JPH01228123A - 半導体装置用処理装置 - Google Patents
半導体装置用処理装置Info
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- JPH01228123A JPH01228123A JP5365388A JP5365388A JPH01228123A JP H01228123 A JPH01228123 A JP H01228123A JP 5365388 A JP5365388 A JP 5365388A JP 5365388 A JP5365388 A JP 5365388A JP H01228123 A JPH01228123 A JP H01228123A
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要]
半導体装置用処理装置の改良に関し、特に、気相反応装
置内における反応の均一化を計るための構造的改良に関
し、 反応ガスを半導体ウェーハの面に平行に流すことによっ
て、半導体ウェーハ面内の反応を均一にし、しかも、半
導体ウェーハが載置される場所に応じて反応に差が生じ
ないように、同一濃度の反応ガスを各半導体ウェーハに
供給しうるようにした半導体装置用処理装置を提供する
ことを目的とし、 ガス供給口とガス排出口と開閉扉とを有する第1の筒状
部材と、該第1の筒状部材中に装入され、前記第1の筒
状部材の前記ガス供給口と連通ずる領域と前記ガス排出
口と連通ずる領域とを隔離し前記ガス供給口と連通ずる
領域と連通ずる第1の開口部と前記ガス排出口と連通す
る領域と連通する第2の開口部とを有する第2の筒状部
材と、前記第1の筒状部材の外周に設けられた加熱手段
とを具備するように構成された半導体装置用処理装置で
ある。
置内における反応の均一化を計るための構造的改良に関
し、 反応ガスを半導体ウェーハの面に平行に流すことによっ
て、半導体ウェーハ面内の反応を均一にし、しかも、半
導体ウェーハが載置される場所に応じて反応に差が生じ
ないように、同一濃度の反応ガスを各半導体ウェーハに
供給しうるようにした半導体装置用処理装置を提供する
ことを目的とし、 ガス供給口とガス排出口と開閉扉とを有する第1の筒状
部材と、該第1の筒状部材中に装入され、前記第1の筒
状部材の前記ガス供給口と連通ずる領域と前記ガス排出
口と連通ずる領域とを隔離し前記ガス供給口と連通ずる
領域と連通ずる第1の開口部と前記ガス排出口と連通す
る領域と連通する第2の開口部とを有する第2の筒状部
材と、前記第1の筒状部材の外周に設けられた加熱手段
とを具備するように構成された半導体装置用処理装置で
ある。
本発明は、半導体装置用処理装置の改良に関する。特に
、気相反応装置内における反応の均一化を計るための構
造的改良に関する。
、気相反応装置内における反応の均一化を計るための構
造的改良に関する。
従来技術に係る気相反応装置について、図面を参照して
説明する。
説明する。
第3図参照
図示するような、ガス供給口11とガス排出口12と開
閉扉13とを有する炉心管30と、炉心管30の外周に
設けられた加熱手段34とからなる気相反応装置を使用
して、例えば、減圧気相成長をなす場合、開閉扉13を
開いて半導体ウェーハ35が載置されたバスケット36
を炉心管30内に搬入し、開閉扉13を閉じた後、ガス
排出口12に接続された真空ポンプを使用して、炉心管
30の内圧を減圧し、ガス供給口11から反応ガスを供
給して、加熱手段34を使用して半導体ウェーハ35を
加熱して気相成長を行う。
閉扉13とを有する炉心管30と、炉心管30の外周に
設けられた加熱手段34とからなる気相反応装置を使用
して、例えば、減圧気相成長をなす場合、開閉扉13を
開いて半導体ウェーハ35が載置されたバスケット36
を炉心管30内に搬入し、開閉扉13を閉じた後、ガス
排出口12に接続された真空ポンプを使用して、炉心管
30の内圧を減圧し、ガス供給口11から反応ガスを供
給して、加熱手段34を使用して半導体ウェーハ35を
加熱して気相成長を行う。
(発明が解決しようとする課題)
ところで、第3図に矢印をもって示すように、従来技術
に係る気相反応装置においては、反応ガスの流れはバス
ケット36に載置された半導体ウェーハ35の面に平行
な流れとはならない。
に係る気相反応装置においては、反応ガスの流れはバス
ケット36に載置された半導体ウェーハ35の面に平行
な流れとはならない。
反応ガスの流れが、半導体ウェーへの面に平行な層流で
ある場合は、半導体ウェーハの全面にわたって、お−む
ね均一に反応が発生するが、反応ガスの流れが半導体ウ
ェーへの面に平行な層流でなく、乱流である場合は、半
導体ウェーハの面内における反応は均一にならず、特に
、半導体つ工−ハが大口径であると、この影響は大きく
、看過し難い、また、ガス供給口11の近傍に載置され
た半導体ウェーハ35とガス排出口12の近傍に載置さ
れた半導体ウェーハ35とでは、接触する反応ガス中の
反応物質の組成が同一ではないため、反応に差異が生じ
、不均一になる。
ある場合は、半導体ウェーハの全面にわたって、お−む
ね均一に反応が発生するが、反応ガスの流れが半導体ウ
ェーへの面に平行な層流でなく、乱流である場合は、半
導体ウェーハの面内における反応は均一にならず、特に
、半導体つ工−ハが大口径であると、この影響は大きく
、看過し難い、また、ガス供給口11の近傍に載置され
た半導体ウェーハ35とガス排出口12の近傍に載置さ
れた半導体ウェーハ35とでは、接触する反応ガス中の
反応物質の組成が同一ではないため、反応に差異が生じ
、不均一になる。
本発明は、これらの欠点を解消することにあり、反応ガ
スを半導体ウェーハの面に平行に流すようにして、半導
体ウェーハ面の全領域における反応が均一になるように
し、しかも、半導体ウェーハが配置される領域に応じて
反応に差が発生しないようにする目的をもって、同一組
成の反応ガスが各半導体ウェーハに供給されうるように
した半導体装置用処理装置を提供することにある。
スを半導体ウェーハの面に平行に流すようにして、半導
体ウェーハ面の全領域における反応が均一になるように
し、しかも、半導体ウェーハが配置される領域に応じて
反応に差が発生しないようにする目的をもって、同一組
成の反応ガスが各半導体ウェーハに供給されうるように
した半導体装置用処理装置を提供することにある。
(課題を解決するための手段〕
上記の目的は、(イ)ガス供給口(11)とガス排出口
(12)と開閉扉(13)とを有する第1の筒状部材(
10)と、(ロ)該第1の筒状部材(10)中に装入さ
れ、前記第1の筒状部材(10)の前記ガス供給口(1
1)と連通ずる領域(16)と前記ガス排出口(12)
と連通ずる領域(17)とを隔離し前記ガス供給口(1
1)と連通ずる領域(16)と連通する第1の開口部(
21)と前記ガス排出口(12)と連通ずる領域と連通
ずる第2の開口部(22)とを有する第2の筒状部材(
20)と、(ハ)前記第1の筒状部材(10)の外周に
設けられた加熱手段(34)とを有する半導体装置用処
理装置によって達成される。
(12)と開閉扉(13)とを有する第1の筒状部材(
10)と、(ロ)該第1の筒状部材(10)中に装入さ
れ、前記第1の筒状部材(10)の前記ガス供給口(1
1)と連通ずる領域(16)と前記ガス排出口(12)
と連通ずる領域(17)とを隔離し前記ガス供給口(1
1)と連通ずる領域(16)と連通する第1の開口部(
21)と前記ガス排出口(12)と連通ずる領域と連通
ずる第2の開口部(22)とを有する第2の筒状部材(
20)と、(ハ)前記第1の筒状部材(10)の外周に
設けられた加熱手段(34)とを有する半導体装置用処
理装置によって達成される。
なお、前記第1の筒状部材(10)のガス供給口(11
)と連通ずる領域(16)と、ガス排出口(12)と連
通ずる領域(17)とを隔離するには、前記第2の筒状
部材(20)を支持し気密を保持する支持体(14)と
前記第2の筒状部材(20)の気密を保持する端板(1
5)とを、第1の筒状部材(10)に設け、この端板(
15)を使用して、第2の筒状部材(20)と前記支持
体(14)とを係合し、また、気密を保持する係合部材
(23)を設けることによっても達成される。
)と連通ずる領域(16)と、ガス排出口(12)と連
通ずる領域(17)とを隔離するには、前記第2の筒状
部材(20)を支持し気密を保持する支持体(14)と
前記第2の筒状部材(20)の気密を保持する端板(1
5)とを、第1の筒状部材(10)に設け、この端板(
15)を使用して、第2の筒状部材(20)と前記支持
体(14)とを係合し、また、気密を保持する係合部材
(23)を設けることによっても達成される。
本発明に係る半導体装置用処理装置においては、第1の
筒状部材10は、第2の筒状部材20によって、ガス供
給口11と連通する領域16と、ガス排出口12と連通
する領域17とに隔離され、ガス供給口11から供給さ
れる反応ガスは、ガス供給口11と連通する令頁域16
と連通ずるように第2の筒状部材20に設けられた第1
の開口部21を介して、第2の筒状部材20中に載置さ
れた半導体ウェーハ35の面に平行に、しかも、すべて
の半導体ウェーハ35と接触する反応ガスの組成が同一
になるように供給されるので、半導体ウェーハ35の面
の全領域における反応が均一となり、しかも、半導体ウ
ェー八が載置される場所によって反応に差を発生するこ
とがない、なお、この半導体装置用処理装置は、気相成
長法、不純物拡散法、エツチング法等いづれの半導体装
置用処理法にも使用されることは言うまでもない。
筒状部材10は、第2の筒状部材20によって、ガス供
給口11と連通する領域16と、ガス排出口12と連通
する領域17とに隔離され、ガス供給口11から供給さ
れる反応ガスは、ガス供給口11と連通する令頁域16
と連通ずるように第2の筒状部材20に設けられた第1
の開口部21を介して、第2の筒状部材20中に載置さ
れた半導体ウェーハ35の面に平行に、しかも、すべて
の半導体ウェーハ35と接触する反応ガスの組成が同一
になるように供給されるので、半導体ウェーハ35の面
の全領域における反応が均一となり、しかも、半導体ウ
ェー八が載置される場所によって反応に差を発生するこ
とがない、なお、この半導体装置用処理装置は、気相成
長法、不純物拡散法、エツチング法等いづれの半導体装
置用処理法にも使用されることは言うまでもない。
[実施例]
以下、図面を参照しつ一1本発明の五つの実施例に係る
半導体装置用処理装置について説明する。
半導体装置用処理装置について説明する。
1土■
第1a図、第1b図参照
第1b図は、第1a図のA−A断面図である。
第1の筒状部材10は石英・シリコンカーバイト等から
なり、反応ガス供給口11とガス排出口12とを有し、
開閉扉13を介して第2の筒状部材20が装入される。
なり、反応ガス供給口11とガス排出口12とを有し、
開閉扉13を介して第2の筒状部材20が装入される。
第2の筒状部材20は石英・シリコンカーバイト等から
なり、1端面(図において左端)は扇形仕切板25をも
って第1の筒状部材10の内面と密着しており、他端面
(図において右端)は開閉扉13をもって封止される。
なり、1端面(図において左端)は扇形仕切板25をも
って第1の筒状部材10の内面と密着しており、他端面
(図において右端)は開閉扉13をもって封止される。
換言すれば、第2の筒状部材20の図における左端に設
けられた扇形皮切板25と、第2の筒状部材20の図に
おける両外側面に伸延した水平支切板24とをもって、
第1の筒状部材10はガス供給口11と連通する領域1
6と、ガス排出口12と連通する領域17とに隔離され
る。第2の筒状部材20には、ガス供給口11と連通す
る領域16と連通するスリットまたは孔よりなる第1の
開口部21と、ガス排出口12と連通する領域17と連
通するスリットまたは孔よりなる第2の開口部22とが
設けられている。また、支持台26によって第1の筒状
部材10内に支持される。
けられた扇形皮切板25と、第2の筒状部材20の図に
おける両外側面に伸延した水平支切板24とをもって、
第1の筒状部材10はガス供給口11と連通する領域1
6と、ガス排出口12と連通する領域17とに隔離され
る。第2の筒状部材20には、ガス供給口11と連通す
る領域16と連通するスリットまたは孔よりなる第1の
開口部21と、ガス排出口12と連通する領域17と連
通するスリットまたは孔よりなる第2の開口部22とが
設けられている。また、支持台26によって第1の筒状
部材10内に支持される。
半導体ウェーハ35を載置されたバスケット36を開閉
扉13を介して第2の筒状部材20の中に搬入し、第1
の筒状部材10の外周に設けられた加熱手段34を使用
して加熱し、反応ガスをガス供給口11を介して供給す
る0反応ガスは、第2の筒状部材20に設けられてれた
第1の開口部21から第2の筒状部材20内に載置され
た半導体ウェーハ35の面に平行に流入し、第2の筒状
部材20に設けられてれた第2の開口部22を介してガ
ス排出口12から排出される。
扉13を介して第2の筒状部材20の中に搬入し、第1
の筒状部材10の外周に設けられた加熱手段34を使用
して加熱し、反応ガスをガス供給口11を介して供給す
る0反応ガスは、第2の筒状部材20に設けられてれた
第1の開口部21から第2の筒状部材20内に載置され
た半導体ウェーハ35の面に平行に流入し、第2の筒状
部材20に設けられてれた第2の開口部22を介してガ
ス排出口12から排出される。
なお、ガス供給口11と連通ずる領域の体積が小さく、
この領域内においてガス流による大きな圧力差を生ずる
場合は、第2の筒状部材20に設けるスリットまたは孔
の開口面積を、ガス供給口から遠ざかるにしたがって、
大きくすることが効果的である。また、第1の筒状部材
10と第2の筒状部材20とは、横形に限定されるもの
ではな(、竪形にすることも可能であることは言うまで
もない。
この領域内においてガス流による大きな圧力差を生ずる
場合は、第2の筒状部材20に設けるスリットまたは孔
の開口面積を、ガス供給口から遠ざかるにしたがって、
大きくすることが効果的である。また、第1の筒状部材
10と第2の筒状部材20とは、横形に限定されるもの
ではな(、竪形にすることも可能であることは言うまで
もない。
1主■
第2a図、第2b図参照
第2b図は第2a図のB−B断面図である。
第1の筒状部材100図における左端部に扇形の端板1
5が設けられており、また、第1の筒状部材10の内面
(図に示す内部側面)には棚状の支持体14が設けられ
ている。
5が設けられており、また、第1の筒状部材10の内面
(図に示す内部側面)には棚状の支持体14が設けられ
ている。
一方、第2の筒状部材20の外面(図に示す外部側面)
には上記の棚状の支持体14上に載置されて第2の筒状
部材20を支持する翼状の係合部材23が設けられてお
り、また、図における左側端部に扇形仕切板25が設け
られている。
には上記の棚状の支持体14上に載置されて第2の筒状
部材20を支持する翼状の係合部材23が設けられてお
り、また、図における左側端部に扇形仕切板25が設け
られている。
第2の筒状部材20に設けられた係合部材23を第1の
筒状部材10に設けられた支持体14上に係止すること
によって、第2の筒状部材20は第1の筒状部材10に
支持されると同時に気密が保持され、さらに、第2の筒
状部材20に設けられた扇形支切板25と第1の筒状部
材10に設けられた端板15とによって、気密が保持さ
れ、ガス供給口11に連通する領域16と、ガス排出口
12に連通ずる領域17とが隔離される。
筒状部材10に設けられた支持体14上に係止すること
によって、第2の筒状部材20は第1の筒状部材10に
支持されると同時に気密が保持され、さらに、第2の筒
状部材20に設けられた扇形支切板25と第1の筒状部
材10に設けられた端板15とによって、気密が保持さ
れ、ガス供給口11に連通する領域16と、ガス排出口
12に連通ずる領域17とが隔離される。
第2例においては、第2の筒状部材20に設けられた係
合部材23および扇形支切板25と第1の筒状部材10
との間隙を大きくして、第2の筒状部材20の第1の筒
状部材10内における移動を容易にしても、ガス供給口
11に連通する領域16と、ガス排出口12に連通ずる
領域17との気密は、支持体14と係合部材23および
端板15と扇形支持板25とによって保持される。
合部材23および扇形支切板25と第1の筒状部材10
との間隙を大きくして、第2の筒状部材20の第1の筒
状部材10内における移動を容易にしても、ガス供給口
11に連通する領域16と、ガス排出口12に連通ずる
領域17との気密は、支持体14と係合部材23および
端板15と扇形支持板25とによって保持される。
なお、第1の筒状部材10における端板15の面積を大
きくし、第2の筒状部材20の閉塞端面(図における左
端面)と重なるようにすれば、第2の筒状部材20に設
けられる扇形支持板25を省略することができる。
きくし、第2の筒状部材20の閉塞端面(図における左
端面)と重なるようにすれば、第2の筒状部材20に設
けられる扇形支持板25を省略することができる。
l四
第2の筒状部材20を開閉扉13に支持させることによ
って、第2の筒状部材20に設けられた支持台26を省
くことができ、第2の筒状部材20を第1の筒状部材1
0内において移動する際、摩擦による塵の発生を防止で
きる。
って、第2の筒状部材20に設けられた支持台26を省
くことができ、第2の筒状部材20を第1の筒状部材1
0内において移動する際、摩擦による塵の発生を防止で
きる。
第1A
第2の筒状部材20を、例えば上下に2分割し得る構造
とし、半導体ウェーハ35を載置されたバスケット36
の第2の筒状部材20内への搬入、および搬出を容易に
する。
とし、半導体ウェーハ35を載置されたバスケット36
の第2の筒状部材20内への搬入、および搬出を容易に
する。
なお、この場合、上半分を第1の筒状部材10に固定し
、下半分のみを外部に移動可能にしてもよい。
、下半分のみを外部に移動可能にしてもよい。
星l勇
第4図参照
第1の筒状部材10に設けられるガス供給口11とガス
排出口12との少くともいずれかを複数とする。
排出口12との少くともいずれかを複数とする。
例えば、第4図に示すように、ガス供給口11を2個設
け、ガス排出口12を1個設ける。ガス供給口11から
は、2ケのバルブ37を介して2系統から切換えてガス
を供給すれば、第2の筒状部材20内に載置された各半
導体ウェーハ35と接触する反応ガス量がより平均化さ
れ、各半導体ウェーハ35の反応がより均一化される。
け、ガス排出口12を1個設ける。ガス供給口11から
は、2ケのバルブ37を介して2系統から切換えてガス
を供給すれば、第2の筒状部材20内に載置された各半
導体ウェーハ35と接触する反応ガス量がより平均化さ
れ、各半導体ウェーハ35の反応がより均一化される。
(発明の効果]
以上説明せるとおり、本発明に係る半導体装置用処理装
置においては、第1の筒状部材に、第2の筒状部材を装
入することによって、ガス供給口に連通ずる領域と、ガ
ス排出口に連通ずる領域とが隔離され、ガス供給口から
供給された反応ガスは、第2の筒状部材に設けられた第
1の開口部を介して半導体ウェーハ面に平行に供給され
、第2の筒状部材に設けられた第2の開口部を介して排
出口より排出されるので、反応ガスは、第2の筒状部材
中に配置されている半導体ウェーハ面に平行に、しかも
、各半導体ウェーハに対して同一組成をもって供給され
る。その結果、半導体ウェーハの面内の反応は均一とな
り、しかも、半導体ウェーハが載置される場所の如何に
よらず、反応の差は殆ど生じない。
置においては、第1の筒状部材に、第2の筒状部材を装
入することによって、ガス供給口に連通ずる領域と、ガ
ス排出口に連通ずる領域とが隔離され、ガス供給口から
供給された反応ガスは、第2の筒状部材に設けられた第
1の開口部を介して半導体ウェーハ面に平行に供給され
、第2の筒状部材に設けられた第2の開口部を介して排
出口より排出されるので、反応ガスは、第2の筒状部材
中に配置されている半導体ウェーハ面に平行に、しかも
、各半導体ウェーハに対して同一組成をもって供給され
る。その結果、半導体ウェーハの面内の反応は均一とな
り、しかも、半導体ウェーハが載置される場所の如何に
よらず、反応の差は殆ど生じない。
第1a図は、本発明の第1実施例に係る半導体装置用処
理装置の縦断面図である。 第1b図は、本発明の第1実施例に係る半導体装置用処
理装置の横断面図(A−A断面図)である。 第2a図は、本発明の第2実施例に係る半導体装置用処
理装置の断面図である。 第2b図は、本発明の第2実施例に係る半導体装置用処
理装置の縦断面図である。 第3図は、従来技術に係る半導体装置用処理装置の縦断
面図である。 第4図は、本発明の第5実施例に係る半導体装置用処理
装置の縦断面図である。 10・・・第1の筒状部材、 11・・・ガス供給口、 12・・・ガス排出口、 13・・・開閉扉、 14・・・支持体、 15 ・ ・ ・ 端誉反、 16・・・ガス供給口と連通ずる領域、17・・・ガス
排出口と連通ずる領域、20・・・第2の筒状部材、 21・・・第1の開口部、 22・・・第2の開口部、 23・・・係合部材、 24・・・水平支切板、 25・・・扇形支切板、 26・・・支持台、 34・・・加熱手段、 35・・・半導体ウェーハ、 36・・・バスケット、 37・・・バルブ。
理装置の縦断面図である。 第1b図は、本発明の第1実施例に係る半導体装置用処
理装置の横断面図(A−A断面図)である。 第2a図は、本発明の第2実施例に係る半導体装置用処
理装置の断面図である。 第2b図は、本発明の第2実施例に係る半導体装置用処
理装置の縦断面図である。 第3図は、従来技術に係る半導体装置用処理装置の縦断
面図である。 第4図は、本発明の第5実施例に係る半導体装置用処理
装置の縦断面図である。 10・・・第1の筒状部材、 11・・・ガス供給口、 12・・・ガス排出口、 13・・・開閉扉、 14・・・支持体、 15 ・ ・ ・ 端誉反、 16・・・ガス供給口と連通ずる領域、17・・・ガス
排出口と連通ずる領域、20・・・第2の筒状部材、 21・・・第1の開口部、 22・・・第2の開口部、 23・・・係合部材、 24・・・水平支切板、 25・・・扇形支切板、 26・・・支持台、 34・・・加熱手段、 35・・・半導体ウェーハ、 36・・・バスケット、 37・・・バルブ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 [1]ガス供給口(11)とガス排出口(12)と開閉
扉(13)とを有する第1の筒状部材(10)と、該第
1の筒状部材(10)中に装入され、前記第1の筒状部
材(10)の前記ガス供給口(11)と連通する領域(
16)と前記ガス排出口(12)と連通する領域(17
)とを隔離し前記ガス供給口(11)と連通する領域(
16)と連通する第1の開口部(21)と前記ガス排出
口(12)と連通する領域(17)と連通する第2の開
口部(22)とを有する第2の筒状部材(20)と、 前記第1の筒状部材(10)の外周に設けられた加熱手
段(34)と を具備してなることを特徴とする半導体装置用処理装置
。 [2]前記第1の筒状部材(10)は、前記第2の筒状
部材(20)を支持し、気密を保持する支持体(14)
と前記第2の筒状部材(20)の気密を保持する端板(
15)とを有し、 前記第2の筒状部材(20)は、前記支持体(14)と
係合し、気密を保持する係合部材(23)を有してなる ことを特徴とする請求項1記載の半導体装置用処理装置
。 [3]前記第2の筒状部材(20)は、前記第1の筒状
部材(10)の開閉扉(13)に支持されてなることを
特徴とする請求項1、または、2記載の半導体装置用処
理装置。 [4]前記第2の筒状部材(20)は、分割可能である ことを特徴とする請求項1、2、または、3記載の半導
体装置用処理装置。 [5]前記第1の筒状部材(10)に設けられる前記ガ
ス供給口(11)と前記ガス排出口(12)との少くと
もいずれかは複数である ことを特徴とする請求項1、2、3、または、4記載の
半導体装置用処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5365388A JPH01228123A (ja) | 1988-03-09 | 1988-03-09 | 半導体装置用処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5365388A JPH01228123A (ja) | 1988-03-09 | 1988-03-09 | 半導体装置用処理装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01228123A true JPH01228123A (ja) | 1989-09-12 |
Family
ID=12948830
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5365388A Pending JPH01228123A (ja) | 1988-03-09 | 1988-03-09 | 半導体装置用処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01228123A (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6444262B1 (en) * | 1999-04-14 | 2002-09-03 | Tokyo Electron Limited | Thermal processing unit and thermal processing method |
JP2012009641A (ja) * | 2010-06-25 | 2012-01-12 | Koyo Thermo System Kk | 連続拡散処理装置 |
JP2015188095A (ja) * | 2015-05-20 | 2015-10-29 | 光洋サーモシステム株式会社 | 連続拡散処理装置 |
JP2015201650A (ja) * | 2015-05-20 | 2015-11-12 | 光洋サーモシステム株式会社 | 連続拡散処理装置 |
JP2015201651A (ja) * | 2015-05-20 | 2015-11-12 | 光洋サーモシステム株式会社 | 連続拡散処理装置 |
WO2019124099A1 (ja) * | 2017-12-22 | 2019-06-27 | 株式会社村田製作所 | 成膜装置 |
US11891692B2 (en) | 2017-12-22 | 2024-02-06 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Film-forming device |
-
1988
- 1988-03-09 JP JP5365388A patent/JPH01228123A/ja active Pending
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JPWO2019124099A1 (ja) * | 2017-12-22 | 2020-09-10 | 株式会社村田製作所 | 成膜装置 |
US11377731B2 (en) | 2017-12-22 | 2022-07-05 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Film-forming device |
US11891692B2 (en) | 2017-12-22 | 2024-02-06 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Film-forming device |
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