JPWO2019124098A1 - 成膜装置 - Google Patents
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Abstract
Description
しかしながら、本発明は、以下の実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を変更しない範囲において適宜変更して適用することができる。なお、以下において記載する個々の望ましい構成を2つ以上組み合わせたものもまた本発明である。
ワークの主面が鉛直方向に沿うようにワークを置いて成膜を行うことにより、ワークの主面に不純物となるパーティクルが残りにくくなる。また、ワークを鉛直方向に積み重ねる場合と比べて、チャンバーの上部からワークが落下する危険性がないため、安全に作業することができる。
図3に示すワークホルダー20は、一対の支え板20a及び20bと、支え板20a及び20bに連結された複数の支柱20c1、20c2、20c3及び20c4と、を備える。支柱20c1、20c2、20c3及び20c4には複数の溝25がそれぞれ形成されており、溝25によりワークWが保持されるように構成されている。ワークWは、主面が鉛直方向に沿うように保持される。なお、支柱20c1は着脱可能である。
内チャンバーの外壁にヒーターを取り付けることにより、内チャンバー内が安定した温度となるため、成膜を均一化することができる。特に、ヒーターが着脱可能である場合には、メンテナンスが容易になる。
図4では、内チャンバーの第1の蓋11aの外壁を覆うようにヒーター30aが、内チャンバーの第2の蓋11bの外壁を覆うようにヒーター30bが、内チャンバーのチャンバー本体11cの外壁を覆うようにヒーター30c1及び30c2がそれぞれ取り付けられる。ヒーター30c1及び30c2には、ヒーター線35が、チャンバー本体11cの長手方向の両端及び中央の3ブロックに分かれて設けられており、それぞれ独立して制御することが可能となっている。
ALD法により、例えば、アルミナ(Al2O3)、シリカ(SiO2)等の金属酸化物;窒化チタン(TiN)等の金属窒化物;白金(Pt)等の金属を成膜することができる。
成膜原料としては、例えば、アルミナを成膜するために用いられるTMA(トリメチルアルミニウム:Al(CH3)3)、シリカを成膜するために用いられるトリスジメチルアミノシラン(SiH[N(CH3)2]3)、窒化チタンを成膜するために用いられる四塩化チタン(TiCl4)、白金を成膜するために用いられるMeCpPtMe3((トリメチル)メチルシクロペンタジエニル白金)等が挙げられる。
この場合、成膜装置の外で成膜原料とキャリアガスの混合ガスを調製して、混合ガスを成膜原料供給管からチャンバー内に供給することが好ましい。
改質剤としてのガスとしては、オゾン、酸素、水(水蒸気)、アンモニア等が挙げられる。
アルミナを成膜する場合、TMAを前駆体として、オゾンガスや水を改質剤として使用することによって、アルミナをワーク上に成膜することができる。
シリカを成膜する場合、トリスジメチルアミノシランを前駆体として、オゾンガスを改質剤として使用することによって、シリカをワーク上に成膜することができる。
窒化チタンを成膜する場合、四塩化チタンを前駆体として、アンモニアガスを改質剤として使用することによって、窒化チタンをワーク上に成膜することができる。
白金を成膜する場合、MeCpPtMe3を前駆体として、酸素ガスを改質剤として使用することによって、白金をワーク上に成膜することができる。
この場合、成膜装置の外で改質剤とキャリアガスの混合ガスを調製して、混合ガスを改質剤供給管からチャンバー内に供給することが好ましい。
キャリアガスとしては、窒素ガス、アルゴンガス等の不活性ガスが挙げられる。
3種類のガス供給管からキャリアガスを常時流すことによってガス供給管の成膜原料又は改質剤による詰まりを防止することができる。
チャンバー内でワークホルダーを回転させることにより、チャンバー内のガスの流れが均一になるため、ワークWの主面内の膜厚を均一にすることができる。
チャンバーが水平方向に旋回可能であると、チャンバーの向きを作業しやすい位置に変えることができるため、メンテナンス作業が容易になる。
図5では、内チャンバーの第2の蓋11b及びチャンバー本体11cが、外チャンバーの第2の蓋12bとともに水平方向に移動している。一方、内チャンバーの第1の蓋11a(図示せず)、外チャンバーの第1の蓋12a及びチャンバー本体12cは固定されている。この場合、内チャンバーのみが水平方向に移動していると言える。
図6では、内チャンバーの第2の蓋11b及びチャンバー本体11cが、外チャンバーの第2の蓋12bとともに水平方向に旋回している。この場合、内チャンバーのみが水平方向に旋回していると言える。
ALD法による成膜方法は、内部を真空保持可能なチャンバー内にワークをセットし、上記チャンバー内を真空に保持した状態として、上記チャンバー内に成膜原料を供給する工程と、上記チャンバー内に改質剤を供給する工程とを複数回繰り返すことにより、ワークに反応膜を形成する。
1.モーターとガイドによる水平移動にてチャンバーを開く。
2.予めワークがセットされたワークホルダーをチャンバー内に設置する。
3.水平移動にてチャンバーを元の位置に戻し、チャンバーを閉じる。
4.チャンバー内を真空引きする。
5.チャンバー内をヒーターにて加熱する。
6.チャンバー内が所定の圧力になってから、成膜原料を含むガスと改質剤を含むガスを交互にチャンバー内に流す。
7.所定の成膜ができるまで、ガスの供給を繰り返す。
8.チャンバー内の加熱を停止する。
9.大気ベントする。
10.モーターとガイドによる水平移動にてチャンバーを開く。
11.ワークホルダーをチャンバー内から取り外す。
1.外チャンバーを残して、モーターとガイドによって内チャンバーのみを水平移動させる。
2.外チャンバー及び内チャンバーのメンテナンスをそれぞれ行う。
3.内チャンバーが旋回可能である場合、メンテナンスが容易になる。また、ヒーターが内チャンバーの外壁に着脱可能に取り付けられている場合、メンテナンスがさらに容易になる。
10 チャンバー
11 内チャンバー
11a 内チャンバーの第1の蓋
11b 内チャンバーの第2の蓋
11c 内チャンバーのチャンバー本体
12 外チャンバー
12a 外チャンバーの第1の蓋
12b 外チャンバーの第2の蓋
12c 外チャンバーのチャンバー本体
13 ガイド
20 ワークホルダー
20a,20b 支え板
20c1,20c2,20c3,20c4 支柱
25 溝
30,30a,30b,30c1,30c2 ヒーター
35 ヒーター線
40 ガス供給管群
50 排気管
60 回転機構
W ワーク
Claims (6)
- 原子層堆積法による成膜装置であって、
内部を真空保持可能なチャンバーと、
処理対象であるワークを複数段に並べて前記チャンバー内に保持するワークホルダーと、
前記チャンバー内を加熱するためのヒーターと、を備え、
前記チャンバーは、横型の筒状体からなり、かつ、水平方向に移動可能であり、
さらに、前記チャンバーは、内部に前記ワークホルダーが設置される内チャンバーと、前記内チャンバーを収容する外チャンバーと、を備えることを特徴とする成膜装置。 - 前記外チャンバー内の圧力が前記内チャンバー内の圧力よりも高くなるように制御する制御機構をさらに備える請求項1に記載の成膜装置。
- 前記ワークホルダーは、前記ワークの主面が鉛直方向に沿うように前記ワークを複数段に並べて保持する請求項1又は2に記載の成膜装置。
- 前記ワークホルダーは、前記内チャンバー内に着脱可能に設置される請求項1〜3のいずれか1項に記載の成膜装置。
- 前記ヒーターは、前記内チャンバーの外壁に着脱可能に取り付けられている請求項1〜4のいずれか1項に記載の成膜装置。
- 前記チャンバーは、さらに、水平方向に旋回可能である請求項1〜5のいずれか1項に記載の成膜装置。
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Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6965942B2 (ja) * | 2017-12-22 | 2021-11-10 | 株式会社村田製作所 | 成膜装置 |
WO2019124098A1 (ja) | 2017-12-22 | 2019-06-27 | 株式会社村田製作所 | 成膜装置 |
TW202229620A (zh) * | 2020-11-12 | 2022-08-01 | 特文特大學 | 沉積系統、用於控制反應條件之方法、沉積方法 |
FI129948B (en) * | 2021-05-10 | 2022-11-15 | Picosun Oy | SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND METHOD |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS505562U (ja) * | 1973-05-17 | 1975-01-21 | ||
JPS5628636A (en) * | 1979-08-15 | 1981-03-20 | Mitsubishi Electric Corp | Cvd film forming apparatus |
JPS59107071A (ja) * | 1982-12-12 | 1984-06-21 | Nitto Kohki Co Ltd | 被処理物の外表面にスパッタリング膜を形成する装置 |
JPH0936044A (ja) * | 1995-07-19 | 1997-02-07 | Hitachi Ltd | 半導体製造装置および半導体ウエハの処理方法 |
JPH09134913A (ja) * | 1995-11-09 | 1997-05-20 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置及びその方法 |
JP2010186904A (ja) * | 2009-02-13 | 2010-08-26 | Kokusai Electric Semiconductor Service Inc | 基板処理装置 |
WO2015125733A1 (ja) * | 2014-02-24 | 2015-08-27 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム |
Family Cites Families (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DD206687A3 (de) * | 1981-07-28 | 1984-02-01 | Mikroelektronik Zt Forsch Tech | Verfahren und vorrichtung zur gasfuehrung fuer lp cvd prozesse in einem rohrreaktor |
JPS59217615A (ja) | 1983-05-23 | 1984-12-07 | Toshiba Corp | アモルフアスシリコン成膜装置 |
JPH01228123A (ja) | 1988-03-09 | 1989-09-12 | Fujitsu Ltd | 半導体装置用処理装置 |
US5178534A (en) * | 1989-05-18 | 1993-01-12 | Bayne Christopher J | Controlled diffusion environment capsule and system |
JP3279686B2 (ja) | 1992-10-30 | 2002-04-30 | 株式会社日立国際電気 | 半導体製造装置 |
JPH07230962A (ja) | 1994-02-16 | 1995-08-29 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体製造装置 |
JPH09148259A (ja) | 1995-11-24 | 1997-06-06 | Nec Kyushu Ltd | 横型反応装置 |
JP2004048068A (ja) | 2003-10-14 | 2004-02-12 | Seiko Epson Corp | 減圧cvd装置、および薄膜装置の製造方法 |
EP1957688A2 (en) | 2005-11-22 | 2008-08-20 | Genus, Inc. | Small volume symmetric flow single wafer ald apparatus |
US20080072821A1 (en) | 2006-07-21 | 2008-03-27 | Dalton Jeremic J | Small volume symmetric flow single wafer ald apparatus |
JP5221089B2 (ja) | 2007-09-19 | 2013-06-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜方法、成膜装置および記憶媒体 |
US10041169B2 (en) | 2008-05-27 | 2018-08-07 | Picosun Oy | System and method for loading a substrate holder carrying a batch of vertically placed substrates into an atomic layer deposition reactor |
WO2012026241A1 (ja) | 2010-08-26 | 2012-03-01 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、及び基板処理装置 |
JP6049395B2 (ja) | 2011-12-09 | 2016-12-21 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、基板処理方法、基板処理装置およびプログラム |
JP6068130B2 (ja) | 2012-12-25 | 2017-01-25 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム |
JP2015069987A (ja) | 2013-09-26 | 2015-04-13 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及び基板処理方法 |
JP6293499B2 (ja) * | 2014-01-27 | 2018-03-14 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 真空処理装置 |
KR101977522B1 (ko) | 2015-01-07 | 2019-05-10 | 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 | 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 기록 매체 |
WO2017138185A1 (ja) | 2016-02-10 | 2017-08-17 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、基板保持具及び載置具 |
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Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS505562U (ja) * | 1973-05-17 | 1975-01-21 | ||
JPS5628636A (en) * | 1979-08-15 | 1981-03-20 | Mitsubishi Electric Corp | Cvd film forming apparatus |
JPS59107071A (ja) * | 1982-12-12 | 1984-06-21 | Nitto Kohki Co Ltd | 被処理物の外表面にスパッタリング膜を形成する装置 |
JPH0936044A (ja) * | 1995-07-19 | 1997-02-07 | Hitachi Ltd | 半導体製造装置および半導体ウエハの処理方法 |
JPH09134913A (ja) * | 1995-11-09 | 1997-05-20 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置及びその方法 |
JP2010186904A (ja) * | 2009-02-13 | 2010-08-26 | Kokusai Electric Semiconductor Service Inc | 基板処理装置 |
WO2015125733A1 (ja) * | 2014-02-24 | 2015-08-27 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム |
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