TWI738508B - 用於檢測晶圓吸盤殘膠之光學檢測系統及光學檢測方法 - Google Patents
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Abstract
一種用於檢測晶圓吸盤殘膠之光學檢測系統及光學檢測方法,係在一暗場環境中,以低角度照明的方式對一晶圓吸盤投射出檢測光束,並藉由影像擷取模組擷取晶圓吸盤檢測影像。若晶圓吸盤上殘留有透光性殘膠,則檢測光束會在透光性殘膠之邊緣產生散射現象而投射出散射光束,並在透光性殘膠內部進行全反射而不向外投射出反射光束。若有產生自透光性殘膠之邊緣處散射的散射光束,可使晶圓吸盤檢測影像中呈現出散射邊界輪廓,藉由晶圓吸盤檢測影像是否存在散射邊界輪廓,可判斷晶圓吸盤上是否仍殘留透光性殘膠。
Description
本發明係有關於一種光學檢測系統及光學檢測方法,尤其是指一種用於檢測晶圓吸盤殘膠之光學檢測系統及光學檢測方法。
在半導體技術中,晶圓處理是相當重要而不可或缺的一環。在一些晶圓處理製程中,會將晶圓進行多個階段的切割,如為了劃分為多個處理區而預切溝槽,又譬如切斷成多個小晶片,藉以進行紫光照射或其他處理製程。
由於在對晶圓進行多個階段的切割後,為了補強支撐晶圓片或將多個被切斷的小晶片排列整齊,同時,也為了要能夠配合光學相關製程的作業需要,往往需要將一透光性膠膜貼附於晶圓片上,並利用晶圓吸盤吸附晶片。在完成相關的加工處理作業後,需要移除透光性膠膜以進行後續的處理作業,然而,這些透光性膠膜通常是由透明膠膜本體與黏著劑所組成,在移除透光性膠膜時,有可能會在晶圓吸盤上殘留有殘膠。所謂的殘膠可能包含零碎的透明膠膜本體與黏著劑,也可能只包含零星的黏著劑。
一旦晶圓吸盤仍殘留有殘膠,則會對後續製程造成不良的影響,因此需要借助光學檢測設備來檢測晶圓吸盤上是否仍有殘膠的殘留。在先前的光學檢測技術中,在檢測光束照射到晶圓吸盤時,會從晶圓吸盤反射,因此,在會造成所擷取的晶圓吸盤檢測影像上有許多光亮的反射區塊,進而導致無法有效分辨出在光亮的反射區塊所對應的晶圓吸盤的各個檢測區域中究竟是否仍存在殘膠。
在先前技術中,為了避免在晶圓吸盤上殘留有殘膠而對後續製程造成不良的影響,較為保守的作法是在進行涉及使用透光性膠膜的製程後,不論晶圓吸盤上是否確實存在殘膠,一律對晶圓吸盤進行全面性的殘膠清除作業,譬如;將晶圓吸盤浸泡至脫膠溶劑中溶膠)。如此一來,將會導致整體製程時間變長而缺乏效率。
有鑒於先前技術中,普遍存在因為反光的影響而無法有效辨識出晶圓吸盤的各個檢測區域中究竟是否仍存在殘膠,甚至導致需要進行全面性的殘膠清除作業而造成整體製程時間變長等問題。本發明主要之目的在於提供一種專用於檢測殘膠的光學檢測技術,藉以確實檢測出晶圓吸盤上的殘膠殘留狀況,以判斷是否需要清除殘膠,或作為選擇殘膠清除方式的參考依據。
本發明為解決先前技術之問題,所採用之必要技術手段為提供一種用於檢測晶圓吸盤殘膠之光學檢測系統,其係設置於一包含有一晶圓吸盤之晶圓處理製程設備,且晶圓吸盤具有一用以吸附一晶圓之吸附平面。光學檢測系統係用以將一透光性膠膜自該晶圓移除後,在一暗場環境中檢測該晶圓吸盤上是否仍殘留至少一透光性殘膠,並且包含一照明模組、一影像擷取模組與一影像分析模組。
照明模組係沿一投射方向對晶圓吸盤投射出一檢測光束,且投射方向與吸附平面之間的夾角為0度至10度。影像擷取模組係設置於晶圓處理製程設備,用以在檢測光束投射至晶圓吸盤後,擷取晶圓吸盤之至少一晶圓吸盤檢測影像;影像分析模組係電性連結於影像擷取模組,用以分析晶圓吸盤檢測影像是否存在至少一對應於透光性殘膠之散射邊界輪廓。
當晶圓吸盤上殘留有透光性殘膠時,檢測光束係自透光性殘膠之一第一邊緣投射入透光性殘膠,經過透光性殘膠全反射後,自透光性殘膠之一第二邊緣投射出,且檢測光束係在第一邊緣與該第二邊緣對影像擷取模組投射出至少一散射光束,藉以在晶圓吸盤檢測影像中呈現出散射邊界輪廓。
在上述必要技術手段的基礎下,較佳者,照明模組可包含至少一線照明組件,且每一線照明組件包含複數個線性排列之照明元件。或者,照明模組也可為一環形照明組件,環形照明組件可包含一環狀本體與複數個設置在環狀本體之一環形內壁之照明元件。
在上述必要技術手段的基礎下,較佳者,影像擷取模組可包含一透鏡組與一影像感測裝置,透鏡組與影像感測裝置係沿一成像中心軸而設置,且成像中心軸係經過晶圓吸盤。影像感測裝置可為一互補式金屬氧化物半導體(CMOS)影像感測器或一電荷耦合器件(CCD)。在成像中心軸與吸附平面之間的關係方面,成像中心軸可垂直或傾斜於吸附平面。
本發明為解決先前技術之問題,所採用之另一必要技術手段為提供一種用於檢測晶圓吸盤殘膠之光學檢測方法,其係一種用於檢測晶圓吸盤殘膠之光學檢測方法,係用於將一透光性膠膜自一晶圓移除後,在一暗場環境中檢測至少一用於吸附晶圓之晶圓吸盤上是否仍殘留至少一透光性殘膠,晶圓吸盤具有一用以吸附該晶圓之吸附平面。
在該光學檢測方法中,係先沿一投射方向對晶圓吸盤投射出一檢測光束,且投射方向與吸附平面之間的夾角為0度至10度。在檢測光束投射至該晶圓吸盤後,進一步擷取晶圓吸盤之至少一晶圓吸盤檢測影像。最後,分析晶圓吸盤檢測影像是否存在至少一對應於透光性殘膠之散射邊界輪廓。
在執行該光學檢測方法時,若晶圓吸盤上殘留有透光性殘膠,檢測光束係自透光性殘膠之一第一邊緣投射入透光性殘膠,經過透光性殘膠全反射後,自透光性殘膠膜之一第二邊緣投射出,且檢測光束係在第一邊緣與第二邊投射出至少一散射光束,藉以在至少一晶圓檢測影像中呈現出該散射邊界輪廓。
在上述必要技術手段的基礎下,較佳者,在分析晶圓吸盤檢測影像是否存在至少一對應於透光性殘膠之散射邊界輪廓後,可進一步藉由散射邊界輪廓分析出該至少一透光性殘膠之數量、面積或分布位置。更佳者,可更進一步依據所分析出之透光性殘膠之數量、面積或分布位置而發出一殘膠建議清除方式提示信息。
承上所述,由於在本發明所提供之用於檢測晶圓吸盤殘膠之光學檢測技術(包含系統與方法)中,係針對透光性殘膠存在的兩個特性,即「透光性殘膠本身可透光,且折射率大於空氣」以及「透光性殘膠的邊緣多為不平整的撕裂邊緣」因此,利用在暗場環境中以低角度照明的方式,使檢測光束在透光性殘膠的邊緣產生散射現象,並在透光性殘膠內部產生全反射現象。因此,可藉由分析晶圓吸盤檢測影像是否存在散射邊界輪廓來精確判斷晶圓吸盤上是否存在透光性殘膠。當存在透光性殘膠時,可進一步精確分析出透光性殘膠之數量、面積或分布位置,藉以發出一殘膠建議清除方式提示信息,以作為選擇殘膠清除方式的參考依據,使殘膠清除工作能更有效率地進行。
由於本發明所提供之用於檢測晶圓吸盤殘膠之光學檢測技術(包含系統與方法),可廣泛運用於將各種晶圓處理製程設備的晶圓吸盤殘膠檢測,在相關元件的等效元件置換和設置位置的選擇上皆可據此做出種種局部性的調整與改良,其組合實施方式更是不勝枚舉,故在此不再一一贅述,僅列舉其中較佳的三個實施例來加以具體說明。此外,在各實施例中的圖式均採用非常簡化的形式,各元件之間並非使用絕對精準的比例加以呈現,僅用以方便、明晰地輔助說明本發明實施例的目的與功效。
請參閱第一圖,其係顯示本發明第一實施例所提供之用於檢測晶圓吸盤殘膠之光學檢測系統之組成元件與設置位置示意圖。如第一圖所示,一用於檢測晶圓吸盤殘膠之光學檢測系統(以下簡稱「光學檢測系統」)1,設置於一晶圓處理製程設備2,且晶圓處理製程設備2中包含一晶圓吸盤21與檢測基座22,且晶圓吸盤21係設置於檢測基座22的頂部凹槽(未標號),並且具有一用以吸附一晶圓(未繪製)之吸附平面211。
光學檢測系統1係用以將一透光性膠膜(未繪製)自晶圓移除後,在一暗場環境中檢測晶圓吸盤21上是否仍殘留至少一透光性殘膠(在本實施例中晶圓吸盤21存在三透光性殘膠3a、3b與3c),並且包含一照明模組11、一影像擷取模組12與一影像分析模組13。所述之暗場環境,是指在晶圓處理製程設備2內部的一個內部環境空間,且在該內部環境空間中的背景亮度是遠小於照明模組11對該內部環境空間中被照射區域提供照明所產生的亮度,導致背景亮度對檢測結果的影響可以忽略不計。
照明模組11包含二線照明組件111與112,且線照明組件111與112分別包含複數個線性相間排列之照明元件1111(標示於第二圖,排列方式與照明元件1121相似或相同)與1121。照明元件1111與1121可為LED發光單體。線照明組件111與112可為二個獨立的LED燈條,亦可整合為單一個L型的LED燈條。
影像擷取模組12係設置於晶圓處理製程設備2內的暗場環境中,可包含一透鏡組121與一影像感測裝置122,透鏡組121與影像感測裝置122係沿一成像中心軸IA而設置。當晶圓吸盤21上方存在晶圓處理製程設備2中的其他元件(如滾筒)時,成像中心軸IA可穿過晶圓吸盤的中心,並傾斜於吸附平面211,兩者間存在一夾角Φ1,藉以確保影像擷取模組12能夠順利對晶圓吸盤21擷取到完整的影像。
透鏡組121可配合影像感測裝置122擷取影像的需要(如局部放大取像、廣角取像或全域取像)而選擇性地配置一個或多個透鏡所組成。影像感測裝置122置可為一互補式金屬氧化物半導體(CMOS)影像感測器或一電荷耦合器件(CCD)。
影像分析模組13係電性連結於影像擷取模組12,並可為一內建於晶圓處理製程設備2之影像分析模組,亦可為一自晶圓處理製程設備2外接之電腦內所設置之影像分析模組(如第一圖所示)。
請進一步參閱第二圖至第四圖,並一併參閱第一圖。第二圖係顯示本發明第一實施例中檢測光束在透光性殘膠邊緣產生散射現象,並在透光性殘膠內部產生全反射現象之示意圖;第三圖係顯示本發明第一實施例中當晶圓吸盤上殘留透光性殘膠時,會在晶圓吸盤檢測影像中呈現出散射邊界輪廓;第四圖係顯示本發明第一實施例中所對應的光學檢測方法流程圖。
如第一圖至第四圖所示,在例用本發明第一實施例所提供之光學檢測系統1檢測晶圓吸盤21上是否殘留透光性殘膠時,可依循一光學檢測方法中的以下各步驟加以實施。
首先,可利用照明模組11沿一投射方向對晶圓吸盤21投射出至少一檢測光束,在本實施例中,照明模組11中的線照明組件111與112可同時或先後單獨對晶圓吸盤21投射出檢測光束,本實施例中僅繪製線照明組件111係沿一投射方向ID對晶圓吸盤21投射出二檢測光束(圖中僅標示其中一檢測光束ILB),且此處的檢測光束ILB是指由複數個照明元件1111所投射出之光束的集合。投射方向ID與吸附平面211之間的夾角θ為0度至10度(包含0度、10度與0度至10度之間的任一角度)(步驟S110)。在本實施例中,較佳者,檢測光束ILB平貼於吸附平面211而投射,亦即投射方向ID與吸附平面211之間的夾角θ為0度。
在透光性膠膜(未繪製)自晶圓移除後,用以吸附晶圓的晶圓吸盤21可能有透光性殘膠殘留,也可能沒有透光性殘膠殘留,在本實施例中,係以晶圓吸盤21有透光性殘膠3a、3b與3c殘留為例。透光性殘膠多半是透光性膠膜被撕開後殘留在晶圓或晶圓吸盤21上所形的,因此,透光性殘膠3a、3b與3c具有以下兩個特性。第一個特性為透光性殘膠3a、3b與3c具有透光性,且折射率小於空氣。第二個特性為透光性殘膠3a、3b與3c的邊緣為不平整的邊緣。眾所周知的,由於透光性殘膠3a、3b與3c的邊緣是因為透光性膠膜撕裂斷開而產生的,所以為不平整的邊緣,所謂不平整包含撕裂造成的拉伸斷裂厚度不一致所造成的邊緣厚度不平整與具有撕裂缺口所造成的邊緣輪廓不平整。
照明模組11沿投射方向ID對晶圓吸盤21投射出檢測光束ILB後,可利用影像擷取模組12擷取晶圓吸盤21之至少一晶圓吸盤檢測影像(步驟S120),在第三圖中呈現出其中一晶圓吸盤檢測影像CI。由於成像中心軸IA與晶圓吸盤21之吸附平面211之間存在一夾角Φ1,所擷取之原始晶圓吸盤檢測影像邊緣輪廓並非正圓形,上述之晶圓吸盤檢測影像CI是經過修正後模擬夾角Φ1為90度時所擷取之影像。
在檢測光束ILB平貼於晶圓吸盤21投射出,或者投射方向ID與吸附平面211之間的夾角θ為10度以下時,若晶圓吸盤21不存在任何殘留的透光性殘膠,則檢測光束ILB也會平貼於晶圓吸盤21投射出,或以沿一與吸附平面211較低夾角的方向反射出,導致影像擷取模組12幾乎感測不到任何檢測光束ILB所產生的光亮。
倘若晶圓吸盤21上殘留有本實施例所示之透光性殘膠3a、3b與3c,當檢測光束ILB投射至透光性殘膠3a時,會自透光性殘膠3a之一第一邊緣31a投射入透光性殘膠3a之透光性殘膠本體32a內,再經自透光性殘膠3a之一第二邊緣33a投射出。
由於透光性殘膠3a、3b與3c的邊緣為不平整的邊緣,所以檢測光束ILB會在第一邊緣31a與第二邊緣33a產生散射現象而分別投射出散射光束SLB1與SLB2。又由於透光性殘膠3a具有透光性,折射率小於空氣,而且上述之夾角θ為0度至10度的緣故,因此檢測光束ILB會在透光性殘膠本體32a產生全反射現象而不會反射至透光性殘膠3a外。針對透光性殘膠3b與3c也有相類似的光學現象。由於上述種種原因,影像擷取模組12只會感測到產生在透光性殘膠3a邊緣(包含第一邊緣31a與第二邊緣33a)之散射光束(包含散射光束SLB1與SLB2)。
在擷取晶圓吸盤檢測影像CI後,可利用影像分析模組13分析晶圓吸盤檢測影像CI是否存在至少一對應於透光性殘膠之散射邊界輪廓(步驟S130)。在本實施例步驟120中,因為晶圓吸盤21殘留有透光性殘膠3a、3b與3c,影像擷取模組12只會感測到產生在透光性殘膠3a、3b與3c邊緣之散射光束,因此,在所擷取之晶圓吸盤檢測影像CI中,會呈現出對應於透光性殘膠3a、3b與3c邊緣輪廓的三個散射邊界輪廓BP3a、BP3b與BP3c。此時,影像分析模組13會分析出有散射邊界輪廓存在,據此判斷出透光性殘膠殘留在晶圓吸盤21。
相反地,若晶圓吸盤21不存在任何殘留的透光性殘膠,影像擷取模組12就幾乎感測不到任何檢測光束ILB所產生的光亮,所以吸盤檢測影像呈現出幾乎一片漆黑的結果,導致影像分析模組13分析出不存在任何散射邊界輪廓,據此判斷出沒有任何透光性殘膠殘留在晶圓吸盤21上。
在影像分析模組13分析出存在散射邊界輪廓後,可進一步分析出透光性殘膠之數量、面積或分布位置(步驟S140)。在本實施例中,影像分析模組13可分析出晶圓吸盤檢測影像CI存在三個散射邊界輪廓BP3a、BP3b與BP3c,據此可分析出透光性殘膠之數量、面積或分布位置。在本實施例中,影像分析模組13可分析出晶圓吸盤21殘留有三個透光性殘膠3a、3b與3c,並可利用晶圓吸盤檢測影像CI,結合影像擷取模組12與晶圓吸盤21之間的距離、夾角Φ1、透鏡放大倍率與影像分析模組13內建之座標系,分析出透光性殘膠3a、3b與3c的面積或分布位置。
較佳者,影像分析模組13可進一步依據透光性殘膠之數量、面積或分布位置而發出一殘膠建議清除方式提示信息。殘膠建議清除方式提示信息可以作為選擇殘膠清除方式的參考依據,使殘膠清除工作能更有效率地進行(步驟S150)。
譬如:若無透光性殘膠殘留,可判斷為對後續製程不會造成的負面影響,建議不需要清除。若殘留之透光性殘膠之數量較少,面積較小,或分布位置較為集中時,可判斷為對後續製程所造成的負面影響較小,建議暫時不清除或選擇只作局部性清除的方式來清除殘膠。若透光性殘膠之數量較多,面積較大或分布位置較為分散時,可判斷為對後續製程會造成較大的負面影響,建議應立即以進行全面性清除的方式來清除殘膠。
參閱第五圖,其係顯示本發明第二實施例所提供之用於檢測晶圓吸盤殘膠之光學檢測系統之影像擷取模組設置位置示意圖。在本發明第二實施例中,照明模組11和第一實施例相同,也包含兩個線照明組件,且兩個線照明組件的位置與第一實施例相同,第五圖中僅繪製其中一個線照明組件111作為代表。第二實施例與第一實施例之差異在於當晶圓吸盤21的上方不存在晶圓處理製程設備中的其他元件(如滾筒)時,可將影像擷取模組12直接設置於晶圓吸盤21的正上方,也就是使成像中心軸IA穿過晶圓吸盤21的中心,並且垂直於吸附平面211。換言之,也就是使成像中心軸IA與吸附平面211之間所存在的夾角Φ2為90度。
參閱第六圖,其係顯示本發明第三實施例所提供之用於檢測晶圓吸盤殘膠之光學檢測系統之照明模組與影像擷取模組設置位置示意圖。在本發明第三實施例中,與第一實施例之差異在於以一另一照明模組14取代照明模組11,照明模組14為一環形照明組件,環形照明組件可包含一環狀本體141與複數個設置在環狀本體141之一環形內壁1411之照明元件142。環狀本體141可直接結合在第一圖所示的檢測基座22上,各照明元件142分別沿各自的投射相向對晶圓吸盤21投射出檢測光束,且上述各自的投射方向與晶圓吸盤21的吸附平面211之間的夾角皆相同,且同樣是在0度至10度的範圍內。
使用環形照明組件的好處在於每個照明元件142與晶圓吸盤21邊緣的距離大致相等,使檢測光束對晶圓吸盤照射的光場型分布較為均勻。此外,影像擷取模組12也直接設置於晶圓吸盤21的正上方,使成像中心軸IA與吸附平面211之間所存在的夾角Φ3為90度。
綜上所述,由於在本發明所提供之由於在本發明所提供之用於檢測晶圓吸盤殘膠之光學檢測技術(包含系統與方法)中,充分利用透光性殘膠存在的兩個特性,即「透光性殘膠本身可透光,且折射率大於空氣」以及「透光性殘膠的邊緣多為不平整的撕裂邊緣」因此,配合在暗場環境中以低角度照明的方式,使檢測光束在透光性殘膠的邊緣產生散射現象,並在透光性殘膠內部產生全反射現象。因此,可藉由分析晶圓吸盤檢測影像是否存在散射邊界輪廓來精確判斷晶圓吸盤上是否存在透光性殘膠。當存在透光性殘膠時,可進一步精確分析出透光性殘膠之數量、面積或分布位置,藉以發出一殘膠建議清除方式提示信息,以作為選擇殘膠清除方式的參考依據,使殘膠清除工作能更有效率地進行。
藉由以上較佳具體實施例之詳述,係希望能更加清楚描述本發明之特徵與精神,而並非以上述所揭露的較佳具體實施例來對本發明之範疇加以限制。相反地,其目的是希望能涵蓋各種改變及具相等性的安排於本發明所欲申請之專利範圍的範疇內。
1:光學檢測系統
11,14:照明模組
111,112:線照明組件
1111,1121:照明元件
12:影像擷取模組
121:透鏡組
122:影像感測裝置
13:影像分析模組
141:環狀本體
1411:環形內壁
142:照明元件
2:晶圓處理製程設備
21:晶圓吸盤
211:吸附平面
22:檢測基座
3a,3b,3c:透光性殘膠
31a:第一邊緣
32a:透光性殘膠本體
33a:第二邊緣
IA:成像中心軸
Φ1,Φ2,Φ3:夾角
θ:夾角
ID:投射方向
ILB:檢測光束
SLB1,SLB2:散射光束
CI:晶圓吸盤檢測影像
BP3a,BP3b,BP3c:散射邊界輪廓
第一圖係顯示本發明第一實施例所提供之用於檢測晶圓吸盤殘膠之光學檢測系統之組成元件與設置位置示意圖;
第二圖係顯示本發明第一實施例中檢測光束在透光性殘膠邊緣產生散射現象,並在透光性殘膠內部產生全反射現象之示意圖;
第三圖係顯示本發明第一實施例中當晶圓吸盤上殘留透光性殘膠時,會在晶圓吸盤檢測影像中呈現出散射邊界輪廓;
第四圖係顯示本發明第一實施例中所對應的光學檢測方法流程圖;
第五圖係顯示本發明第二實施例所提供之用於檢測晶圓吸盤殘膠之光學檢測系統之影像擷取模組設置位置示意圖;以及
第六圖係顯示本發明第三實施例所提供之用於檢測晶圓吸盤殘膠之光學檢測系統之照明模組與影像擷取模組設置位置示意圖。
1:光學檢測系統
11:照明模組
111,112:線照明組件
1121:照明元件
12:影像擷取模組
121:透鏡組
122:影像感測裝置
13:影像分析模組
2:晶圓處理製程設備
21:晶圓吸盤
211:吸附平面
22:檢測基座
3a,3b,3c:透光性殘膠
IA:成像中心軸
Φ 1:夾角
Claims (10)
- 一種用於檢測晶圓吸盤殘膠之光學檢測系統,係設置於一包含有一晶圓吸盤之晶圓處理製程設備,該晶圓吸盤具有一用以吸附一晶圓之吸附平面,該光學檢測系統係用以將一透光性膠膜自該晶圓移除後,在一暗場環境中檢測該晶圓吸盤上是否仍殘留至少一透光性殘膠,並且包含: 一照明模組,係沿一投射方向對該晶圓吸盤投射出至少一檢測光束,且該投射方向與該吸附平面之間的夾角為0度至10度; 一影像擷取模組,係設置於該晶圓處理製程設備,用以在該至少一檢測光束投射至該晶圓吸盤後,擷取該晶圓吸盤之至少一晶圓吸盤檢測影像; 一影像分析模組,係電性連結於該影像擷取模組,用以分析該至少一晶圓吸盤檢測影像是否存在至少一對應於該至少一透光性殘膠之散射邊界輪廓; 其中,當該至少一晶圓吸盤上殘留有該至少一透光性殘膠時,該至少一檢測光束係自該透光性殘膠之一第一邊緣投射入該透光性殘膠,經過該透光性殘膠全反射後,自該透光性殘膠之一第二邊緣投射出,且該檢測光束係在該第一邊緣與該第二邊緣投射出至少一散射光束,藉以在該至少一晶圓吸盤檢測影像中呈現出該至少一散射邊界輪廓。
- 如請求項1所述之用於檢測晶圓吸盤殘膠之光學檢測系統,其中,該照明模組包含至少一線照明組件,且該至少一線照明組件包含複數個線性排列之照明元件。
- 如請求項1所述之用於檢測晶圓吸盤殘膠之光學檢測系統,其中,該照明模組係為一環形照明組件,且該環形照明組件包含一環狀本體與複數個設置在該環狀本體之一環形內壁之照明元件。
- 如請求項1所述之用於檢測晶圓吸盤殘膠之光學檢測系統,其中,該影像擷取模組包含一透鏡組與一影像感測裝置,該透鏡組與該影像感測裝置係沿一成像中心軸而設置,且該成像中心軸係經過該晶圓吸盤。
- 如請求項4所述之用於檢測晶圓吸盤殘膠之光學檢測系統,其中,該影像感測裝置係為一互補式金屬氧化物半導體(CMOS)影像感測器或一電荷耦合器件(CCD)。
- 如請求項4所述之用於檢測晶圓吸盤殘膠之光學檢測系統,其中,該成像中心軸係垂直於該吸附平面。
- 如請求項4所述之用於檢測晶圓吸盤殘膠之光學檢測系統,其中,該成像中心軸係傾斜於該吸附平面。
- 一種用於檢測晶圓吸盤殘膠之光學檢測方法,係用於將一透光性膠膜自一晶圓移除後,在一暗場環境中檢測至少一用於吸附該晶圓之晶圓吸盤上是否仍殘留至少一透光性殘膠,該晶圓吸盤具有一用以吸附該晶圓之吸附平面,該光學檢測方法包含以下步驟: (a) 沿一投射方向對該晶圓吸盤投射出至少一檢測光束,且該投射方向與該吸附平面之間的夾角為0度至10度; (b) 在該至少一檢測光束投射至該晶圓吸盤後,擷取該晶圓吸盤之至少一晶圓吸盤檢測影像; (c) 分析該至少一晶圓吸盤檢測影像是否存在至少一對應於該至少一透光性殘膠之散射邊界輪廓; 其中,當該至少一晶圓吸盤上殘留有該至少一透光性殘膠時,該至少一檢測光束係自該透光性殘膠之一第一邊緣投射入該透光性殘膠,經過該透光性殘膠全反射後,自該透光性殘膠膜之一第二邊緣投射出,且該至少一檢測光束係在該第一邊緣與該第二邊緣投射出至少一散射光束,藉以在該至少一晶圓檢測影像中呈現出該至少一散射邊界輪廓。
- 如請求項8所述之用於檢測晶圓吸盤殘膠之光學檢測方法,在該步驟(c)後更包含一步驟(d),且該步驟(d)係藉由該至少一散射邊界輪廓分析出該至少一透光性殘膠之數量、面積或分布位置。
- 如請求項9所述之用於檢測晶圓吸盤殘膠之光學檢測方法,其中,在該步驟(d)後更包含一步驟(e),且該步驟(e)係依據所分析出之該至少一透光性殘膠之數量、面積或分布位置而發出一殘膠建議清除方式提示信息。
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