JP6789257B2 - 半導体装置の製造方法、基板処理装置、およびプログラム - Google Patents
半導体装置の製造方法、基板処理装置、およびプログラム Download PDFInfo
- Publication number
- JP6789257B2 JP6789257B2 JP2018034770A JP2018034770A JP6789257B2 JP 6789257 B2 JP6789257 B2 JP 6789257B2 JP 2018034770 A JP2018034770 A JP 2018034770A JP 2018034770 A JP2018034770 A JP 2018034770A JP 6789257 B2 JP6789257 B2 JP 6789257B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- sicl
- wafer
- gas
- reactant
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims description 133
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 123
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 23
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 21
- 229910003902 SiCl 4 Inorganic materials 0.000 claims description 89
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 81
- 239000000376 reactant Substances 0.000 claims description 45
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 30
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 28
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 claims description 23
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 claims description 20
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 19
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 18
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 229910007991 Si-N Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 229910006294 Si—N Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 claims description 12
- 229910003923 SiC 4 Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 claims description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 claims description 4
- 238000010574 gas phase reaction Methods 0.000 claims description 4
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 claims description 4
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 2
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 claims 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 199
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 181
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 description 38
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 35
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 31
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 16
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 15
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 14
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 12
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 10
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 9
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 8
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 8
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 6
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 6
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 6
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000005046 Chlorosilane Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 3
- KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N chlorosilane Chemical compound Cl[SiH3] KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 3
- 239000003779 heat-resistant material Substances 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 239000002052 molecular layer Substances 0.000 description 3
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N Hydrazine Chemical compound NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 2
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 230000001174 ascending effect Effects 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- RAABOESOVLLHRU-UHFFFAOYSA-N diazene Chemical compound N=N RAABOESOVLLHRU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N dichlorosilane Chemical compound Cl[SiH2]Cl MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 210000003254 palate Anatomy 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N silicon tetrachloride Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)Cl FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LXEXBJXDGVGRAR-UHFFFAOYSA-N trichloro(trichlorosilyl)silane Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)[Si](Cl)(Cl)Cl LXEXBJXDGVGRAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45563—Gas nozzles
- C23C16/45578—Elongated nozzles, tubes with holes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/34—Nitrides
- C23C16/345—Silicon nitride
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
- C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
- C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
- C23C16/45544—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus
- C23C16/45546—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus specially adapted for a substrate stack in the ALD reactor
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
- C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
- C23C16/45553—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the use of precursors specially adapted for ALD
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
- H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
- H01L21/0217—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material being a silicon nitride not containing oxygen, e.g. SixNy or SixByNz
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02205—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition
- H01L21/02208—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si
- H01L21/02211—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si the compound being a silane, e.g. disilane, methylsilane or chlorosilane
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
- H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
- H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
- H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
- H01L21/02274—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition in the presence of a plasma [PECVD]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
- H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
- H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
- H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
- H01L21/0228—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition deposition by cyclic CVD, e.g. ALD, ALE, pulsed CVD
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
Description
(a)基板に対してNおよびHを含む第1反応体を供給することで、前記基板の表面にNH終端を形成する工程と、
(b)前記基板に対して原料としてSiCl4を供給することで、前記基板の表面に形成されたNH終端と、前記SiCl4と、を反応させて、SiCl終端された第1SiN層を形成する工程と、
(c)前記基板に対してNおよびHを含む第2反応体を供給することで、前記第1SiN層の表面に形成されたSiCl終端と、前記第2反応体と、を反応させて、NH終端された第2SiN層を形成する工程と、
を有し、(a)を行った後に、前記SiCl4が気相分解しない条件下で、(b)と(c)とを非同時に行うサイクルを所定回数行うことにより、前記基板上にSiN膜を形成する技術が提供される。
以下、本発明の一実施形態について、主に、図1〜図5を用いて説明する。
図1に示すように、処理炉202は加熱機構(温度調整部)としてのヒータ207を有する。ヒータ207は円筒形状であり、保持板に支持されることにより垂直に据え付けられている。ヒータ207は、ガスを熱で活性化(励起)させる活性化機構(励起部)としても機能する。
上述の基板処理装置を用い、半導体装置の製造工程の一工程として、基板としてのウエハ200上にSiN膜を形成する基板処理シーケンス例、すなわち、成膜シーケンス例について、図4を用いて説明する。以下の説明において、基板処理装置を構成する各部の動作はコントローラ121により制御される。
ウエハ200に対してNおよびHを含む第1反応体としてNH3ガスを供給することで、ウエハ200の表面にNH終端を形成するステップAと、
ウエハ200に対して原料としてSiCl4ガスを供給することで、ウエハ200の表面に形成されたNH終端と、SiCl4と、を反応させて、SiCl終端された第1SiN層を形成するステップBと、
ウエハ200に対してNおよびHを含む第2反応体としてNH3ガスを供給することで、第1SiN層の表面に形成されたSiCl終端と、NH3ガスと、を反応させて、NH終端された第2SiN層を形成するステップCと、を行う。
複数枚のウエハ200がボート217に装填(ウエハチャージ)される。その後、図1に示すように、複数枚のウエハ200を支持したボート217は、ボートエレベータ115によって持ち上げられて処理室201内へ搬入(ボートロード)される。この状態で、シールキャップ219は、Oリング220を介して反応管203の下端をシールした状態となる。
処理室201内、すなわち、ウエハ200が存在する空間が所望の処理圧力(真空度)となるように、真空ポンプ246によって真空排気(減圧排気)される。この際、処理室201内の圧力は圧力センサ245で測定され、この測定された圧力情報に基づきAPCバルブ244がフィードバック制御される。また、処理室201内のウエハ200が所望の処理温度(成膜温度)となるように、ヒータ207によって加熱される。この際、処理室201内が所望の温度分布となるように、温度センサ263が検出した温度情報に基づきヒータ207への通電具合がフィードバック制御される。また、回転機構267によるウエハ200の回転を開始する。真空ポンプ246の稼働、ウエハ200の加熱および回転は、いずれも、少なくともウエハ200に対する処理が終了するまでの間は継続して行われる。
その後、以下のステップA〜Cを順次実施する。
このステップでは、処理室201内のウエハ200に対してNH3ガスを供給する。具体的には、バルブ243bを開き、ガス供給管232b内へNH3ガスを流す。NH3ガスは、MFC241bにより流量調整され、ノズル249bを介して処理室201内へ供給され、排気管231より排気される。このとき、ウエハ200に対して、ウエハ200の側方からNH3ガスが供給される。このときバルブ243c,243dを開き、ガス供給管232c,232d内へN2ガスを流すようにしてもよい。
NH3ガス供給流量:100〜10000sccm
N2ガス供給流量(各ガス供給管):0〜10000sccm
各ガス供給時間:1〜30分
処理温度:300〜1000℃、好ましくは700〜900℃、より好ましくは750〜800℃
処理圧力:1〜4000Pa、好ましくは20〜1333Pa
が例示される。なお、本明細書における「300〜1000℃」のような数値範囲の表記は、下限値および上限値がその範囲に含まれることを意味する。よって、「300〜1000℃」とは「300℃以上1000℃以下」を意味する。他の数値範囲についても同様である。
このステップでは、処理室201内のウエハ200、すなわち、ウエハ200の表面に形成されたNH終端に対してSiCl4ガスを供給する。具体的には、バルブ243a,243c,243dの開閉制御を、ステップAにおけるバルブ243b〜243dの開閉制御と同様の手順で行う。SiCl4ガスは、MFC241aにより流量制御され、ノズル249aを介して処理室201内へ供給され、排気管231より排気される。このとき、ウエハ200に対して、ウエハ200の側方からSiCl4ガスが供給される。
SiCl4ガス供給流量:10〜2000sccm、好ましくは100〜1000sccm
SiCl4ガス供給時間:60〜180秒、好ましくは60〜120秒
処理温度:300〜1000℃、好ましくは700〜900℃、より好ましくは750〜800℃
処理圧力:1〜2000Pa、好ましくは20〜1333Pa
が例示される。他の処理条件は、ステップAにおける処理条件と同様とする。
このステップでは、処理室201内のウエハ200、すなわち、ウエハ200上に形成された第1SiN層に対してNH3ガスを供給する。具体的には、バルブ243b〜243dの開閉制御を、ステップAにおけるバルブ243b〜243dの開閉制御と同様の手順で行う。NH3ガスは、MFC241bにより流量制御され、ノズル249bを介して処理室201内へ供給され、排気管231より排気される。このとき、ウエハ200に対して、ウエハ200の側方からNH3ガスが供給される。
NH3ガス供給時間:1〜60秒、好ましくは1〜50秒
が例示される。他の処理条件は、ステップAにおける処理条件と同様とする。
ステップAを行った後、ステップB,Cを非同時に、すなわち、同期させることなく行うサイクルを所定回数(n回、nは1以上の整数)行うことにより、ウエハ200上に、所定膜厚のSiN膜を形成することができる。ステップCを実施することで形成される第2SiN層の表面は、ステップAを実施した後のウエハ200の表面と同様に、NH終端された面となっている。すなわち、ステップCを実施した後のウエハ200の表面は、その後にステップBを行った際に第1SiN層が形成されやすい面となっている。そのため、ステップAを行った後、ステップB,Cを非同時に行うサイクルを所定回数行うことにより、ウエハ200上への第1SiN層の形成と、ウエハ200上への第2SiN膜の形成と、を交互に行うことが可能となる。結果として、ウエハ200上へのSiN膜の形成を制御性よく進行させることが可能となる。なお、上述のサイクルは複数回繰り返すのが好ましい。すなわち、ステップB,Cを非同時に行うサイクルを1回行う際に形成される第2SiN層の厚さを所望の膜厚よりも小さくし、第2SiN層を積層することで形成されるSiN膜の膜厚が所望の膜厚になるまで、上述のサイクルを複数回繰り返すのが好ましい。
上述の成膜処理が終了した後、ガス供給管232c,232dのそれぞれからN2ガスを処理室201内へ供給し、排気管231より排気する。これにより、処理室201内がパージされ、処理室201内に残留するガスや反応副生成物等が処理室201内から除去される(アフターパージ)。その後、処理室201内の雰囲気が不活性ガスに置換され(不活性ガス置換)、処理室201内の圧力が常圧に復帰される(大気圧復帰)。
その後、ボートエレベータ115によりシールキャップ219が下降され、反応管203の下端が開口される。そして、処理済のウエハ200が、ボート217に支持された状態で、反応管203の下端から反応管203の外部に搬出される(ボートアンロード)。処理済のウエハ200は、ボート217より取り出される(ウエハディスチャージ)。
本実施形態によれば、以下に示す一つ又は複数の効果が得られる。
以上、本発明の実施形態を具体的に説明した。しかしながら、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。
実施例1として、図1に示す基板処理装置を用い、図4に示す成膜シーケンスにより、ウエハ上にSiN膜を形成する成膜処理を複数回行った。成膜温度は、650℃、700℃、750℃、800℃とした。他の処理条件は、それぞれ、上述の実施形態における処理条件範囲内の所定の条件とした。
実施例2として、図1に示す基板処理装置を用い、図4に示す成膜シーケンスにより、ウエハ上にSiN膜を形成した。ウエハとしては、表面にパターンが形成されていないベアウエハと、表面にパターンが形成されベアウエハの表面積の50倍の表面積を有するパターンウエハと、をそれぞれ用いた。各ステップにおける処理条件は、上述の実施形態における処理条件範囲内の所定の条件とした。
以下、本発明の好ましい態様について付記する。
本発明の一態様によれば、
(a)基板に対してNおよびHを含む第1反応体を供給することで、前記基板の表面にNH終端を形成する工程と、
(b)前記基板に対して原料としてSiCl4を供給することで、前記基板の表面に形成されたNH終端と、前記SiCl4と、を反応させて、SiCl終端された第1SiN層を形成する工程と、
(c)前記基板に対してNおよびHを含む第2反応体を供給することで、前記第1SiN層の表面に形成されたSiCl終端と、前記第2反応体と、を反応させて、NH終端された第2SiN層を形成する工程と、
を有し、(a)を行った後に、前記SiCl4が気相分解しない条件下で、(b)と(c)とを非同時に行うサイクルを所定回数行うことにより、前記基板上にSiN膜を形成する工程を有する半導体装置の製造方法、または、基板処理方法が提供される。
付記1に記載の方法であって、好ましくは、
前記SiCl4が熱分解しない条件下で、前記サイクルを所定回数行う。
付記1または2に記載の方法であって、好ましくは、
前記SiCl4が(気相中で)中間体を生じさせない条件下で、前記サイクルを所定回数行う。
付記1〜3のいずれか1項に記載の方法であって、好ましくは、
気相反応が生じない条件下で、前記サイクルを所定回数行う。
付記1〜4のいずれか1項に記載の方法であって、好ましくは、
前記基板の表面に形成されたNH終端と、前記SiCl4と、の間で吸着置換反応(だけ)が生じる条件下で、(b)を行い、
前記第1SiN層の表面に形成されたSiCl終端と、前記第2反応体と、の間で吸着置換反応(だけ)が生じる条件下で、(c)を行う。
付記1〜5のいずれか1項に記載の方法であって、好ましくは、
前記SiCl4を構成するSiが前記基板の表面に形成されたNH終端を構成するNに結合して、Si−N結合が形成され、その際、前記SiCl4に含まれるSi−Cl結合のうちSi−N結合に変換されなかったSi−Cl結合が切断されることなく保持される条件下で、(b)を行う。
付記1〜6のいずれか1項に記載の方法であって、好ましくは、
前記SiCl4におけるSi−Cl結合、および、前記基板の表面に形成されたNH終端におけるN−H結合が切断され、前記SiCl4におけるSi−Cl結合が切断されたSiが、前記基板の表面に形成されたNH終端におけるN−H結合が切断されたNに結合して、Si−N結合が形成され、その際、前記SiCl4におけるSi−Cl結合のうちSi−N結合に変換されなかったSi−Cl結合が切断されることなく保持される条件下で、(b)を行う。
付記1〜7のいずれか1項に記載の方法であって、好ましくは、
前記SiCl4を構成するSiが有する4つの結合手のうち3つの結合手にそれぞれClが結合した状態で、前記SiCl4を構成するSiが前記基板の表面に形成されたNH終端を構成するNに結合する条件下で、(b)を行う。
付記1〜8のいずれか1項に記載の方法であって、好ましくは、
前記SiCl4を構成するSiが有する4つの結合手のうち3つの結合手にそれぞれClが結合した状態で、前記SiCl4におけるSi−Cl結合が切断されたSiが、前記基板の表面に形成されたNH終端におけるN−H結合が切断されたNに結合する条件下で、(b)を行う。
付記1〜9のいずれか1項に記載の方法であって、好ましくは、
(b)における前記SiCl4の供給時間を、(c)における前記第2反応体の供給時間よりも長くする。
付記1〜10のいずれか1項に記載の方法であって、好ましくは、
(a)における前記第1反応体の供給時間を、(c)における前記第2反応体の供給時間よりも長くする。
付記1〜10のいずれか1項に記載の方法であって、好ましくは、
(a)における前記第1反応体の供給時間を、(b)における前記SiCl4の供給時間よりも長くし、(b)における前記SiCl4の供給時間を、(c)における前記第2反応体の供給時間よりも長くする。
付記1〜12のいずれか1項に記載の方法であって、好ましくは、
(b)における前記SiCl4の供給時間を、前記基板の中央部で、前記基板の表面に形成されたNH終端と、前記SiCl4と、の間で生じる吸着置換反応の量が、前記基板の外周部で、前記基板の表面に形成されたNH終端と、前記SiCl4と、の間で生じる吸着置換反応の量と同程度となる時間とする。
付記1〜13のいずれか1項に記載の方法であって、好ましくは、
(b)における前記SiCl4の供給時間を、前記基板の中央部で形成される前記第1SiN層の厚さが、前記基板の外周部で形成される前記第1SiN層の厚さと同程度となる時間とする。
付記1〜14のいずれか1項に記載の方法であって、好ましくは、
前記(a)では、前記基板の側方から前記基板に対して前記第1反応体を供給し、
前記(b)では、前記基板の側方から前記基板に対して前記SiCl4を供給し、
前記(c)では、前記基板の側方から前記基板に対して前記第2反応体を供給する。
付記1〜15のいずれか1項に記載の方法であって、好ましくは、
前記基板の表面にはパターンが形成されている。前記パターンはトレンチやホール等の凹部を含む。
本発明の他の態様によれば、
基板が処理される処理室と、
前記処理室内の基板に対してNおよびHを含む第1反応体、および、NおよびHを含む第2反応体を供給する反応体供給系と、
前記処理室内の基板に対して原料としてSiCl4を供給する原料供給系と、
前記処理室内の基板を加熱するヒータと、
前記処理室内において、付記1の各工程(各処理)を行わせるように、前記反応体供給系、前記原料供給系、および前記ヒータを制御するよう構成される制御部と、
を有する基板処理装置が提供される。
本発明のさらに他の態様によれば、
基板処理装置の処理室内において、付記1の各工程(各手順)をコンピュータによって前記基板処理装置に実行させるプログラム、または、該プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体が提供される。
Claims (18)
- (a)基板に対してNおよびHを含む第1反応体を供給することで、前記基板の表面にNH終端を形成する工程と、
(b)前記基板に対して原料としてSiCl4を供給することで、前記基板の表面に形成されたNH終端と、前記SiCl4と、を反応させて、SiCl終端された第1シリコン窒化層を形成する工程と、
(c)前記基板に対してNおよびHを含む第2反応体を供給することで、前記第1シリコン窒化層の表面に形成されたSiCl終端と、前記第2反応体と、を反応させて、NH終端された第2シリコン窒化層を形成する工程と、
を有し、(a)を行った後に、前記SiCl4が気相分解しない条件下で、(b)と(c)とを非同時に行うサイクルを所定回数行うことにより、前記基板上にシリコン窒化膜を形成する工程を有し、
(b)における前記SiCl 4 の供給時間を、(c)における前記第2反応体の供給時間よりも長くする半導体装置の製造方法。 - 前記SiCl 4 が熱分解しない条件下で、前記サイクルを所定回数行う請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記SiCl 4 が中間体を生じさせない条件下で、前記サイクルを所定回数行う請求項1または2に記載の半導体装置の製造方法。
- 気相反応が生じない条件下で、前記サイクルを所定回数行う請求項1〜3のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記基板の表面に形成されたNH終端と、前記SiCl 4 と、の間で吸着置換反応が生じる条件下で、(b)を行い、
前記第1シリコン窒化層の表面に形成されたSiCl終端と、前記第2反応体と、の間で吸着置換反応が生じる条件下で、(c)を行う請求項1〜4のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記SiCl4を構成するSiが前記基板の表面に形成されたNH終端を構成するNに結合して、Si−N結合が形成され、その際、前記SiCl4に含まれるSi−Cl結合のうちSi−N結合に変換されなかったSi−Cl結合が切断されることなく保持される条件下で、(b)を行う請求項1〜5のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記SiCl 4 におけるSi−Cl結合、および、前記基板の表面に形成されたNH終端におけるN−H結合が切断され、前記SiCl 4 におけるSi−Cl結合が切断されたSiが、前記基板の表面に形成されたNH終端におけるN−H結合が切断されたNに結合して、Si−N結合が形成され、その際、前記SiCl 4 におけるSi−Cl結合のうちSi−N結合に変換されなかったSi−Cl結合が切断されることなく保持される条件下で、(b)を行う請求項1〜6のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記SiCl4を構成するSiが有する4つの結合手のうち3つの結合手にそれぞれClが結合した状態で、前記SiCl4を構成するSiが前記基板の表面に形成されたNH終端を構成するNに結合する条件下で、(b)を行う請求項1〜7のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記SiCl 4 を構成するSiが有する4つの結合手のうち3つの結合手にそれぞれClが結合した状態で、前記SiCl 4 におけるSi−Cl結合が切断されたSiが、前記基板の表面に形成されたNH終端におけるN−H結合が切断されたNに結合する条件下で、(b)を行う請求項1〜8のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- (a)における前記第1反応体の供給時間を、(c)における前記第2反応体の供給時間よりも長くする請求項1〜9のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- (a)における前記第1反応体の供給時間を、(b)における前記SiCl 4 の供給時間よりも長くし、(b)における前記SiCl 4 の供給時間を、(c)における前記第2反応体の供給時間よりも長くする請求項1〜10のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- (b)における前記SiCl 4 の供給時間を、前記基板の中央部で、前記基板の表面に形成されたNH終端と、前記SiCl 4 と、の間で生じる吸着置換反応の量が、前記基板の外周部で、前記基板の表面に形成されたNH終端と、前記SiCl 4 と、の間で生じる吸着置換反応の量と同程度となる時間とする請求項1〜11のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- (b)における前記SiCl 4 の供給時間を、前記基板の中央部で形成される前記第1シリコン窒化層の厚さが、前記基板の外周部で形成される前記第1シリコン窒化層の厚さと同程度となる時間とする請求項1〜12のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- (b)における前記SiCl 4 の供給時間を、60秒以上180秒以下とする請求項1〜13のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記(a)では、前記基板の側方から前記基板に対して前記第1反応体を供給し、
前記(b)では、前記基板の側方から前記基板に対して前記SiCl 4 を供給し、
前記(c)では、前記基板の側方から前記基板に対して前記第2反応体を供給する請求項1〜14のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記基板の表面にはパターンが形成されている請求項1〜15のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 基板が処理される処理室と、
前記処理室内の基板に対してNおよびHを含む第1反応体、および、NおよびHを含む第2反応体を供給する反応体供給系と、
前記処理室内の基板に対して原料としてSiCl4を供給する原料供給系と、
前記処理室内の基板を加熱するヒータと、
前記処理室内において、(a)基板に対して前記第1反応体を供給することで、前記基板の表面にNH終端を形成する処理と、(b)前記基板に対して前記SiCl4を供給することで、前記基板の表面に形成されたNH終端と、前記SiCl4と、を反応させて、SiCl終端された第1シリコン窒化層を形成する処理と、(c)前記基板に対して前記第2反応体を供給することで、前記第1シリコン窒化層の表面に形成されたSiCl終端と、前記第2反応体と、を反応させて、NH終端された第2シリコン窒化層を形成する処理と、を有し、(a)を行った後に、前記SiCl4が気相分解しない条件下で、(b)と(c)とを非同時に行うサイクルを所定回数行うことにより、前記基板上にシリコン窒化膜を形成する処理を行わせ、(b)における前記SiCl 4 の供給時間を、(c)における前記第2反応体の供給時間よりも長くするように、前記反応体供給系、前記原料供給系、および前記ヒータを制御するよう構成される制御部と、
を有する基板処理装置。 - 基板処理装置の処理室内において、
(a)基板に対してNおよびHを含む第1反応体を供給することで、前記基板の表面にNH終端を形成する手順と、
(b)前記基板に対して原料としてSiCl4を供給することで、前記基板の表面に形成されたNH終端と、前記SiCl4と、を反応させて、SiCl終端された第1シリコン窒化層を形成する手順と、
(c)前記基板に対してNおよびHを含む第2反応体を供給することで、前記第1シリコン窒化層の表面に形成されたSiCl終端と、前記第2反応体と、を反応させて、NH終端された第2シリコン窒化層を形成する手順と、
(a)を行った後に、前記SiCl4が気相分解しない条件下で、(b)と(c)とを非同時に行うサイクルを所定回数行うことにより、前記基板上にシリコン窒化膜を形成する手順と、
(b)における前記SiCl 4 の供給時間を、(c)における前記第2反応体の供給時間よりも長くする手順と、
をコンピュータによって前記基板処理装置に実行させるプログラム。
Priority Applications (15)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018034770A JP6789257B2 (ja) | 2018-02-28 | 2018-02-28 | 半導体装置の製造方法、基板処理装置、およびプログラム |
CN202111110271.9A CN113846311A (zh) | 2018-02-28 | 2019-01-04 | 半导体器件的制造方法、衬底处理方法、衬底处理装置及记录介质 |
CN201910010163.0A CN110205606B (zh) | 2018-02-28 | 2019-01-04 | 半导体器件的制造方法、衬底处理装置、及记录介质 |
TW109143064A TWI795697B (zh) | 2018-02-28 | 2019-01-21 | 半導體裝置之製造方法、基板處理方法、基板處理裝置及程式 |
TW108102263A TWI715918B (zh) | 2018-02-28 | 2019-01-21 | 半導體裝置之製造方法、基板處理裝置及記錄媒體 |
KR1020190021619A KR102227965B1 (ko) | 2018-02-28 | 2019-02-25 | 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 프로그램 |
US16/286,292 US10770287B2 (en) | 2018-02-28 | 2019-02-26 | Method of manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus, and recording medium |
SG10201901678WA SG10201901678WA (en) | 2018-02-28 | 2019-02-26 | Method of manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus, and program |
US16/988,235 US11056337B2 (en) | 2018-02-28 | 2020-08-07 | Method of manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus, and recording medium |
JP2020183503A JP6989677B2 (ja) | 2018-02-28 | 2020-11-02 | 半導体装置の製造方法、基板処理装置、およびプログラム |
KR1020210030805A KR102303723B1 (ko) | 2018-02-28 | 2021-03-09 | 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 방법, 기판 처리 장치, 및 프로그램 |
US17/337,113 US11664217B2 (en) | 2018-02-28 | 2021-06-02 | Method of manufacturing semiconductor device, substrate processing method, substrate processing apparatus, and recording medium |
KR1020210121814A KR102345305B1 (ko) | 2018-02-28 | 2021-09-13 | 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 방법, 기판 처리 장치, 및 프로그램 |
JP2021195943A JP7199497B2 (ja) | 2018-02-28 | 2021-12-02 | 基板処理方法、半導体装置の製造方法、基板処理装置、およびプログラム |
US18/189,609 US12009201B2 (en) | 2018-02-28 | 2023-03-24 | Method of processing substrate, method of manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus, and recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018034770A JP6789257B2 (ja) | 2018-02-28 | 2018-02-28 | 半導体装置の製造方法、基板処理装置、およびプログラム |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020183503A Division JP6989677B2 (ja) | 2018-02-28 | 2020-11-02 | 半導体装置の製造方法、基板処理装置、およびプログラム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019149516A JP2019149516A (ja) | 2019-09-05 |
JP6789257B2 true JP6789257B2 (ja) | 2020-11-25 |
Family
ID=67684675
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018034770A Active JP6789257B2 (ja) | 2018-02-28 | 2018-02-28 | 半導体装置の製造方法、基板処理装置、およびプログラム |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (4) | US10770287B2 (ja) |
JP (1) | JP6789257B2 (ja) |
KR (3) | KR102227965B1 (ja) |
CN (2) | CN113846311A (ja) |
SG (1) | SG10201901678WA (ja) |
TW (2) | TWI795697B (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6857503B2 (ja) * | 2017-02-01 | 2021-04-14 | 株式会社Kokusai Electric | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム |
CN111433390B (zh) | 2017-12-22 | 2022-09-27 | 株式会社村田制作所 | 成膜装置 |
CN111465714B (zh) * | 2017-12-22 | 2022-06-28 | 株式会社村田制作所 | 成膜装置 |
JP6789257B2 (ja) | 2018-02-28 | 2020-11-25 | 株式会社Kokusai Electric | 半導体装置の製造方法、基板処理装置、およびプログラム |
KR102552458B1 (ko) * | 2019-07-31 | 2023-07-06 | 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 | 기판 처리 장치, 기판 지지구 및 반도체 장치의 제조 방법 |
US11276570B2 (en) * | 2020-07-22 | 2022-03-15 | Applied Materials, Inc. | Multi-layer deposition and treatment of silicon nitride films |
JP7159254B2 (ja) * | 2020-09-18 | 2022-10-24 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理方法、半導体装置の製造方法、プログラム及び基板処理装置 |
Family Cites Families (36)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002076308A (ja) | 2000-08-31 | 2002-03-15 | Fujitsu Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
EP1381058B1 (en) * | 2001-04-17 | 2006-11-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Conductive organic thin film and production method therefor, electrode and electric cable using it |
US6528430B2 (en) * | 2001-05-01 | 2003-03-04 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of forming silicon containing thin films by atomic layer deposition utilizing Si2C16 and NH3 |
US6391803B1 (en) * | 2001-06-20 | 2002-05-21 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of forming silicon containing thin films by atomic layer deposition utilizing trisdimethylaminosilane |
KR100480914B1 (ko) | 2002-08-05 | 2005-04-07 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의 캐패시터 제조방법 |
US7365029B2 (en) * | 2002-12-20 | 2008-04-29 | Applied Materials, Inc. | Method for silicon nitride chemical vapor deposition |
KR100532741B1 (ko) * | 2003-08-07 | 2005-11-30 | 동부아남반도체 주식회사 | 반도체 소자의 식각 정지막 제조 방법 |
JP2005210076A (ja) * | 2003-12-25 | 2005-08-04 | Semiconductor Leading Edge Technologies Inc | 窒化珪素膜の成膜方法及びこの方法を使用する半導体装置の製造方法 |
TW200603287A (en) * | 2004-03-26 | 2006-01-16 | Ulvac Inc | Unit layer posttreating catalytic chemical vapor deposition apparatus and method of film formation therewith |
KR20060008039A (ko) * | 2004-07-23 | 2006-01-26 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 게이트 형성방법 |
US20060084283A1 (en) * | 2004-10-20 | 2006-04-20 | Paranjpe Ajit P | Low temperature sin deposition methods |
KR101008002B1 (ko) * | 2010-09-14 | 2011-01-14 | 시너스 테크놀리지, 인코포레이티드 | 기판 구조의 형성 방법 및 이를 포함하는 소자의 제조 방법 |
KR101329032B1 (ko) * | 2011-04-20 | 2013-11-14 | 주식회사 실리콘밸류 | 다결정 실리콘 제조장치 및 이를 이용한 다결정 실리콘의 제조방법 |
JP5945430B2 (ja) * | 2012-02-29 | 2016-07-05 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、基板処理方法、基板処理装置、及びプログラム |
KR101189642B1 (ko) * | 2012-04-09 | 2012-10-12 | 아익스트론 에스이 | 원자층 증착법을 이용한 TiSiN 박막의 형성방법 |
JP6030378B2 (ja) * | 2012-08-14 | 2016-11-24 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、基板処理方法、基板処理装置およびプログラム |
KR20140059107A (ko) * | 2012-11-07 | 2014-05-15 | 주식회사 유피케미칼 | 실리콘 질화물 박막 제조 방법 |
JP5977364B2 (ja) * | 2012-11-26 | 2016-08-24 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、基板処理装置及び記録媒体 |
JP5852147B2 (ja) * | 2014-01-23 | 2016-02-03 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、基板処理装置、プログラム及び記録媒体 |
JP6262115B2 (ja) * | 2014-02-10 | 2018-01-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法及び基板処理装置 |
CN106463395B (zh) * | 2014-06-25 | 2019-06-11 | 株式会社国际电气 | 半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质 |
JP6347543B2 (ja) | 2014-06-30 | 2018-06-27 | 株式会社日立国際電気 | クリーニング方法、半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム |
US9214333B1 (en) * | 2014-09-24 | 2015-12-15 | Lam Research Corporation | Methods and apparatuses for uniform reduction of the in-feature wet etch rate of a silicon nitride film formed by ALD |
US20160133837A1 (en) * | 2014-11-12 | 2016-05-12 | Intermolecular Inc. | Low-Temperature Deposition of Metal Silicon Nitrides from Silicon Halide Precursors |
KR101977522B1 (ko) * | 2015-01-07 | 2019-05-10 | 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 | 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 기록 매체 |
WO2016135876A1 (ja) * | 2015-02-25 | 2016-09-01 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、ヒータおよび半導体装置の製造方法 |
JP2016178224A (ja) * | 2015-03-20 | 2016-10-06 | 東京エレクトロン株式会社 | シリコン窒化膜の形成方法、および、シリコン窒化膜の形成装置 |
KR20180032678A (ko) * | 2015-08-21 | 2018-03-30 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 고온 열적 ald 실리콘 질화물 막들 |
US20190073452A1 (en) | 2015-09-25 | 2019-03-07 | Bioanalytix, Inc. | Method for determining the in vivo comparability of a biologic drug and a reference drug |
JP6523119B2 (ja) | 2015-09-28 | 2019-05-29 | 株式会社Kokusai Electric | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム |
JP6548586B2 (ja) * | 2016-02-03 | 2019-07-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜方法 |
US10297439B2 (en) | 2016-02-25 | 2019-05-21 | Tokyo Electron Limited | Film forming method and film forming system |
JP6478330B2 (ja) * | 2016-03-18 | 2019-03-06 | 株式会社Kokusai Electric | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム |
JP6559618B2 (ja) * | 2016-06-23 | 2019-08-14 | 株式会社Kokusai Electric | 半導体装置の製造方法、基板処理装置、およびプログラム |
JP6778144B2 (ja) * | 2017-04-25 | 2020-10-28 | 株式会社Kokusai Electric | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム |
JP6789257B2 (ja) * | 2018-02-28 | 2020-11-25 | 株式会社Kokusai Electric | 半導体装置の製造方法、基板処理装置、およびプログラム |
-
2018
- 2018-02-28 JP JP2018034770A patent/JP6789257B2/ja active Active
-
2019
- 2019-01-04 CN CN202111110271.9A patent/CN113846311A/zh active Pending
- 2019-01-04 CN CN201910010163.0A patent/CN110205606B/zh active Active
- 2019-01-21 TW TW109143064A patent/TWI795697B/zh active
- 2019-01-21 TW TW108102263A patent/TWI715918B/zh active
- 2019-02-25 KR KR1020190021619A patent/KR102227965B1/ko active IP Right Grant
- 2019-02-26 SG SG10201901678WA patent/SG10201901678WA/en unknown
- 2019-02-26 US US16/286,292 patent/US10770287B2/en active Active
-
2020
- 2020-08-07 US US16/988,235 patent/US11056337B2/en active Active
-
2021
- 2021-03-09 KR KR1020210030805A patent/KR102303723B1/ko active IP Right Grant
- 2021-06-02 US US17/337,113 patent/US11664217B2/en active Active
- 2021-09-13 KR KR1020210121814A patent/KR102345305B1/ko active IP Right Grant
-
2023
- 2023-03-24 US US18/189,609 patent/US12009201B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20200373151A1 (en) | 2020-11-26 |
JP2019149516A (ja) | 2019-09-05 |
KR102303723B1 (ko) | 2021-09-23 |
US10770287B2 (en) | 2020-09-08 |
KR20190103958A (ko) | 2019-09-05 |
KR20210030326A (ko) | 2021-03-17 |
TWI715918B (zh) | 2021-01-11 |
KR102227965B1 (ko) | 2021-03-16 |
TW201945574A (zh) | 2019-12-01 |
KR20210114913A (ko) | 2021-09-24 |
CN110205606B (zh) | 2021-10-15 |
US12009201B2 (en) | 2024-06-11 |
KR102345305B1 (ko) | 2021-12-31 |
SG10201901678WA (en) | 2019-09-27 |
US20190267230A1 (en) | 2019-08-29 |
CN113846311A (zh) | 2021-12-28 |
TWI795697B (zh) | 2023-03-11 |
US11056337B2 (en) | 2021-07-06 |
US20210296110A1 (en) | 2021-09-23 |
CN110205606A (zh) | 2019-09-06 |
TW202126841A (zh) | 2021-07-16 |
US11664217B2 (en) | 2023-05-30 |
US20230253202A1 (en) | 2023-08-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6789257B2 (ja) | 半導体装置の製造方法、基板処理装置、およびプログラム | |
KR102276870B1 (ko) | 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 방법, 기판 처리 장치 및 프로그램 | |
JP6817845B2 (ja) | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム | |
KR102023834B1 (ko) | 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 프로그램 | |
KR102288228B1 (ko) | 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 프로그램 | |
JP2023033533A (ja) | 基板処理方法、半導体装置の製造方法、プログラムおよび基板処理装置 | |
JP6760833B2 (ja) | 半導体装置の製造方法、基板処理装置、およびプログラム | |
JP6854260B2 (ja) | 半導体装置の製造方法、基板処理装置、およびプログラム | |
JP6989677B2 (ja) | 半導体装置の製造方法、基板処理装置、およびプログラム | |
JP7199497B2 (ja) | 基板処理方法、半導体装置の製造方法、基板処理装置、およびプログラム | |
JP7026200B2 (ja) | 半導体装置の製造方法、基板処理方法、基板処理装置、およびプログラム | |
JP6857759B2 (ja) | 半導体装置の製造方法、基板処理装置、およびプログラム | |
JP6857760B2 (ja) | 半導体装置の製造方法、基板処理装置、およびプログラム | |
WO2022064600A1 (ja) | 半導体装置の製造方法、基板処理装置、およびプログラム |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20180727 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180821 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20181112 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190912 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200623 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20200625 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200824 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20201006 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20201102 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6789257 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |