JP3752508B2 - スタックパッケージ及びその製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体パッケージ、特に少なくとも二つ以上の半導体チップを積層(stack)して一つのパッケージからなるスタックパッケージ及びその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、メモリチップの容量増大化が盛んに進行されている。現在、128MDRAMの量産段階にあり、256MDRAMの量産も近い。
【0003】
一般的に、メモリチップの容量増大、則ち高集積化の達成方法として、限定された半導体チップの空間内に多数のセルを製造できる技術が開示されている。このような方法は精密な微細線幅を要求する等、高難度の技術及び多くの開発時間を必要とする。したがって、最近、より容易に高集積化が達成できるスタッキング(Stacking)技術が開発され、これに対する研究が盛んに進行されつつある。
【0004】
半導体業界におけるスタッキングとは、少なくとも二つ以上の半導体チップを垂直に積上げてメモリ容量を倍加させる技術である。こうしたスタッキングによれば、例えば二つの64MDRAM級素子を積層して128MDRAM級を、また二つの128M DRAM級素子を積層して256MDRAM級を構成できる。
【0005】
前記の様なスタッキングによるパッケージの典型的な例を図1及び図2に示す。これを簡単に説明すれば次の通りである。まず、図1に示すように、ボンディングパッドが上面に配置された半導体チップ1にリードフレーム2が接着剤3にて付着される。リードフレーム2のインナーリード21はボンディングパッドに金属ワイヤ4によって電気的に連結している。リードフレーム2のアウタリード22だけが両側に露出するように、全体結果物が封止剤5(molding compound)によって密封される。
【0006】
この様な一つのパッケージ上に同一構造のパッケージが積層される。則ち上部に積層されたパッケージのアウタリード22が下部パッケージのリードフレーム2の中間部に接合されて、二つの半導体チップが電気的に連結する。
【0007】
しかしながら、前記の様な一般のスタックパッケージはパッケージの全体厚さが厚いという欠点がある。また、上部パッケージの信号伝達経路は上部パッケージのアウタリードを通じて下部パッケージのリードフレームを通過しなければならないので、電気的な信号経路が長すぎるという欠点もある。特に、上部及び下部パッケージのリードをハンダ付けするが、このハンダ付けの不良によって接続不良がよく引き起こされる。
【0008】
これを解消するために、従来は図2に示すスタックパッケージが提案された。同図に示すように、上部及び下部半導体チップ1a、1bが所定間隔をおいて配置される。上部半導体チップ1aの下面に上部リードフレーム2aのインナーリード21aが付着され、金属ワイヤ4aにより上部半導体チップ1aのボンディングパッドに電気的に連結する。また、下部半導体チップ1bの上面に下部リードフレーム2bのインナーリード21bが付着され、金属ワイヤ4bにより下部半導体チップ1bのボンディングパッドに電気的に連結する。
【0009】
上部リードフレーム1aのアウタリード22aは下部リードフレーム2bの中間部にレーザーにて接着され、下部リードフレーム2bのアウタリード22bは封止剤5aの外部に突出している。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記の様に図2に示したスタックパッケージも次の様な問題点を有している。まず、信号伝達経路は低減されたが、各リードフレーム間の距離が近すぎて、動作中に信号干渉が発生する恐れがある。
【0011】
また、各リードフレームが対向して配置されているため、リードフレーム間の離間距離による不良発生の恐れがある。そして、リードフレーム間をレーザーにて接合させるため、高価なレーザー装備が必要となり、特に各リードフレームが半永久的に接合されるため、以後の保守作業がほとんど不可能である。さらに、チップの大きさが変更されると、それに従いリードフレームを新しく製作しなければならない。
【0012】
他の問題点としては、各半導体チップが封止剤の内部に位置しているため、駆動中に熱発散が効果的になされない。則ち放熱板機能を行うヒートシンク(heat sink)を設ける部分がないので、熱発散がよくなされない。
【0013】
従って、本発明の目的は、全体厚さは増加させず信号伝達経路を短くし、信号干渉を最大に抑制できるスタックパッケージ及びその製造方法を提供することにある。
【0014】
本発明の他の目的は、リードフレームを用いないことで、リードフレーム間の離間距離による不良発生が根本的に防止され、半導体チップの大きさが変更されてもリードフレームを新しく製作しなくて良く、保守作業も容易にすることにある。
【0015】
【課題を解決するための手段】
前記の様な目的を達成するために、本発明によるスタックパッケージはセラミックカプセルを含む。セラミックカプセルの上面両側には一対の突出部が形成される。セラミックカプセルの上面には第1半導体チップが接着され、セラミックカプセルの下面には第2半導体チップが接着される。第1及び第2半導体チップはそのボンディングパッドが上部を向くように配置されるが、特に第2半導体チップはそのボンディングパッドがセラミックカプセルの両側に露出する程度の大きさを有する。第2半導体チップの下面には放熱板が付着されることが望ましい。第1及び第2半導体チップのボンディングパッドが金属ワイヤにより電気的に連結する。金属ワイヤの中間部はセラミックカプセルの突出部表面に置かれる。セラミックカプセルの突出部上に置かれた金属ワイヤ部分と放熱板だけが露出するように全体を封止剤でモールドする。封止剤から露出した金属ワイヤ部分に導電性バンプが形成され、導電性バンプに半田ボールがマウントされる。
【0016】
上述した構成からなるスタックパッケージの製造方法は次の通りである。両側上面に一対の突出部が形成されたセラミックカプセルの上面に、ボンディングパッドが上部を向くように第1半導体チップを接着する。セラミックカプセルの両側にボンディングパッドが露出する程度の大きさを有する第2半導体チップを、そのボンディングパッドが上部を向くようにセラミックカプセルの下面に接着する。金属ワイヤの一端を第1半導体チップのボンディングパッドに電気的に連結し、金属ワイヤの他端をセラミックカプセルの突出部を越えて第2半導体チップのボンディングパッドに電気的に連結する。セラミックカプセルの突出部上に置かれた金属ワイヤ部分と第2半導体チップの下面が露出するように、全体を封止剤でモールドする。封止剤から露出した金属ワイヤ部分に導電性バンプを形成した後、導電性バンプに半田ボールをマウントする。
【0017】
上述した本発明の構成によれば、セラミックカプセルを挟んで第1及び第2半導体チップが配置され、各ボンディングパッドがリードフレームでない金属ワイヤで連結し、封止剤から露出した金属ワイヤ部分に半田ボールを付着することにより、信号干渉が発生される恐れがほとんどなく、金属ワイヤの取り外しが容易であるので、保守作業もより容易である。
【0018】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面に基づき、本発明の好適実施例を詳細に説明する。
(実施例1)
図3乃至図10は、本発明の実施例1によるスタックパッケージを製造工程順に示す断面図である。まず、図4に示すように、セラミックカプセル50を用意する。セラミックカプセル50は両側上面に一対の突出部52が形成され、各突出部52間の水平面には多数の孔51が形成された形状である。
【0019】
図3に示すように、第1半導体チップ30は、そのボンディングパッド31が上部を向くようにして、両突出部52間かつセラミックカプセル50の上面に定着させる。ボンディングパッド41がセラミックカプセル50の両側に露出する程度の大きさを有する第2半導体チップ40は、接着剤60を介してセラミックカプセル50の下面に接着される。この時、接着剤60は第2半導体チップ40により押されながら、セラミックカプセル50の底面に形成された孔51(図4参照)を介して第1半導体チップ30とセラミックカプセル50の間に染み込むことにより、第1半導体チップ30もセラミックカプセル50の上面に接着される。次に、放熱板80は他の接着剤70を用いて第2半導体チップ40の下面に付着される。
【0020】
続いて、図5に示すように、第1及び第2半導体チップ30、40のボンディングパッド31、41を金属ワイヤ100で連結し、第1及び第2半導体チップ30、40が電気的に連結される。この時、金属ワイヤ100は、セラミックカプセル50の突出部52を越えることにより、その中間部が突出部52上に置かれることになる。
【0021】
続いて、図6に示すように、全体結果物を上部及び下部モールドダイ110、111間のキャビティ内に位置させて、キャビティ内に封止剤120をフローさせる。この時、放熱板80はその両端が上部及び下部モールドダイ110、111の界面間に挟まれて、突出部52は上部モールドダイ110のキャビティ上壁に張り合わせる。よって、金属ワイヤ100の中間部は突出部52と上部モールドダイ110により押されて封止剤120が塗布されない。このため、図7に示すように、金属ワイヤ100の中間部及び放熱板80の下面と側面だけが封止剤120から露出する。
【0022】
次に、金属ワイヤ100の中間部をより確実に露出させるために、図7に示すように、封止剤120の上面にノズル130から研磨剤を噴射して封止剤120を所定厚さだけ除去することにより、金属ワイヤ100の中間部は確実に封止剤120から露出する。ここで、研磨剤の代りに研磨ペーパーを用いていい。
【0023】
また、図8に示すように、放熱板80の下面も封止剤120から確実に露出させるために、全体をかえしてから、放熱板80の上面に研磨剤を噴射して研磨する。
【0024】
続いて、図9に示すように、封止剤120から露出した金属ワイヤ100の中間部に導電性バンプ140を形成し、導電性バンプ140に半田ボール150をマウントすると、図10に示す様な実施例1によるスタックパッケージが完成する。
【0025】
(実施例2)
図11乃至図13は本発明の実施例2によるスタックパッケージを製造工程順に示す断面図である。本実施例2では半田ボール150の接合力を強化させるための方案が提示される。図11に示すように、セラミックカプセルの突出部52表面に凹状の溝であるボールランド53を形成し、金属ワイヤ100をボールランド53に挟む。そして、導電性バンプ140をボールランド53内に入れて金属ワイヤ100に接触させた後、ボールランド53内部を半田ペースト160で埋め込む。
【0026】
次に、図12に示すように、半田ペースト160が露出しないように全体結果物を封止剤120でモールドする。続いて、図12に示す点線まで封止剤120、突出部52及び半田ペースト160を研磨して所定厚さだけ除去して導電性バンプ140を封止剤120から露出させる。その露出した導電性バンプ140に、図13に示すように半田ボール150をマウントすると、導電性バンプ140を介して半田ボール150と金属ワイヤ100の間の接合力が一層強化される。
【0027】
一方、半田ボール150の接合力を一層強化させるために、図12に示すように、ボールランド53の内壁にメッキ膜170を形成することも望ましい。
【0028】
(実施例3)
図14は本実施例3によるスタックパッケージを示すもので、同図に示すように、放熱板がない以外は実施例1及び2と同様である。封止剤121が第2半導体チップ40の上面にのみ塗布される。則ち第2半導体チップ40が下部モールドダイのキャビティ底面に定着され、その上部にのみ封止剤121が塗布される。
【0029】
(実施例4)
図15は本実施例4によるスタックパッケージを示すもので、実施例3によるスタックパッケージと構造は同様であるが、製造工程は相違する。
【0030】
図15には示さないが、第2半導体チップ40の下面にはダミー板が付着され、ダミー板がモールドダイのキャビティ底面に定着された状態で全体結果物が封止剤122でモールドされる。次に、第2半導体チップ40の下面まで研磨すると、ダミー板が除去されて図15の様なスタックパッケージが完成する。
【0031】
(実施例5)
本実施例5では一つのスタックパッケージにもう一つのスタックパッケージをスタッキングする方案が提示される。図16に示すように、図14または図15に示すパッケージをかえした状態で、第2半導体チップ40の上面にリードフレーム90を接合させて、金属ワイヤ180によってリードフレーム90と第2半導体チップ40のボンディングパッド41とを連結させる。
【0032】
リードフレーム90は上部に露出した状態であるため、前記と同様な構造のスタックパッケージにマウントされた他の半田ボール150をリードフレーム90に接合すると、二つのスタックパッケージが積層された構造となる。このように、複数個のスタックパッケージを積層し続ける事も出来る。
【0033】
(実施例6)
本実施例6はモールド工程を排除する方案であって、図17に示すように一つの基板220上に図14または図15に示すスタックパッケージが複数個配置されて、各スタックパッケージの半田ボール150が基板220に実装される。則ちマルチチップパッケージである。
【0034】
より具体的に説明すれば、セラミックカプセル200は基板220上部に覆われて接着剤210を介して基板220に接着される。したがって、各スタックパッケージはセラミックカプセル200の内部に位置することになる。基板220の下面には複数個の半田ボール230がマウントされる。
【0035】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、セラミックカプセルを挟んで二つの半導体チップが配置され、金属ワイヤで電気的に連結することにより、信号伝達経路が短くなり、かつ信号干渉が排除される効果がある。
【0036】
また、第2半導体チップの下面が封止剤から露出することにより、熱発散特性が向上される。特に露出した第2半導体チップに放熱板を付着することができるため、熱発散特性が一層向上される。
【0037】
なお、本発明は、前記実施例に限らず、本発明の技術的要旨から逸脱しない範囲内で多様に変形・実施することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図1】従来のスタックパッケージを示す断面図である。
【図2】従来のスタックパッケージを示す断面図である。
【図3】本発明の実施例1によるスタックパッケージを製造工程順に示す断面図である。
【図4】本発明の実施例1によるスタックパッケージを製造工程順に示すセラミックカプセルの斜視図である。
【図5】本発明の実施例1によるスタックパッケージを製造工程順に示す断面図である。
【図6】本発明の実施例1によるスタックパッケージを製造工程順に示す断面図である。
【図7】本発明の実施例1によるスタックパッケージを製造工程順に示す断面図である。
【図8】本発明の実施例1によるスタックパッケージを製造工程順に示す断面図である。
【図9】本発明の実施例1によるスタックパッケージを製造工程順に示す断面図である。
【図10】本発明の実施例1によるスタックパッケージを製造工程順に示す断面図である。
【図11】本発明の実施例2によるスタックパッケージの金属ワイヤ付近の斜視図である。
【図12】本発明の実施例2によるスタックパッケージの金属ワイヤ付近の断面図である。
【図13】本発明の実施例2によるスタックパッケージを示す断面図である。
【図14】本発明の実施例3によるスタックパッケージを示す断面図である。
【図15】本発明の実施例4によるスタックパッケージを示す断面図である。
【図16】本発明の実施例5によるスタックパッケージを示す断面図である。
【図17】本発明の実施例6によるスタックパッケージを示す断面図である。
【符号の説明】
30 第1半導体チップ
31、41 ボンディングパッド
40 第2半導体チップ
50、200 セラミックカプセル
51 孔
52 突出部
53 ボールランド
60、70、210 接着剤
80 放熱板
90 リードフレーム
100 金属ワイヤ
110、111 モールドダイ
120、121、122 封止剤
130 ノズル
140 導電性バンプ
150、230 半田ボール
160 半田ペースト
170 メッキ膜
180 金属ワイヤ
220 基板
Claims (12)
- 両側上面に一対の突出部が形成されたセラミックカプセルと、ボンディングパッドが上部を向くように前記セラミックカプセルの突出部間の上面に接着剤を用いて接着された第1半導体チップと、ボンディングパッドが前記セラミックカプセルの両側に露出する程度の大きさを有し、前記ボンディングパッドが上部を向くように前記セラミックカプセルの下面に接着剤を用いて接着された第2半導体チップと、両端は前記第1及び第2半導体チップのボンディングパッドに連結し、中間部は前記セラミックカプセルの突出部上に置かれる金属ワイヤと、前記セラミックカプセルの突出部上に置かれた金属ワイヤの中間部が露出するように全体をモールドする封止剤と、前記封止剤から露出した金属ワイヤの中間部に形成された導電性バンプと、前記導電性バンプにマウントされた半田ボールとを含むことを特徴とするスタックパッケージ。
- 前記セラミックカプセルの突出部表面に凹にボールランドが形成され、前記ボールランドに金属ワイヤが挟まれ、前記導電性バンプがボールランドに収容されたことを特徴とする請求項1記載のスタックパッケージ。
- 前記ボールランドの内壁にメッキ膜が形成され、前記メッキ膜に金属ワイヤが接触されたことを特徴とする請求項2記載のスタックパッケージ。
- 前記第2半導体チップの下面が封止剤から露出したことを特徴とする請求項1記載のスタックパッケージ。
- 前記封止剤から露出した第2半導体チップの下面に放熱板が付着されたことを特徴とする請求項4記載のスタックパッケージ。
- 前記封止剤から露出した第2半導体チップの下面にリードフレームが付着され、前記リードフレームは金属ワイヤを介して第2半導体チップのボンディングパッドに電気的に連結したことを特徴とする請求項4記載のスタックパッケージ。
- 前記セラミックカプセルの水平面に第1及び第2半導体チップを同時に接着できるように、前記接着剤の移動を許容する多数の孔が形成されたことを特徴とする請求項1記載のスタックパッケージ。
- 両側上面に一対の突出部が形成されたセラミックカプセルの上面に、ボンディングパッドが上部を向くように第1半導体チップを接着する工程と、前記セラミックカプセルの両側にボンディングパッドが露出する程度の大きさを有する第2半導体チップを、そのボンディングパッドが上部を向くように前記セラミックカプセルの下面に接着する工程と、金属ワイヤの一端を前記第1半導体チップのボンディングパッドに電気的に連結し、他端を前記セラミックカプセルの突出部を越えて前記第2半導体チップのボンディングパッドに電気的に連結する工程と、前記セラミックカプセルの突出部上に置かれた金属ワイヤの中間部が露出するように全体を封止剤でモールドする工程と、前記露出した金属ワイヤに導電性バンプを形成する工程と、前記バンプに半田ボールをマウントする工程とを含むことを特徴とするスタックパッケージの製造方法。
- 前記モールド工程において、前記第2半導体チップの下面も封止剤から露出させることを特徴とする請求項8記載のスタックパッケージの製造方法。
- 前記封止剤から露出した第2半導体チップの下面に放熱板を付着する工程をさらに含むことを特徴とする請求項9記載のスタックパッケージの製造方法。
- 前記モールド工程前に、前記セラミックカプセルの突出部表面にボールランドを形成する工程と、前記ボールランドに金属ワイヤを挿入する工程と、前記ボールランド内に金属ワイヤと接触されるように導電性バンプを形成する工程と、前記ボールランド内を半田ペーストで埋め込む工程とをさらに含み、全体結果物を前記封止剤でモールドした後に、前記封止剤と半田ペーストを研磨して前記導電性バンプを露出させる工程をさらに含むことを特徴とする請求項8記載のスタックパッケージの製造方法。
- 前記セラミックカプセルに接着剤の移動を許容する多数の孔を形成して、前記第1及び第2半導体チップを一つの接着剤でセラミックカプセルに同時に接着することを特徴とする請求項8記載のスタックパッケージの製造方法。
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---|---|
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Families Citing this family (100)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6143981A (en) | 1998-06-24 | 2000-11-07 | Amkor Technology, Inc. | Plastic integrated circuit package and method and leadframe for making the package |
KR20010037247A (ko) * | 1999-10-15 | 2001-05-07 | 마이클 디. 오브라이언 | 반도체패키지 |
US6710454B1 (en) * | 2000-02-16 | 2004-03-23 | Micron Technology, Inc. | Adhesive layer for an electronic apparatus having multiple semiconductor devices |
KR100336281B1 (ko) * | 2000-04-20 | 2002-05-13 | 윤종용 | 수리할 수 있는 멀티 칩 패키지 |
US7042068B2 (en) | 2000-04-27 | 2006-05-09 | Amkor Technology, Inc. | Leadframe and semiconductor package made using the leadframe |
KR100549311B1 (ko) * | 2000-08-21 | 2006-02-02 | 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 | 반도체패키지 |
JP2002184934A (ja) * | 2000-12-13 | 2002-06-28 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
KR100369393B1 (ko) * | 2001-03-27 | 2003-02-05 | 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 | 리드프레임 및 이를 이용한 반도체패키지와 그 제조 방법 |
KR20030018642A (ko) | 2001-08-30 | 2003-03-06 | 주식회사 하이닉스반도체 | 스택 칩 모듈 |
DE10209922A1 (de) * | 2002-03-07 | 2003-10-02 | Infineon Technologies Ag | Elektronisches Modul, Nutzen mit zu vereinzelnden elektronischen Modulen und Verfahren zu deren Herstellung |
US6905914B1 (en) | 2002-11-08 | 2005-06-14 | Amkor Technology, Inc. | Wafer level package and fabrication method |
JP3617647B2 (ja) * | 2002-11-08 | 2005-02-09 | 沖電気工業株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
US7723210B2 (en) | 2002-11-08 | 2010-05-25 | Amkor Technology, Inc. | Direct-write wafer level chip scale package |
WO2004109771A2 (en) * | 2003-06-03 | 2004-12-16 | Casio Computer Co., Ltd. | Stackable semiconductor device and method of manufacturing the same |
WO2004107568A1 (en) * | 2003-06-03 | 2004-12-09 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Low pass filter and electronic device |
US7315000B2 (en) * | 2003-07-27 | 2008-01-01 | Sandisk Il Ltd. | Electronic module with dual connectivity |
US20050072121A1 (en) * | 2003-10-06 | 2005-04-07 | Texas Instruments Incorporated | Method and system for shipping semiconductor wafers |
TWI278048B (en) * | 2003-11-10 | 2007-04-01 | Casio Computer Co Ltd | Semiconductor device and its manufacturing method |
JP3925809B2 (ja) * | 2004-03-31 | 2007-06-06 | カシオ計算機株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
US7205651B2 (en) * | 2004-04-16 | 2007-04-17 | St Assembly Test Services Ltd. | Thermally enhanced stacked die package and fabrication method |
JP2006074736A (ja) * | 2004-08-02 | 2006-03-16 | Seiko Epson Corp | 圧電発振器およびその製造方法 |
US7166924B2 (en) * | 2004-08-17 | 2007-01-23 | Intel Corporation | Electronic packages with dice landed on wire bonds |
KR100648039B1 (ko) * | 2004-09-13 | 2006-11-23 | 삼성전자주식회사 | 솔더 볼 형성 방법과 이를 이용한 반도체 패키지의 제조방법 및 구조 |
US7196427B2 (en) * | 2005-04-18 | 2007-03-27 | Freescale Semiconductor, Inc. | Structure having an integrated circuit on another integrated circuit with an intervening bent adhesive element |
US7098073B1 (en) | 2005-04-18 | 2006-08-29 | Freescale Semiconductor, Inc. | Method for stacking an integrated circuit on another integrated circuit |
US7507603B1 (en) | 2005-12-02 | 2009-03-24 | Amkor Technology, Inc. | Etch singulated semiconductor package |
US7572681B1 (en) | 2005-12-08 | 2009-08-11 | Amkor Technology, Inc. | Embedded electronic component package |
US8803299B2 (en) * | 2006-02-27 | 2014-08-12 | Stats Chippac Ltd. | Stacked integrated circuit package system |
US7902660B1 (en) | 2006-05-24 | 2011-03-08 | Amkor Technology, Inc. | Substrate for semiconductor device and manufacturing method thereof |
US7968998B1 (en) | 2006-06-21 | 2011-06-28 | Amkor Technology, Inc. | Side leaded, bottom exposed pad and bottom exposed lead fusion quad flat semiconductor package |
US7687893B2 (en) | 2006-12-27 | 2010-03-30 | Amkor Technology, Inc. | Semiconductor package having leadframe with exposed anchor pads |
US7829990B1 (en) | 2007-01-18 | 2010-11-09 | Amkor Technology, Inc. | Stackable semiconductor package including laminate interposer |
US7772048B2 (en) * | 2007-02-23 | 2010-08-10 | Freescale Semiconductor, Inc. | Forming semiconductor fins using a sacrificial fin |
US7851340B2 (en) * | 2007-02-23 | 2010-12-14 | Freescale Semiconductor, Inc. | Semiconductor fin integration using a sacrificial fin |
US7750465B2 (en) * | 2007-02-28 | 2010-07-06 | Freescale Semiconductor, Inc. | Packaged integrated circuit |
US7982297B1 (en) | 2007-03-06 | 2011-07-19 | Amkor Technology, Inc. | Stackable semiconductor package having partially exposed semiconductor die and method of fabricating the same |
US8304923B2 (en) * | 2007-03-29 | 2012-11-06 | ADL Engineering Inc. | Chip packaging structure |
SG148901A1 (en) * | 2007-07-09 | 2009-01-29 | Micron Technology Inc | Packaged semiconductor assemblies and methods for manufacturing such assemblies |
US7977774B2 (en) | 2007-07-10 | 2011-07-12 | Amkor Technology, Inc. | Fusion quad flat semiconductor package |
US7687899B1 (en) | 2007-08-07 | 2010-03-30 | Amkor Technology, Inc. | Dual laminate package structure with embedded elements |
JP2009094457A (ja) | 2007-09-18 | 2009-04-30 | Olympus Corp | 積層実装構造体及び積層実装構造体の製造方法 |
US7777351B1 (en) | 2007-10-01 | 2010-08-17 | Amkor Technology, Inc. | Thin stacked interposer package |
US8089159B1 (en) | 2007-10-03 | 2012-01-03 | Amkor Technology, Inc. | Semiconductor package with increased I/O density and method of making the same |
US7847386B1 (en) | 2007-11-05 | 2010-12-07 | Amkor Technology, Inc. | Reduced size stacked semiconductor package and method of making the same |
US20090154111A1 (en) * | 2007-12-17 | 2009-06-18 | Lynch Thomas W | Reticulated heat dissipation |
US20090165996A1 (en) * | 2007-12-26 | 2009-07-02 | Lynch Thomas W | Reticulated heat dissipation with coolant |
US7956453B1 (en) * | 2008-01-16 | 2011-06-07 | Amkor Technology, Inc. | Semiconductor package with patterning layer and method of making same |
US7723852B1 (en) | 2008-01-21 | 2010-05-25 | Amkor Technology, Inc. | Stacked semiconductor package and method of making same |
US8067821B1 (en) | 2008-04-10 | 2011-11-29 | Amkor Technology, Inc. | Flat semiconductor package with half package molding |
US7768135B1 (en) | 2008-04-17 | 2010-08-03 | Amkor Technology, Inc. | Semiconductor package with fast power-up cycle and method of making same |
US7808084B1 (en) | 2008-05-06 | 2010-10-05 | Amkor Technology, Inc. | Semiconductor package with half-etched locking features |
US8125064B1 (en) | 2008-07-28 | 2012-02-28 | Amkor Technology, Inc. | Increased I/O semiconductor package and method of making same |
US8184453B1 (en) | 2008-07-31 | 2012-05-22 | Amkor Technology, Inc. | Increased capacity semiconductor package |
US7847392B1 (en) | 2008-09-30 | 2010-12-07 | Amkor Technology, Inc. | Semiconductor device including leadframe with increased I/O |
US7989933B1 (en) | 2008-10-06 | 2011-08-02 | Amkor Technology, Inc. | Increased I/O leadframe and semiconductor device including same |
US8008758B1 (en) | 2008-10-27 | 2011-08-30 | Amkor Technology, Inc. | Semiconductor device with increased I/O leadframe |
US8089145B1 (en) | 2008-11-17 | 2012-01-03 | Amkor Technology, Inc. | Semiconductor device including increased capacity leadframe |
US8072050B1 (en) | 2008-11-18 | 2011-12-06 | Amkor Technology, Inc. | Semiconductor device with increased I/O leadframe including passive device |
US7875963B1 (en) | 2008-11-21 | 2011-01-25 | Amkor Technology, Inc. | Semiconductor device including leadframe having power bars and increased I/O |
US7982298B1 (en) | 2008-12-03 | 2011-07-19 | Amkor Technology, Inc. | Package in package semiconductor device |
US7993941B2 (en) * | 2008-12-05 | 2011-08-09 | Stats Chippac, Ltd. | Semiconductor package and method of forming Z-direction conductive posts embedded in structurally protective encapsulant |
US8487420B1 (en) | 2008-12-08 | 2013-07-16 | Amkor Technology, Inc. | Package in package semiconductor device with film over wire |
US8680656B1 (en) | 2009-01-05 | 2014-03-25 | Amkor Technology, Inc. | Leadframe structure for concentrated photovoltaic receiver package |
US20170117214A1 (en) | 2009-01-05 | 2017-04-27 | Amkor Technology, Inc. | Semiconductor device with through-mold via |
US8058715B1 (en) | 2009-01-09 | 2011-11-15 | Amkor Technology, Inc. | Package in package device for RF transceiver module |
US8026589B1 (en) | 2009-02-23 | 2011-09-27 | Amkor Technology, Inc. | Reduced profile stackable semiconductor package |
US7960818B1 (en) | 2009-03-04 | 2011-06-14 | Amkor Technology, Inc. | Conformal shield on punch QFN semiconductor package |
US8575742B1 (en) | 2009-04-06 | 2013-11-05 | Amkor Technology, Inc. | Semiconductor device with increased I/O leadframe including power bars |
US8796561B1 (en) | 2009-10-05 | 2014-08-05 | Amkor Technology, Inc. | Fan out build up substrate stackable package and method |
US8937381B1 (en) | 2009-12-03 | 2015-01-20 | Amkor Technology, Inc. | Thin stackable package and method |
US9691734B1 (en) | 2009-12-07 | 2017-06-27 | Amkor Technology, Inc. | Method of forming a plurality of electronic component packages |
US8324511B1 (en) | 2010-04-06 | 2012-12-04 | Amkor Technology, Inc. | Through via nub reveal method and structure |
US8294276B1 (en) | 2010-05-27 | 2012-10-23 | Amkor Technology, Inc. | Semiconductor device and fabricating method thereof |
US8440554B1 (en) | 2010-08-02 | 2013-05-14 | Amkor Technology, Inc. | Through via connected backside embedded circuit features structure and method |
US8487445B1 (en) | 2010-10-05 | 2013-07-16 | Amkor Technology, Inc. | Semiconductor device having through electrodes protruding from dielectric layer |
US8791501B1 (en) | 2010-12-03 | 2014-07-29 | Amkor Technology, Inc. | Integrated passive device structure and method |
US8674485B1 (en) | 2010-12-08 | 2014-03-18 | Amkor Technology, Inc. | Semiconductor device including leadframe with downsets |
KR101232353B1 (ko) * | 2010-12-23 | 2013-02-08 | 하나 마이크론(주) | 반도체 패키지 및 이를 제조하는 방법 |
US8390130B1 (en) | 2011-01-06 | 2013-03-05 | Amkor Technology, Inc. | Through via recessed reveal structure and method |
US8648450B1 (en) | 2011-01-27 | 2014-02-11 | Amkor Technology, Inc. | Semiconductor device including leadframe with a combination of leads and lands |
TWI557183B (zh) | 2015-12-16 | 2016-11-11 | 財團法人工業技術研究院 | 矽氧烷組成物、以及包含其之光電裝置 |
US8552548B1 (en) | 2011-11-29 | 2013-10-08 | Amkor Technology, Inc. | Conductive pad on protruding through electrode semiconductor device |
US9153543B1 (en) | 2012-01-23 | 2015-10-06 | Amkor Technology, Inc. | Shielding technique for semiconductor package including metal lid and metalized contact area |
US9362209B1 (en) | 2012-01-23 | 2016-06-07 | Amkor Technology, Inc. | Shielding technique for semiconductor package including metal lid |
US9704725B1 (en) | 2012-03-06 | 2017-07-11 | Amkor Technology, Inc. | Semiconductor device with leadframe configured to facilitate reduced burr formation |
US9129943B1 (en) | 2012-03-29 | 2015-09-08 | Amkor Technology, Inc. | Embedded component package and fabrication method |
US9048298B1 (en) | 2012-03-29 | 2015-06-02 | Amkor Technology, Inc. | Backside warpage control structure and fabrication method |
TWI495066B (zh) * | 2012-08-31 | 2015-08-01 | Chipmos Technologies Inc | 晶圓級封裝結構及其製造方法 |
ITMI20130473A1 (it) * | 2013-03-28 | 2014-09-29 | St Microelectronics Srl | Metodo per fabbricare dispositivi elettronici |
KR101486790B1 (ko) | 2013-05-02 | 2015-01-28 | 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 | 강성보강부를 갖는 마이크로 리드프레임 |
KR101563911B1 (ko) | 2013-10-24 | 2015-10-28 | 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 | 반도체 패키지 |
US9673122B2 (en) | 2014-05-02 | 2017-06-06 | Amkor Technology, Inc. | Micro lead frame structure having reinforcing portions and method |
TWI567897B (zh) | 2016-06-02 | 2017-01-21 | 力成科技股份有限公司 | 薄型扇出式多晶片堆疊封裝構造與製造方法 |
CN110473839A (zh) | 2018-05-11 | 2019-11-19 | 三星电子株式会社 | 半导体封装*** |
US10991638B2 (en) | 2018-05-14 | 2021-04-27 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor package system |
US11244885B2 (en) | 2018-09-18 | 2022-02-08 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor package system |
US11600607B2 (en) | 2019-01-17 | 2023-03-07 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor module including multiple power management semiconductor packages |
US20210013375A1 (en) * | 2019-07-11 | 2021-01-14 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Semiconductor device package and method of manufacturing the same |
DE102021213437A1 (de) | 2021-11-29 | 2023-06-01 | Robert Bosch Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Schaltungsanordnung und Verfahren zum Ausbilden einer Schaltungsanordnung |
CN117790426B (zh) * | 2024-02-26 | 2024-05-14 | 中航捷锐(西安)光电技术有限公司 | 一种芯片封装结构及制造方法 |
Family Cites Families (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4295183A (en) | 1979-06-29 | 1981-10-13 | International Business Machines Corporation | Thin film metal package for LSI chips |
US4443278A (en) | 1981-05-26 | 1984-04-17 | International Business Machines Corporation | Inspection of multilayer ceramic circuit modules by electrical inspection of green specimens |
US4814855A (en) | 1986-04-29 | 1989-03-21 | International Business Machines Corporation | Balltape structure for tape automated bonding, multilayer packaging, universal chip interconnection and energy beam processes for manufacturing balltape |
JPH01136665A (ja) | 1987-11-24 | 1989-05-29 | Kazuo Okazaki | 注射針の収容容器 |
US5055097A (en) * | 1989-09-28 | 1991-10-08 | Wood Samuel R | Rotary differential drive |
US5045914A (en) | 1989-12-26 | 1991-09-03 | Motorola, Inc. | Plastic pad array electronic AC device |
US5081563A (en) | 1990-04-27 | 1992-01-14 | International Business Machines Corporation | Multi-layer package incorporating a recessed cavity for a semiconductor chip |
US5804870A (en) * | 1992-06-26 | 1998-09-08 | Staktek Corporation | Hermetically sealed integrated circuit lead-on package configuration |
US5368419A (en) | 1993-01-12 | 1994-11-29 | Imus; Robert E. | Apparatus for implanting latent insecticide |
KR100245257B1 (ko) | 1993-01-13 | 2000-02-15 | 윤종용 | 웨이퍼 수준의 반도체 패키지의 제조방법 |
US5291061A (en) | 1993-04-06 | 1994-03-01 | Micron Semiconductor, Inc. | Multi-chip stacked devices |
KR970000214B1 (ko) | 1993-11-18 | 1997-01-06 | 삼성전자 주식회사 | 반도체 장치 및 그 제조방법 |
US5511306A (en) | 1994-04-05 | 1996-04-30 | Compaq Computer Corporation | Masking of circuit board vias to reduce heat-induced board and chip carrier package warp during wavesolder process |
US5442230A (en) | 1994-09-16 | 1995-08-15 | National Semiconductor Corporation | High density integrated circuit assembly combining leadframe leads with conductive traces |
US5569955A (en) | 1994-09-16 | 1996-10-29 | National Semiconductor Corporation | High density integrated circuit assembly combining leadframe leads with conductive traces |
JPH08167630A (ja) | 1994-12-15 | 1996-06-25 | Hitachi Ltd | チップ接続構造 |
US5739581A (en) | 1995-11-17 | 1998-04-14 | National Semiconductor Corporation | High density integrated circuit package assembly with a heatsink between stacked dies |
KR0184076B1 (ko) | 1995-11-28 | 1999-03-20 | 김광호 | 상하 접속 수단이 패키지 내부에 형성되어 있는 3차원 적층형 패키지 |
KR100186331B1 (ko) | 1996-06-17 | 1999-03-20 | 문정환 | 적층형 패키지 |
US5748452A (en) | 1996-07-23 | 1998-05-05 | International Business Machines Corporation | Multi-electronic device package |
US5854507A (en) | 1998-07-21 | 1998-12-29 | Hewlett-Packard Company | Multiple chip assembly |
-
1998
- 1998-09-15 KR KR1019980037931A patent/KR100290784B1/ko not_active IP Right Cessation
-
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