JPWO2015151415A1 - 有機発光装置および有機発光装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
本発明の一態様に係る有機発光装置は、基板と、前記基板の上方に配された陽極と、前記基板の主面に平行な方向に前記陽極から離間して前記基板の上方に配された配線と、前記陽極の上方に配され、有機発光材料を含む発光層と、前記発光層上および前記配線上に共通して配され、アルカリ金属またはアルカリ土類金属である第1金属のフッ化物を含む中間層と、前記発光層および前記配線の上方に前記中間層を介して共通して配され、電子輸送性および電子注入性のうち少なくとも一方の性質を有する有機材料に、前記第1金属のフッ化物における前記第1金属とフッ素との結合を切る性質を有する第2金属がドープされて成る有機機能層と、前記発光層および前記配線の上方に前記有機機能層を介して共通して配された陰極とを有する。そして、前記中間層の膜厚をx〔nm〕、前記有機機能層における前記第2金属のドープ濃度をy〔wt%〕とした場合に、1≦x≦2、20≦y≦40、y≧20xの関係を満たすことを特徴とする。
[1.本発明を実施するための形態に至った経緯]
バリウムとナトリウムは、共に仕事関数が低く電子注入性が高い物質である。これらを発光層への電子注入性を高める目的で有機ELに用いる場合、発光層とのエネルギー準位の関係から、バリウムよりもナトリウムの方が良好な電子注入性を得ることができる。
以下、本発明の一態様に係る有機発光装置の一例としての実施形態に係る有機ELパネルの構成について、図1および図2を用いて説明する。
基板11は、絶縁材料である基材111と、TFT(Thin Film Transistor)層112とを含む。TFT層112には、サブ画素毎に駆動回路(不図示)が形成されている。基材111が形成される材料としては、例えば、ガラスが用いられる。ガラス材料としては、具体的には例えば、無アルカリガラス、ソーダガラス、無蛍光ガラス、燐酸系ガラス、硼酸系ガラス、石英等のガラスなどが挙げられる。
層間絶縁層12は、基板11上に形成されている。層間絶縁層12は、樹脂材料からなり、TFT層112の上面の段差を平坦化するためのものである。層間絶縁層12が形成される樹脂材料としては、例えば、ポジ型の感光性材料が用いられる。また、このような感光性材料としては、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、シロキサン系樹脂、フェノール系樹脂等が挙げられる。
陽極13は、導電材料からなり、層間絶縁層12上にサブ画素毎に形成される。本実施形態に係る有機EL表示パネル100は、トップエミッション型であるので、陽極13は、光反射性を具備した導電材料により形成されるとよい。光反射性を具備する導電材料としては、金属が挙げられる。具体的には、Ag(銀)、Al(アルミニウム)、アルミニウム合金、Mo(モリブデン)、APC(銀、パラジウム、銅の合金)、ARA(銀、ルビジウム、金の合金)、MoCr(モリブデンとクロムの合金)、MoW(モリブデンとタングステンの合金)、NiCr(ニッケルとクロムの合金)等を用いることができる。また、陽極13は、上記光反射性を具備する導電材料と透明導電材料との積層構造であってもよい。この場合、透明導電材料としては、ITO(Indium Tin Oxide)、IZO(Indium Zinc Oxide)、ZnO(酸化亜鉛)等を用いることができる。
配線14は、基板11の主面に平行な方向において陽極13と離間して、層間絶縁層12上に設けられている。配線14は、金属等の導電性の材料から成る。なお、配線14は、導電性の材料から成る層が複数積層されて構成されてもよい。また、配線14は、陽極13と同じ材料で構成されていてもよい。その場合、陽極13と配線14とを共通の工程で一度に形成することができるため、製造が容易である。
正孔注入層15は、陽極13から発光層18への正孔の注入を促進させる機能を有する。そのため、正孔注入層15は、陽極13上には設けられているが、配線14上には設けられていない。正孔注入層15は、例えば、金属酸化物から成る。正孔注入層15の形成は、例えば、スパッタリング法により行われる。正孔注入層15の形成材料である金属酸化物としては、例えば、酸化タングステン(WOx)、酸化モリブデン(MoOx)や、銀(Ag)、クロム(Cr)、バナジウム(V)、ニッケル(Ni)、イリジウム(Ir)等の酸化物を用いることができる。また、正孔注入層15は、PEDOT(ポリチオフェンとポリスチレンスルホン酸との混合物)やポリアニリン等の導電性ポリマー材料を用いて形成されてもよい。この場合、正孔注入層15は、ウェットプロセスにより形成される。ウェットプロセスにより正孔注入層15が形成される場合は、その形成工程において隔壁層が必要となるため、隔壁層16の形成後、正孔輸送層17の形成前に、正孔注入層15の形成が行われる。また、正孔注入層15は、スパッタリング等のドライプロセスにより形成される層とウェットプロセスにより形成される層とが組み合わされて形成されてもよい。
隔壁層16は、陽極13および配線14上に配置された正孔注入層15の上面の一部の領域を露出させ、その周辺の領域を被覆した状態で正孔注入層15上に形成されている。正孔注入層15上面において隔壁層16で被覆されていない領域(以下、「開口部」という。)は、サブピクセルに対応している。即ち、隔壁層16は、サブピクセル毎に設けられた開口部16aを有する。
正孔輸送層17は、正孔注入層15から注入された正孔を発光層18へ輸送する機能を有する。そのため、正孔輸送層17は、正孔注入層15上には設けられているが、配線14上には設けられていない。正孔輸送層17の形成は、有機材料溶液の塗布および乾燥により行われる。正孔輸送層17を形成する有機材料としては、ポリフルオレンやその誘導体、あるいはポリアリールアミンやその誘導体等の高分子化合物を用いることができる。また、正孔輸送層17はトリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、ポルフィリン化合物、芳香族第三級アミン化合物及びスチリルアミン化合物、ブタジエン化合物、ポリスチレン誘導体、ヒドラゾン誘導体、トリフェニルメタン誘導体、テトラフェニルベンジン誘導体を用いて形成されてもよい。特に好ましくは、ポリフィリン化合物、芳香族第三級アミン化合物及びスチリルアミン化合物等を用いてもよい。この場合、正孔輸送層17は、真空蒸着法により形成される。
発光層18は、有機発光材料を含み、陽極13の上方に位置する開口部16a内に形成されている。発光層18は、正孔と電子の再結合によりR、G、Bの各色の光を出射する機能を有する。図1においては、各発光層18の符号の後にR,G,Bを付して、それぞれに対応する発光色を示している。しかし、特に区別の必要が無いときには、単に「発光層18」と総称する。
中間層19は、複数の画素に共通して発光層18、隔壁層16、および正孔注入層15を介して配線14上に設けられており、発光層18、正孔輸送層17、正孔注入層15、隔壁層16の内部や表面に存在する不純物が、有機機能層20や陰極21へと侵入するのを防止するための層である。従って、中間層19は、不純物ブロック性を有する材料を含む。中間層19が形成される不純物ブロック性を有する材料は、例えば、アルカリ金属のフッ化物またはアルカリ土類金属のフッ化物であり、フッ化ナトリウム(NaF)、フッ化リチウム(LiF)、フッ化セシウム(CsF)等を用いることができる。本実施形態においてはNaFが用いられている。中間層19に含まれるアルカリ金属のフッ化物中のアルカリ金属またはアルカリ土類金属のフッ化物中のアルカリ土類金属を、第1金属とする。従って、本実施形態においては、第1金属はNa(ナトリウム)である。
有機機能層20は、中間層19上に複数の画素に共通して設けられている。即ち、有機機能層20は、配線14の上方にも設けられている。有機機能層20は、陰極21から注入された電子を発光層18へと輸送する電子輸送層としての機能または/および陰極21から発光層18への電子の注入を促進させる機能を有する。有機機能層20は、例えば、電子輸送性または電子注入性のうち少なくとも一方の性質を有する有機材料に金属をドープさせて成る。有機機能層20に用いられる有機材料としては、具体的には、例えば、オキサジアゾール誘導体(OXD)、トリアゾール誘導体(TAZ)、フェナンスロリン誘導体(BCP、Bphen)などのπ電子系低分子有機材料が挙げられる。有機材料にドープされる金属(以下、「第2金属」という。)は、中間層19に含まれる第1金属のフッ化物における第1金属とフッ素との結合を分解する機能を有する。第1金属とフッ素との結合を分解する第2金属として、例えば、アルカリ金属またはアルカリ土類金属が用いられる。より具体的には、例えば、バリウム、リチウム(Li)、カルシウム(Ca)、カリウム(K)、セシウム(Cs)、ナトリウム、ルビジウム(Rb)等の低仕事関数金属、フッ化リチウム等の低仕事関数金属塩、酸化バリウム等の低仕事関数金属酸化物、リチウムキノリノール等の低仕事関数金属有機錯体などが用いられる。本実施形態においては、第2金属は、具体的には、Ba(バリウム)である。
陰極21は、有機機能層20上に複数の画素に共通して設けられている。陰極21は、例えば、透明導電材料からなる。透明導電材料で陰極21が構成されることにより、発光層18で発生した光を、陰極21側から取り出すことができる。陰極21に用いられる透明導電材料としては、例えば、ITO、IZO等を用いることができる。陰極21には、これ以外にも、例えば、MgAg(マグネシウム銀)を用いることができる。この場合、陰極21の厚みを数10nm程度とすることで、光を透過させることができる。
陰極21の上には、封止層22が設けられている。封止層22は、基板11の反対側から不純物(水,酸素)が陰極21,有機機能層20,発光層18等へと侵入するのを抑制する機能を有する。封止層22の材料としては、例えばSiN(窒化シリコン)、SiON(酸窒化シリコン)等の光透過性材料が用いられる。
なお、図1には図示しないが、封止層22の上にカラーフィルタや上部基板を載置し、接合してもよい。上部基板を載置および接合することにより、陰極21,有機機能層20,中間層19,発光層18等に対する不純物からのさらなる保護が図られる。
Ba層を備えない構成でコンタクト抵抗を低減させるためには、主に2つの方法が考えられる。1つは、電気絶縁性を有するNaFの量を少なくする、即ち、中間層19の膜厚を薄くする方法である。もう1つは、有機機能層20中にドープさせるBaの量を多くして、Ba層の代わりに中間層19のNaFにおけるNaとフッ素との結合を切る役割をより多く担わせる方法である。
先ず、単純にBa層を無くした場合、コンタクト抵抗はどのように変化するのか、また、中間層19の膜厚により、コンタクト抵抗はどのように変化するのかについて検証する。
コンタクト抵抗が測定不能であったサンプル5〜9および比較例を除くサンプル1〜4について、縦軸にコンタクト抵抗の値を、横軸に中間層19の値を取ってグラフ上にプロットした図を、図5に示す。
ここで、コンタクト抵抗の値が5.0E+05以下であれば、有機発光装置の実用に適すると考えられる。図5において、コンタクト抵抗の値が5.0E+05以下であるのは、サンプル1,2,4の3つである。従って、これら3つのサンプルを実用に適する(Satisfactory)と判定し、それ以外のサンプルを実用に適さない(Unsatisfactory)と判定した。
次に、有機EL表示パネル100の製造方法の一例を、図7〜図10を用いて説明する。なお、図7〜9は、有機EL表示パネル100の製造過程を模式的に示す部分断面図であり、図10は、有機EL表示パネル100の製造過程を示す模式工程図である。
以上説明したように、本発明の一態様である有機発光装置の一例である実施形態に係る有機EL表示パネル100の構成によれば、有機機能層20中のBa濃度および中間層19の膜厚が、実用適性領域内に収まるように調整されているため、コンタクト抵抗の値が実用に適する範囲内となり、各画素に印加される電圧のばらつきが抑制され、輝度むらを抑制することができる。
以上、本発明の一態様を実施形態に基づいて説明したが、本発明が上述の実施形態に限定されないのは勿論であり、以下のような変形例を実施することが出来る。
1.配線
上記実施形態では、配線の形状は、ライン状であった。しかしながら、これに限らず、配線の形状はメッシュ状など他の形状であってもよい。
2.電子注入層
上記実施形態に係る有機EL表示パネルにおいて、有機機能層20に加えて電子注入層をさらに設けてもよい。電子注入層は、陰極から発光層への電子の注入を促進させる機能を有する。電子注入層は、例えば、リチウム、バリウム、カルシウム、カリウム、セシウム、ナトリウム、ルビジウム等の低仕事関数金属、およびフッ化リチウム等の低仕事関数金属塩、酸化バリウム(BaO)等の低仕事関数金属酸化物等を用いて形成することができる。
4.正孔注入層および正孔輸送層
上記実施形態に係る有機EL表示パネル100は、陽極13と発光層18との間に、正孔注入層15および正孔輸送層17を備えていたが、これに限られない。正孔注入層15および正孔輸送層17の一方のみを備えてもよいし、正孔注入層15および正孔輸送層17の両方を備えなくてもよい。
5.構成
上記実施形態に係る有機EL表示パネル100は、基板とは反対側から光が取り出されるトップエミッション型であったが、これに限らず、ボトムエミッション型であってもよい。ボトムエミッション型である場合には、陽極13を透明導電材料の単層構造とすればよい。
6.その他
上記実施形態においては、本発明の一態様に係る有機発光装置として、有機EL表示パネルを例に説明した。しかしながら、本発明の一態様に係る有機発光装置は、有機EL表示パネルに限られず、照明装置等としても実現することができる。
13 陽極
14 配線
18 発光層
19 中間層
20 有機機能層
21 陰極
100 有機EL表示パネル
Claims (14)
- 基板と、
前記基板の上方に配された陽極と、
前記基板の主面に平行な方向に前記陽極から離間して前記基板の上方に配された配線と、
前記陽極の上方に配され、有機発光材料を含む発光層と、
前記発光層上および前記配線上に共通して配され、アルカリ金属またはアルカリ土類金属である第1金属のフッ化物を含む中間層と、
前記発光層および前記配線の上方に前記中間層を介して共通して配され、電子輸送性および電子注入性のうち少なくとも一方の性質を有する有機材料に、前記第1金属のフッ化物における前記第1金属とフッ素との結合を切る性質を有する第2金属がドープされて成る有機機能層と、
前記発光層および前記配線の上方に前記有機機能層を介して共通して配された陰極と、を有する
有機発光装置。 - 前記中間層の膜厚をx〔nm〕、前記有機機能層における前記第2金属のドープ濃度をy〔wt%〕とした場合に、0.1≦x≦4、3≦y≦50、y≧20xの関係を満たす
請求項1に記載の有機発光装置。 - 前記中間層の膜厚をx〔nm〕、前記有機機能層における前記第2金属のドープ濃度をy〔wt%〕とした場合に、1≦x≦2、20≦y≦40、y≧20xの関係を満たす
請求項1又は2に記載の有機発光装置。 - 前記第1金属は、ナトリウムである
請求項1から3の何れか1項に記載の有機発光装置。 - 前記第2金属は、バリウムである
請求項1から4の何れか1項に記載の有機発光装置。 - 前記陽極および前記配線は、同じ材料で構成されている
請求項1から5の何れか1項に記載の有機発光装置。 - 前記陽極は、ITOまたはIZOから成る
請求項1から6の何れか1項に記載の有機発光装置。 - 前記陰極は、透明導電材料から成る
請求項1から7の何れか1項に記載の有機発光装置。 - 前記透明導電材料は、ITOである
請求項8に記載の有機発光装置。 - 基板の上方に陽極および前記基板の主面と平行な方向に前記陽極から離間した配線を形成し、
前記陽極の上方に有機発光材料を含む発光層を形成し、
アルカリ金属またはアルカリ土類金属である第1金属のフッ化物を含む中間層を、前記発光層上および前記配線上に共通して形成し、
電子輸送性および電子注入性のうち少なくとも一方の性質を有する有機材料に、前記第1金属のフッ化物における前記第1金属とフッ素との結合を切る性質を有する第2金属がドープされて成る有機機能層を、前記中間層を介して前記発光層および前記配線の上方に共通して形成し、
前記有機機能層を介して前記発光層および前記配線の上方に共通して陰極を形成する
有機発光装置の製造方法。 - 前記中間層の膜厚をx〔nm〕、前記有機機能層における前記第2金属のドープ濃度をy〔wt%〕とした場合に、0.1≦x≦4、3≦y≦50、y≧20xの関係を満たす
請求項10に記載の有機発光装置の製造方法。 - 前記中間層の膜厚をx〔nm〕、前記有機機能層における前記第2金属のドープ濃度をy〔wt%〕とした場合に、1≦x≦2、20≦y≦40、y≧20xの関係を満たす
請求項10又は11に記載の有機発光装置の製造方法。 - 前記第1金属は、ナトリウムである
請求項10から12の何れか1項に記載の有機発光装置の製造方法。 - 前記第2金属は、バリウム である
請求項10から13の何れか1項に記載の有機発光装置の製造方法。
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Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004335468A (ja) * | 2003-05-05 | 2004-11-25 | Eastman Kodak Co | Oledデバイスの製造方法 |
JP2006287078A (ja) * | 2005-04-04 | 2006-10-19 | Sony Corp | 有機電界発光素子 |
WO2009110186A1 (ja) * | 2008-03-04 | 2009-09-11 | パナソニック株式会社 | 発光素子及びディスプレイデバイス |
CN103682125A (zh) * | 2012-08-31 | 2014-03-26 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 有机电致发光器件及其制备方法 |
WO2015037237A1 (ja) * | 2013-09-13 | 2015-03-19 | パナソニック株式会社 | 有機発光装置、およびその製造方法 |
Family Cites Families (12)
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US5776623A (en) * | 1996-07-29 | 1998-07-07 | Eastman Kodak Company | Transparent electron-injecting electrode for use in an electroluminescent device |
US6909477B1 (en) * | 1998-11-26 | 2005-06-21 | Lg. Philips Lcd Co., Ltd | Liquid crystal display device with an ink-jet color filter and process for fabricating the same |
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JP2004200141A (ja) * | 2002-10-24 | 2004-07-15 | Toyota Industries Corp | 有機el素子 |
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Patent Citations (5)
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---|---|---|---|---|
JP2004335468A (ja) * | 2003-05-05 | 2004-11-25 | Eastman Kodak Co | Oledデバイスの製造方法 |
JP2006287078A (ja) * | 2005-04-04 | 2006-10-19 | Sony Corp | 有機電界発光素子 |
WO2009110186A1 (ja) * | 2008-03-04 | 2009-09-11 | パナソニック株式会社 | 発光素子及びディスプレイデバイス |
CN103682125A (zh) * | 2012-08-31 | 2014-03-26 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 有机电致发光器件及其制备方法 |
WO2015037237A1 (ja) * | 2013-09-13 | 2015-03-19 | パナソニック株式会社 | 有機発光装置、およびその製造方法 |
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