JP2010039384A - フォトマスクの製造方法および描画装置 - Google Patents

Abstract

【課題】本発明は、歩留りの高いフォトマスクの製造方法およびそれに適用される描画装置を提供することを主目的とするものである。
【解決手段】本発明は、基板上に感光材層が形成されたフォトマスク形成用基板を描画装置内の描画ステージに載置した後、上記フォトマスク形成用基板上の異物を検査し、異物が検出された場合には上記異物の位置を検出し、上記異物の位置と上記描画装置で描画を行う描画データとを対応させる描画前検査工程と、上記描画前検査工程後、上記フォトマスク形成用基板の感光材層に描画を行う描画工程とを有することを特徴とするフォトマスクの製造方法を提供する。
【選択図】図１

Description

本発明は、異物を検査する工程を有するフォトマスクの製造方法およびそれに適用される描画装置に関するものである。

半導体集積回路（ＬＳＩ）、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、プリント配線基板（ＰＷＢ）等の作製に用いられるフォトマスクにおいては、高精度、高品質のパターン形成が求められている。近年では、液晶パネルの大型化に伴ってフォトマスクの大型化も進んでいることから、フォトマスクの作製には比較的長時間を要し、またフォトマスクは価格的にも高価なものとなっている。

従来、フォトマスクは、ガラス基板等の透明基板上にクロム膜等の金属薄膜を形成し、この金属薄膜上に光または電子線等のエネルギーに感光するレジストを塗布し、設計データに基づいてマスクパターンデータを光または電子線等にて描画した後に、現像処理してレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクとしてエッチングにて金属薄膜をパターニングし、その後レジストを剥離することにより、製造されていた。そして、寸法・位置精度、外観等の検査と、必要に応じて欠陥修正を行い、フォトマスクを得ていた。

フォトマスクの品質は、描画に供されるレジストが塗布された基板（フォトマスク形成用基板）の品質に大きく影響を受ける。そのため、従来、フォトマスク形成用基板を描画装置に載置する前に、検査装置にてフォトマスク形成用基板の検査を行っていた。

例えば特許文献１には、フォトマスク作製の際、描画に供されるフォトマスク形成用基板群の中から、目的とする製品を作製するためのフォトマスク形成用基板を、特に製品品質の面からうまく選択できる基板選択装置が提案されている。

特開２００２−５５４３７号公報

しかしながら、フォトマスク形成用基板を描画装置に搬送するときや載置するときなどに、フォトマスク形成用基板に異物が付着する可能性が大きい。そのため、フォトマスク形成用基板を描画装置に載置する前に検査装置にてフォトマスク形成用基板を検査して異物がないと判断された場合であっても、描画装置に載置されたフォトマスク形成用基板には異物が付着しているといった問題が生じる可能性が大きかった。

本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、歩留りの高いフォトマスクの製造方法およびそれに適用される描画装置を提供することを主目的とするものである。

上記目的を達成するために、本発明は、基板上に感光材層が形成されたフォトマスク形成用基板を描画装置内の描画ステージに載置した後、上記フォトマスク形成用基板上の異物を検査し、異物が検出された場合には上記異物の位置を検出し、上記異物の位置と上記描画装置で描画を行う描画データとを対応させる描画前検査工程と、上記描画前検査工程後、上記フォトマスク形成用基板の感光材層に描画を行う描画工程とを有することを特徴とするフォトマスクの製造方法を提供する。

本発明によれば、フォトマスク形成用基板を描画装置内の描画ステージに載置した後、描画開始前に異物の検査を行うので、フォトマスク形成用基板を描画装置に搬送するときや載置するときに付着した異物を検査することができ、フォトマスクの品質および歩留りを向上させることが可能である。また、本発明によれば、描画装置にて異物の検査を行うので、描画データと異物の検出位置とを精度良く比較することが可能である。

上記発明においては、上記描画工程中に、上記フォトマスク形成用基板上の異物を検査し、異物が検出された場合には上記異物の位置を検出し、上記異物の位置と上記描画データとを対応させる描画中検査工程を行ってもよい。描画中に異物の検査を行うので、描画中に付着した異物を検査することができ、フォトマスクの品質および歩留りをさらに向上させることができるからである。

また本発明においては、上記描画前検査工程にて上記異物の位置と上記描画データとが重なる場合、上記描画前検査工程後、上記描画工程前に、上記フォトマスク形成用基板に対する上記描画データの位置を調整する位置調整工程を行ってもよい。異物の位置と描画データとが重なる場合であっても、フォトマスク形成用基板に対する描画データの位置を調整することによって、異物の位置と描画データの重なりを解消できる場合もあるからである。

さらに本発明においては、上記描画前検査工程にて上記異物の位置と上記描画データとが重なる場合、上記フォトマスク形成用基板の使用を停止してもよい。この場合、不合格のフォトマスク形成用基板に対して描画を行わなくて済むため、製造コストを削減することができるからである。

また本発明は、基板上に感光材層が形成されたフォトマスク形成用基板の感光材層に描画を行う描画工程中に、上記フォトマスク形成用基板上の異物を検査し、異物が検出された場合には上記異物の位置を検出し、上記異物の位置と上記描画を行う描画データとを対応させる描画中検査工程を行うことを特徴とするフォトマスクの製造方法を提供する。

本発明によれば、描画中に異物の検査を行うので、描画中に付着した異物を検査することができ、フォトマスクの品質および歩留りを向上させることが可能である。また、本発明によれば、描画装置にて異物の検査を行うので、描画データと異物の検出位置とを精度良く比較することが可能である。

さらに本発明は、基板上に感光材層が形成されたフォトマスク形成用基板を載置する描画ステージと、上記描画ステージ上に載置されるフォトマスク形成用基板に描画を行う描画光学系と、上記フォトマスク形成用基板上の異物を検査し、上記異物の位置を検出する検査部と、上記検査部で検出された上記異物の位置と上記描画光学系で描画を行う描画データとを対応させる処理部とを備えることを特徴とする描画装置を提供する。

本発明によれば、描画装置が検査部を有するので、描画開始直前に異物の検査を行うことができ、フォトマスク形成用基板を描画装置に搬送するときや載置するときに付着した異物、描画中に付着した異物を検査することができる。よって、本発明の描画装置を用いることにより、フォトマスクの品質および歩留りを向上させることが可能である。また、本発明によれば、描画装置にて異物の検査を行うことができるので、描画データと異物の検出位置とを精度良く比較することが可能である。さらに、本発明によれば、描画光学系および検査部を独立させることができるので、描画光学系の重量が増加するのを防ぎ、制御が困難になるのを回避することが可能である。

本発明においては、描画装置にて異物の検査を行うので、フォトマスクの品質および歩留りを向上させることが可能であるという効果を奏する。

以下、本発明のフォトマスクの製造方法および描画装置について詳細に説明する。

Ａ．フォトマスクの製造方法
まず、本発明のフォトマスクの製造方法について説明する。
本発明のフォトマスクの製造方法は、フォトマスク形成用基板を描画装置内の描画ステージに載置した後、描画前に検査を行う第１実施態様、および、描画中に検査を行う第２実施態様の２つの実施態様に分けることができる。以下、各実施態様について分けて説明する。

Ｉ．第１実施態様
本発明のフォトマスクの製造方法の第１実施態様は、基板上に感光材層が形成されたフォトマスク形成用基板を描画装置内の描画ステージに載置した後、上記フォトマスク形成用基板上の異物を検査し、異物が検出された場合には上記異物の位置を検出し、上記異物の位置と上記描画装置で描画を行う描画データとを対応させる描画前検査工程と、上記描画前検査工程後、上記フォトマスク形成用基板の感光材層に描画を行う描画工程とを有することを特徴とするものである。

本実施態様のフォトマスクの製造方法について図面を参照しながら説明する。
図１は、本実施態様のフォトマスクの製造方法の一例を示す工程図である。まず、基板上に感光材層（単にレジストともいう。）が形成されたフォトマスク形成用基板を描画装置内の描画ステージに載置し（Ｓ１）、フォトマスク形成用基板の位置を検出する（Ｓ２）。次に、フォトマスク形成用基板上の異物を検査し（Ｓ３）、異物があることを確認した（Ｓ４）場合には、異物の位置を検出する（Ｓ５）。次いで、検出された異物の位置（１）と描画装置で描画を行う描画データ（２）とを対応させ（Ｓ６）、異物の位置と描画データとが重なるか否かによるフォトマスク形成用基板の合否判定を行う（Ｓ７）。異物の位置と描画データとが重ならない場合（合格の場合）には、続いて、描画を開始する（Ｓ２１）。
また、フォトマスク形成用基板上の異物を検査し（Ｓ３）、異物がないことを確認した（Ｓ４）場合には、続いて、描画を開始する（Ｓ２１）。
一方、異物の位置と描画データとを対応させ（Ｓ６）、異物の位置と描画データとが重なる（Ｓ７）場合（不合格の場合）には、フォトマスク形成用基板を描画装置から取り外す（Ｓ２２）。
なお、図１において、Ｓ１〜Ｓ７は描画前検査工程Ｓ１１である。

本実施態様におけるフォトマスク形成用基板の合否判定は、例えば図２および図３に示すように行うことができる。まず、図２（ａ）に例示するようなフォトマスク形成用基板１１上で検出された異物１２の位置と、図２（ｂ）に例示するような描画装置で描画を行う描画データ１３とを、図２（ｃ）に例示するように重ね合わせて確認する。図３（ａ）は図２（ｃ）のＡの拡大図であり、図３（ｂ）は図２（ｃ）のＢの拡大図である。図３（ａ）に示す例においては、異物１２の位置が描画データ１３に重なると判断される。一方、図３（ｂ）に示す例においては、異物１２の位置は描画データ１３に重ならないと判断される。図２および図３に例示するフォトマスク形成用基板全体としては、異物の位置と描画データとが重なると判断されるため、不合格と判定される。一方、フォトマスク形成用基板全体として、異物の位置と描画データとが重ならないと判断された場合には、合格と判定される。

なお、「描画データ」とは、露光部をいう。
ここで、感光材層がポジ型・ネガ型である場合の異物による欠陥について、パターン状の遮光部を形成する例を挙げて説明する。
一般に、ネガレジストでは、露光部となる感光材層上に異物が付着していると、レジストの露光が妨げられ、レジストは露光不足となり、現像後のレジストパターンに欠けやピンホールが発生する。その結果、フォトマスク上で遮光部の欠損やピンホール（白欠陥）が生じてしまう。一方、非露光部では、感光材層上に異物があっても、現像時にレジストの溶解とともに異物が除去され易く、欠陥となりにくい。
また一般に、ポジレジストでは、露光部となる感光材層上に異物が付着していると、レジストの露光が妨げられ、レジストは露光不足となり、現像後のレジストパターンにレジスト残りが発生する。その結果、フォトマスク上で余剰の遮光部（黒欠陥）が生じてしまう。一方、非露光部では、現像時にレジストは残るので、異物があっても欠陥とならない。
したがって、本発明における描画データとは露光部をいうのである。

本実施態様においては、フォトマスク形成用基板を描画装置内の描画ステージに載置した後、描画を開始する直前に異物の検査を行うので、フォトマスク形成用基板を描画装置に搬送するときや載置するときに付着した異物を検査することが可能である。よって、フォトマスク（製品）の品質向上および歩留りの向上につながる。さらには、不合格のフォトマスク形成用基板に対して描画を行わなくて済むため、製造コストの削減が可能となる。

また、本実施態様においては、フォトマスク形成用基板を描画装置内の描画ステージに載置した後、描画装置にて異物の検査を行うので、異物の位置と描画データとの位置関係を、例えばμｍ単位で確認することが可能である。したがって、描画データと異物の検出位置とを高い精度で比較することができ、精度良く合否判定を行うことが可能である。

従来のように異物検査装置にてフォトマスク形成用基板の検査を事前に行う場合、異物検査装置によるフォトマスク形成用基板上の異物位置情報と、描画装置の描画ステージ上での検査によるフォトマスク形成用基板上の異物位置情報とを精度良く一致させることは困難であった。複数の位置測定系での測定結果を一致させるには、基準となる位置（基準点）を共通させなければならないが、フォトマスク形成用基板にはアライメントマーク等がない。そのため、一般的には、フォトマスク形成用基板の端面の直交する二辺を基準辺とし、二つの基準辺上のいずれかの測定位置（２辺上の３〜４点）を検出してＸ−Ｙ座標系と基準点を決定する。このとき、複数の位置測定系で扱う基準辺および測定位置が一致していないと、基準点にズレが生じる。具体的には、フォトマスク形成用基板端面の直交する二辺のうち、一方の位置測定系にて下辺と左辺を基準辺とし、他方の位置測定系にて上辺と右辺を基準辺とすると、それぞれの位置測定系の座標にはズレがあることになる。フォトマスク形成用基板の外形寸法精度は、μｍ単位の精度は望めず、０．１ｍｍ単位であるためである。また、同じ辺を基準辺としても、測定位置が異なれば誤差を生じる。これは、辺の直線性や直交性の精度の問題があるためである。
したがって、本発明のように、同じ描画ステージ上で、同じ基準辺、同じ測定位置にて、位置を測定する手法は、アライメントマーク等の基準マークのないフォトマスク形成用基板上での位置測定の精度を向上させる点で有用である。
なお、本発明においては、異物の検査を行う検査部と描画を行う描画光学系との２つの位置測定系の双方で描画ステージ上のキャリブレーションマークを測定することで、位置測定の精度を維持することができる。

図４は、本実施態様のフォトマスクの製造方法の他の例を示す工程図である。まず、フォトマスク形成用基板を描画装置内の描画ステージに載置し（Ｓ１）、フォトマスク形成用基板の位置を検出する（Ｓ２）。次に、フォトマスク形成用基板上の異物を検査し（Ｓ３）、異物があることを確認した（Ｓ４）場合には、異物の位置を検出する（Ｓ５）。次いで、検出された異物の位置（１）と描画装置で描画を行う描画データ（２）とを対応させ（Ｓ６）、異物の位置と描画データとが重なるか否かによるフォトマスク形成用基板の合否判定を行う（Ｓ７）。異物の位置と描画データとが重なる（Ｓ７）場合（不合格の場合）には、フォトマスク形成用基板に対する描画データの位置を調整し（Ｓ８）、異物の位置と描画データの重なりを解消できるか否かの判定を行う（Ｓ９）。フォトマスク形成用基板に対する描画データの位置を調整することによって、異物の位置と描画データの重なりを解消できる場合には、続いて、描画を開始する（Ｓ２１）。
また、異物の位置と描画データとを対応させ（Ｓ６）、異物の位置と描画データとが重ならない（Ｓ７）場合（合格の場合）には、続いて、描画を開始する（Ｓ２１）。
さらに、フォトマスク形成用基板上の異物を検査し（Ｓ３）、異物がないことを確認した（Ｓ４）場合には、続いて、描画を開始する（Ｓ２１）。
一方、フォトマスク形成用基板に対する描画データの位置を調整することによっても、異物の位置と描画データの重なりを解消できない（Ｓ９）場合には、フォトマスク形成用基板を描画装置から取り外す（Ｓ２２）。
なお、図４において、Ｓ１〜Ｓ７は描画前検査工程Ｓ１１であり、Ｓ８〜Ｓ９は位置調整工程Ｓ１２である。

このように、本実施態様においては、描画前検査工程および描画工程の間に位置調整工程を有していてもよい。異物の位置と描画データとが重なる場合であっても、フォトマスク形成用基板に対する描画データの位置を調整することによって、異物の位置と描画データの重なりを解消できる場合もあるからである。本実施態様によれば、上述したように異物の位置と描画データとの位置関係を高い精度で確認することができるので、フォトマスク形成用基板に対する描画データの位置を微調整することも可能である。

以下、本実施態様のフォトマスクの製造方法における各工程について説明する。

１．描画前検査工程
本実施態様における描画前検査工程は、基板上に感光材層が形成されたフォトマスク形成用基板を描画装置内の描画ステージに載置した後、上記フォトマスク形成用基板上の異物を検査し、異物が検出された場合には上記異物の位置を検出し、上記異物の位置と上記描画装置で描画を行う描画データとを対応させる工程である。

本実施態様に用いられるフォトマスク形成用基板としては、基板上に感光材層が形成されたものであればよいが、通常、基板と、基板上に形成された金属薄膜と、金属薄膜上に形成された感光材層とを有している。
フォトマスク形成用基板としては、半導体集積回路、液晶表示ディスプレイ、プリント配線基板、半導体素子等の作製に用いられるフォトマスクを形成するために使用されるものであれば、いかなるものも用いることができる。特に、大型の液晶表示ディスプレイの作製に用いられるフォトマスクを形成するために使用されるものが好適である。

本実施態様においては、フォトマスク形成用基板を描画装置内の描画ステージに載置した後、まず、フォトマスク形成用基板の位置を検出する。これにより、フォトマスク形成用基板に対する描画データの位置が決定される。

この際、例えば、描画装置の描画光学系の基板端面検出用センサー（単に、位置センサーともいう。）によって、フォトマスク形成用基板の端面の位置を検出することで、フォトマスク形成用基板の位置を検出することができる。

図５（ａ）に例示する描画装置の描画光学系においては、第１の位置センサー７２と第２の位置センサー７３とが、描画用ヘッド７４を搬送アーム７１に固定する固定部７５の下部に配設されており、これにより、第１の位置センサー７２と第２の位置センサー７３とが、描画用ヘッド７４と一体的に固定されている。第１の位置センサー７２は、例えばジョイスティック型の接触型位置センサーである。第１の位置センサー７２および第２の位置センサー７３は共に、図５（ｂ）に示すように、棒部７７によりフォトマスク形成用基板１１の端面に接触し、棒部７７が所定値分だけ変位することにより、接触を認識する。なお、図５（ｂ）は図５（ａ）のＡ−Ａ線断面図である。

図５に例示する描画装置の描画光学系は、フォトマスク形成用基板１１の角部８１が描画ステージ５３上の所定の方向になるように、フォトマスク形成用基板１１を描画ステージ５３上に置いた場合（第１の場合）に、角部８１付近で、この角部８１を挟む２つの端面の各端面に直交する方向の位置をそれぞれ測定でき、かつ、２つの端面のいずれか一方については、離れた２点で、それぞれ、その端面に直交する方向の位置を測定でき、第１の測定データを得る第１の位置センサー７２を備えている。さらに、描画光学系は、フォトマスク形成用基板１１を描画ステージ５３上で９０度回転した場合（第２の場合）に、９０度回転したフォトマスク形成用基板１１の角部８１付近で、この角部８１を挟む２つの端面の各端面に直交する方向の位置をそれぞれ測定でき、かつ、２つの端面のいずれか一方については、離れた２点で、それぞれ、その端面に直交する方向の位置を測定でき、第２の測定データを得る第２の位置センサー７３を備えている。第１の場合には、第１の位置センサーの測定により得られる第１の測定データを基に、第２の場合には、第２の位置センサーの測定により得られる第２の測定データを基に、それぞれ、描画装置のＸ−Ｙ座標系に対するフォトマスク形成用基板の回転量とＸ−Ｙ座標系の基準位置とを求めることができる。

例えば図６（ａ）に示すように、角部８１が描画ステージ５３上の所定の方向（ここではＸマイナス方向、Ｙマイナス方向）になるように、フォトマスク形成用基板１１を描画ステージ５３上に置いた場合（第１の場合）には、固定部７５および描画ステージ５３を移動させて、第１の位置センサー７２により、端面８０Ａの２点Ｐ１、Ｐ２のＹ方向位置、端面８０Ｂの１点Ｐ３のＸ方向位置を検出する。これは、上記の第１の場合に相当する。また、例えば図６（ｂ）に示すように、角部８１が描画ステージ５３上の所定の方向（ここではＸプラス方向、Ｙマイナス方向）になるように、フォトマスク形成用基板１１を描画ステージ５３上に置いた場合（第２の場合）には、固定部７５および描画ステージ５３を移動させて、第２の位置センサー７３により、端面８０Ａの１点Ｐ４のＸ方向位置、端面８０Ｂの２点Ｐ５、Ｐ６のＹ方向位置を検出する。これは、上記の第２の場合に相当する。このように、第１の場合には、第１の位置センサーの測定により得られる第１の測定データを基に、第２の場合には、第２の位置センサーの測定により得られる第２の測定データを基に、それぞれ、描画装置のＸ−Ｙ座標系に対するフォトマスク形成用基板の回転量とＸ−Ｙ座標系の基準位置とを求めることができる。

次に、フォトマスク形成用基板上の異物を検査する。この際、フォトマスク形成用基板全面に対して異物の検査を行う。

異物の検査方法としては、例えば、反射光、透過光、散乱光、回折光等を利用して検査する方法が挙げられる。具体的には、フォトマスク形成用基板に光を照射して、反射光の有無を検出する方法などが挙げられる。

中でも、フォトマスク形成用基板全面に対して異物の検査を行うことから、異物の検査方法は、比較的短時間で検査できる方法であることが好ましい。例えば、検査光のビームの本数は比較的多いことが好ましく、８本〜３２本程度であることがより好ましい。

異物の検査に使用される検査光としては、感光材層に影響を及ぼさないものであれば特に限定されるものではないが、描画光とは異なる波長の光であることが好ましい。描画光の波長に反応する感光材層（レジスト）が使用されているので、描画光の波長と同じ波長の検査光を使用すると、描画前に感光してしまうからである。例えば、描画光が、ｇ線（４３６ｎｍ）、ｉ線（３６５ｎｍ）、ＫｒＦエキシマレーザー（２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザー（１９３ｎｍ）等である場合、検査光としては、ヘリウムネオンレーザー（６３３ｎｍ）、クリプトンイオンレーザー（４１３ｎｍ）等を好ましく用いることができる。

異物の検査の結果、異物があることを確認した場合には、異物の位置を検出する。具体的には、異物の位置座標および大きさを検出する。

異物の検出方法としては、異物の位置座標および大きさを検出できる方法であれば特に限定されるものではなく、異物の検査と同時に異物の位置座標および大きさをも検出する方法、および、異物の検査とは別に異物の位置座標および大きさを検出する方法のいずれも適用することができる。前者の方法としては、異物の検査に使用される検査光を用いて、異物の位置座標および大きさをも特定する方法が挙げられる。一方、後者の方法としては、異物の検査に使用される検査光を用いて異物の位置座標および大きさを大まかに特定した後に、ＣＣＤカメラ等を用いてフォトマスク形成用基板を局所的に高解像度で観察することで異物の位置座標および大きさを精密に特定する方法が挙げられる。

次に、フォトマスク形成用基板の合否判定を行う。この際、異物の位置と描画データとが重なるか否かによるフォトマスク形成用基板の合否判定を行ってもよく、異物の位置と描画データとが重なるか否か、かつ、異物に起因する欠陥の修正可否によるフォトマスク形成用基板の合否判定を行ってもよい。異物の位置と描画データとが重なるか否かによるフォトマスク形成用基板の合否判定では、図１および図４に例示するように、異物の位置と描画データとが重ならない場合（Ｓ７）には合格と判定し、異物の位置と描画データとが重なる場合（Ｓ７）には不合格と判定する。一方、異物の位置と描画データとが重なるか否か、かつ、異物に起因する欠陥の修正可否によるフォトマスク形成用基板の合否判定では、図７および図８に例示するように、異物の位置と描画データとが重ならない場合（Ｓ７）、および、異物の位置と描画データとが重なる場合（Ｓ７）であって欠陥の修正可能の場合（Ｓ１０）には合格と判定し、異物の位置と描画データとが重なる場合（Ｓ７）であって欠陥の修正不可の場合（Ｓ１０）には不合格と判定する。

異物に起因する欠陥の修正可否の判断としては、例えば、描画データのうち複雑なパターン箇所に異物の位置が重なる場合には欠陥の修正不可と判定し、異物に起因する欠陥が単純な黒点やピンホールとなる場合には欠陥の修正可能と判定することができる。
なお、異物に起因する欠陥は、フォトマスクの作製後に、修正することができる。

上記のフォトマスク形成用基板の合否判定の結果、合格の場合には、続いてフォトマスク形成用基板は描画工程に供される。一方、不合格の場合には、フォトマスク形成用基板の使用を停止してもよく、続いてフォトマスク形成用基板を、フォトマスク形成用基板に対する描画データの位置を調整する位置調整工程に供してもよい。

２．描画工程
本実施態様における描画工程は、上記描画前検査工程後、上記フォトマスク形成用基板の感光材層に描画を行う工程である。

描画方法としては、一般的なフォトマスクを作製する際の描画方法を適用することができる。
描画光としては、例えば、ｇ線（４３６ｎｍ）、ｉ線（３６５ｎｍ）、ＫｒＦエキシマレーザー（２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザー（１９３ｎｍ）、電子ビーム等が挙げられる。

本実施態様においては、描画工程中に、フォトマスク形成用基板上の異物を検査し、異物が検出された場合には異物の位置を検出し、異物の位置と描画データとを対応させる描画中検査工程を行ってもよい。
図９は、本実施態様における描画工程の一例を示す工程図である。まず、描画を開始し（Ｓ２１）、描画中にフォトマスク形成用基板上の異物を検査し（Ｓ２２）、異物があることを確認した（Ｓ２３）場合には、異物の位置を検出する（Ｓ２４）。次いで、検出された異物の位置（２１）と描画データ（２２）とを対応させ（Ｓ２５）、異物の位置と描画データとが重なるか否かによるフォトマスク形成用基板の合否判定を行う（Ｓ２６）。異物の位置と描画データとが重ならない場合（合格の場合）には、描画を続ける（Ｓ３１）。
また、描画中にフォトマスク形成用基板上の異物を検査し（Ｓ２２）、異物がないことを確認した（Ｓ２３）場合にも、描画を続ける（Ｓ３１）。
その後も、描画しながら検査して、異物がない場合および異物の位置と描画データとが重ならない場合（合格の場合）には、描画を終了する（Ｓ３２）。
一方、異物の位置と描画データとを対応させ（Ｓ２５）、異物の位置と描画データとが重なる（Ｓ２６）場合（不合格の場合）には、描画を停止する（Ｓ３３）。
なお、図９において、Ｓ２２〜Ｓ２６は描画中検査工程Ｓ２９である。

描画中検査工程におけるフォトマスク形成用基板の合否判定は、上記描画前検査工程におけるフォトマスク形成用基板の合否判定と同様にして行うことができる。

このように、描画中に検査を行う場合には、描画中にフォトマスク形成用基板に付着した異物を検査することが可能である。よって、フォトマスク（製品）の品質向上および歩留りの向上につながる。さらには、不合格のフォトマスク形成用基板に対しては描画の途中で描画を停止することができるため、製造コストの削減が可能となる。特に、大型の液晶パネル等の作製に用いられる大型のフォトマスクを作製する場合には、描画が完了するまでに比較的長時間を要することから、描画中に検査を行うことは非常に有用である。

なお、描画工程中に描画中検査工程を行うことについては、後述の第２実施態様に詳しく記載するので、ここでの説明は省略する。

３．位置調整工程
本実施態様においては、上記描画前検査工程にて異物の位置と描画データとが重なる場合、上記描画前検査工程後、上記描画工程前に、フォトマスク形成用基板に対する描画データの位置を調整する位置調整工程を行ってもよい。

本工程においては、異物の位置と描画データの重なりを解消できるか否かの判定を行う。フォトマスク形成用基板に対する描画データの位置を調整することによって、異物の位置と描画データの重なりを解消できる場合には、続いてフォトマスク形成用基板は描画工程に供される。一方、フォトマスク形成用基板に対する描画データの位置を調整することによっても、異物の位置と描画データの重なりを解消できない場合には、フォトマスク形成用基板の使用を停止する。

例えば、異物の大きさが比較的大きい場合には、フォトマスク形成用基板に対する描画データの位置を調整しても、異物の位置と描画データの重なりを解消できない場合がある。
また例えば、描画データのうち複雑なパターン箇所に異物の位置が重なる場合には、異物の位置と描画データの重なりを解消できない場合がある。一方、描画データのうち単純なパターン箇所に異物の位置が重なる場合には、異物の位置と描画データの重なりを解消できる場合が多い。

よって、フォトマスク形成用基板に対する描画データの位置を調整する際には、異物の大きさ、描画データの複雑さ等に応じて、描画データの位置を調整する優先順位を決めることが好ましい。最終的には、描画データに異物の位置が重ならないように描画データの位置を調整するのが好ましいのであるが、例えば、まず、描画データのうち複雑なパターン箇所に異物の位置が重ならないように描画データの位置を調整することを優先的に考えることができる。

４．その他の工程
本実施態様においては、上記描画工程後に、感光材層を現像する現像工程、金属薄膜等をエッチング等するパターニング工程、金属薄膜等のパターンの寸法および欠陥や、異物を検査するパターン検査工程、金属薄膜等のパターンを修正する修正工程などを行うことができる。

また、本実施態様においては、上記描画前検査工程前に、フォトマスク形成用基板を描画装置内の描画ステージに載置する前に、異物検査装置にてフォトマスク形成用基板上の異物を検査するブランク検査工程を行うことができる。

本実施態様においては、異物の検査と描画とのタイムラグができるだけ短いことが好ましい。フォトマスク（製品）の品質および歩留りをさらに向上させることができるからである。

本実施態様において、感光材層に対して描画を複数回行う場合には、すなわち描画工程を複数回行う場合には、各描画工程の前に描画前検査工程を行うものとする。

II．第２実施態様
本発明のフォトマスクの製造方法の第２実施態様は、基板上に感光材層が形成されたフォトマスク形成用基板の感光材層に描画を行う描画工程中に、上記フォトマスク形成用基板上の異物を検査し、異物が検出された場合には上記異物の位置を検出し、上記異物の位置と上記描画を行う描画データとを対応させる描画中検査工程を行うことを特徴とするものである。

図９は、本実施態様における描画工程の一例を示す工程図である。まず、フォトマスク形成用基板を描画装置内の描画ステージに載置し、描画を開始し（Ｓ２１）、描画中にフォトマスク形成用基板上の異物を検査し（Ｓ２２）、異物があることを確認した（Ｓ２３）場合には、異物の位置を検出する（Ｓ２４）。次いで、検出された異物の位置（２１）と描画データ（２２）とを対応させ（Ｓ２５）、異物の位置と描画データとが重なるか否かによるフォトマスク形成用基板の合否判定を行う（Ｓ２６）。異物の位置と描画データとが重ならない場合（合格の場合）には、描画を続ける（Ｓ３１）。
また、描画中にフォトマスク形成用基板上の異物を検査し（Ｓ２２）、異物がないことを確認した（Ｓ２３）場合にも、描画を続ける（Ｓ３１）。
その後も、描画しながら検査して、異物がない場合および異物の位置と描画データとが重ならない場合（合格の場合）には、描画を終了する（Ｓ３２）。
一方、異物の位置（２１）と描画データ（２２）とを対応させ（Ｓ２５）、異物の位置と描画データとが重なる（Ｓ２６）場合（不合格の場合）には、描画を停止する（Ｓ３３）。
なお、図９において、Ｓ２２〜Ｓ２６は描画中検査工程Ｓ２９である。

この場合、フォトマスク形成用基板の合否判定は、上記第１実施態様の描画前検査工程におけるフォトマスク形成用基板の合否判定と同様にして行うことができる。

本実施態様においては、フォトマスク形成用基板を描画装置内の描画ステージに載置した後、描画中に異物の検査を行うので、描画中にフォトマスク形成用基板に付着した異物を検査することが可能である。そのため、描画中に異物検査の結果をリアルタイムで出力することができる。よって、フォトマスク（製品）の品質向上および歩留りの向上につながる。さらには、不合格のフォトマスク形成用基板に対しては描画の途中で描画を停止することができるため、製造コストの削減が可能となる。特に、大型の液晶パネル等の作製に用いられる大型のフォトマスクを作製する場合には、描画が完了するまでに比較的長時間を要することから、描画中に検査を行うことは非常に有用である。

また、本実施態様においては、フォトマスク形成用基板を描画装置内の描画ステージに載置した後、描画装置にて異物の検査を行うので、異物の位置と描画データとの位置関係を、例えばμｍ単位で確認することが可能である。したがって、描画データと異物の検出位置とを高い精度で比較することができ、精度良く合否判定を行うことが可能である。

以下、本実施態様のフォトマスクの製造方法における各工程について説明する。

１．描画工程
本実施態様における描画工程は、基板上に感光材層が形成されたフォトマスク形成用基板の感光材層に描画を行う工程であって、上記フォトマスク形成用基板上の異物を検査し、異物が検出された場合には上記異物の位置を検出し、上記異物の位置と上記描画を行う描画データとを対応させる描画中検査工程を有するものである。

なお、フォトマスク形成用基板については、上記第１実施態様に記載したので、ここでの説明は省略する。

本実施態様においては、フォトマスク形成用基板を描画装置内の描画ステージに載置した後、まず、フォトマスク形成用基板の位置を検出する。これにより、フォトマスク形成用基板に対する描画データの位置が決定される。

次に、フォトマスク形成用基板に対して描画を開始する。なお、描画については、上記第１実施態様に記載したので、ここでの説明は省略する。

次に、描画中に、フォトマスク形成用基板上の異物を検査する。この際、描画と同時に異物の検査を行うことが好ましい。異物の検査と描画とのタイムラグを短くすることができるからである。この場合、描画を行う箇所に対して、描画の直前に検査を行ってもよく、描画の直後に検査を行ってもよい。

中でも、描画と同時に異物の検査を行うことが好ましいことから、異物の検査方法は、特定の箇所のみを検査できる方法であることが好ましい。例えば、描画の走査ピッチ毎に検査できる方法が好ましい。

よって、異物の検査に使用される検査光のビーム径としては、描画の走査ピッチと同程度であるか、描画の走査ピッチよりも大きいことが好ましい。図１０に示す例においては、検査光のビーム径ｒが描画の走査ピッチｐに等しくなっている。この場合、検査光のビームの本数を１本とすることで、描画の走査ピッチ毎に異物の検査をすることができる。
具体的に、検査光のビーム径は、２μｍ〜５μｍ程度であることが好ましい。検査光のビーム径が小さすぎると、描画の走査範囲よりも狭い領域しか検査できなくなるからである。また、通常、異物の大きさは数μｍ程度であることから、検査光のビーム径が大きすぎると、異物を検出することが困難になるためである。

なお、異物の検査のその他の点については、上記第１実施態様に記載したものと同様であるので、ここでの説明は省略する。

異物の検査の結果、異物があることを確認した場合には、異物の位置を検出する。なお、異物の位置の検出については、上記第１実施態様に記載したものと同様であるので、ここでの説明は省略する。

次に、フォトマスク形成用基板の合否判定を行う。フォトマスク形成用基板の合否判定においては、図９に例示するように、異物の位置と描画データとが重ならない場合（Ｓ２６）には合格と判定し、異物の位置と描画データとが重なる場合（Ｓ２６）には不合格と判定してもよい。また、図１１に例示するように、異物の位置と描画データとが重ならない場合（Ｓ２６）、および、異物の位置と描画データとが重なる場合（Ｓ２６）であって欠陥の修正可能の場合（Ｓ２７）には合格と判定し、異物の位置と描画データとが重なる場合（Ｓ２６）であって欠陥の修正不可の場合（Ｓ２７）には不合格と判定してもよい。
合格の場合には、描画を続ける。一方、不合格の場合には、描画を停止する。

２．その他の工程
本実施態様においては、上記描画工程後に、感光材層を現像する現像工程、金属薄膜等をエッチング等するパターニング工程、金属薄膜等のパターンの寸法および欠陥や、異物を検査するパターン検査工程、金属薄膜等のパターンを修正する修正工程などを行うことができる。

また、本実施態様においては、上記描画工程前に、フォトマスク形成用基板を描画装置内の描画ステージに載置する前に、異物検査装置にてフォトマスク形成用基板上の異物を検査するブランク検査工程を行うことができる。

本実施態様においては、異物の検査と描画とのタイムラグができるだけ短いことが好ましい。フォトマスク（製品）の品質および歩留りをさらに向上させることができるからである。

Ｂ．描画装置
次に、本発明の描画装置について説明する。
本発明の描画装置は、基板上に感光材層が形成されたフォトマスク形成用基板を載置する描画ステージと、上記描画ステージ上に載置されるフォトマスク形成用基板に描画を行う描画光学系と、上記フォトマスク形成用基板上の異物を検査し、上記異物の位置を検出する検査部と、上記検査部で検出された上記異物の位置と上記描画光学系で描画を行う描画データとを対応させる処理部とを備えることを特徴とするものである。

図１２は、本発明の描画装置の一例を示す模式図である。図１２に例示する描画装置５１は、フォトマスク形成用基板１１を載置する描画ステージ５３と、描画ステージ５３上に載置されるフォトマスク形成用基板１１に描画を行う描画光学系５４と、フォトマスク形成用基板１１上の異物を検査し、異物の位置を検出する検査部５５と、検査部５５にて検出された異物の位置と描画光学系５４で描画を行う描画データとを対応させる処理部５６と有している。

検査部５５は、検査光としてレーザー光を出射する検査用光源６１と、レーザー光の１本のビームを複数に分割するビームスプリッタ６２と、レーザー光を反射させるミラー６３と、電圧をかけて屈折率を変えることでレーザー光を偏向させる音響光学素子６４と、楕円形状のレーザー光を真円形状に変えるシリンドリカルレンズ６５と、放射状に広がるレーザー光の方向を真下に揃えるテレスコープ６６と、対物レンズ６７と、受光部６８とを有している。検査部５５においては、検査用光源６１からの検査光がビームスプリッタ６２に入射し、入射した検査光のうち一部がミラー６３、音響光学素子６４、シリンドリカルレンズ６５、テレスコープ６６、対物レンズ６７を介して、フォトマスク形成用基板１１に照射される。フォトマスク形成用基板１１上に異物が存在すると、異物により反射光が生じる。この反射光は対物レンズ６７で集光され、テレスコープ６６、シリンドリカルレンズ６５、音響光学素子６４、ミラー６３を介して、ビームスプリッタ６２に入射し、ビームスプリッタ６２に入射した反射光のうち一部が受光部６８に入射する。受光部６８では、閾値以上の信号を受けた場合には異物があると判断し、異物の位置座標および大きさを検出する。
処理部５６は、描画光学系５４から描画データを取り込み、検査部５５の受光部６８から異物の位置座標および大きさを取り込む。処理部５６では、描画データおよび異物の位置を対応させることで、描画データと異物の位置とが重なるか否かによるフォトマスク形成用基板の合否判定を行う。具体的には、異物の位置が描画データに重ならない場合には合格、異物の位置が描画データに重なる場合には不合格と判定する。

描画装置５１において、検査部５５の検査光軸と描画光学系５４の描画光軸との位置関係は、検査部５５および描画光学系５４の双方で描画ステージ５３上のキャリブレーションマークを測定することで、補正される。これにより、処理部５６にて、検査部にて検出される異物の位置と、描画光学系で描画が行われる描画データとを比較することが可能となる。

図１２に例示する描画装置５１においては、図１３に例示するように、描画光学系５４および検査部５５は搬送アーム７１によってＸ方向（矢印ｄ１）に移動可能であり、描画ステージ５３はＹ方向（矢印ｄ２）に移動可能である。
このような描画装置５１においては、図１３に例示するように、描画光学系５４をＸ方向に直線的に移動させながら、かつ、描画光をＸ方向と直交する方向であるＹ方向に所定幅で走査して描画する操作を、走査幅に対応した所定幅で描画ステージをＹ方向に順次ステップ移動させて行なうことで、描画を行うことができる。
また、同じく図１３に例示するように、検査部５５をＸ方向に直線的に移動させながら、かつ、検査光をＸ方向と直交する方向であるＹ方向に所定幅で走査して異物を検査する操作を、走査幅に対応した所定幅で描画ステージをＹ方向に順次ステップ移動させて行なうことで、異物の検査を行うことができる。

図１３に示す例において、搬送アーム７１上の検査部５５および描画光学系５４の位置関係としては、Ｘ方向の移動方向に対して、検査部５５が描画光学系５４の前に配置されている。この場合、描画を行う箇所に対して、描画の直前に検査を行うことができる。

本発明によれば、描画装置が検査部を有するので、フォトマスク形成用基板を描画装置内の描画ステージに載置した後、描画を開始する直前に異物の検査を行うことができ、フォトマスク形成用基板を描画装置に搬送するときや載置するときに付着した異物を検査することができる。さらに、描画中にフォトマスク形成用基板に付着した異物を検査することもでき、描画中に異物検査の結果をリアルタイムで出力することができる。よって、本発明の描画装置を用いることにより、フォトマスク（製品）の品質および歩留りを改善することが可能である。また、描画開始前に異物が検出されたフォトマスク形成用基板に対しては描画を行わなくて済み、描画中に異物が検出されたフォトマスク形成用基板に対しては描画の途中で描画を停止することができるため、製造コストの削減が可能となる。特に、大型の液晶パネル等の作製に用いられる大型のフォトマスクを作製する場合には、描画が完了するまでに比較的長時間を要することから、描画中に検査を行うことができる描画装置は、非常に有用である。

また、本発明によれば、描画装置にて異物の検査を行うことができるので、異物の位置と描画データとの位置関係を、例えばμｍ単位で確認することができる。したがって、描画データと異物の検出位置とを高い精度で比較することができ、精度良く合否判定を行うことが可能である。

さらに、本発明によれば、描画光学系および検査部を独立させることができるので、これにより、描画光学系の重量が増加するのを防ぎ、ヘッド移動速度やヘッド走行時の姿勢（振動）等の制御が困難になるのを回避することが可能である。

以下、本発明の描画装置における各構成について説明する。

１．検査部
本発明における検査部は、フォトマスク形成用基板上の異物を検査し、異物の位置を検出するものである。

検査部は、描画光学系と独立していることが好ましい。上述したように、描画光学系の重量が増加するのを防ぎ、ヘッド移動速度やヘッド走行時の姿勢（振動）等の制御が困難になるのを回避することができるからである。その結果、例えば描画のむらが発生するのを防止することができる。この場合、図１３に例示するように、同一の搬送アーム７１に検査部５５と描画光学系５４が取付けられていることが好ましい。異物の検査と描画を同時に行うことができ、さらに異物の検査と描画のタイムラグを短くすることができるからである。

検査部は、異物を検査し、異物の位置を検出できるものであれば特に限定されるものではなく、一般的な検査部を適用することができる。例えば、検査部は、検査用光源、ビームスプリッタ等の分岐光学系、音響光学素子等の変調光学系、集光レンズ系、受光部などを備える検査光学系を有している。また、検査部は、ラインセンサを備えるものであってもよい。検査部がラインセンサを備える場合には、描画開始前に、フォトマスク形成用基板全面を比較的短時間で検査することができるからである。

検査用光源としては、フォトマスク形成用基板の感光材層に影響を及ぼさないものであれば特に限定されるものではないが、描画光とは異なる波長の光であることが好ましい。描画光の波長に反応する感光材層（レジスト）が使用されているので、描画光の波長と同じ波長の検査光を使用すると、描画前に感光してしまうからである。例えば、描画光が、ｇ線（４３６ｎｍ）、ｉ線（３６５ｎｍ）、ＫｒＦエキシマレーザー（２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザー（１９３ｎｍ）等である場合、検査用光源としては、ヘリウムネオンレーザー（６３３ｎｍ）、クリプトンイオンレーザー（４１３ｎｍ）等を好ましく用いることができる。

検査部は、図１４に例示するように、ＣＣＤカメラ６９等の撮像素子を有していてもよい。ＣＣＤカメラにより、異物を観察することができるからである。また、検査光学系で異物の位置座標および大きさを大まかに検出し、ＣＣＤカメラで局所的に画像を撮影して異物の位置座標および大きさを精密に検出することもできる。

また、搬送アームに検査部および描画光学系が取り付けられている場合、搬送アーム上の検査部および描画光学系の位置関係としては、図１３に例示するようにＸ方向の移動方向に対して検査部５５が描画光学系５４の前に配置されていてもよく、図示しないがＸ方向の移動方向に対して検査部が描画光学系の後に配置されていてもよい。前者の場合には、描画を行う箇所に対して、描画の直前に検査を行うことができる。一方、後者の場合には、描画を行う箇所に対して、描画の直後に検査を行うことができる。

なお、検査部による異物の検査方法や異物の検出方法等については、上記「Ａ．フォトマスクの製造方法」の項に記載したので、ここでの説明は省略する。

２．描画光学系
本発明における描画光学系は、描画ステージ上に載置されるフォトマスク形成用基板に描画を行うものである。

描画光学系としては、フォトマスク形成用基板に描画を行うことができるものであれば特に限定されるものではなく、一般的な描画光学系を適用することができる。例えば、描画光学系は、描画用光源、ビームスプリッタ等の分岐光学系、集光レンズ系、結像レンズ系等を備えている。

描画用光源としては、水銀ランプ（ｇ線（４３６ｎｍ）、ｉ線（３６５ｎｍ））や、ＫｒＦエキシマレーザー（２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザー（１９３ｎｍ）、Ｆ₂レーザー（１５７ｎｍ）、Ｋｒ₂レーザー（１４６ｎｍ）、Ａｒ₂レーザー（１２６ｎｍ）、ＹＡＧレーザー、固体レーザー等を使用することができる。また、描画用光源として、電子ビームを用いることもできる。

描画光学系は、通常、フォトマスク形成用基板の端面の位置を検出する位置センサーを有している。この位置センサーにより、フォトマスク形成用基板の位置を検出することができる。

図５（ａ）に例示する描画光学系においては、第１の位置センサー７２と第２の位置センサー７３とが、描画用ヘッド７４を搬送アーム７１に固定する固定部７５の下部に配設されており、これにより、第１の位置センサー７２と第２の位置センサー７３とが、描画用ヘッド７４と一体的に固定されている。第１の位置センサー７２は、例えばジョイスティック型の接触型位置センサーである。第１の位置センサー７２および第２の位置センサー７３は共に、図５（ｂ）に示すように、棒部７７によりフォトマスク形成用基板１１の端面に接触し、棒部７７が所定値分だけ変位することにより、接触を認識する。なお、図５（ｂ）は図５（ａ）のＡ−Ａ線断面図である。
これらの第１の位置センサー７２および第２の位置センサー７３により、描画装置のＸ−Ｙ座標系に対するフォトマスク形成用基板の回転量とＸ−Ｙ座標系の基準位置とを求めることができる。

図５に示す例においては、第１の位置センサーと第２の位置センサーとを別体のものとしたが、例えば、Ｘ＋向き、Ｙ＋向き、Ｘ−向き、Ｙ−向きの４つの向きに、位置検出できるジョイスティック型の接触型位置センサーを用い、１つの位置センサーで、第１の位置センサー、第２の位置センサーを兼ねさせてもよい。

３．処理部
本発明における処理部は、上記検査部で検出された異物の位置と上記描画光学系で描画を行う描画データとを対応させるものである。

処理部は、上記検査部で検出された異物の位置と上記描画光学系で描画を行う描画データとを対応させることができるものであれば特に限定されるものではなく、例えば図２および図３に示すように、フォトマスク形成用基板１１に対する異物１２の位置と、フォトマスク形成用基板１１に対する描画データ１３の位置とを重ね合わせて見ることができる画像処理を行うものを挙げることができる。

また、処理部では、異物の位置が描画データに重なる場合、フォトマスク形成用基板に対する描画データの位置を調整することもできる。
なお、描画データの位置の調整については、上記「Ａ．フォトマスクの製造方法」の項に記載したので、ここでの説明は省略する。

４．描画ステージ
本発明における描画ステージは、フォトマスク形成用基板を載置するものである。
描画ステージとしては、フォトマスク形成用基板を載置することができるものであれば特に限定されるものではなく、一般的なものを適用することができる。

なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。

本発明のフォトマスクの製造方法の一例を示す工程図である。 本発明のフォトマスクの製造方法における描画前検査工程の一例を示す工程図である。 本発明のフォトマスクの製造方法における描画前検査工程の一例を示す模式図である。 本発明のフォトマスクの製造方法の他の例を示す工程図である。 フォトマスク形成用基板の位置の検出を説明するための模式図である。 フォトマスク形成用基板の位置の検出を説明するための模式図である。 本発明のフォトマスクの製造方法の他の例を示す工程図である。 本発明のフォトマスクの製造方法の他の例を示す工程図である。 本発明のフォトマスクの製造方法における描画工程の一例を示す工程図である。 検査光と描画光の関係を示す模式図である。 本発明のフォトマスクの製造方法における描画工程の他の例を示す工程図である。 本発明の描画装置の一例を示す模式図である。 本発明の描画装置の他の例を示す模式図である。 本発明の描画装置の他の例を示す模式図である。

符号の説明

１１ … フォトマスク形成用基板
１２ … 異物
１３ … 描画データ
５１ … 描画装置
５３ … 描画ステージ
５４ … 描画光学系
５５ … 検査部
５６ … 処理部

Claims (6)

1. 基板上に感光材層が形成されたフォトマスク形成用基板を描画装置内の描画ステージに載置した後、前記フォトマスク形成用基板上の異物を検査し、異物が検出された場合には前記異物の位置を検出し、前記異物の位置と前記描画装置で描画を行う描画データとを対応させる描画前検査工程と、
   前記描画前検査工程後、前記フォトマスク形成用基板の感光材層に描画を行う描画工程と
   を有することを特徴とするフォトマスクの製造方法。
2. 前記描画工程中に、前記フォトマスク形成用基板上の異物を検査し、異物が検出された場合には前記異物の位置を検出し、前記異物の位置と前記描画データとを対応させる描画中検査工程を行うことを特徴とする請求項１に記載のフォトマスクの製造方法。
3. 前記描画前検査工程にて前記異物の位置と前記描画データとが重なる場合、前記描画前検査工程後、前記描画工程前に、前記フォトマスク形成用基板に対する前記描画データの位置を調整する位置調整工程を行うことを特徴とする請求項１または請求項２に記載のフォトマスクの製造方法。
4. 前記描画前検査工程にて前記異物の位置と前記描画データとが重なる場合、前記フォトマスク形成用基板の使用を停止することを特徴とする請求項１または請求項２に記載のフォトマスクの製造方法。
5. 基板上に感光材層が形成されたフォトマスク形成用基板の感光材層に描画を行う描画工程中に、前記フォトマスク形成用基板上の異物を検査し、異物が検出された場合には前記異物の位置を検出し、前記異物の位置と前記描画を行う描画データとを対応させる描画中検査工程を行うことを特徴とするフォトマスクの製造方法。
6. 基板上に感光材層が形成されたフォトマスク形成用基板を載置する描画ステージと、
   前記描画ステージ上に載置されるフォトマスク形成用基板に描画を行う描画光学系と、
   前記フォトマスク形成用基板上の異物を検査し、前記異物の位置を検出する検査部と、
   前記検査部で検出された前記異物の位置と前記描画光学系で描画を行う描画データとを対応させる処理部と
   を備えることを特徴とする描画装置。

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