KR100287792B1

KR100287792B1 - 단결정 ＳｉＣ 및 그 제조방법

Info

Publication number: KR100287792B1
Application number: KR1019997001108A
Authority: KR
Inventors: 다니노기치야
Original assignee: 이와나미 기요히사; 니폰 필라고교 가부시키가이샤
Priority date: 1997-06-27
Filing date: 1999-02-10
Publication date: 2001-04-16
Also published as: WO1999000538A1; EP0922792A4; CA2263339A1; US6153166A; EP0922792A1; CA2263339C; KR20000068096A; CN1231003A; RU2160329C1

Abstract

본 발명은 α-SiC 단결정기재(1)의 표면에 연마면을 거쳐서 밀착상태로 혹은 열 CVD법에 의해 층상으로 막이 형성된 β-SiC 다결정판(2)을 적층해서 형성된 복합체(M)를, 1850∼2400℃의 온도범위에서 열처리해서 β-SiC 다결정판(2)의 다결정체를 단결정으로 변태시켜서, α-SiC 단결정기재(1)의 결정축과 동일 방위로 배향된 단결정을 성장시키므로서, 마이크로파이프 결함, 격자결함 및 불순물의 침입에 의한 결정입계의 발생 등이 없는 고품위로 대형의 단결정 SiC를 용이하게 또한 효율적으로 제조할 수 있게 한 것이다.

Description

단결정 ＳｉＣ 및 그 제조방법{SINGLE CRYSTAL SiC AND PROCESS FOR PREPARING THE SAME}

SiC는 실리콘(Si)이나 갈륨비소(GaAs) 등의 기존의 반도체재료에 비해 내열성, 및 기계적강도가 우수할 뿐만 아니라 방사선에도 강하고, 또한 불순물의 첨가에 의해 전자나 정공(正孔)의 가전자제어(價電子制御)가 용이한 외에 넓은 금제대폭(禁制帶幅)을 갖기 때문에(6H형의 SiC 단결정에서 약 3.0eV, 4H형의 SiC 단결정에서 3.26eV) 상술한 바와 같은 기존의 반도체재료에서는 실현할 수 없었던 대용량, 고주파특성, 내압특성, 내환경특성을 실현가능하여 차세대의 파워장치용 반도체재료로서 주목되고 또한 기대되고 있다.

그런데, 이런 종류의 SiC 단결정의 제조(성장)방법으로서 종래에 종결정(種結晶)을 사용한 승화재결정법(昇華再結晶法)에 의해 SiC 단결정을 성장시키는 방법과, 고온도에서의 경우에는 실리콘기판상에 화학기상성장법(CVD법)을 사용해서 에피택시얼(epitaxial)성장시키므로서 입방정(立方晶)의 SiC 단결정(β-SiC)을 성장시키는 방법이 알려져 있다.

그러나, 상기한 바와 같은 종래의 제조방법은 모두 결정성장속도가 1㎛/hr.로 대단히 낮을 뿐만 아니라, 재승화결정법의 경우에는, 마이크로파이프 결함이라고 불리며 반도체장치를 제작하는 때에 누설전류 등의 원인이 되는 결정의 성장방향으로 관통하는 직경 수미크론의 핀홀이 100∼1000/cm²정도 성장결정중에 존재한다는 문제가 있어, 이것이 이미 기술한 바와 같이 실리콘(Si)이나 갈륨비소(GaAs) 등의 기존의 반도체재료에 비해 많은 우수한 특징을 가지면서도 그 실용화를 저지하는 요인이 되고 있었다.

또, 고온CVD법의 경우는 기판온도가 1700∼1900℃로 높은 외에 고순도의 환원성분위기를 만들 필요가 있기 때문에, 설비적으로 대단히 곤란하며 또한 에피택시얼 성장을 위한 성장속도에도 자연히 한계가 있다고 하는 문제가 있었다.

본 발명은 단결정 SiC 및 그 제조방법에 관한 것이며, 상세하게는 발광다이오드나, X선광학소자, 스위칭소자, 광센서 등의 고온반도체소자의 기판 웨이퍼 등으로서 사용되는 단결정 SiC 및 그 제조방법에 관한 것이다.

도 1은 본 발명의 제1실시예에 있어서의 단결정 SiC의 열처리전의 상태를 나타내는 모식도.

도 2는 본 발명의 제1실시예에 있어서의 단결정 SiC의 열처리후의 상태를 나타내는 모식도.

도 3은 본 발명의 제2실시예에 있어서의 단결정 SiC의 열처리전의 상태를 나타내는 평면도.

도 4는 본 발명의 제3실시예에 있어서의 단결정 SiC의 열처리전의 상태를 나타내는 모식도.

도 5는 도 4의 개략저면도.

도 6은 본 발명의 제3실시예에 있어서의 단결정 SiC의 열처리전의 주요부의 확대도

도 7은 본 발명의 제3실시예에 있어서의 단결정 SiC의 열처리후의 주요부의 확대도

도 8은 본 발명의 제4실시예에 있어서의 단결정 SiC의 열처리전의 상태를 나타내는 모식도

(도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명)

1. α-SiC 단결정기재

1a,2a. 연마표면

2. β- SiC 다결정판

M. 복합체

본 발명은 상기와 같은 종래기술의 배경을 감안하여 이루어진 것으로서, 마이크로파이프 결함 등이 대단히 적은 고품위이고 또한 대형의 단결정 SiC와, 이와 같은 고품위이고 또한 대형의 단결정 SiC를 설비적으로도 작업면에서도 용이하고 또한 생산성 양호하게 제조할 수가 있으며, 반도체재료로서의 실용화를 촉진시킬 수가 있는 단결정 SiC의 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 하는 것이다.

본 제1발명에 관한 단결정 SiC는 SiC 단결정기재와 Si원자와 C원자에 의해 구성되는 다결정판과 평활한 면을 거쳐서 적층해서 된 복합체를 열처리하므로서 상기한 다결정판의 다결정체를 단결정으로 변태시키고 있는 것을 특징으로 하는 것이다.

이와같은 구성에 의하면 SiC 단결정기재와 다결정판을 적층시켜서 된 복합체를 열처리한다고 하는 설비적으로도 작업면에서도 간이한 수단을 사용하는 것 만으로, 다결정판의 다결정체를 상(相)변태시켜서 단결정으로 효율좋게 성장시킬수가 있다.

더구나 복합체를 구성하는 SiC 단결정기재와 다결정판이 평활한 면을 거쳐서 열처리하는 것에 의해 그 열처리시에 양자의 계면에 계외로부터 불순물이 들어가는 일이 없으므로 격자결함 및 마이크로파이프 결함뿐만 아니라 불순물의 침입에 의한 결정입계(結晶粒界)의 발생 등이 없는 대단히 고품위의 단결정 SiC를 얻을수가 있다.

이에 의해 실리콘이나 갈륨비소 등의 기존의 반도체재료에 비해 고온특성, 고주파특성, 내압특성, 내환경특성 등이 우수한 파워장치용 반도체재료로서 기대되고 있는 단결정 SiC의 실용화를 가능하게 할 수가 있다는 효과를 나타낸다.

본 발명에 관한 단결정 SiC는 인접하는 측면끼리를 접해서 정렬배치한 복수매의 SiC 단결정기재와 Si원자와 C원자에 의해 구성되는 다결정판을 적층해서 된 복합체를 열처리하므로서, 상기한 다결정판의 다결정체를 단결정으로 변태시키고 있는 것을 특징으로 하는 것이다.

이와같은 구성에 의하면, 복합체의 열처리에 의해 격자결함, 마이크로파이프결함 및 결정입계의 발생 등이 대단히 적은 고품위의 단결정 SiC를 얻을수가 있을 뿐만 아니라, 복수매의 SiC 단결정기재의 측면끼리를 융착 일체화해서 면적적으로 대형의 단결정 SiC를 용이하게 얻을수가 있어, 기존의 반도체재료에 비해 우수한 각종 성능을 갖는 단결정 SiC를 소형제품으로부터 대형제품까지의 반도체 재료로서 폭넓게 적용할 수 있다는 효과를 나타낸다.

또, 본 발명에 관한 단결정 SiC의 제조방법으로서, SiC 단결정기재와 Si원자 및 C원자로 구성되는 다결정판의 적어도 일면을 평활하게 해서 그들 면을 거쳐서 SiC 단결정기재와 다결정판을 적층한 후 그 복합체를 열처리하므로서 상기한 다결정판의 다결정체를 단결정으로 변태시켜 육성시키는 것이 바람직하다.

이와같은 제조방법에 의하면, 상기한 바와 같은 격자결함, 마이크로파이프결함 및 결정입계 등이 대단히 적은 고품위의 단결정 SiC를 용이하게 또한 효율적으로 성장시켜서 성능적으로 대단히 우수한 반도체재료로서 이용 가능한 단결정 SiC를 공업적규모로 안정적으로 제조하여 공급할 수 있다는 효과를 나타낸다.

또, 본 발명에 관한 단결정 SiC의 제조방법으로서 인접하는 측면끼리를 접해서 정렬배치한 복수매의 SiC 단결정기재와 Si원자 및 C원자에 의해 구성되는 다결정판을 적층한 후, 그 복합체를 열처리하므로서 상기한 다결정판의 다결정체를 단결정으로 변태시켜서 육성시킬수도 있다.

이와같은 제조방법에 의하면, 상기한 바와같은 격자결함, 마이크로파이프결함 및 결정입계 등이 대단히 적은 고품위로, 또한 면적적으로도 대형의 단결정 SiC를 효율적으로 성장시켜서 성능적으로 대단히 우수함과 동시에 반도체재료로서 적용범위가 큰 단결정 SiC를 공업적규모로 안정적으로 제조하여 공급할수 있다는 효과를 나타낸다.

또한, 상기한 각 제조방법에 있어서, 복합체를 형성하는 다결정판이 복수매의 SiC 단결정기재의 표면에 열화학적 증착법에 의해 막이 형성된 비결정질판 혹은 β-SiC 다결정판이며, 이 비결정질판 혹은 β-SiC 다결정판의 열화학적 증착온도를 1300∼1900℃의 범위로 설정하는 경우에는, 복수매의 SiC 단결정기재와 그 표면의 다결정판 사이에 불순물이 들어가는 일 및 그 불순물이 확산되는 것을 억제해서 SiC 단결정기재보다도 불순물이나 격자결함 등이 한층 적은 고순도, 고품위의 단결정 SiC를 얻을수가 있다는 효과를 나타낸다.

또, 상기한 제조방법에 있어서, 측면끼리를 접해서 정렬배치되는 복수매의 SiC 단결정기재로서 복합체의 열처리에 의해 얻어진 단결정 SiC를 사용하는 경우에는 1회의 열처리에 의해 얻어진 면적적으로 대형의 단결정 SiC를 재사용하여 열처리를 반복하므로서 최종제품으로서 면적 및 두께가 다같이 대단히 큰 대형의 단결정 SiC를 용이하게 제조할 수가 있고, 고품위의 반도체재료로서의 적용범위를 일층 확대할 수가 있다는 효과를 나타낸다.

다음에 제1실시예에 대해 설명한다.

도 1은 단결정 SiC의 열처리전에 있어서의 복합체(M)를 모식적으로 나타내는 것으로서, 동 도면에 있어서, 1은 판상의 육방정계(六方晶系)(6H형, 4H형)의 α-SiC 단결정기재이며, 이 α-SiC 단결정기재(1)는 승화법 혹은 애치손법에 의해 제작되고 그 표면(1a)은 평활하게 연마되어 있다.

2는 1300∼1900℃의 범위의 열화학적증착법(이하, 열CVD법이라고도 칭한다)에 의해 별도 제작된 입방정계의 β-SiC 다결정판으로서, 그 일면(2a)은 평활하게 연마되어 있고, 이 β-SiC 다결정판(2)과 상기한 α-SiC 단결정기재(1)를 각각의 연마표면(2a),(1a)을 거쳐서 밀착상태로 적층시키므로서 결정형태의 상호 다른 결정면이 접해서 직선상의 명료한 계면(3)을 갖는 복합체(M)가 형성되어 있다.

그 후, 상기한 복합체(M)의 전체를 1850℃ 이상, 바람직하게는 2200∼2400℃의 온도범위에서, 또한 SiC 포화증기압의 분위기에 8시간 정도 유지시킨다는 열처리를 시행하므로서 상기한 β-SiC 다결정판(2)이 단결정으로 변태되어 도 2에 나타내는 바와 같이, 이 β-SiC 다결정판(2)의 다결정체가 상기한 α-SiC 단결정기재(1)의 결정축과 동일 방위로 배향된 단결정부분(2')이 되고, 이 단결정부분(2')이 상기한 α-SiC 단결정기재(1)의 단결정과 일체화해서 큰 단결정이 육성된다.

또한, 열처리후 열처리전에 명료하게 나타나 있던 계면(3)은 융합되어서 일체로 되어 소실되어 있다.

상기와 같이 평활히 연마된 면(1a),(2a)을 거쳐서 밀착된 α-SiC 단결정기재(1)와 β-SiC 다결정판(2)으로 된 복합체(M)에 열처리를 시행하므로서 상기한 계면(3)에 격자진동이 일어나서 원자간 배열이 변경된다고 하는 고상성장(固相成長)을 주체로 하는 결정 성장을 생기게 해서 마이크로파이프 결함을 전혀 포함하지 않고 기타의 격자결함도 거의 없는(1cm²당 10 이하) 고품위의 단결정 SiC를 생산성이 양호하게 제조할 수가 있다.

또, β-SiC 다결정판(2)에 있어서의 α형 결정에의 상 변태에 사용한 α-SiC 단결정기재(1)를 연마 또는 절제하면 전자소자용의 고품위웨이퍼를 얻을수가 있다.

다음에 제2실시예에 대해 설명한다.

표면을 평활하게 연마한 복수매의 α-SiC 단결정기재(1)를 도 3에 나타내는 바와 같이 인접하는 α-SiC 단결정기판(1),(1)의 측면(1b),(1b)끼리가 밀접하게 되도록 정렬 배치하고, 이 정렬 배치시킨 복수매의 α-SiC 단결정기재(1)의 연마면상에 β-SiC 다결정판(2)을 그 연마면이 밀착되도록 적층시킨후, 그 복합체를 상기와 같이 1850℃ 이상, 바람직하게는 2200∼2400℃의 온도범위에서 또한 SiC 포화증기압의 분위기에 8시간 정도 유지시킨다는 열처리를 시행하므로서 상기한 β-SiC 다결정판(2)을 단결정으로 변태시켜서 상기한 복수매의 α-SiC 단결정기판(1)의 결정축과 동일 방위로 배향된 단결정을 일체로 육성시킴과 동시에 인접하는 α-SiC 단결정기판(1),(1)끼리의 밀접측면(1b)을 융착 일체화시키고 이와같은 처리를 반복하므로서 큰 면적의 단결정 SiC를 얻는다.

다음에 제3실시예에 대해 설명한다.

도 4는 단결정 SiC의 열처리전의 상태를 나타내는 모식도이고, 도 5는 그 개략저면도이며, 육방정계(6H형, 4H형)의 복수매의 α-SiC 단결정기재(1)를 상호 인접하는 측면(1b),(1b)끼리가 밀접하도록 정렬배치함과 동시에 그들 복수매의 α-SiC 단결정기재(1) 전체의 표면에 1300∼1900℃의 범위의 열 CVD법에 의해 입방정계의 β-SiC 다결정판(2)을 층상으로 막을 형성한다.

이 β-SiC 다결정판(2)의 막형성단계에서는 도 6의 현미경에 의한 단면에칭 사진으로 명시되어 있는 바와 같이, 격자결함을 포함하는 α-SiC 단결정기재(1)의 표면에 간극없이 정렬된 복수의 β-SiC 기둥형상 단결정으로 구성되는 다결정체(4)가 성장되고, 결정 형태가 상호 다른 결정면에서 α-SiC 단결정기재(1)와 접해서 계면(3)을 갖는 복합체(M)가 형성되어 있다.

그 후 상기한 복합체(M)의 전체를 1900∼2400℃, 바람직하게는 2000∼2200℃의 온도범위에서 또한 SiC 포화증기압중에서 열처리하므로서 상기한 복수매의 α-SiC 단결정기재(1)의 인접하는 것 끼리가 밀접측면(1b),(1b)에서 융착,일체화됨과 동시에 상기한 β-SiC판(2)의 다결정체(4)가 α-SiC 단결정으로 변태되어 상기한 α-SiC 단결정기재(1)의 결정축과 동일 방위로 배향되어서 기재(1)의 단결정과 일체화 된 큰 단결정(5)이 육성된다.

상기와 같이 인접하는 측면끼리를 밀접시켜서 정렬 배치한 복수매의 α-SiC 단결정기재(1)의 표면에 열 CVD법에 의해 β-SiC 다결정판(2)의 다결정체(4)가 성장된 복합체(M)에 열처리를 실시하므로서 면적적으로 대단히 큰 외에, 상기한 계면(3)에 격자 진동이 일어나서 원자간 배열이 변경된다고 하는 고상(固相)성장을 주체로 하는 결정성장을 생기게 해서 도 7의 현미경에 의한 단면에칭사진으로 명시되어 있는 바와 같이, 격자결함 및 마이크로파이프결함이 거의 없는(1cm²당 10 이하) 고품위의 단결정 SiC(1')를 용이하게 제조할 수가 있다.

다음에 제4실시예에 대해 설명한다.

이 제4실시예에서는 상기한 제3실시예에서 설명한 바와 같이 해서 제조된 복수매의 고품위 단결정 SiC(1')를 α-SiC 단결정기재로서 재사용하는 것이다.

즉, 복수매의 상기한 단결정 SiC(1')를 도 8에 나타내는 바와 같이 인접하는 측면(1'b),(1'b) 끼리가 밀접하도록 정렬 배치됨과 동시에 그들 복수매의 단결정 SiC(1') 전체의 표면에 열 CVD법에 의해 간극없이 나란히 된 입방정계의 β-SiC 단결정으로 구성되는 배향성을 갖는 다결정판(2)의 막을 형성해서 복합체(M')를 형성한 후, 이 복합체(M')의 전체를 상기한 실시예 3과 마찬가지로 1900∼2400℃, 바람직하게는 2000∼2200℃의 온도범위로, 또한 SiC 포화증기압중에서 열처리하므로서 최종제품으로서 소망하는 크기의 고품위단결정 SiC를 용이하게 제조하는 것이 가능하게 된다.

또한, SiC 단결정기재로서 상기한 각 실시예에서는 α-SiC 단결정기재(1)를 사용했으나, 이것 이외에, 예를들면 α-SiC 소결체나 β-SiC 단결정체 등을 사용해도 되고, 또 Si원자와 C 원자에 의해 구성되는 다결정판으로서 상기한 각 실시예에서는 β-SiC 결정판(2)을 사용했으나, 이것 이외에 예를들면 α-SiC 다결정판이나 고순도의 SiC소결체, 고순도(10^14atm/cm³) 이하의 비결정질판을 사용해도 되고, 상기한 각 실시예와 같은 고품위의 단결정 SiC를 얻는 것이 가능하다.

또, 상기한 각 실시예에 있어서의 α-SiC 단결정기재(1)로서는 6H형, 4H형의 어느 것을 사용해도 되고, 6H형의 것을 사용하는 때에는 열처리에 수반해서 β-SiC 다결정판(2)의 다결정체로부터 α-SiC로 전화되는 단결정이 6H형의 단결정과 같은 형태로 육성되기 쉽고, 또 4H형의 단결정기재(1)를 사용하는 때에는 열처리에 수반해서 그 4H형의 단결정과 같은 형태의 단결정이 전화(轉化)육성되기 쉽게 된다.

또한, 상기한 복합체(M)의 열처리의 온도조건으로서는 1850∼2400℃, 바람직하게는 2000∼2200℃의 범위인 것이 바람직하다.

만약, 열처리온도가 1850℃ 미만이면 원자의 운동에너지를 계면을 형성하는 많은 SiC에 부여할 수가 없다.

또, 2400℃를 초과하면 SiC의 분해에너지를 훨씬 초과하는 열에너지가 공급되어 SiC의 결정 그 자체가 분해된다.

이상과 같이 본 발명은 SiC 단결정기재와 다결정판을 평활한 연마면을 거쳐서 밀착상태로 적층해서 된, 혹은 측면을 접해서 정렬 배치한 복수매의 SiC 단결정기재의 표면에 열 CVD법에 의해 다결정판을 막을 형성해서 된 복합체를 열처리해서 다결정판의 다결정체를 단결정으로 변태시켜, SiC 단결정기재의 결정축과 동일방위로 배향된 단결정을 일체로 크게 성장시키므로서 내열성, 및 기계적강도가 우수할 뿐만 아니라, 마이크로파이프 결함이나 격자 결함이 대단히 적은 고품위로 대형의 단결정 SiC를 용이하고 또한 효율적으로 제조할 수 있게 한 기술이다.

Claims

SiC 단결정기재와 Si원자 및 C원자에 의해 구성되는 다결정판을 평활하게한 면을 거쳐서 적층해서 된 복합체를 열처리하므로서 상기한 다결정판의 다결정체를 단결정으로 변태시키고 있는 것을 특징으로 하는 단결정 SiC.
제1항에 있어서,

상기한 복합체를 형성하는 SiC 단결정기재가 α-SiC 단결정인 단결정 SiC.
제1항에 있어서,

상기한 복합체를 형성하는 다결정판이 비결정질판 또는 β-SiC 다결정판인 단결정 SiC.
인접하는 측면끼리를 접해서 정렬 배치한 복수매의 SiC 단결정기재와, Si원자 및 C원자에 의해 구성되는 다결정판을 적층해서 된 복합체를 열처리하므로서, 상기한 다결정판의 다결정체를 단결정으로 변태시키고 있는 것을 특징으로 하는 단결정 SiC.
제4항에 있어서,

상기한 복합체를 형성하는 복수매의 SiC 단결정기재와 상기한 다결정판은 평활하게 된 면을 거쳐서 적층되어 있는 단결정 SiC.
제4항에 있어서,

상기한 복합체를 형성하는 복수매의 SiC 단결정기재의 각각이 α-SiC 단결정인 단결정 SiC.
제4항에 있어서,

상기한 복합체를 형성하는 다결정판이 복수매의 SiC 단결정기재의 표면에 열화학적 증착법에 의해 막이 형성된 비결정질판 또는 β-SiC 다결정판인 단결정 SiC.
SiC 단결정기재와 Si원자 및 C원자에 의해 구성되는 다결정판의 적어도 일면을 평활하게 해서 그들 면을 거쳐서 SiC 단결정기재와 다결정판을 적층한후, 그 복합체를 열처리하므로서 상기한 다결정판의 다결정체를 단결정으로 변태시켜서 육성시키는 것을 특징으로 하는 단결정 SiC의 제조방법.
제8항에 있어서,

상기한 복합체를 형성하는 SiC 단결정기재로서 α-SiC 단결정을 사용하는 단결정 SiC의 제조방법.
제8항에 있어서,

상기한 복합체를 형성하는 다결정판으로서 비결정질판 또는 β-SiC 다결정판을 사용하는 단결정 SiC의 제조방법.
제8항에 있어서,

상기한 열처리가 1850℃ 이상의 온도하에서, 또한 SiC의 포화증기압 또는 그 근방의 분위기중에서 행해지는 단결정 SiC의 제조방법.
제8항에 있어서,

상기한 복합체의 열처리가 2200∼2400℃의 온도범위에서 또한 SiC의 포화증기압 또는 그 근방의 분위기중에서 행해지는 단결정 SiC의 제조방법.
인접하는 측면끼리를 접해서 정렬배치한 복수매의 SiC 단결정기재와, Si원자 및 C원자에 의해 구성되는 다결정판을 적층한 후, 그 복합체를 열처리하므로서 상기한 다결정판의 다결정체를 단결정으로 변태시켜서 육성시키는 것을 특징으로 하는 단결정 SiC의 제조방법.
제13항에 있어서,

상기한 복합체를 형성하는 복수매의 SiC 단결정기재와 상기한 다결정판은 그들의 적어도 일면을 평활하게 해서 그들 면을 거쳐서 적층되어 있는 단결정 SiC의 제조방법.
제13항에 있어서,

상기한 복합체를 형성하는 복수매의 SiC 단결정기재로서 α-SiC 단결정을 사용하는 단결정 SiC의 제조방법.
제13항에 있어서,

상기한 측면끼리를 접해서 정렬 배치되는 복수매의 SiC 단결정기재로서, 복합체의 열처리에 의해 얻어진 단결정SiC를 사용하는 단결정 SiC의 제조방법.
제13항에 있어서,

상기한 복합체를 형성하는 다결정판으로서, 복수매의 SiC 단결정기재의 표면에 열화학적 증착법에 의해 막이 형성된 비결정질판 또는 β-SiC 다결정판을 사용하는 단결정 SiC의 제조방법.
제17항에 있어서,

상기한 비결정판 또는 β-SiC 다결정판이 1300∼1900℃ 범위의 열화학적 증착법에 의해 복수매의 SiC 단결정기재의 표면에 막이 형성되는 것인 단결정 SiC의 제조방법.
제17항에 있어서,

상기한 복합체의 열처리온도가 비결정판 또는 β-SiC 다결정판을 막을 형성하는 때의 열화학적 증착온도 보다도 고온으로 또한 SiC 포화증기압중에서 행해지는 단결정 SiC의 제조방법.
제13항에 있어서,

상기한 복합체의 열처리가 1850℃ 이상의 온도하에서 또한 SiC의 포화증기압 또는 그 근방의 분위기중에서 행해지는 단결정 SiC의 제조방법.
제13항에 있어서,

상기한 복합체의 열처리가 2200∼2400℃의 온도범위에서 또한 SiC의 포화증기압 또는 그 근방의 분위기중에서 행해지는 단결정 SiC의 제조방법.