JPWO2016068096A1 - 受動素子付フィルタ部品および高周波モジュール - Google Patents
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Abstract
Description
本発明の高周波モジュールの第1実施形態について、図1を参照して説明する。なお、図1では、本発明にかかる主要な構成のみが図示されており、説明を簡易なものとするために、その他の構成は図示省略されている。また、後の説明で参照する各図面についても、図1と同様に主要な構成のみが図示されているが、以下の説明においてはその説明は省略する。
5・pμm≦t≦100μm
の厚みで形成される。具体的には、例えば、くし歯電極のピッチpが2μmに設定されている場合に、フィルタ基板2は、厚みtが約10μmの40°Yカットの単層のLiTaO3により形成される。
図2および図3を参照して変形例について説明する。なお、以下の説明では、図1の受動素子付フィルタ部品1と異なる点を中心に説明を行い、図1の受動素子付フィルタ部品1と同様の構成については同一符号を引用することによりその構成の説明を省略する。
次に、図4を参照して本発明の第2実施形態について説明する。なお、以下の説明では、上記した第1実施形態と異なる点を中心に説明を行い、上記した第1実施形態と同様の構成については同一符号を引用することによりその構成の説明を省略する。
図5を参照して変形例について説明する。
次に、図6を参照して本発明の第3実施形態について説明する。なお、以下の説明では、上記した第1および第2実施形態と異なる点を中心に説明を行い、上記した第1および第2実施形態と同様の構成については同一符号を引用することによりその構成の説明を省略する。
次に、図7を参照して本発明の第4実施形態について説明する。なお、以下の説明では、上記した第2実施形態と異なる点を中心に説明を行い、上記した第2実施形態と同様の構成については同一符号を引用することによりその構成の説明を省略する。
図8〜図11を参照して変形例について説明する。
次に、図12を参照して本発明の第5実施形態について説明する。なお、以下の説明では、上記した第1実施形態と異なる点を中心に説明を行い、上記した第1実施形態と同様の構成については同一符号を引用することによりその構成の説明を省略する。
図13を参照して変形例について説明する。
次に、図14を参照して本発明の第6実施形態について説明する。なお、以下の説明では、上記した第1実施形態と異なる点を中心に説明を行い、上記した第1実施形態と同様の構成については同一符号を引用することによりその構成の説明を省略する。
0.05・pμm≦t≦100μm
の厚みで形成されるようにすればよい。
2 フィルタ基板(圧電基板)
21 フィルタ基板
2a,21a 一方の主面
2b,21b 所定領域
2c,21c 他方の主面
2e 高音速層
2f 圧電層
3 支持基板(多層基板)
31 支持基板
4 絶縁層
5 カバー層
6 弾性波フィルタ(SAWフィルタ)
61 弾性波フィルタ
6a 弾性波共振子
61a BAW共振子(弾性波共振子)
8,11 端子電極
9 配線電極
100 高周波モジュール
101 モジュール基板
P 受動素子
P2 受動素子(他の受動素子)
0.05・pμm≦t≦100μm
の厚みで形成されるようにすればよい。
Claims (14)
- 一方の主面の所定領域に弾性波共振子を有する弾性波フィルタが形成されたフィルタ基板と、
前記フィルタ基板の他方の主面上に配置された支持基板とを備え、
前記支持基板に、配線電極により形成されて前記弾性波フィルタに電気的に接続された受動素子が設けられていることを特徴とする受動素子付フィルタ部品。 - 前記フィルタ基板の厚みが前記支持基板よりも薄いことを特徴とする請求項1に記載の受動素子付フィルタ部品。
- 前記フィルタ基板の厚みが100μmよりも薄いことを特徴とする請求項1または2に記載の受動素子付フィルタ部品。
- 前記フィルタ基板が圧電基板であり、
前記弾性波フィルタが、前記圧電基板の一方の主面に形成されたくし形電極を有する前記弾性波共振子を備えるSAWフィルタである
ことを特徴とする1または2に記載の受動素子付フィルタ部品。 - 前記くし形電極のピッチがpμmであるときに、前記圧電基板の厚みtが、
5・pμm≦t≦100μm
であることを特徴とする請求項4に記載の受動素子付フィルタ部品。 - 前記フィルタ基板が高音速層と圧電層との2層で構成されており、
前記高音速層の一方の主面上に前記圧電層が配置され、他方の主面上に前記支持基板が配置され、
前記弾性波フィルタが、前記圧電層の一方の主面に形成されたくし形電極を有する前記弾性波共振子を備えるSAWフィルタであり、
前記圧電層を伝搬する弾性波音速より、前記高音速層のバルク波音速が高速である
ことを特徴とする1または2に記載の受動素子付フィルタ部品。 - 前記くし形電極のピッチがpμmであるときに、前記圧電基板の厚みtが、
0.05・pμm≦t≦100μm
であることを特徴とする請求項6に記載の受動素子付フィルタ部品。 - 前記支持基板が多層基板であることを特徴とする請求項1ないし7のいずれかに記載の受動素子付フィルタ部品。
- 前記受動素子は前記多層基板に内蔵されていることを特徴とする請求項8に記載の受動素子付フィルタ部品。
- 前記フィルタ基板の一方の主面の前記所定領域を囲繞して配置された絶縁層と、
前記絶縁層上に配置されることにより前記フィルタ基板との間に前記絶縁層とともに囲繞された空間を形成するカバー層と、
前記カバー層の前記空間と反対側の主面から露出するように設けられ、前記弾性波フィルタに電気的に接続された外部接続用の端子電極と
を備えることを特徴とする請求項1ないし9のいずれかに記載の受動素子付フィルタ部品。 - 前記フィルタ基板の一方の主面の前記所定領域を囲繞して配置された絶縁層と、
前記絶縁層上に配置されることにより前記フィルタ基板との間に前記絶縁層とともに囲繞された空間を形成するカバー層と、
前記支持基板の前記フィルタ基板と反対側の主面に設けられ、前記弾性波フィルタに電気的に接続された外部接続用の端子電極と
を備えることを特徴とする請求項1ないし9のいずれかに記載の受動素子付フィルタ部品。 - 前記支持基板に、前記フィルタ基板に隣接配置された他のフィルタ基板がさらに設けられていることを特徴とする請求項1ないし11のいずれかに記載の受動素子付フィルタ部品。
- 請求項1ないし12のいずれかに記載の受動素子付フィルタ部品を備える高周波モジュールにおいて、
前記受動素子付フィルタ部品が実装されたモジュール基板を備える
ことを特徴とする高周波モジュール。 - 前記弾性波フィルタに接続された他の受動素子が前記モジュール基板に設けられていることを特徴とする請求項13に記載の高周波モジュール。
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JP6451898B2 (ja) * | 2016-04-11 | 2019-01-16 | 株式会社村田製作所 | 弾性波素子および弾性波装置 |
US10483248B2 (en) * | 2017-03-23 | 2019-11-19 | Skyworks Solutions, Inc. | Wafer level chip scale filter packaging using semiconductor wafers with through wafer vias |
KR102414843B1 (ko) * | 2017-05-22 | 2022-06-30 | 삼성전기주식회사 | 음향파 디바이스 및 그 제조방법 |
US10804875B2 (en) * | 2017-09-29 | 2020-10-13 | Avago Technologies International Sales Pte. Limited | Polymer lid wafer-level package with an electrically and thermally conductive pillar |
JP6950659B2 (ja) * | 2017-12-12 | 2021-10-13 | 株式会社村田製作所 | 電子部品モジュール |
JP7084744B2 (ja) | 2018-03-12 | 2022-06-15 | 太陽誘電株式会社 | 弾性波デバイス、モジュールおよびマルチプレクサ |
CN110858763A (zh) * | 2018-08-22 | 2020-03-03 | 天工方案公司 | 多层压电基板 |
JP6888606B2 (ja) * | 2018-12-21 | 2021-06-16 | 株式会社村田製作所 | 高周波モジュール |
JP7252770B2 (ja) * | 2019-02-01 | 2023-04-05 | 太陽誘電株式会社 | 高周波デバイスおよびマルチプレクサ |
US11750172B2 (en) | 2019-08-21 | 2023-09-05 | Skyworks Solutions, Inc. | Multilayer piezoelectric substrate |
US11722122B2 (en) | 2019-11-22 | 2023-08-08 | Skyworks Solutions, Inc. | Multilayer piezoelectric substrate with high density electrode |
US11503704B2 (en) * | 2019-12-30 | 2022-11-15 | General Electric Company | Systems and methods for hybrid glass and organic packaging for radio frequency electronics |
Citations (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03220911A (ja) * | 1990-01-26 | 1991-09-30 | Fujitsu Ltd | 弾性表面波フィルタ |
JPH05114828A (ja) * | 1991-10-22 | 1993-05-07 | Hitachi Ltd | 弾性表面波装置とそれを用いた通信装置 |
JPH0998056A (ja) * | 1995-09-29 | 1997-04-08 | Toshiba Corp | 弾性表面波装置 |
JPH10276059A (ja) * | 1997-03-28 | 1998-10-13 | Mitsubishi Materials Corp | 弾性表面波装置 |
JP2002164765A (ja) * | 2000-11-24 | 2002-06-07 | Victor Co Of Japan Ltd | 圧電性基板とsawフィルタ |
JP2004343359A (ja) * | 2003-05-14 | 2004-12-02 | Fujitsu Media Device Kk | 弾性表面波素子の製造方法 |
JP2005102098A (ja) * | 2003-08-29 | 2005-04-14 | Kyocera Corp | 高周波モジュール及びそれを用いた無線通信装置 |
JP2005167969A (ja) * | 2003-11-14 | 2005-06-23 | Fujitsu Media Device Kk | 弾性波素子および弾性波素子の製造方法 |
JP2006060563A (ja) * | 2004-08-20 | 2006-03-02 | Alps Electric Co Ltd | Sawフィルタ |
JP2010171680A (ja) * | 2009-01-22 | 2010-08-05 | Seiko Epson Corp | 弾性表面波装置およびその製造方法 |
JP2010278971A (ja) * | 2009-06-01 | 2010-12-09 | Murata Mfg Co Ltd | 弾性波装置 |
WO2011046117A1 (ja) * | 2009-10-13 | 2011-04-21 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波装置 |
US20130187246A1 (en) * | 2012-01-20 | 2013-07-25 | International Business Machines Corporation | Backside integration of rf filters for rf front end modules and design structure |
WO2014045726A1 (ja) * | 2012-09-19 | 2014-03-27 | 株式会社村田製作所 | フィルタ装置 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2905094B2 (ja) * | 1994-07-01 | 1999-06-14 | 富士通株式会社 | 分波器パッケージ |
JP2004304622A (ja) * | 2003-03-31 | 2004-10-28 | Fujitsu Media Device Kk | 弾性表面波デバイス及びその製造方法 |
JP2005117313A (ja) * | 2003-10-07 | 2005-04-28 | Fujitsu Ltd | 圧電素子およびタッチパネル装置 |
TW200520201A (en) | 2003-10-08 | 2005-06-16 | Kyocera Corp | High-frequency module and communication apparatus |
JP4381113B2 (ja) * | 2003-11-27 | 2009-12-09 | 三洋電機株式会社 | アンテナ共用器 |
JP3910187B2 (ja) * | 2004-04-27 | 2007-04-25 | 富士通メディアデバイス株式会社 | 分波器及び電子装置 |
JP5561254B2 (ja) | 2011-07-29 | 2014-07-30 | 株式会社村田製作所 | 回路モジュール及び複合回路モジュール |
-
2015
- 2015-10-27 JP JP2016556566A patent/JP6555270B2/ja active Active
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-
2017
- 2017-04-06 US US15/480,522 patent/US10236859B2/en active Active
Patent Citations (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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JP2002164765A (ja) * | 2000-11-24 | 2002-06-07 | Victor Co Of Japan Ltd | 圧電性基板とsawフィルタ |
JP2004343359A (ja) * | 2003-05-14 | 2004-12-02 | Fujitsu Media Device Kk | 弾性表面波素子の製造方法 |
JP2005102098A (ja) * | 2003-08-29 | 2005-04-14 | Kyocera Corp | 高周波モジュール及びそれを用いた無線通信装置 |
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