JP2006013001A - 面実装型電子部品及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 アイランド部4a及びボンディング部5bを、その各々におけるリード端子のうち前記パッケージ体内の部分をその下面側からの厚さを薄くて幅を広くする塑性変形にて形成する一方、前記第1リード端子及び第2リード端子の下面のうち前記塑性変形していない部分を、前記パッケージ体の下面に半田付け用実装面9a,10bとして露出する。
【選択図】 図2
Description
「一組を構成する第1リード端子及び第2リード端子と、前記第1リード端子の先端に一体に設けたアイランド部の上面にダイボンディングした半導体素子と、この半導体素子と前記第2リード端子の先端に一体に設けたボンディング部の上面とを電気的に接続する金属線と、前記アイランド部及び前記ボンディング部の部分を密封する合成樹脂製のパッケージ体から成る電子部品において、
前記第1リード端子におけるアイランド部、及び前記第2リード端子におけるボンディング部を、その各々におけるリード端子のうち前記パッケージ体内の部分を当該アイランド部及びボンディング部の上面をリード端子の上面と同一平面又は略同一平面した状態でその下面側からの厚さを薄くて幅を広くする塑性変形にて形成する一方、前記第1リード端子及び第2リード端子の下面のうち前記塑性変形していない部分を、前記パッケージ体の下面に半田付け用実装面として露出する。」
ことを特徴としている。
「リードフレームの一部をその下面側から凹ませるように塑性変形する工程と、前記リードフレームを打ち抜き加工することによって、一組を構成する第1リード端子及び第2リード端子を、これら各リード端子が前記両抜き孔を結ぶ線に対して横方向に延び、第1リード端子のうち前記塑性変形した部分に厚さが薄くて幅広のアイランド部を備え第2リード端子のうち前記塑性変形した部分に厚さが薄くて幅広のボンディング部を備えた形態にして形成する工程と、前記第1リード端子のアイランド部の上面に半導体素子をダイボンディングし、この半導体素子と前記第2リード端子のボンディング部の上面との間を金属線にてワイヤボンディングする工程と、前記第1リード端子におけるアイランド部及び第2リード端子におけるボンディング部を合成樹脂製のパッケージ体にて、前記各リード端子の下面のうち前記塑性変形していない部分が当該パッケージ体の下面に半田付け用実装面として露出した状態に密封する工程と、前記各リード端子のうち前記パッケージ体から突出する部分を切断する工程とから成る。」
ことを特徴としている。
「リードフレームに二つの抜き孔を適宜間隔を隔てて穿設する工程と、前記リードフレームのうち前記両抜き孔間の部分を、その下面側から凹ませるように塑性変形する工程と、前記リードフレームを打ち抜き加工することによって、複数組を構成する第1リード端子及び第2リード端子の複数本を、これら各リード端子が前記両抜き孔を結ぶ線に対して横方向に延び、各第1リード端子のうち前記塑性変形した部分に厚さが薄くて幅広のアイランド部を備え各第2リード端子のうち前記塑性変形した部分に厚さが薄くて幅広のボンディング部を備えた形態にして形成する工程と、前記各第1リード端子におけるアイランド部の上面に半導体素子をダイボンディングし、この半導体素子と前記各第2リード端子のうち当該半導体素子を備えた第1リード端子とで一組を構成する第2リード端子におけるボンディング部の上面との間を金属線にてワイヤボンディングする工程と、前記各第1リード端子のアイランド部及び各第2リード端子のボンディング部を合成樹脂製のパッケージ体にて、前記各リード端子の下面のうち前記塑性変形していない部分が当該パッケージ体の下面に半田付け用実装面として露出した状態に密封する工程と、前記各リード端子のうち前記パッケージ体から突出する部分を切断する工程とから成る。」
ことを特徴としている。
「前記請求項3の記載において、前記リードフレームをその下面から凹ませるように塑性変形する工程よりも前に、前記リードフレームのうち前記各リード端子の間の部分に、補助抜き孔を穿設する工程を備えている。」
ことを特徴としている。
「前記請求項3の記載において、前記リードフレームに穿設する二つの抜き孔における内幅寸法のうち前記各リード端子の長手方向に沿った内幅寸法を、前記リードフレームを凹ませるように塑性変形するときにおける幅寸法を越えない寸法にする。」
ことを特徴としている。
以下の実施の形態において詳しく説明するように、リードフレームを塑性変形するときにおいて、各リード端子のうち半田付け用実装面の部分が、いびつな形状になることを回避できる利点がある。
2a,2b 第1リード端子
3a,3b,3c,3d 第2リード端子
4a,4b アイランド部
5a,5b,5c,5d ボンディング部
6a,6b 半導体素子
7a,7b,7c,7d 金属線
8 パッケージ体
8a,8b パッケージ体の側面
8c パッケージ体の下面
9a,9b 実装面
10a,10b,10c,10d 実装面
13 リードフレーム
14,15 抜き孔
16 補助抜き孔
Claims (5)
- 一組を構成する第1リード端子及び第2リード端子と、前記第1リード端子の先端に一体に設けたアイランド部の上面にダイボンディングした半導体素子と、この半導体素子と前記第2リード端子の先端に一体に設けたボンディング部の上面とを電気的に接続する金属線と、前記アイランド部及び前記ボンディング部の部分を密封する合成樹脂製のパッケージ体から成る電子部品において、
前記第1リード端子におけるアイランド部、及び前記第2リード端子におけるボンディング部を、その各々におけるリード端子のうち前記パッケージ体内の部分を当該アイランド部及びボンディング部の上面をリード端子の上面と同一平面又は略同一平面した状態でその下面側からの厚さを薄くて幅を広くする塑性変形にて形成する一方、前記第1リード端子及び第2リード端子の下面のうち前記塑性変形していない部分を、前記パッケージ体の下面に半田付け用実装面として露出することを特徴とする面実装型電子部品。 - リードフレームの一部をその下面側から凹ませるように塑性変形する工程と、前記リードフレームを打ち抜き加工することによって、一組を構成する第1リード端子及び第2リード端子を、これら各リード端子が前記両抜き孔を結ぶ線に対して横方向に延び、第1リード端子のうち前記塑性変形した部分に厚さが薄くて幅広のアイランド部を備え第2リード端子のうち前記塑性変形した部分に厚さが薄くて幅広のボンディング部を備えた形態にして形成する工程と、前記第1リード端子のアイランド部の上面に半導体素子をダイボンディングし、この半導体素子と前記第2リード端子のボンディング部の上面との間を金属線にてワイヤボンディングする工程と、前記第1リード端子におけるアイランド部及び第2リード端子におけるボンディング部を合成樹脂製のパッケージ体にて、前記各リード端子の下面のうち前記塑性変形していない部分が当該パッケージ体の下面に半田付け用実装面として露出した状態に密封する工程と、前記各リード端子のうち前記パッケージ体から突出する部分を切断する工程とから成ることを特徴とする面実装型電子部品の製造方法。
- リードフレームに二つの抜き孔を適宜間隔を隔てて穿設する工程と、前記リードフレームのうち前記両抜き孔間の部分を、その下面側から凹ませるように塑性変形する工程と、前記リードフレームを打ち抜き加工することによって、複数組を構成する第1リード端子及び第2リード端子の複数本を、これら各リード端子が前記両抜き孔を結ぶ線に対して横方向に延び、各第1リード端子のうち前記塑性変形した部分に厚さが薄くて幅広のアイランド部を備え各第2リード端子のうち前記塑性変形した部分に厚さが薄くて幅広のボンディング部を備えた形態にして形成する工程と、前記各第1リード端子におけるアイランド部の上面に半導体素子をダイボンディングし、この半導体素子と前記各第2リード端子のうち当該半導体素子を備えた第1リード端子とで一組を構成する第2リード端子におけるボンディング部の上面との間を金属線にてワイヤボンディングする工程と、前記各第1リード端子のアイランド部及び各第2リード端子のボンディング部を合成樹脂製のパッケージ体にて、前記各リード端子の下面のうち前記塑性変形していない部分が当該パッケージ体の下面に半田付け用実装面として露出した状態に密封する工程と、前記各リード端子のうち前記パッケージ体から突出する部分を切断する工程とから成ることを特徴とする面実装型電子部品の製造方法。
- 前記請求項3の記載において、前記リードフレームをその下面から凹ませるように塑性変形する工程よりも前に、前記リードフレームのうち前記各リード端子の間の部分に、補助抜き孔を穿設する工程を備えていることを特徴とする面実装型電子部品の製造方法。
- 前記請求項3の記載において、前記リードフレームに穿設する二つの抜き孔における内幅寸法のうち前記各リード端子の長手方向に沿った内幅寸法を、前記リードフレームを凹ませるように塑性変形するときにおける幅寸法を越えない寸法にすることを特徴とする面実装型電子部品の製造方法。
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Cited By (4)
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JP2013197517A (ja) * | 2012-03-22 | 2013-09-30 | Seiko Instruments Inc | 半導体装置 |
JP2018041956A (ja) * | 2016-09-06 | 2018-03-15 | エイブリック株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
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