JPWO2020149188A1 - 半導体装置および半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
図1は、実施の形態1に係る半導体装置100の外観を示す斜視図である。半導体装置100は、例えば、通信を行う通信装置において使用される装置である。なお、図1では、後述のカバー40の構成を分かりやすくするために、後述の接合材5は示していない。
以下においては、半導体装置100の製造方法を、「製造方法Pr」ともいう。次に、製造方法Prについて説明する。図5は、実施の形態1に係る製造方法Prのフローチャートである。図5では、製造方法Prの複数の工程に含まれる、主要な工程のみを示している。図6は、製造方法Prにおける各工程を説明するための断面図である。
以上説明したように、本実施の形態によれば、半導体装置100は、基板12と、カバー40とを備える。基板12には、パターン6aが形成されている。カバー40は、接合材5により、パターン6aに接合されている。カバー40は、接合材5により、パターン6aに接合されている先端部40eを有する。先端部40eは、パターン6aに接触している先端40esを有する。先端部40eのうち、当該先端部40eの先端40esに近い領域程、当該領域の断面積が小さくなるように、当該先端部40eは構成されている。
本変形例の構成は、実施の形態1に適用される。図8は、変形例1の構成を有する半導体装置100の断面図である。変形例1の構成は、実施の形態1の構成と比較して、カバー40の先端部40eの形状が異なる。図9は、変形例1におけるカバー40の先端部40eを説明するための拡大図である。なお、図9では、一例として、外側角度αが内側角度βと同じである構成を有する先端部40eを示している。
本変形例の構成は、実施の形態1、および、変形例1の全てまたは一部に適用される。図10は、変形例2の構成を有する半導体装置100の断面図である。変形例2の構成は、実施の形態1の構成と比較して、パターン6aの形状が異なる。図11は、変形例2におけるパターン6aを説明するための拡大図である。なお、図11では、一例として、外側角度αが内側角度βと同じである構成を有する先端部40eを示している。
Claims (6)
- 半導体素子が実装されている基板と、
前記半導体素子を収容するための内部空間を有するカバーとを備え、
前記カバーは、金属で構成されており、
前記基板には、導電性を有し、かつ、前記カバーの接合対象となるパターンが形成されており、
前記内部空間に前記半導体素子が存在するように、前記カバーは、接合材により、前記パターンに接合されており、
前記カバーは、前記接合材により、前記パターンに接合されている先端部を有し、
前記先端部は、前記パターンに接触している先端を有し、
前記先端部のうち、当該先端部の先端に近い領域程、当該領域の断面積が小さくなるように、当該先端部は構成されており、
前記先端部は、
当該先端部の先端の一部に接する第1テーパー面と、
当該先端部の先端の別の一部に接する第2テーパー面とを有する
半導体装置。 - 前記第1テーパー面は、前記カバーの外側の面の一部であり、
前記第2テーパー面は、前記カバーの内側の面の一部であり、
前記第1テーパー面と水平面とから構成される第1鋭角は、前記第2テーパー面と当該水平面とから構成される第2鋭角より大きい
請求項1に記載の半導体装置。 - 前記先端部の先端には、第1くぼみが存在する
請求項1または2に記載の半導体装置。 - 前記パターンには、第2くぼみが存在し、
前記第2くぼみには、前記先端部の先端が接合されている
請求項1から3のいずれか1項に記載の半導体装置。 - 前記カバーは、当該カバーの内側の面である内面を有し、
前記内面には、溝が存在し、
前記溝は、前記先端部の先端まで延在している
請求項1から4のいずれか1項に記載の半導体装置。 - 半導体装置の製造方法であって、
前記半導体装置は、
半導体素子が実装されている基板と、
前記半導体素子を収容するための内部空間を有するカバーとを備え、
前記カバーは、金属で構成されており、
前記基板には、導電性を有し、かつ、前記カバーの接合対象となるパターンが形成されており、
前記内部空間に前記半導体素子が存在するように、前記カバーは、接合材により、前記パターンに接合されており、
前記カバーは、前記接合材により、前記パターンに接合されている先端部を有し、
前記先端部は、前記パターンに接触している先端を有し、
前記先端部のうち、当該先端部の先端に近い領域程、当該領域の断面積が小さくなるように、当該先端部は構成されており、
前記先端部は、
当該先端部の先端の一部に接する第1テーパー面と、
当該先端部の先端の別の一部に接する第2テーパー面とを有し、
前記製造方法は、
前記カバーを、前記接合材により、前記パターンに接合する工程を含む
半導体装置の製造方法。
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