 소자의 공간내에 보다 많은 수의 셀을 제조해 넣는 기술이 일반적으로 알려지고 있으나, 이와 같은 방법은 정밀한 미세 선폭을 요구하는 등 고난도의 기술과 많은 개발시간을 필요로 한다. 따라서 최근, 보다 쉬운 방법으로 고집적화를 이룰 수 있는 스택킹(Stacking) 기술이 개발되어 이에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다.
반도체 업계에서 말하는 스택킹이란 적어도 2개 이상의 반도체 소자를 수직하게 쌓아 올려 메모리 용량을 배가시키는 기술로써, 이러한 스택킹에 의하면, 예를 들어 2개의 64M DRAM급 소자를 적층하여 128M DRAM급으로 구성할 수 있고, 또 2개의 128M DRAM급 소자를 적층하여 256M DRAM급으로 구성할 수 있다.
상기와 같은 스택킹에 의한 패키지의 전형적인 예가 도 1 및 도 2에 도시되어 있는 바, 이를 간단히 살펴보면 다음과 같다.
먼저, 도 1에 도시된 바와 같이, 패드가 상부면에 배치된 반도체 칩(1)에 리드 프레임(2)의 인너 리드(21)가 접착제(3)로 부착되고, 이 인너 리드(21)는 패드에 금속 와이어(4)로 연결되어 있다. 전체가 봉지제(5)로 몰딩되면, 리드 프레임(2)의 아우터 리드(22)가 봉지제(5)의 양측으로 돌출되어 있다.
이러한 하나의 패키지상에 동일 구조의 패키지가 적층된다. 즉, 상부에 적층되는 패키지의 아우터 리드(22)가 하부 패키지의 리드 프레임(2) 중간에 접합되어서, 전기적 연결이 되어 있다.
그러나, 상기와 같은 일반적인 스택 패키지는, 패키지의 전체 두께가 너무 두껍다는 단점이 있다. 또한, 상부 패키지의 신호 전달 경로가, 상부 패키지의 아우터 리드를 통해서 하부 패키지의 리드 프레임을 거쳐야 하기 때문에, 전기적인 신호 경로가 너무 길다는 단점도 있다. 특히, 상하부 패키지의 리드를 납땜으로 접합하는데, 이 납땜 불량으로 접속 불량이 자주 야기되었다.
이를 해소하기 위해서, 종래에는 도 2에 도시된 스택 패키지가 제시되었다. 도시된 바와 같이, 상하부 반도체 칩(1a,1b)가 소정 간격을 두고 배치되고, 상부 반도체 칩(1a)의 밑면에 상부 리드 프레임(2a)의 인너 리드(21a)가 부착되어, 금속 와이어(3a)에 의해 패드에 연결되어 있다. 또한, 하부 반도체 칩(1b)의 상부면에 하부 리드 프레임(2b)의 인너 리드(21b)가 부착되어, 금속 와이어(4a)에 의해 패드에 연결되어 있다. 즉, 상부 반도체 칩(1a)의 패드는 하부면에, 하부 반도체 칩(1b)의 패드는 상부면에 배치되어, 각 반도체 칩(1a)은 대칭을 이루게 된다.
상부 리드 프레임(1a)의 아우터 리드(22a)는 하부 리드 프레임(2b)의 중간에 레이저로 접착되어 있고, 하부 리드 프레임(2b)의 아우터 리드(22b)가 봉지제(5a)의 외부로 돌출되어 있다.
그러나, 상기와 같이 도 2에 도시된 스택 패키지도 다음과 같은 문제점을 안고 있다.
우선, 신호 전달 경로는 줄어들었지만, 각 리드 프레임간의 거리가 너무 가까워서, 동작중에 신호 간섭이 발생될 소지가 많다.
또한, 각 리드 프레임이 대향되게 배치되어 있기 때문에, 리드 프레임간의 공차로 인한 불량 발생 소지가 높다. 그리고, 리드 프레임간을 레이저로 접합시키기 때문에, 고가의 레이저 장비가 필요하게 되고, 특히 각 리드 프레임이 반영구적으로 접합되는 관계로, 이후의 보수 작업이 거의 불가능하게 된다. 더욱이, 칩의 크기가 변경되면, 그에 따라 리드 프레임을 새로 제작해야만 한다.
부가적인 문제점으로는, 각 반도체 칩이 봉지제의 내부에 위치하고 있기 때문에, 구동중에 열 발산이 효과적으로 이루어지지 않는다. 즉, 방열판 기능을 하는 히트 싱크(heat sink)를 설치할 부분이 없으므로, 방열이 제대로 이루어지지 않게 된다.
따라서, 본 발명은 상기와 같은 문제점을 해소하기 위해 안출된 것으로서, 전체 두께는 증가시키지 않으면서 신호 전달 경로를 짧게 하고, 리드 프레임간의 신호 간섭을 방지할 수 있는 스택 패키지 및 그의 제조 방법을 제공하는데 목적이 있다.
다른 목적은 리드 프레임 사용을 배제하므로써, 리드 프레임간의 공차로 인한 불량 발생이 근본적으로 방지되고, 칩 크기 변경에 따라 리드 프레임을 새로 제작하지 않아도 되며, 하자 보수 작업도 용이하게 하는데 있다.
도 1 및 도 2는 종래의 스택 패키지를 나타낸 단면도
도 3 내지 도 10은 본 발명의 실시예 1에 따른 스택 패키지 제조 과정을 순차적으로 나타낸 단면도
도 11 내지 도 13은 본 발명의 실시예 2에 따른 스택 패키지를 나타낸 단면도
도 14는 본 발명의 실시예 3에 따른 스택 패키지를 나타낸 단면도
도 15는 본 발명의 실시예 4에 따른 스택 패키지를 나타낸 단면도
도 16은 본 발명의 실시예 5에 따른 스택 패키지를 나타낸 단면도
도 17은 본 발명의 실시예 6에 따른 스택 패키지를 나타낸 단면도
- 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 -
30 - 상부 반도체 칩 31,41 - 패드
40 - 하부 반도체 칩 50 - 세라믹 캡슐
52 - 돌출부 80 - 방열판
100 - 금속 와이어 120 - 봉지제
140 - 범프 150 - 솔더 볼
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 스택 패키지는 다음과 같은 구성으로 이루어진다.
양측에 돌출부가 형성된 세라믹 캡슐의 상하부면 각각에 상하부 반도체 칩이 접착되고, 하부 반도체 칩의 밑면에 방열판이 부착된다. 각 반도체 칩의 패드는 상부면에 위치하고, 특히 하부 반도체 칩의 패드는 세라믹 캡슐의 양측으로 노출된다. 각 반도체 칩의 패드가 금속 와이어로 연결되고, 금속 와이어의 중간은 세라믹 캡슐의 돌출부상에 얹혀진다. 전체가 봉지제로 몰딩되는데, 봉지제의 상부면은 세라믹 캡슐의 돌출부 상단과, 하부면은 방열판과 동일 평면을 이루도록 몰딩되어서, 세라믹 캡슐의 돌출부 상단에 얹혀진 금속 와이어가 노출된다. 노출된 금속 와이어에 범프가 형성되고, 범프에 솔더 볼이 부착된다.
상기된 본 발명의 구성에 의하면, 세라믹 캡슐을 사이에 두고 상하부 반도체 칩이 배치되고, 각 패드가 리드 프레임이 아닌 금속 와이어로 연결되고, 봉지제에서 노출된 금속 와이어에 솔더 볼이 부착되므로써, 신호 간섭이 발생될 소지가 전혀 없어지게 되고, 금속 와이어는 떼어내기가 용이하므로 보수 작업도 한결 수월해지게 된다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부도면에 의거하여 설명한다.
<실시예 1>
도 3 내지 도 10은 본 발명의 실시예 1에 따른 스택 패키지 제조 공정을 순차적으로 나타낸 단면도이다.
먼저, 도 4에 도시된 바와 같은 세라믹 캡슐(50)을 준비한다. 세라믹 캡슐(50)은 양측으로 돌출부(52)가 형성되고, 저면에는 다수의 구멍(51)이 형성된 형상이다.
도 3과 같이, 패드(31)가 상부면에 배치된 상부 반도체 칩(30)을 양 돌출부(52) 사이로 진입시켜 세라믹 캡슐(50)의 저면에 안착시킨다. 패드(41)가 세라믹 캡슐(50)의 양측으로 노출될 정도의 폭을 갖는 하부 반도체 칩(40)을 접착제(60)를 매개로 세라믹 캡슐(50)의 하부면에 접착한다. 이때, 접착제(60)은 하부 반도체 칩(40)에 의해 눌려지면서, 세라믹 캡슐(50)의 저면에 형성된 구멍(51)들을 통해 상부 반도체 칩(30)의 하부면으로 스며들어가게 되므로써, 상부 반도체 칩(30)도 세라믹 캡슐(50)의 저면상에 접착된다. 그런 다음, 방열판(80)을 접착제(70)를 사용해서 하부 반도체 칩(40)의 하부면에 부착한다.
그런 다음, 도 5에 도시된 바와 같이, 각 반도체 칩(30,40)의 패드(31,41)들을 금속 와이어(100)로 연결하여, 각 반도체 칩(30,40)을 전기적으로 연결시킨다. 이때, 금속 와이어(100)는 세라믹 캡슐(50)의 돌출부(52)를 타고 넘게 된다.
이어서, 도 6에 도시된 바와 같이, 전체를 상하부 몰드 다이(110,111) 사이의 캐비티내에 위치시키고, 캐비티내로 봉지제를 플로우시켜 몰딩한다. 이때, 방열판(80)의 양단이 상하부 몰드 다이(110,111)의 계면 사이에 끼워지고, 돌출부(52)는 상부 몰드 다이(110)의 캐비티 상부벽에 맞대어지게 된다. 즉, 금속 와이어(100)의 중간이 돌출부(52)상에 눌려지게 되고, 그 사이로는 봉지제가 거의 도포되지 않게 되므로써, 금속 와이어(100)의 중간이 상부로 노출된다.
그런 다음, 금속 와이어(100)의 중간부를 보다 확실하게 노출시키기 위해서, 도 7에 도시된 바와 같이, 봉지제(120)의 상부면에 노즐(130)로부터 연마제를 분사하여 봉지제(120)를 일정 두께로 제거하므로써, 금속 와이어(100)를 노출시킨다. 여기서, 연마제 대신에 연마 페이퍼를 사용해서 연마해도 무방하다.
또한, 도 8에 도시된 바와 같이, 방열판(80)의 하부면도 노출되도록 하기 위해서, 전체를 뒤집은 다음, 방열판(80)의 하부면에 연마제를 분사하여 연마한다.
이어서, 노출된 금속 와이어(100)의 중간부에 범프(40)를 형성하고, 범프(40)에 솔더 볼(150)을 부착하면, 본 실시예 1에 따른 도 10에 도시된 스택 패키지가 완성된다.
<실시예 2>
도 11 내지 도 13은 본 발명의 실시예 2에 따른 스택 패키지 제조 과정을 순차적으로 나타낸 단면도이다.
본 실시예 2는 솔더 볼(150)의 접착력을 강화시키기 위한 방안으로서, 도 11에 도시된 바와 같이, 세라믹 캡슐의 돌출부(52) 상단에 볼 랜드(53)를 형성하고, 금속 와이어(100)를 볼 랜드(53)내에 끼운다. 그리고, 범프(140)를 볼 랜드(53)내로 진입시켜서 금속 와이어(100)에 부착하고, 볼 랜드(53)의 내부를 솔더 페이스트(160)로 채운다.
그런 다음, 도 12에 도시된 점선을 기준으로 봉지제(120)와 돌출부(52) 및 솔더 페이스트(160)를 연마하여 제거하면, 범프(140)가 노출된다. 이렇게 노출된 범프(140)에 도 13와 같이 솔더 볼(150)을 부착하게 되면, 솔더 볼(150)의 부착력이 한층 강화된다.
한편, 솔더 볼(150)의 접착력을 한층 더 강화시키기 위해서, 도 12에 도시된 바와 같이, 볼 랜드(53)의 내벽에 도금막(170)을 형성하는 것도 바람직하다.
<실시예 3>
도 14는 본 실시예 3에 따른 스택 패키지를 나타낸 것으로서, 도시된 바와 같이, 다른 구조는 상기 실시예 1 및 2와 동일하고, 다만 방열판만이 없는 구조로서, 봉지제(121)가 하부 반도체 칩(40)의 상부면에만 도포된다. 즉, 하부 반도체 칩(40)의 몰드 다이의 캐비티 저면에 안착되어서, 그 상부에만 봉지제(121)가 도포된다.
<실시예 4>
도 15는 본 실시예 4에 따른 스택 패키지를 나타낸 것으로서, 실시예 3에 따른 스택 패키지와 구조는 동일하지만, 제조 공정은 상이하다.
도 15에는 도시되지는 않았지만, 하부 반도체 칩(40)의 하부면에는 더미판이 부착되고, 더미판이 몰드 다이의 캐비티 저면에 안착된 상태에서 봉지제(122)로 몰딩된다. 그런 다음, 하부 반도체 칩(40)의 하부면을 기준으로 하여 연마하면, 더미판이 제거되어 도 15와 같은 스택 패키지가 완성된다.
<실시예 5>
본 실시예 5는 하나의 스택 패키지에 다른 스택 패키지를 하나 더 스택킹하는 방안으로서, 도 16에 도시된 바와 같이, 도 14 또는 도 15에 도시된 패키지를 뒤집은 상태에서 하부 반도체 칩(40)의 상부면에 리드 프레임(90)을 접합하고, 금속 와이어(180)로 리드 프레임(90)과 하부 반도체 칩(40)의 패드(41)를 연결한다.
리드 프레임(90)은 상부로 노출된 상태이므로, 상기와 동일 구조의 스택 패키지의 솔더 볼(150)을 리드 프레임(90)에 연결하면, 2개의 스택 패키지가 적층된 구조가 된다. 이와 같이 되면, 스택 패키지를 계속해서 적층하는 것이 가능하다.
<실시예 6>
본 실시예 6은 몰딩 공정을 배제하는 방안으로서, 하나의 기판(220)상에 도 14 또는 도 15에 도시된 스택 패키지 여러 개가 배치되어서, 각 스택 패키지의 솔더 볼(150)이 기판(220)에 실장된다. 즉, 멀티 칩 패키지이다.
기판(220) 상부에 세라믹 캡슐(200)이 씌워져서, 접착제(210)로 기판(220)에 부착되므로써, 각 스택 패키지가 세라믹 캡슐(200)의 내부에 위치하게 된다. 기판(220)의 하부면에는 여러 개의 솔더 볼(230)이 부착되어서, 메인 기판에 실장을 할 수가 있게 되어 있다.
이상에서 설명한 바와 같이 본 발명에 의하면, 세라믹 캡슐을 사이에 두고 상하부 반도체 칩이 배치되어서 금속 와이어로 연결되므로써, 신호 전달 경로는 짧게 유지하면서 신호 간섭이 배제되는 효과가 있다.
또한, 하부 반도체 칩의 저면이 노출되게 되므로써, 열 발산 특성이 향상되고, 특히 노출된 반도체 칩에 방열판이 부착하는 것이 가능하게 된다.
이상에서는 본 발명에 의한 스택 패키지를 실시하기 위한 바람직한 실시예에 대하여 도시하고 또한 설명하였으나, 본 발명은 상기한 실시예에 한정되지 않고, 이하 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진자라면 누구든지 다양한 변경 실시가 가능할 것이다.

Claims (8)

  1. 양측에 돌출부가 형성된 세라믹 캡슐;
    패드가 상부를 향하도록, 상기 세라믹 캡슐의 상부면에 접착된 상부 반도체 칩;
    패드가 상기 세라믹 캡슐의 양측에서 상부를 향하도록, 상기 세라믹 캡슐의 하부면에 접착된 하부 반도체 칩;
    양단이 각 반도체 칩에 연결되고, 중간은 상기 세라믹 캡슐의 돌출부 상단에 얹혀지는 금속 와이어;
    상기 세라믹 캡슐의 돌출부 상단에 얹혀진 금속 와이어가 노출되도록, 전체를 몰딩하는 봉지제;
    상기 봉지제에서 노출된 금속 와이어에 형성된 범프; 및
    상기 범프에 부착된 솔더 볼을 포함하는 것을 특징으로 하는 스택 패키지.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 세라믹 캡슐의 돌출부 상단에 오목하게 볼 랜드가 형성되고, 상기 볼 랜드에 금속 와이어가 끼워진 것을 특징으로 하는 스택 패키지.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 볼 랜드의 내벽에 도금막이 형성되고, 상기 도금막에 금속 와이어가 접촉된 것을 특징으로 하는 스택 패키지.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 봉지제에서 노출된 하부 반도체 칩의 밑면에 방열판이 부착된 것을 특징으로 하는 스택 패키지.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 봉지제에서 노출된 하부 반도체 칩의 밑면에 리드 프레임이 부착되고, 상기 리드 프레임은 금속 와이어로 하부 반도체 칩의 패드에 연결되어서, 상기 리드 프레임에 다른 스택 패키지의 솔더 볼이 부착되어 적층되는 것을 특징으로 하는 스택 패키지.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 세라믹 캡슐의 저면에 다수의 구멍이 형성되어, 상기 구멍을 통해 접착제가 흐를 수 있도록 하여, 하나의 접착제로 상기 상하부 반도체 칩을 세라믹 캡슐에 접착하게 한 것을 특징으로 하는 스택 패키지.
  7. 양측에 돌출부가 형성된 세라믹 캡슐의 상하부면 각각에 상하부 반도체 칩을 접착하는 단계;
    상부를 향해 배치된 상기 각 반도체 칩의 패드를 세라믹 캡슐의 돌출부를 타고 넘는 금속 와이어로 연결하여, 상기 금속 와이어의 중간부가 돌출부상에 얹혀지도록 하는 단계;
    상기 세라믹 캡슐의 돌출부상에 얹혀진 금속 와이어의 중간부가 노출되도록, 전체를 봉지제로 몰딩하는 단계;
    상기 노출된 금속 와이어에 범프를 형성하는 단계; 및
    상기 범프에 솔더 볼을 부착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 스택 패키지 제조 방법.
  8. 제 7 항에 있어서, 상기 봉지제로 몰딩하는 단계 전에, 상기 세라믹 캡슐의 돌출부 상단에, 상기 금속 와이어가 끼워지는 볼 랜드를 오목하게 형성하고, 상기 볼 랜드내에 범프를 끼워서 금속 와이어에 접촉시키고, 볼 랜드내를 솔더 페이스트로 도포하며, 전체를 상기 봉지제로 몰딩한 후에, 상기 범프가 노출되도록 봉지제와 솔더 페이스트를 연마하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 스택 패키지 제조 방법.
KR1019980037931A 1998-09-15 1998-09-15 스택 패키지 및 그 제조방법 KR100290784B1 (ko)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019980037931A KR100290784B1 (ko) 1998-09-15 1998-09-15 스택 패키지 및 그 제조방법
US09/393,869 US6222259B1 (en) 1998-09-15 1999-09-10 Stack package and method of fabricating the same
TW088115723A TW429567B (en) 1998-09-15 1999-09-13 Stack package and method of fabricating the same
JP26066299A JP3752508B2 (ja) 1998-09-15 1999-09-14 スタックパッケージ及びその製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019980037931A KR100290784B1 (ko) 1998-09-15 1998-09-15 스택 패키지 및 그 제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20000019697A KR20000019697A (ko) 2000-04-15
KR100290784B1 true KR100290784B1 (ko) 2001-07-12

Family

ID=19550582

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019980037931A KR100290784B1 (ko) 1998-09-15 1998-09-15 스택 패키지 및 그 제조방법

Country Status (4)

Country Link
US (1) US6222259B1 (ko)
JP (1) JP3752508B2 (ko)
KR (1) KR100290784B1 (ko)
TW (1) TW429567B (ko)

Families Citing this family (100)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6143981A (en) 1998-06-24 2000-11-07 Amkor Technology, Inc. Plastic integrated circuit package and method and leadframe for making the package
KR20010037247A (ko) * 1999-10-15 2001-05-07 마이클 디. 오브라이언 반도체패키지
US6710454B1 (en) * 2000-02-16 2004-03-23 Micron Technology, Inc. Adhesive layer for an electronic apparatus having multiple semiconductor devices
KR100336281B1 (ko) * 2000-04-20 2002-05-13 윤종용 수리할 수 있는 멀티 칩 패키지
US7042068B2 (en) 2000-04-27 2006-05-09 Amkor Technology, Inc. Leadframe and semiconductor package made using the leadframe
KR100549311B1 (ko) * 2000-08-21 2006-02-02 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 반도체패키지
JP2002184934A (ja) * 2000-12-13 2002-06-28 Shinko Electric Ind Co Ltd 半導体装置及びその製造方法
KR100369393B1 (ko) * 2001-03-27 2003-02-05 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 리드프레임 및 이를 이용한 반도체패키지와 그 제조 방법
KR20030018642A (ko) 2001-08-30 2003-03-06 주식회사 하이닉스반도체 스택 칩 모듈
DE10209922A1 (de) * 2002-03-07 2003-10-02 Infineon Technologies Ag Elektronisches Modul, Nutzen mit zu vereinzelnden elektronischen Modulen und Verfahren zu deren Herstellung
JP3617647B2 (ja) * 2002-11-08 2005-02-09 沖電気工業株式会社 半導体装置及びその製造方法
US6905914B1 (en) 2002-11-08 2005-06-14 Amkor Technology, Inc. Wafer level package and fabrication method
US7723210B2 (en) 2002-11-08 2010-05-25 Amkor Technology, Inc. Direct-write wafer level chip scale package
US7388439B2 (en) * 2003-06-03 2008-06-17 Nxp B.V. Low pass filter and electronic device
EP1636842B1 (en) * 2003-06-03 2011-08-17 Casio Computer Co., Ltd. Stackable semiconductor device and method of manufacturing the same
US7315000B2 (en) * 2003-07-27 2008-01-01 Sandisk Il Ltd. Electronic module with dual connectivity
US20050072121A1 (en) * 2003-10-06 2005-04-07 Texas Instruments Incorporated Method and system for shipping semiconductor wafers
TWI278048B (en) * 2003-11-10 2007-04-01 Casio Computer Co Ltd Semiconductor device and its manufacturing method
JP3925809B2 (ja) * 2004-03-31 2007-06-06 カシオ計算機株式会社 半導体装置およびその製造方法
US7205651B2 (en) * 2004-04-16 2007-04-17 St Assembly Test Services Ltd. Thermally enhanced stacked die package and fabrication method
JP2006074736A (ja) * 2004-08-02 2006-03-16 Seiko Epson Corp 圧電発振器およびその製造方法
US7166924B2 (en) * 2004-08-17 2007-01-23 Intel Corporation Electronic packages with dice landed on wire bonds
KR100648039B1 (ko) * 2004-09-13 2006-11-23 삼성전자주식회사 솔더 볼 형성 방법과 이를 이용한 반도체 패키지의 제조방법 및 구조
US7098073B1 (en) 2005-04-18 2006-08-29 Freescale Semiconductor, Inc. Method for stacking an integrated circuit on another integrated circuit
US7196427B2 (en) * 2005-04-18 2007-03-27 Freescale Semiconductor, Inc. Structure having an integrated circuit on another integrated circuit with an intervening bent adhesive element
US7507603B1 (en) 2005-12-02 2009-03-24 Amkor Technology, Inc. Etch singulated semiconductor package
US7572681B1 (en) 2005-12-08 2009-08-11 Amkor Technology, Inc. Embedded electronic component package
US8803299B2 (en) * 2006-02-27 2014-08-12 Stats Chippac Ltd. Stacked integrated circuit package system
US7902660B1 (en) 2006-05-24 2011-03-08 Amkor Technology, Inc. Substrate for semiconductor device and manufacturing method thereof
US7968998B1 (en) 2006-06-21 2011-06-28 Amkor Technology, Inc. Side leaded, bottom exposed pad and bottom exposed lead fusion quad flat semiconductor package
US7687893B2 (en) 2006-12-27 2010-03-30 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package having leadframe with exposed anchor pads
US7829990B1 (en) 2007-01-18 2010-11-09 Amkor Technology, Inc. Stackable semiconductor package including laminate interposer
US7772048B2 (en) * 2007-02-23 2010-08-10 Freescale Semiconductor, Inc. Forming semiconductor fins using a sacrificial fin
US7851340B2 (en) * 2007-02-23 2010-12-14 Freescale Semiconductor, Inc. Semiconductor fin integration using a sacrificial fin
US7750465B2 (en) * 2007-02-28 2010-07-06 Freescale Semiconductor, Inc. Packaged integrated circuit
US7982297B1 (en) 2007-03-06 2011-07-19 Amkor Technology, Inc. Stackable semiconductor package having partially exposed semiconductor die and method of fabricating the same
US8304923B2 (en) * 2007-03-29 2012-11-06 ADL Engineering Inc. Chip packaging structure
SG148901A1 (en) * 2007-07-09 2009-01-29 Micron Technology Inc Packaged semiconductor assemblies and methods for manufacturing such assemblies
US7977774B2 (en) 2007-07-10 2011-07-12 Amkor Technology, Inc. Fusion quad flat semiconductor package
US7687899B1 (en) 2007-08-07 2010-03-30 Amkor Technology, Inc. Dual laminate package structure with embedded elements
JP2009094457A (ja) 2007-09-18 2009-04-30 Olympus Corp 積層実装構造体及び積層実装構造体の製造方法
US7777351B1 (en) 2007-10-01 2010-08-17 Amkor Technology, Inc. Thin stacked interposer package
US8089159B1 (en) 2007-10-03 2012-01-03 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package with increased I/O density and method of making the same
US7847386B1 (en) 2007-11-05 2010-12-07 Amkor Technology, Inc. Reduced size stacked semiconductor package and method of making the same
US20090154111A1 (en) * 2007-12-17 2009-06-18 Lynch Thomas W Reticulated heat dissipation
US20090165996A1 (en) * 2007-12-26 2009-07-02 Lynch Thomas W Reticulated heat dissipation with coolant
US7956453B1 (en) * 2008-01-16 2011-06-07 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package with patterning layer and method of making same
US7723852B1 (en) 2008-01-21 2010-05-25 Amkor Technology, Inc. Stacked semiconductor package and method of making same
US8067821B1 (en) 2008-04-10 2011-11-29 Amkor Technology, Inc. Flat semiconductor package with half package molding
US7768135B1 (en) 2008-04-17 2010-08-03 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package with fast power-up cycle and method of making same
US7808084B1 (en) 2008-05-06 2010-10-05 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package with half-etched locking features
US8125064B1 (en) 2008-07-28 2012-02-28 Amkor Technology, Inc. Increased I/O semiconductor package and method of making same
US8184453B1 (en) 2008-07-31 2012-05-22 Amkor Technology, Inc. Increased capacity semiconductor package
US7847392B1 (en) 2008-09-30 2010-12-07 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device including leadframe with increased I/O
US7989933B1 (en) 2008-10-06 2011-08-02 Amkor Technology, Inc. Increased I/O leadframe and semiconductor device including same
US8008758B1 (en) 2008-10-27 2011-08-30 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device with increased I/O leadframe
US8089145B1 (en) 2008-11-17 2012-01-03 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device including increased capacity leadframe
US8072050B1 (en) 2008-11-18 2011-12-06 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device with increased I/O leadframe including passive device
US7875963B1 (en) 2008-11-21 2011-01-25 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device including leadframe having power bars and increased I/O
US7982298B1 (en) 2008-12-03 2011-07-19 Amkor Technology, Inc. Package in package semiconductor device
US7993941B2 (en) * 2008-12-05 2011-08-09 Stats Chippac, Ltd. Semiconductor package and method of forming Z-direction conductive posts embedded in structurally protective encapsulant
US8487420B1 (en) 2008-12-08 2013-07-16 Amkor Technology, Inc. Package in package semiconductor device with film over wire
US8680656B1 (en) 2009-01-05 2014-03-25 Amkor Technology, Inc. Leadframe structure for concentrated photovoltaic receiver package
US20170117214A1 (en) 2009-01-05 2017-04-27 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device with through-mold via
US8058715B1 (en) 2009-01-09 2011-11-15 Amkor Technology, Inc. Package in package device for RF transceiver module
US8026589B1 (en) 2009-02-23 2011-09-27 Amkor Technology, Inc. Reduced profile stackable semiconductor package
US7960818B1 (en) 2009-03-04 2011-06-14 Amkor Technology, Inc. Conformal shield on punch QFN semiconductor package
US8575742B1 (en) 2009-04-06 2013-11-05 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device with increased I/O leadframe including power bars
US8796561B1 (en) 2009-10-05 2014-08-05 Amkor Technology, Inc. Fan out build up substrate stackable package and method
US8937381B1 (en) 2009-12-03 2015-01-20 Amkor Technology, Inc. Thin stackable package and method
US9691734B1 (en) 2009-12-07 2017-06-27 Amkor Technology, Inc. Method of forming a plurality of electronic component packages
US8324511B1 (en) 2010-04-06 2012-12-04 Amkor Technology, Inc. Through via nub reveal method and structure
US8294276B1 (en) 2010-05-27 2012-10-23 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device and fabricating method thereof
US8440554B1 (en) 2010-08-02 2013-05-14 Amkor Technology, Inc. Through via connected backside embedded circuit features structure and method
US8487445B1 (en) 2010-10-05 2013-07-16 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device having through electrodes protruding from dielectric layer
US8791501B1 (en) 2010-12-03 2014-07-29 Amkor Technology, Inc. Integrated passive device structure and method
US8674485B1 (en) 2010-12-08 2014-03-18 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device including leadframe with downsets
KR101232353B1 (ko) * 2010-12-23 2013-02-08 하나 마이크론(주) 반도체 패키지 및 이를 제조하는 방법
US8390130B1 (en) 2011-01-06 2013-03-05 Amkor Technology, Inc. Through via recessed reveal structure and method
TWI557183B (zh) 2015-12-16 2016-11-11 財團法人工業技術研究院 矽氧烷組成物、以及包含其之光電裝置
US8648450B1 (en) 2011-01-27 2014-02-11 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device including leadframe with a combination of leads and lands
US8552548B1 (en) 2011-11-29 2013-10-08 Amkor Technology, Inc. Conductive pad on protruding through electrode semiconductor device
US9153543B1 (en) 2012-01-23 2015-10-06 Amkor Technology, Inc. Shielding technique for semiconductor package including metal lid and metalized contact area
US9362209B1 (en) 2012-01-23 2016-06-07 Amkor Technology, Inc. Shielding technique for semiconductor package including metal lid
US9704725B1 (en) 2012-03-06 2017-07-11 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device with leadframe configured to facilitate reduced burr formation
US9048298B1 (en) 2012-03-29 2015-06-02 Amkor Technology, Inc. Backside warpage control structure and fabrication method
US9129943B1 (en) 2012-03-29 2015-09-08 Amkor Technology, Inc. Embedded component package and fabrication method
TWI495066B (zh) * 2012-08-31 2015-08-01 Chipmos Technologies Inc 晶圓級封裝結構及其製造方法
ITMI20130473A1 (it) * 2013-03-28 2014-09-29 St Microelectronics Srl Metodo per fabbricare dispositivi elettronici
KR101486790B1 (ko) 2013-05-02 2015-01-28 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 강성보강부를 갖는 마이크로 리드프레임
KR101563911B1 (ko) 2013-10-24 2015-10-28 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 반도체 패키지
US9673122B2 (en) 2014-05-02 2017-06-06 Amkor Technology, Inc. Micro lead frame structure having reinforcing portions and method
TWI567897B (zh) 2016-06-02 2017-01-21 力成科技股份有限公司 薄型扇出式多晶片堆疊封裝構造與製造方法
CN110473839A (zh) 2018-05-11 2019-11-19 三星电子株式会社 半导体封装***
US10991638B2 (en) 2018-05-14 2021-04-27 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor package system
US11244885B2 (en) 2018-09-18 2022-02-08 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor package system
US11600607B2 (en) 2019-01-17 2023-03-07 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor module including multiple power management semiconductor packages
US20210013375A1 (en) * 2019-07-11 2021-01-14 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor device package and method of manufacturing the same
DE102021213437A1 (de) 2021-11-29 2023-06-01 Robert Bosch Gesellschaft mit beschränkter Haftung Schaltungsanordnung und Verfahren zum Ausbilden einer Schaltungsanordnung
CN117790426B (zh) * 2024-02-26 2024-05-14 中航捷锐(西安)光电技术有限公司 一种芯片封装结构及制造方法

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4295183A (en) 1979-06-29 1981-10-13 International Business Machines Corporation Thin film metal package for LSI chips
US4443278A (en) 1981-05-26 1984-04-17 International Business Machines Corporation Inspection of multilayer ceramic circuit modules by electrical inspection of green specimens
US4814855A (en) 1986-04-29 1989-03-21 International Business Machines Corporation Balltape structure for tape automated bonding, multilayer packaging, universal chip interconnection and energy beam processes for manufacturing balltape
JPH01136665A (ja) 1987-11-24 1989-05-29 Kazuo Okazaki 注射針の収容容器
US5055097A (en) * 1989-09-28 1991-10-08 Wood Samuel R Rotary differential drive
US5045914A (en) 1989-12-26 1991-09-03 Motorola, Inc. Plastic pad array electronic AC device
US5081563A (en) 1990-04-27 1992-01-14 International Business Machines Corporation Multi-layer package incorporating a recessed cavity for a semiconductor chip
US5804870A (en) * 1992-06-26 1998-09-08 Staktek Corporation Hermetically sealed integrated circuit lead-on package configuration
US5368419A (en) 1993-01-12 1994-11-29 Imus; Robert E. Apparatus for implanting latent insecticide
KR100245257B1 (ko) 1993-01-13 2000-02-15 윤종용 웨이퍼 수준의 반도체 패키지의 제조방법
US5291061A (en) 1993-04-06 1994-03-01 Micron Semiconductor, Inc. Multi-chip stacked devices
KR970000214B1 (ko) 1993-11-18 1997-01-06 삼성전자 주식회사 반도체 장치 및 그 제조방법
US5511306A (en) 1994-04-05 1996-04-30 Compaq Computer Corporation Masking of circuit board vias to reduce heat-induced board and chip carrier package warp during wavesolder process
US5442230A (en) 1994-09-16 1995-08-15 National Semiconductor Corporation High density integrated circuit assembly combining leadframe leads with conductive traces
US5569955A (en) 1994-09-16 1996-10-29 National Semiconductor Corporation High density integrated circuit assembly combining leadframe leads with conductive traces
JPH08167630A (ja) 1994-12-15 1996-06-25 Hitachi Ltd チップ接続構造
US5739581A (en) 1995-11-17 1998-04-14 National Semiconductor Corporation High density integrated circuit package assembly with a heatsink between stacked dies
KR0184076B1 (ko) 1995-11-28 1999-03-20 김광호 상하 접속 수단이 패키지 내부에 형성되어 있는 3차원 적층형 패키지
KR100186331B1 (ko) 1996-06-17 1999-03-20 문정환 적층형 패키지
US5748452A (en) 1996-07-23 1998-05-05 International Business Machines Corporation Multi-electronic device package
US5854507A (en) 1998-07-21 1998-12-29 Hewlett-Packard Company Multiple chip assembly

Also Published As

Publication number Publication date
JP3752508B2 (ja) 2006-03-08
JP2000124393A (ja) 2000-04-28
KR20000019697A (ko) 2000-04-15
US6222259B1 (en) 2001-04-24
TW429567B (en) 2001-04-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100290784B1 (ko) 스택 패키지 및 그 제조방법
JP4412439B2 (ja) メモリモジュール及びその製造方法
KR100333384B1 (ko) 칩 사이즈 스택 패키지 및 그의 제조방법
KR100293815B1 (ko) 스택형 패키지
US8373277B2 (en) Stacked die in die BGA package
KR20050119414A (ko) 에지 패드형 반도체 칩의 스택 패키지 및 그 제조방법
KR100333385B1 (ko) 웨이퍼 레벨 스택 패키지 및 그의 제조 방법
JP2003078105A (ja) スタックチップモジュール
KR100240748B1 (ko) 기판을 갖는 반도체 칩 패키지와 그 제조 방법 및 그를 이용한적층 패키지
KR100345166B1 (ko) 웨이퍼 레벨 스택 패키지 및 그의 제조 방법
KR100321159B1 (ko) 스택형 메모리 모듈 및 그의 제조 방법
KR100328693B1 (ko) 칩사이즈스택패키지및그의제조방법
KR100401501B1 (ko) 칩 스택 패키지
KR100345164B1 (ko) 스택 패키지
US20110006413A1 (en) Substrate for semiconductor package, semiconductor package including the same, and stack package using the semiconductor package
KR100340862B1 (ko) 스택패키지및그의제조방법
JP2001127244A (ja) マルチチップ半導体装置およびその製造方法
KR20000042872A (ko) 스택 패키지 및 그의 제조 방법
KR100300496B1 (ko) 칩 사이즈 스택 패키지
KR100247641B1 (ko) 적층형 볼 그리드 어레이 패키지 및 그의 제조방법
KR20010068589A (ko) 칩 스캐일 스택 패키지
KR100424188B1 (ko) 칩 사이즈 스택 패키지
KR0167285B1 (ko) 비엘피 패키지
KR20010028435A (ko) 칩 적층형 패키지
KR20030055834A (ko) 리드프레임을 이용하는 볼 그리드 어레이형 반도체 칩패키지와 적층 패키지

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120222

Year of fee payment: 12

LAPS Lapse due to unpaid annual fee