JP7412969B2 - 表示パネルおよび表示パネルの製造方法 - Google Patents

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Description

本開示は、有機電界発光素子（以下「有機ＥＬ素子」という。）などの自発光型の発光素子を基板の主面に沿って二次元配置してなる表示パネルおよび当該表示パネルの製造方法に関する。
近年、発光型のディスプレイとして、基板上に行列方向に沿って有機ＥＬ素子を複数配列した有機ＥＬ表示パネルが、電子機器のディスプレイとして実用化されている。
各有機ＥＬ素子は、画素電極（陽極）と対向電極（陰極）の一対の電極対の間に有機発光材料を含む有機発光層が配設された基本構造を有し、駆動時に一対の電極対間に電圧を印加し、画素電極から有機発光層に注入される正孔と、対向電極から有機発光層に注入される電子との再結合に伴って発生する電流駆動型の発光素子である。
特に、アクティブマトリクス方式で駆動する有機ＥＬ表示パネルでは、陰極である対向電極が複数の画素に共通して形成される場合が多い。このような場合、対向電極の外周部分から電圧が印加されるため、対向電極の電気抵抗（シート抵抗）により対向電極の中央部分では電圧降下が生じる。
対向電極の外周部分から各画素までの距離は画素毎に異なるため、画素毎に画素電極と陰極との間に印加される電圧にばらつきが生じることとなり、有機ＥＬ表示パネルの輝度むら（以下、「シート抵抗由来の輝度むら」という。）の原因となる。
これに対し、基板上に列方向に延伸する補助電極を設け、当該補助電極と対向電極とを電気的に接続することで対向電極のシート抵抗を下げて、上記シート抵抗由来の輝度むらを抑制する構成が、特許文献１に開示されている。
また、このような有機ＥＬ表示パネルにあっては、対向電極からの有機発光層への電子の注入性を向上させるために、対向電極と有機発光層との間に、有機材料に仕事関数の低いアルカリ金属やアルカリ土類金属（以下、「アルカリ金属等」という。）をドープした機能層を形成する構成が知られている。
ところが、アルカリ金属等は、水分や酸素といった不純物と反応して、電子注入特性が劣化しやすいという短所がある。特に、有機発光層や、正孔輸送層などがウエットプロセスで形成される場合、これらの層中や表面に不純物（水分、酸素）が残存し、機能層中のアルカリ金属等を劣化させるおそれがある。
これに対し、発光層と機能層との間に、アルカリ金属等のフッ化物で構成された中間層を設けて、水分等の不純物の機能層への浸入をブロックする技術が特許文献２に開示されている。
特開２００４－１１１３６９号公報 特開２００７－３１７３７８号公報
しかしながら、アルカリ金属等のフッ化物は絶縁性が高いので、良好な電子注入性を維持するために膜厚をあまり厚くできない。そのため、水分等の不純物が徐々に浸透して機能層のアルカリ金属等を劣化させるおそれがある。
一方、有機ＥＬ表示パネルでは、発光層よりも上に配置される層は、画素ごとに分ける必要が無いため、製造工程の簡易化およびコストダウンの観点から、各画素に亘って共通した層として形成することが望ましい。
そうすると補助電極と対向電極とを直接接触させることができず、両者の間に中間層や機能層が介在することとなり、そのため補助電極と対向電極間の電気抵抗（以下、「コンタクト抵抗」という。）が大きくなって、補助電極の機能を十分に果たすことができず、対向電極のシート抵抗に由来する輝度むらが解消されないおそれもある。
本開示は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、補助電極と対向電極とのコンタクト抵抗を低減して輝度むらの発生を抑制すると共に、発光効率の向上と長寿命化が可能な表示パネルおよびその製造方法を提供することを目的とする。
上記目的を達成するため、本開示の一態様に係る表示パネルは、基板上方に複数の画素電極が行列状に配され、各画素電極上に発光層が配されてなる表示パネルであって、前記基板上の行または列方向に隣接する画素電極の間隙の内の少なくとも１の間隙上に、前記画素電極と非接触な状態で、列または行方向に延伸する給電補助電極と、前記発光層上および前記給電補助電極上方に共通して配され、アルカリ金属またはアルカリ土類金属である第１金属のフッ化物を含む中間層と、前記発光層および前記給電補助電極の上方に前記中間層を介して共通して配され、電子輸送性および電子注入性のうち少なくとも一方の性質を有する有機材料に、希土類金属に属する第２金属がドープされてなる機能層と、前記発光層および前記給電補助電極の上方に前記機能層を介して共通して配された対向電極と、を有し、前記中間層の膜厚をｘ[ｎｍ]、前記機能層における前記第２金属のドープ濃度をｙ[ｗｔ％]とした場合に、１≦ｘ≦３、２０≦ｙ≦４０、ｙ≧１０ｘ＋１０の関係を満たすことを特徴としている。
本開示の一態様に係る表示パネルにおいては、電子注入性の向上のため機能層にドープされる第２金属を希土類金属としている。希土類金属は、水分等の不純物との反応性が低いので、表示パネルの長寿命化が可能となる。また、中間層の膜厚ｘ［ｎｍ］および、機能層ドープ濃度ｙ［ｗｔ％］が、１≦ｘ≦３、２０≦ｙ≦４０、ｙ≧１０ｘ＋１０の関係を満たすため、給電補助電極と陰極である対向電極との間の電気抵抗が適切な範囲内に収まる。これにより、給電補助電極の機能が発揮されて対向電極の電圧のむらが解消され、表示パネルの輝度むらを抑制することができる。
本開示の一態様に係る有機ＥＬ表示装置の全体構成を示すブロック図である。 上記有機ＥＬ表示装置における有機ＥＬ表示パネルの画像表示面の一部を拡大した模式平面図である。 図２のＡ－Ａ線に沿った部分における有機ＥＬ表示パネルの断面を示す模式図である。 図２に示す有機ＥＬ表示パネルにおける、画素電極と補助電極とのレイアウトを示す平面図である。 （ａ）は、上記有機ＥＬ表示パネルにおける有機ＥＬ素子の部分の積層構造を示す模式図であり、（ｂ）は、補助電極が配された部分における積層構造を示す模式図である。 （ａ）は、周波数の変化に対するＢａとＹｂのそれぞれの消衰係数の変化を比較して示すグラフであり、（ｂ）は、ＲＧＢの各発光色のピーク波長におけるＢａとＹｂの消衰係数と、その比を示すテーブルである。 機能層におけるＹｂのドープ濃度および中間層の膜厚を変えて行った有機ＥＬ表示パネルにおける補助電極と対向電極との間のコンタクト抵抗の測定結果を示すテーブルである。 図７の測定結果をグラフにプロットした図である。 本開示の一態様に係る有機ＥＬ表示パネルの製造過程を示す工程図である。 （ａ）～（ｃ）は、本開示の一態様に係る有機ＥＬ表示パネルの製造過程を模式的に示す部分断面図である。 （ａ）～（ｄ）は、図１０の続きの有機ＥＬ表示パネルの製造過程を模式的に示す部分断面図である。 （ａ）、（ｂ）は、図１１の続きの有機ＥＬ表示パネルの製造過程を模式的に示す部分断面図である。 （ａ）～（ｃ）は、図１２の続きの有機ＥＬ表示パネルの製造過程を模式的に示す部分断面図である。 有機ＥＬ素子の機能層における第１変形例に係る積層構造を示す模式図である。 有機ＥＬ素子の機能層における第２変形例に係る積層構造を示す模式図である。 有機ＥＬ素子の機能層における第３変形例に係る積層構造を示す模式図である。 有機ＥＬ素子の別の変形例における積層構造を示す模式図である。 有機ＥＬ素子のさらに別の変形例における積層構造を示す模式図である。 本開示の一態様に係る有機ＥＬ表示パネルにおける、画素電極と補助電極とのレイアウトの変形例を示す平面図である。 上記変形例において、基板上に隔壁を形成した後、正孔注入層を形成した段階における、図１９のＢ－Ｂ線に相当する部分の模式断面図である。
≪本開示の一態様の概要≫
本開示の一態様に係る表示パネルは、基板上方に複数の画素電極が行列状に配され、各画素電極上に発光層が配されてなる表示パネルであって、前記基板上の行または列方向に隣接する画素電極の間隙の内の少なくとも１の間隙上に、前記画素電極と非接触な状態で、列または行方向に延伸する給電補助電極と、前記発光層上および前記給電補助電極上方に共通して配され、アルカリ金属またはアルカリ土類金属である第１金属のフッ化物を含む中間層と、前記発光層および前記給電補助電極の上方に前記中間層を介して共通して配され、電子輸送性および電子注入性のうち少なくとも一方の性質を有する有機材料に、希土類金属に属する第２金属がドープされてなる機能層と、前記発光層および前記給電補助電極の上方に前記機能層を介して共通して配された対向電極と、を有し、前記中間層の膜厚をｘ[ｎｍ]、前記機能層における前記第２金属のドープ濃度をｙ[ｗｔ％]とした場合に、１≦ｘ≦３、２０≦ｙ≦４０、ｙ≧１０ｘ＋１０の関係を満たしている。
係る態様により、発光効率の改善と製品の長寿命化が可能になると共に、補助電極と対向電極との間の電気抵抗が適切な範囲内に収まって、表示面全体に亘って印加される電圧のばらつきを抑制することができ、表示パネルの輝度むらを抑制することができる。
また、本開示の一態様に係る表示パネルは、前記第１金属が、Ｎａである。
アルカリ金属等のフッ化物は結晶性であり、不純物に対するブロック性が期待できるが、特に、ＮａＦは、他のアルカリ金属等のフッ化物が水に難溶性であるのに対して、可溶性であり、水分等を吸収して内部に閉じ込めてしまうので、ブロックされて撥かれた水分等が他の構成要素に悪影響を及ぼすおそれも少なく、他よりブロック性に優れている。
また、本開示の一態様に係る表示パネルは、前記第２金属が、Ｙｂである。
Ｙｂは、希土類金属の中でも低仕事関数であり、かつ、水分等の不純物に対してアルカリ金属等に比べて安定性が高いので、発光効率を改善しつつ製品の長寿命化が図れる。
また、本開示の一態様に係る表示パネルは、前記画素電極および前記給電補助電極は、同じ材料で構成されている。
係る態様により、画素電極と給電補助電極とを同じ材料を用いて一度の工程で形成することができるため、工程数の低減による作業効率の向上および材料共通化によるコスト抑制に資することができる。
また、本開示の一態様に係る表示パネルは、前記機能層における前記第２金属の含有量が、前記中間層から前記対向電極に近付くに連れて連続的に多くなっている。また、別の態様として、前記機能層が、前記中間層上に配された第１層部分と、前記第１層部分上に配された第２層部分とを含み、前記第２層部分における前記第２金属の含有の割合が、前記第１層部分における前記第２金属の含有の割合よりも大きい。
係る態様により、機能層の中間層側には、中間層における第１金属を適度に還元して、中間層の電子注入性とブロック性を確保するのに必要な第２金属の含有量にしつつ、機能層の対向電極側における第２金属の含有量を中間層側よりも大きくすることで、対向電極側からの機能層への電子注入性を向上すると共に、外部からの不純物の浸入を阻止して、表示パネルの寿命をさらに延ばせることができる。しかも、このように機能層の膜厚方向で第２金属の濃度に大小関係を設けているため、機能層全体としては第２金属のドープ量がそれほど増加することはなく、光透過性が必要以上に低下しないようにすることができる。
また、本開示の一態様に係る表示パネルは、前記機能層が、前記中間層に近い側から第１層部分、第２層部分および第３層部分を順に積層してなり、前記第１層部分、第２層部分、第３層部分における前記第２金属の含有の割合をそれぞれ、Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３とすると、Ｄ２＜Ｄ１≦Ｄ３である。
このように機能層の膜厚方向に第２金属の濃度を変化させることにより、第１層部分では、中間層の第１金属のフッ化物による対不純物ブロック性を発揮しつつ、適切に還元させて発光層への電子注入性を向上させるに必要な量の第２金属をドープし、また、第３層部分のドープ濃度を高くすることにより対向電極側からの機能層への電子注入性を向上するとともに外部からの不純物の浸入を阻止して、表示パネルの寿命をさらに延ばせることができる。しかも、中間の第２層部分では、第２金属のドープ量を少なくすることにより、機能層全体としては第２金属のドープ量をそれほど増加させることもないので、光透過性が必要以上に低下しないようにできる。
また、本開示の一態様に係る表示パネルは、前記機能層と前記対向電極との間に、透明導電膜が形成されている。
係る態様によれば、透明導電膜の膜厚を調整することにより、発光色の波長に応じた適切な光共振器構造を構築することが可能となる。
また、本開示の一態様に係る表示パネルは、前記発光層が、行方向に隣接する画素電極間を列方向に延在する隔壁によって仕切られている。
係る態様によれば、いわゆるラインバンク方式の表示パネルが提供される。これにより発光層をウエットプロセスで形成する場合に、膜厚の均一化が図れるというメリットがある。この場合、発光層の中間層と接触する面積が増加して発光層に含まれる不純物が中間層や機能層に浸透するおそれが大きくなるが、機能層のドープ金属が希土類金属であるので、不純物に対してアルカリ金属等に比して十分耐性があり、製品寿命を長くすることが可能である。
また、本開示の一態様に係る表示パネルは、トップエミッション型である。
トップエミッション型の表示パネルでは、光を射出する方向に、ＴＦＴなどからなる駆動回路が配されていないので、各発光部の開口率を大きくでき、発光効率に優れると共に、給電補助電極を画素電極と同じ層に同じ材料で形成することが可能となり、製造工程を簡易化でき、コストダウンに資する。
また、本開示の一態様に係る表示パネルの製造方法は、基板の上方に、画素電極と、前記基板の主面と平行な方向に前記画素電極と離れた給電補助電極とを形成し、前記画素電極の上方に発光層を形成し、アルカリ金属またはアルカリ土類金属である第１金属のフッ化物を含む中間層を、前記発光層上および前記給電補助電極上に共通して形成し、電子輸送性および電子注入性のうち少なくとも一方の性質を有する有機材料に、希土類金属に属する第２金属がドープされてなる機能層を、前記中間層を介して前記発光層および前記給電補助電極の上方に共通して形成し、前記機能層を介して前記発光層および前記給電補助電極の上方に共通して対向電極を形成する工程を含み、前記中間層の膜厚をｘ［ｎｍ］、前記機能層における前記第２金属のドープ濃度をｙ［ｗｔ％］とした場合に、１≦ｘ≦３、２０≦ｙ≦４０、ｙ≧１０ｘ＋１０の関係を満たしている。
係る態様によれば、発光効率の改善と製品の長寿命化が可能になると共に、補助電極と対向電極との間の電気抵抗が適切な範囲内に収まって、表示面全体に亘って印加される電圧のばらつきを抑制して輝度むらが抑制された表示パネルを提供できる。
また、本開示の一態様に係る表示パネルの製造方法では、前記画素電極を形成する工程と前記発光層を形成する工程との間に、正孔注入性および／または正孔輸送性を有する正孔移動容易化層を形成する工程をさらに含み、前記正孔移動容易化層および前記発光層の形成のうち少なくとも一つは、ウエットプロセスにより形成される。
製造コスト低減のため発光層や正孔移動容易化層をウエットプロセスにより形成した場合でも、上記態様により機能層のドープ金属が不純物に対して安定性が高いので、長寿命化が可能である。
なお、上記各開示の態様において「上」とは、絶対的な空間認識における上方向（鉛直上方）を指すものではなく、発光部の積層構造における積層順を基に、相対的な位置関係により規定されるものである。具体的には、基板の主面に垂直な方向であって、基板から積層物側に向かう側を上方向とする。また、例えば「基板上」と表現した場合は、基板に直接接する領域のみを指すのではなく、積層物を介した基板の上方の領域も含めるものとする。また、例えば「基板の上方」と表現した場合、基板と間隔を空けた上方領域のみを指すのではなく、基板上の領域も含めるものとする。
≪実施形態≫
以下、本開示の一態様に係る表示パネルについて、有機ＥＬ表示パネルを例にして図面を参照しながら説明する。なお、図面は、模式的なものを含んでおり、各部材の縮尺や縦横の比率などが実際とは異なる場合がある。
１．有機ＥＬ表示装置１の全体構成
図１は、本開示の態様に係る有機ＥＬ表示パネル１０を搭載した有機ＥＬ表示装置１の全体構成を示すブロック図である。有機ＥＬ表示装置１は、例えば、テレビ、パーソナルコンピュータ、携帯端末、業務用ディスプレイ（電子看板、商業施設用大型スクリーン）などに用いられる表示装置である。
有機ＥＬ表示装置１は、有機ＥＬ表示パネル１０と、これに電気的に接続された駆動制御部２００とを備える。
有機ＥＬ表示パネル１０は、本実施の形態では、上面が長方形状の画像表示面であるトップエミッション型の表示パネルである。有機ＥＬ表示パネル１０では、画像表示面に沿って複数の有機ＥＬ素子（不図示）が配列され、各有機ＥＬ素子の発光を組み合わせて画像を表示する。なお、有機ＥＬ表示パネル１０は、一例として、アクティブマトリクス方式を採用している。
駆動制御部２００は、有機ＥＬ表示パネル１０に接続された駆動回路２１０と、計算機などの外部装置又はアンテナなどの受信装置に接続された制御回路２２０とを有する。駆動回路２１０は、各有機ＥＬ素子に電力を供給する電源回路、各有機ＥＬ素子への供給電力を制御する電圧信号を印加する信号回路、一定の間隔ごとに電圧信号を印加する箇所を切り替える走査回路などを有する。
制御回路２２０は、外部装置や受信装置から入力された画像情報を含むデータに応じて、駆動回路２１０の動作を制御する。
なお、図１では、一例として、駆動回路２１０が有機ＥＬ表示パネル１０の周囲に４つ配置されているが、駆動制御部２００の構成はこれに限定されるものではなく、駆動回路２１０の数や位置は適宜変更可能である。また、以下では説明のため、図１に示すように、有機ＥＬ表示パネル１０上面の長辺に沿った方向をＸ方向、有機ＥＬ表示パネル１０上面の短辺に沿った方向をＹ方向とする。
２．有機ＥＬ表示パネル１０の構成
（Ａ）平面構成
図２は、有機ＥＬ表示パネル１０の画像表示面の一部を拡大した模式平面図である。有機ＥＬ表示パネル１０では、一例として、Ｒ（赤色）、Ｇ（緑色）、Ｂ（青色）（以下、単にＲ、Ｇ、Ｂともいう。）にそれぞれ発光する副画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂが行列状に配列されている。副画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂは、Ｘ方向に交互に並び、Ｘ方向に並ぶ一組の副画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂが、一つの画素Ｐを構成している。画素Ｐでは、階調制御された副画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂの発光輝度を組み合わせることにより、フルカラーを表現することが可能である。
また、Ｙ方向においては、副画素１００Ｒ、副画素１００Ｇ、副画素１００Ｂのいずれかのみが並ぶことでそれぞれ副画素列ＣＲ、副画素列ＣＧ、副画素列ＣＢが構成されている。これにより、有機ＥＬ表示パネル１０全体として画素Ｐが、Ｘ方向及びＹ方向に沿った行列状に並び、この行列状に並ぶ画素Ｐの発色を組み合わせることにより、画像表示面に画像が表示される。
副画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂには、それぞれＲ、Ｇ、Ｂの色に発光する有機ＥＬ素子２（Ｒ）、２（Ｇ）、２（Ｂ）（図３参照）が配置されている。
また、本実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネル１０では、いわゆるラインバンク方式を採用している。すなわち、副画素列ＣＲ、ＣＧ、ＣＢを１列ごとに仕切る隔壁（バンク）１４がＸ方向に間隔をおいて複数配置され、各副画素列ＣＲ、ＣＧ、ＣＢでは、副画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂが、有機発光層を共有している。
ただし、各副画素列ＣＲ、ＣＧ、ＣＢでは、副画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂ同士を絶縁する画素規制層１４１がＹ方向に間隔をおいて複数配置され、各副画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂは、独立して発光することができるようになっている。
なお、画素規制層１４１の高さは、有機発光層のインク塗布時における液面の高さよりも低くなっており、インク塗布時にレベリングにより液面の高さが均一になるように工夫されている。
図２では、隔壁１４及び画素規制層１４１は点線で表わされているが、これは、画素規制層１４１及び隔壁１４が、画像表示面の表面に露出しておらず、画像表示面の内部に配置されているからである。
また、本実施の形態では、各副画素列ＣＲ、ＣＧ、ＣＢと並行に補助電極領域ＣＥが形成されている。補助電極領域ＣＥは、隣接する副画素列ＣＢとＣＲと、隔壁１４を介して仕切られるが、補助電極領域ＣＥ内部には、画素規制層１４１は形成されず、画素電極１３と同じ層に補助電極１３１が列方向（Ｙ方向）に延在する。詳しくは、後述する。
（Ｂ）断面構成
図３は、図２のＡ－Ａ線に沿った模式断面図である。
有機ＥＬ表示パネル１０において、一つの画素は、Ｒ、Ｇ、Ｂをそれぞれ発光する３つの副画素からなり、各副画素は、対応する色を発光する有機ＥＬ素子２（Ｒ）、２（Ｇ）、２（Ｂ）で構成される。
各発光色の有機ＥＬ素子２（Ｒ）、２（Ｇ）、２（Ｂ）は、基本的には、ほぼ同様の構成を有するので、区別しないときは、有機ＥＬ素子２として説明する。
図３に示すように、有機ＥＬ素子２は、基板１１、層間絶縁層１２、画素電極（陽極）１３、補助電極１３１、隔壁１４、正孔注入層１５、正孔輸送層１６、有機発光層１７、中間層１８、機能層１９、対向電極（陰極）２０、および、封止層２１とからなる。
層間絶縁層１２、中間層１８、機能層１９、対向電極２０および封止層２１は、画素ごとに形成されているのではなく、有機ＥＬ表示パネル１０が備える複数の有機ＥＬ素子２に共通して形成されている。
（１）基板
基板１１は、絶縁材料である基材１１１と、ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）層１１２とを含む。ＴＦＴ層１１２には、副画素ごとに駆動回路が形成されている。基材１１１は、例えば、ガラス基板、石英基板、シリコン基板、硫化モリブデン、銅、亜鉛、アルミニウム、ステンレス、マグネシウム、鉄、ニッケル、金、銀などの金属基板、ガリウム砒素などの半導体基板、プラスチック基板等を採用することができる。
プラスチック材料としては、熱可塑性樹脂、熱硬化樹脂いずれの樹脂を用いてもよい。例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリアミド、ポリイミド（ＰＩ）、ポリカーボネート、アクリル系樹脂、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリブチレンテレフタレート、ポリアセタール、その他フッ素系樹脂、スチレン系、ポリオレフィン系、ポリ塩化ビニル系、ポリウレタン系、フッ素ゴム系、塩素化ポリエチレン系等の各種熱可塑性エラストマー、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル、シリコーン樹脂、ポリウレタン等、またはこれらを主とする共重合体、ブレンド体、ポリマーアロイ等が挙げられ、これらのうち１種、または２種以上を積層した積層体を用いることができる。
（２）層間絶縁層
層間絶縁層１２は、基板１１上に形成されている。層間絶縁層１２は、樹脂材料からなり、ＴＦＴ層１１２の上面の段差を平坦化するためのものである。樹脂材料としては、例えば、ポジ型の感光性材料が挙げられる。また、このような感光性材料として、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、シロキサン系樹脂、フェノール系樹脂が挙げられる。また、図３の断面図には示されていないが、層間絶縁層１２には、副画素ごとにコンタクトホールが形成されている。
（３）画素電極
画素電極１３は、光反射性の金属材料からなる金属層を含み、層間絶縁層１２上に形成されている。画素電極１３は、副画素ごとに設けられ、コンタクトホール（不図示）を通じてＴＦＴ層１１２と電気的に接続されている。
本実施の形態においては、画素電極１３は、陽極として機能する。
光反射性を具備する金属材料の具体例としては、Ａｇ（銀）、Ａｌ（アルミニウム）、アルミニウム合金、Ｍｏ（モリブデン）、ＡＰＣ（銀、パラジウム、銅の合金）、ＡＲＡ（銀、ルビジウム、金の合金）、ＭｏＣｒ（モリブデンとクロムの合金）、ＭｏＷ（モリブデンとタングステンの合金）、ＮｉＣｒ（ニッケルとクロムの合金）などが挙げられる。
画素電極１３は、金属層単独で構成してもよいが、金属層の上に、ＩＴＯ（酸化インジウム錫）やＩＺＯ（酸化インジウム亜鉛）のような金属酸化物からなる層を積層した積層構造としてもよい。
（４）補助電極
補助電極１３１は、基板１１の主面に平行な方向において画素電極１３と離れて、層間絶縁層１２上に設けられている。補助電極１３１は、アルミニウム等の金属の導電性の材料から成る。なお、補助電極１３１は、導電性の材料から成る層が複数積層されて構成されてもよい。
また、補助電極１３１は、画素電極１３と同じ材料で構成されていてもよい。その場合、画素電極１３と補助電極１３１とを共通の工程で一度に形成することができるため、製造が容易である。
ここで、画素電極１３および補助電極１３１の形状および相対的な位置関係について説明する。図４は、画素電極１３および補助電極１３１の平面視におけるレイアウトを示す平面図である。
同図に示すように、本実施の形態では、画素電極１３は平面視矩形状であり、補助電極１３１は、列方向（Ｙ軸方向）に延びるライン状である。画素電極１３は、行方向（Ｘ軸方向）および列方向（Ｙ軸方向）に沿ってマトリクス状（行列状）に並べられて配置されている。
隣り合う補助電極１３１間には、画素電極１３のＹ軸方向の列が３列配されている。即ち、補助電極１３１は、画素電極１３の列に並行であって３列おきに配置されている。このように補助電極１３１が配置され、対向電極２０と電気的に接続されることにより、対向電極２０の外周部分からの距離に係らず、各画素に対して安定した電圧が印加され、対向電極２０のシート抵抗に由来する輝度むらが生じにくい。
（５）隔壁・画素規制層
図３に戻り、隔壁１４は、基板１１の上方に副画素ごとに配置された複数の画素電極１３を、Ｘ方向（図２参照）において列毎に仕切るものであって、Ｘ方向に並ぶ副画素列ＣＲ、ＣＧ、ＣＢの間においてＹ方向に延伸するラインバンク形状である。
この隔壁１４には、電気絶縁性材料が用いられる。電気絶縁性材料の具体例として、例えば、絶縁性の有機材料（例えば、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック樹脂、フェノール樹脂等）が用いられる。
隔壁（列バンク）１４は、有機発光層１７をウエットプロセスで形成する場合に塗布された各色のインクが溢れて混色しないようにするための構造物として機能する。
なお、樹脂材料を用いる際は、加工性の点から感光性を有することが好ましい。当該感光性は、ポジ型、ネガ型のいずれであってもよい。
隔壁１４は、有機溶媒や熱に対する耐性を有することが好ましい。また、インクの流出を抑制するために、隔壁１４の表面は撥液性を有することが好ましい。
画素電極１３が形成されていない部分において、隔壁１４の底面が層間絶縁層１２の上面と接している。
画素規制層（行バンク）１４１は、電気絶縁性材料からなり、各副画素列においてＹ方向（図２）に隣接する画素電極１３の端部を覆い、当該Ｙ方向に隣接する画素電極１３同士を仕切っている。
画素規制層１４１は、インクが濡れやすい特徴を有している。これにより、各副画素列ＣＲ、ＣＧ、ＣＢにおける有機発光層１７は、画素規制層１４１によっては仕切られず、有機発光層１７を形成する際のインクの流動が妨げられない。これにより塗布されたインクの液面がレベリングされ、各副画素列における有機発光層１７の厚みを均一に揃えることが可能となる。
画素規制層１４１は、上記構造により、Ｙ方向に隣接する画素電極１３の電気絶縁性を向上しつつ、各副画素列ＣＲ、ＣＧ、ＣＢにおける有機発光層１７の段切れ抑制、画素電極１３と対向電極２０との間の電気絶縁性の向上などの役割を有する。
画素規制層１４１に用いられる電気絶縁性材料の具体例としては、上記隔壁１４の材料として例示した樹脂材料や無機材料などが挙げられる。また、上述のように上層となる有機発光層１７を形成する際、インクが濡れ広がりやすいように、画素規制層１４１の表面はインクに対する親液性を有することが好ましい。
（６）正孔注入層
正孔注入層１５は、画素電極１３から有機発光層１７への正孔の注入を促進させる目的で、画素電極１３上に設けられている。正孔注入層１５は、例えば、Ａｇ（銀）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｃｒ（クロム）、Ｖ（バナジウム）、Ｗ（タングステン）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｉｒ（イリジウム）などの酸化物、あるいは、ＰＥＤＯＴ（ポリチオフェンとポリスチレンスルホン酸との混合物）などの導電性ポリマー材料からなる層である。例えばスパッタプロセスやウエットプロセスにより形成しても良い。
上記のうち、酸化金属からなる正孔注入層１５は、仕事関数が大きく、正孔輸送層１６あるいは、有機発光層１７に対し安定的に正孔を注入する。
正孔注入層１５は、ウエットプロセスの場合、補助電極１３１上には形成されない。
（７）正孔輸送層
正孔輸送層１６は、開口部１４ａ内に形成されており、正孔注入層１５から注入された正孔を有機発光層１７へ輸送する機能を有する。正孔輸送層１６は、例えば、ポリフルオレンやその誘導体、あるいは、ポリアリールアミンやその誘導体などの高分子化合物であって、ウエットプロセスにより形成される。
この正孔輸送層１６も、補助電極１３１上には形成されない。
（８）有機発光層
有機発光層１７は、開口部１４ａ内に形成されており、正孔と電子の再結合により、Ｒ、Ｇ、Ｂの各色の光を発光する機能を有する。なお、特に、発光色を特定して説明する必要があるときには、有機発光層１７（Ｒ）、１７（Ｇ）、１７（Ｂ）と記す。
有機発光層１７の材料として、具体的に例えば、オキシノイド化合物、ペリレン化合物、クマリン化合物、アザクマリン化合物、オキサゾール化合物、オキサジアゾール化合物、ペリノン化合物、ピロロピロール化合物、ナフタレン化合物、アントラセン化合物、フルオレン化合物、フルオランテン化合物、テトラセン化合物、ピレン化合物、コロネン化合物、キノロン化合物及びアザキノロン化合物、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、ローダミン化合物、クリセン化合物、フェナントレン化合物、シクロペンタジエン化合物、スチルベン化合物、ジフェニルキノン化合物、スチリル化合物、ブタジエン化合物、ジシアノメチレンピラン化合物、ジシアノメチレンチオピラン化合物、フルオレセイン化合物、ピリリウム化合物、チアピリリウム化合物、セレナピリリウム化合物、テルロピリリウム化合物、芳香族アルダジエン化合物、オリゴフェニレン化合物、チオキサンテン化合物、シアニン化合物、アクリジン化合物、８－ヒドロキシキノリン化合物の金属錯体、２－ビピリジン化合物の金属錯体、シッフ塩とＩＩＩ族金属との錯体、オキシン金属錯体、希土類錯体などの蛍光物質で形成されることが好ましい。
なお、有機発光層１７は、補助電極１３１上には形成されない。
（９）中間層
中間層１８は、有機発光層１７、正孔輸送層１６、正孔注入層１５、隔壁１４、画素規制層１４１の内部や表面に存在する不純物が、機能層１９や対向電極２０へと侵入するのを防止するための層である。製造上の便宜の観点から、中間層１８は、複数の画素と補助電極領域ＣＥに共通して設けられる。
中間層１８は、不純物に対するブロック性を有する材料からなり、具体的には、アルカリ金属のフッ化物およびアルカリ土類金属から選択された金属（以下、「第１金属」という。）のフッ化物であり、フッ化ナトリウム（ＮａＦ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）等を用いることができる。
本実施の形態においてはＮａＦが用いられている。
（１０）機能層
機能層１９は、対向電極２０から供給される電子を有機発光層１７側へと注入・輸送する機能を有する。機能層１９は、有機材料、特に、電子輸送性および電子注入性の少なくとも一方の特性（以下、「電子移動容易化特性」という。）を有する有機材料に、希土類金属に属する金属をドープしてなる。有機材料にドープされる金属（以下、「第２金属」という。）は、中間層１８に含まれる第１金属のフッ化物を還元して第１金属とフッ素との結合を分解する機能を有する。本実施の形態では、第２金属として、Ｙｂ（イッテルビウム）を使用している。
なお、上記電子移動容易化特性を有する有機材料（ホスト材料）として、例えば、オキサジアゾール誘導体（ＯＸＤ）、トリアゾール誘導体（ＴＡＺ）、フェナンスロリン誘導体（ＢＣＰ、Ｂｐｈｅｎ）などのπ電子系低分子有機材料が挙げられるが、これらに限定されない。
（１１）対向電極
対向電極２０は、透光性の導電性材料からなり、機能層１９上に形成されている。対向電極２０は、陰極として機能する。
対向電極２０としては、金属薄膜または、ＩＴＯやＩＺＯ、ＡＺＯなどの透明導電膜を用いることができる。本実施の形態では、光共振器構造をより効果的に得るため、対向電極２０の材料として、アルミニウム、マグネシウム、銀、アルミニウム－リチウム合金、マグネシウム－銀合金等のうち少なくとも１つの材料からなる金属薄膜を形成するのが望ましい。この場合において、金属薄膜の膜厚は、５ｎｍ以上３０ｎｍ以下として半透過性（ハーフミラー）とすることが望ましい。
（１２）封止層
封止層２２は、正孔輸送層１６、有機発光層１７、機能層１９などの有機層が外部の不純物に晒されて劣化するのを防止するために設けられるものである。
封止層２２は、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）などの透光性材料を用いて形成される。
（１３）その他
図３には示されてないが、封止層２２上に透明な接着剤を介して防眩用の偏光板や上部基板を貼り合せてもよい。また、各有機ＥＬ素子２により発光される光の色度を補正するためのカラーフィルター基板を貼り合わせてもよい。これらにより、正孔輸送層１６、有機発光層１７、機能層１９などを外部の不純物からさらに保護できる。
３．中間層、機能層の材質および膜厚の範囲、機能層のドープ濃度について
図５（ａ）は、上記有機ＥＬ表示パネル１０の各有機ＥＬ素子２における画素電極（陽極）１３から封止層２２までの積層構造がわかりやすいように模式的に示した図であり、図５（ｂ）は、有機ＥＬ素子２の補助電極１３１の部分における補助電極１３１から対向電極２０までの積層構造を模式的に示す図である。
（１）中間層について
図５（ａ）に示すように、有機発光層１７の上には、不純物に対して高いブロック性を有するＮａＦからなる中間層１８が形成され、その上に有機材料にＹｂをドープした機能層１９が形成される。
図３に示すように、中間層１８は、有機発光層１７の上面と隔壁１４とを共通に覆っているので、有機発光層１７およびそれより下層の正孔注入層１５、正孔輸送層１６の少なくとも一層を、印刷法などのウエットプロセスで形成して水分等の不純物が残存しても、それらが、機能層１９に浸入するのをブロックすることができる。
また、上に積層された機能層１９中のＹｂにより、ＮａＦの一部が還元されて、解離したＮａにより有機発光層１７への電子注入性が付与される。
中間層１８を形成するＮａＦは、上述のように有機発光層１７への電子注入性と、不純物に対するブロック性を有しており、その膜厚は、１ｎｍ以上、３ｎｍ以下が望ましい。
膜厚が１ｎｍ未満であると、薄すぎて中間層１８から有機発光層１７への電子注入性と、機能層１９への不純物のブロック性の効果を十分に発揮できず、また、膜厚が３ｎｍを超えると、機能層１９のドープ金属による還元作用が十分に中間層１８内部に作用せず、コンタクト抵抗が大きくなって、補助電極の機能を十分に果たすことができず、対抗電極のシート抵抗に由来する輝度むらが解消されなくなってしまうからである。
（２）機能層について
また、上述のように、本実施の形態では、機能層１９のドープ金属として、従来のＢａ（アルカリ土類金属）とは異なる希土類金属のＹｂ（イッテルビウム）を採用している。
希土類金属は、比較的仕事関数が低いため、それ自体で電子注入性に優れると共に、還元性を有するため、中間層１８のアルカリ金属等のフッ化物を還元して解離させ、アルカリ金属等の本来有する電子注入性を発揮させることができ、発光効率の向上に資する。
また、アルカリ土類金属に比して、不純物との反応性が低いというメリットも併せ持つので、中間層１８や対向電極２０でブロックしきれない不純物が機能層１９に浸入しても、電子注入特性が劣化しにくい。そのため有機ＥＬ素子の寿命をより長くすることができる。
これにより、本実施の形態の構成によれば、有機ＥＬ素子２の正孔注入層１５、正孔輸送層１６、有機発光層１７などのうち少なくとも１層をウエットプロセスにより塗布膜として形成して製造コストを低減させつつ、当該塗布膜に含有される不純物と、外部から浸入してくる不純物とをブロックし、機能層１９の電子注入性の劣化を可及的に抑制することにより有機ＥＬ素子の寿命を大幅に延ばすことができる。
なお、機能層１９のドープ金属であるＹｂは、陰極である対向電極２０からの電子注入性に優れると共に、従来のＢａなどと比べて透明度が高いので、その膜厚は、５ｎｍ以上、３０ｎｍ以下の範囲とすることができる。
膜厚が５ｎｍ未満であると、薄すぎて十分に中間層１８のＮａＦを還元できずに対向電極２０から十分電子を注入することができず、また、膜厚が３０ｎｍを超えると、光の透過率が悪くなって光取出し効率が悪化し、発光効率に支障を生ずるおそれがあるからである。
なお、中間層１８は、下層の有機層から機能層１９への不純物の移動をブロックする機能と有機発光層１７への電子注入の２つの機能を同時に担っているので、中間層１８を有機発光層１７上に直接積層すると共に、中間層１８上に接して機能層１９を形成するのが効果的である。
（３）機能層におけるＹｂのドープ濃度
機能層１９におけるＹｂのドープ濃度を３ｗｔ％以上４０ｗｔ％以下の範囲とすることが望ましい。３ｗｔ％未満であると必要な電子注入性を得られず、また、４０ｗｔ％を超えると、透明度が劣化して発光効率を低下させるおそれがあるからである。
なお、従来のようにＢａをドープ金属にした場合には、そのドープ濃度は５ｗｔ％以上４０ｗｔ％以下が望ましいとされてきた。ＹｂとＢａは、電子注入特性がほぼ同等であるが、Ｙｂの方がドープ濃度の下限が小さいのは、Ｙｂは、Ｂａに比べて水分等の不純物に対する反応性が低いため、ドープ濃度が低くても一定以上の電子注入性を長時間確保できるからである。
４．希土類金属の中からＹｂを選択することの意義
希土類金属は、総じて仕事関数が低いため電子注入性を有すると共に、標準還元電位が負の値（－２．１９Ｖ）であるため還元性を有し、かつ、その標準還元電位の負の値の絶対値が、Ｂａ（－２．９２）よりも小さいため、その分、化学的に安定しており、水分等との反応性が抑制されるので、有機ＥＬ素子のさらなる長寿命化が実現できる。
とりわけ、Ｙｂは、希土類金属の中では、仕事関数が一番低く（２．６３ｅＶ）、電子注入性に優れると共に、標準還元電位の負の値の絶対値も比較的大きな部類に属するため、還元性に優れるというメリットがある。これにより中間層１８におけるＮａＦの一部を解離させ電子注入性を増すことができる。
また、Ｙｂは他の希土類金属の中でも沸点が低く（１１９６℃）、蒸着プロセスに適している。
さらに、機能層１９の消衰係数を実験により測定したところ、図６（ａ）のグラフに示すような結果が得られた。同グラフにおいて、横軸は、光の周波数を示しており、縦軸は、消衰係数の大きさを示している。消衰係数は無次元であり、その値が大きいほど光の透過性が悪いことを示す。
また、実線は、電子輸送性の有機材料にＹｂを３０ｗｔ％ドープした機能層についての実験結果を示し、破線は、同じ電子輸送性の有機材料にＢａを３０ｗｔ％ドープした機能層についての実験結果を示す。なお、双方のサンプルとも機能層の膜厚は同じもので実験した。
図６（ａ）のグラフに示すように、一部の波長域（約５３０ｎｍ～５７０ｎｍ）を除き、Ｙｂをドープした機能層の方がＢａをドープした場合よりも消衰係数が小さく、透光性に優れていることが分かる。
図６（ｂ）は、良好なカラー表示画像を得るため、Ｒ、Ｇ、Ｂの各発光色の有機ＥＬ素子において目標とすべきピーク波長と、そのピーク波長における消衰係数を、ドープ金属がＹｂとＢａとの場合で比較して示すテーブルである。
同テーブルに示すように、Ｂ、Ｇ、Ｒの各目標ピーク波長（４５０ｎｍ、５２０ｎｍ、６２０ｎｍ）の全てにおいて、ドープ金属をＹｂにした方が、Ｂａである場合よりも、消衰係数が小さく、両者の比（Ｙｂ／Ｂａ）も、全て「１未満」となり、ドープ金属をＹｂとした方が透明性に優れていることが分かる。
特に、発光色がＲの場合には、消衰係数が、１１％以上も小さくなるため、その分、光取り出し効率が増し、ひいては発光効率が向上する。
以上の検討により、機能層１９のドープ金属として希土類金属、特にＹｂを使用することにより、アルカリ土類金属であるＢａをドープした場合よりも、水分等に対する耐性が強くさらなる長寿命化が可能となり、かつ、発光効率が向上すると共に、蒸着による成膜が容易であるという効果が得られる。
５．中間層の膜厚および機能層のＹｂ濃度とコンタクト抵抗との関係
上記３では中間層の膜厚や機能層のＹｂのドープ濃度はあくまでも、有機ＥＬ素子２における発光効率や長寿命化の観点から考察したが、背景技術でも説明したように対向電極２０のシート抵抗由来の輝度むらの解消には、補助電極１３１と対向電極２０間のコンタクト抵抗をできるだけ下げるのが望ましい。
そこで、以下では、補助電極１３１と、対向電極２０間のコンタクト抵抗が良好となる条件について検討する。
図５（ｂ）に示すように本実施の形態では、補助電極１３１と対向電極２０との間には中間層１８と機能層１９が介在する。
中間層１８をＮａＦで形成し、機能層１９は有機材料にＹｂをドープさせる構成において、コンタクト抵抗を低減させるためには、主に２つの方法が考えられる。
第１に、電気絶縁性を有するＮａＦの量を少なくする、即ち、中間層１８の膜厚を薄くする方法である。第２に、機能層１９中のＹｂのドープ濃度を高くして、中間層１８のＮａＦをより多く還元して、Ｎａを遊離させる方法である。
そこで、中間層１８の膜厚（即ち、ＮａＦの量）と機能層１９中のＹｂ濃度とを変えた１６種類のサンプルを作成し、それぞれについて補助電極１３１と対向電極２０間のコンタクト抵抗の値を測定した。
本実験において、コンタクト抵抗は、機能層１９の対向電極２０との接触面のうち平坦な部分における第１点と、この第１点に対応する中間層１８の補助電極１３１との接触面における第２点との間の抵抗を抵抗測定装置により計測して得た（第１点と第２点は、補助電極１３１に垂直な同一直線上にある。）。
測定対象となったサンプルの構成およびコンタクト抵抗の測定結果を、図７のテーブルに示す。
図７に示すように、機能層１９中のＹｂのドープ濃度（以下、単に「Ｙｂ濃度」と言う。）については、サンプル１～４が１０［ｗｔ％］であり、サンプル５～８が２０［ｗｔ％］であり、サンプル９～１２が３０［ｗｔ％］であり、サンプル１３～１６が４０［ｗｔ％］である。
中間層１８の膜厚については、サンプル１、５、９、１３が１［ｎｍ］であり、サンプル２、６、１０、１４が２［ｎｍ］であり、サンプル３、７、１１、１５が３［ｎｍ］であり、サンプル４、８、１２、１６が４［ｎｍ］である。
なお、サンプル１～４、および７、８については、コンタクト抵抗の値が測定機器の測定限界を超えたため、測定不能であった。
本願発明者の知見によれば、コンタクト抵抗の値が５．０Ｅ＋０５［Ω］以下であれば、高い抵抗を有する対向電極２０ではなく、抵抗が低く応答性の高い、補助電極１３１を通じて給電が可能となる。すなわち、対向電極２０のシート抵抗を低減させることとなり、その結果、輝度むらが解消する。
図７のテーブルにおいて、コンタクト抵抗の値が５．０Ｅ＋０５［Ω］以下であるのは、太枠で囲んだものであり、それぞれサンプル５、９、１０、１３、１４、１５の６つである。従って、これら３つのサンプルを実用に適する（Ｓａｔｉｓｆａｃｔｏｒｙ）と判定し、それ以外のサンプルを実用に適さない（Ｕｎｓａｔｉｓｆａｃｔｏｒｙ）と判定した。
図８は、上記判定の結果を、縦軸（ｙ軸）に機能層１９中のＹｂ濃度［ｗｔ％］を、横軸（ｘ軸）に中間層１８の膜厚［ｎｍ］を取ってグラフ上にプロットした図である。
なお、○（輪郭線のみの円）は、コンタクト抵抗の値が実用に適する（Ｓａｔｉｓｆａｃｔｏｒｙ）と判定されたサンプルを示し、◆（黒く塗りつぶされたダイヤ形）は、コンタクト抵抗の値が実用に適さない（Ｕｎｓａｔｉｓｆａｃｔｏｒｙ）と判定されたサンプルを示す。また、図中の括弧内の数字は、サンプル番号を示す。
図８に示すように、コンタクト抵抗が実用に適すると判定されたサンプルは、５、９、１０、１３、１４、１５の６個のみである。
従って、この６つの点を含む領域（図８において、斜線で示す領域）内に位置するサンプルであれば、コンタクト抵抗の値が実用に適すると考えられる。
ここで、サンプル５、１０、１５を結ぶ直線Ｌは、数式ｙ＝１０ｘ＋１０で表わされる。従って、上記の領域は、縦軸（ｙ軸）に機能層１９中のＹｂ濃度［ｗｔ％］を、横軸（ｘ軸）に中間層１８の膜厚［ｎｍ］を取った場合に、１≦ｘ≦３、２０≦ｙ≦４０、ｙ≧１０ｘ＋１０の関係を満たす領域である。以下、上記の領域を、「実用適性領域」という。
このような実用適正領域の範囲内で、中間層１８の膜厚と機能層１９のドープ濃度を設定することにより、各有機ＥＬ素子における発光効率の改善と長寿命化が可能になると共に、有機ＥＬ表示パネル１０全体として、対向電極２０のシート抵抗由来の輝度むらを効果的に抑制することができるものである。
６．有機ＥＬ表示パネルの製造方法
次に、有機ＥＬ表示パネル１０の製造方法の一例を、図９～図１３を用いて説明する。
図９は、有機ＥＬ表示パネル１０の製造過程を示すフローチャートであり、図１０～１３は、有機ＥＬ表示パネル１０の製造過程を模式的に示す部分断面図である。
（１）基板準備工程（図９：ステップＳ１）
先ず、図１０（ａ）に示すように、基材１１１上にＴＦＴ層１１２を成膜して基板１１を準備する。ＴＦＴ層１１２は、公知のＴＦＴの製造方法により成膜することができる。
（２）層間絶縁層形成工程（図９：ステップＳ２）
次に、図１０（ｂ）に示すように、基板１１上に、層間絶縁層１２を形成する。
具体的には、一定の流動性を有する樹脂材料を、例えば、ダイコート法により、基板１１の上面に沿って、ＴＦＴ層１１２による基板１１上の凹凸を埋めるように塗布した後、焼成する。これにより、層間絶縁層１２の上面は、基材１１１の上面に沿って平坦化した形状となる。
また、層間絶縁層１２における、ＴＦＴ素子の例えばソース電極上の個所にドライエッチング法を行い、コンタクトホール（不図示）を形成する。コンタクトホールは、その底部にソース電極の表面が露出するようにパターニングなどを用いて形成される。
次に、コンタクトホールの内壁に沿って接続電極層を形成する。接続電極層の上部は、その一部が層間絶縁層１２上に配される。接続電極層の形成は、例えば、スパッタリング法を用いることができ、金属膜を成膜した後、フォトリソグラフィ法およびウエットエッチング法を用いてパターニングすればよい。
（３）画素電極・補助電極形成工程（図９：ステップＳ３）
続いて、図１０（ｃ）に示すように、層間絶縁層１２上に画素電極１３および補助電極１３１を形成する。
画素電極１３および補助電極１３１は、アルミニウムなどの真空蒸着法またはスパッタ法に基づき、厚み１５０［ｎｍ］程度の金属層を形成した後に、エッチングによりパターニングして形成する。
このパターニングにより画素電極１３は、副画素ごとに形成され、補助電極１３１は列方向にライン状に延在して形成される（図４参照）。
このように画素電極１３と補助電極１３１を、同じ金属材料で同じ層間絶縁層１２上に同時に形成することにより製造プロセスの簡易化とコストダウンが図れる。
（４）隔壁・画素規制層形成工程（図９：ステップＳ４）
次に、隔壁１４および画素規制層１４１を形成する。
本実施の形態では、画素規制層１４１と隔壁１４を別工程で形成するようにしている。
（４－１）画素規制層形成工程
まず、Ｙ方向（図２）における画素電極列を副画素毎に仕切るため、Ｘ方向に伸びる画素規制層１４１を形成する。
図１１（ａ）に示すように、画素電極１３、正孔注入層１５が形成された層間絶縁層１２上に、画素規制層１４１の材料となる感光性の樹脂材料を一様に塗布して、乾燥後に目標の画素規制層１４１の高さと等しくなるような膜厚の画素規制層材料層１４１０を形成する。
具体的な塗布方法として、例えばダイコート法やスリットコート法、スピンコート法などのウエットプロセスを用いることができる。塗布後には、例えば、真空乾燥及び６０℃～１２０℃程度の低温加熱乾燥（プリベーク）などを行って不要な溶媒を除去するとともに、画素規制層材料層１４１０を層間絶縁層１２に定着させることが好ましい。
そして、フォトリソグラフィ法を用いて、画素規制層材料層１４１０をパターニングする。
例えば、画素規制層材料層１４１０がポジ型の感光性を有する場合は、画素規制層１４１として残す箇所を遮光し、除去する部分が透明なフォトマスク（不図示）を介して画素規制層材料層１４１０を露光する。
次に、現像を行い、画素規制層材料層１４１０の露光領域を除去することにより、画素規制層１４１を形成することができる。具体的な現像方法としては、例えば、基板１１全体を、画素規制層材料層１４１０の露光により感光した部分を溶解させる有機溶媒やアルカリ液などの現像液に浸した後、純水などのリンス液で基板１１を洗浄すればよい。
その後、所定温度で焼成（ポストベーク）することにより、層間絶縁層１２上に、Ｘ方向に延伸する画素規制層１４１を形成することができる（図１１（ｂ））。
なお、画素規制層１４１は、補助電極１３１の配された補助電極形成領域には形成されない。
（４－２）隔壁形成工程
次に、Ｙ方向に伸びる隔壁１４を上記画素規制層１４１と同様にして形成する。
すなわち、上記画素電極１３、正孔注入層１５、画素規制層１４１が形成された層間絶縁層１２上に、隔壁用の樹脂材料を、ダイコート法などを用いて塗布して、乾燥後に目標の隔壁１４の高さとなるような膜厚の隔壁材料層１４０を形成し（図１１（ｃ））、フォトリソグラフィ法により隔壁材料層１４０にＹ方向に延在する隔壁１４をパターニングした後、所定の温度で焼成して隔壁１４を形成する（図１１（ｄ））。
なお、上記では、画素規制層１４１と隔壁１４のそれぞれの材料層をウエットプロセスで形成した後にパターニングするようにしたが、いずれか一方または双方の材料層をドライプロセスで形成して、フォトリソグラフィ法とエッチング法により、パターニングするようにしてもよい。
また、隔壁１４の形成工程においては、さらに、隔壁１４の表面を所定のアルカリ性溶液や水、有機溶媒等によって表面処理するか、プラズマ処理を施すこととしてもよい。これは、開口部１４ａに塗布するインク（溶液）に対する隔壁１４の接触角を調節する目的で、もしくは、表面に撥水性を付与する目的で行われる。
（５）正孔注入層形成工程（図９：ステップＳ５）
次に、ウエットプロセスにより、隔壁１４が規定する開口部１４ａに対して、印刷装置の塗布ヘッド３０１のノズル３０１１から吐出して正孔注入層の構成材料を含むインクを塗布し、正孔注入層１５を形成する。本実施の形態では、補助電極１３１上にはインクを塗布せずに正孔注入層１５を形成しないようになっている。できるだけ、補助電極１３１と対向電極２０間に介在する層を減らしてコンタクト抵抗を低減させるためである。
もっとも、補助電極１３１上に正孔注入層１５を形成しても補助電極１３１と対向電極２０間のコンタクト抵抗が、上記閾値内になるように、正孔注入層１５の膜厚、材料が選択されるのであれば、補助電極１３１上に正孔注入層１５を形成しても構わない。
（６）正孔輸送層形成工程（図９：ステップＳ６）
次に、正孔輸送層１６の構成材料を含むインクを、印刷装置の塗布ヘッド３０１のノズル３０１１から吐出して開口部１４ａ内の正孔注入層１５上に塗布し（印刷法）、その後、乾燥させて、正孔輸送層１６を形成する。この場合にも正孔輸送層１６のインクは、画素電極列の上方においてＹ方向（図２）に沿って延伸するように塗布されるが、補助電極１３１の上方開口部１４ｂには塗布されない。
図１２（ａ）は、正孔注入層１５形成後、正孔輸送層１６形成途中の様子を示す。
（７）有機発光層形成工程（図９：ステップＳ７）
次に、上記正孔輸送層１６の上方に、有機発光層１７を形成する。
具体的には、図１２（ｂ）に示すように、各開口部１４ａに対応する発光色の発光材料を含むインクを、印刷装置の塗布ヘッド３０１のノズル３０１１から順次吐出して開口部１４ａ内の正孔輸送層１６上に塗布する。この際、インクを画素規制層１４１の上方においても連続するように塗布する。これにより、Ｙ方向に沿ってインクが流動可能となり、その液面がレベリングされて、インクの塗布むらがなくなり、同一の副画素列における有機発光層１７の膜厚を均一化することが可能となる。
そして、インク塗布後の基板１１を真空乾燥室内に搬入して真空環境下で加熱することにより、インク中の有機溶媒を蒸発させる。これにより、有機発光層１７を形成できる。
（８）中間層形成工程（図９：ステップＳ８）
次に、図１３（ａ）に示すように、有機発光層１７および隔壁１４並びに補助電極１３１上に、中間層１８を共通に形成する。中間層１８は、ＮａＦを蒸着法により成膜することにより形成される。
（９）機能層形成工程（図９：ステップＳ９）
次に、図１３（ｂ）に示すように、中間層１８上に、機能層１９を形成する。機能層１９は、例えば、電子輸送性の有機材料とドープ金属であるＹｂを共蒸着法によって各副画素に共通して成膜することにより形成される。
（１０）対向電極形成工程（図９：ステップＳ１０）
次に、機能層１９上に、各副画素に共通して対向電極２０を形成する。本実施の形態では、対向電極２０は、銀、アルミニウム等を、スパッタリング法、真空蒸着法により成膜することにより形成される。
（１１）封止層形成工程（図９：ステップＳ１１）
次に、対向電極２０上に、封止層２１を形成する。封止層２１は、ＳｉＯＮ、ＳｉＮ等を、スパッタリング法、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法などにより成膜して形成する。
以上の工程を経ることにより有機ＥＬ表示パネル１０が完成する。なお、上記中間層形成工程および機能層形成工程において、機能層１９中のＹｂ濃度および中間層１８の膜厚が、実用適性領域内に収まるように調整される。
［実施の形態のまとめ］
以上説明したように、本開示の一態様に係る有機ＥＬ表示パネル１０の構成によれば、機能層１９内にＹｂがドープされることにより、有機ＥＬ表示パネル１０のさらなる長寿命化を可能にすると共に発光効率の向上が望める。
また、機能層１９中のＹｂ濃度および中間層１８の膜厚が、実用適性領域内に収まるように調整されているため、コンタクト抵抗の値が実用に適する範囲内となり、各画素に印加される電圧のばらつきが抑制され、輝度むらを抑制することができる。
ここで、実用適性領域とは、ｙ軸に機能層１９中のＹｂ濃度［ｗｔ％］を、ｘ軸に中間層１８の膜厚［ｎｍ］を取った場合に、１≦ｘ≦３、２０≦ｙ≦４０、ｙ≧１０ｘ＋１０の関係を満たす領域である。
≪変形例≫
以上、本発明の一態様に係る有機ＥＬ表示パネルおよびその製造方法などの実施の形態について説明したが、本発明は、その本質的な特徴的構成要素を除き、以上の説明に何ら限定を受けるものではない。以下では、本発明の他の開示の態様である変形例について説明する。
なお、以下で紹介する有機ＥＬ素子の積層構造を示す図においては、簡略化のため、一部の例外（図１８）を除き、原則として画素電極１３から対向電極２０までの積層構造を示し、その上方にある封止層２１の図示を省略している。
（１）機能層の構成の変形例
上記実施の形態では、機能層１９は単層で、かつ、Ｙｂのドープ濃度が均一になるようにしたが、次のような構成にしてもよい。
（１－１）機能層を単層構造のまま膜厚方向にＹｂの濃度勾配を設ける構成
図１４は、第１変形例に係る有機ＥＬ素子２の積層構造を示す模式図である。
同図に示すように、機能層１９のＹｂのドープ濃度が対向電極２０に接する側は、Ｄ２ｗｔ％で、中間層１８に近付くに連れてドープ濃度が少なくなり、中間層１８と接する部分では、Ｄ１ｗｔ％（Ｄ１＜Ｄ２）となるように構成されている。
このように機能層１９のＹｂ含有量を連続して変化させることで、中間層のＮａＦの不純物に対するブロック性を発揮しつつ、中間層には弱い還元性を作用させ、電子注入性は制限しつつも不純物の機能層への侵入をより抑制でき、Ｙｂドープ量の増加によって光透過性が必要以上に低下しないようにすることもできる。また、陰極側の濃度を高くすることで陰極側からの機能層への電子注入性を向上するとともに外部からの不純物の浸入を阻止して、有機ＥＬ素子の寿命を更に延ばせることができる。
これにより、より発光効率に優れ、長寿命化が可能な有機ＥＬ素子を提供できる。
なお、Ｙｂのドープ濃度を徐々に変化させる方法として、例えば、共蒸着法において、Ｙｂを加熱する電気炉の温度と有機材料を加熱する電気炉の温度をそれぞれ制御して、Ｙｂの蒸着速度を、有機材料の蒸着速度に対して相対的に遅くさせていくことにより達成できる。
本変形例の場合でも、ドープ濃度Ｄ１、Ｄ２の双方の値と中間層１８の膜厚が、上記実用適性領域の範囲内になるように設定される。
（１－２）機能層が２層構造
図１５は、第２変形例に係る有機ＥＬ素子２の積層構造を示す模式図である。
同図に示すように、機能層１９を、第１層部分１９１と第２層部分１９２の２層構造とし、第２層部分１９２のＹｂのドープ濃度（Ｄ２ｗｔ％）を第１層部分１９１のＹｂのドープ濃度（Ｄ１ｗｔ％）より高くしている（Ｄ１＜Ｄ２）。
なお、製造方法によっては、第１層部分１９１と第２層部分１９２との界面が必ずしも明確でない場合もあり得る（例えば、本来の界面となるべき面付近で、第２層部分１９２のドープ濃度Ｄ２ｗｔ％が下がって、第１層部分１９１のドープ濃度Ｄ１ｗｔ％に近づくような場合）。このような場合には、ドープ濃度Ｄ２の例えば、８０％の濃度までは、第２層部分１９２とし、残りの部分について第１層部分１９１として区別する。
本変形例によっても上記（１－１）の変形例と同様、発光効率の向上と長寿命化が期待できる。また、ドープ濃度Ｄ１、Ｄ２の双方の値と中間層１８の膜厚が、上記実用適性領域の範囲内になるように設定される。
（１－３）機能層が３層構造
図１６は、第２変形例に係る有機ＥＬ素子２の積層構造を示す模式図である。
同図に示すように、機能層１９を、第１層部分１９１、第２層部分１９２、第３層部分１９３の３層構造とし、第１～第３層部分１９１～１９３のＹｂのドープ濃度を、それぞれＤ１ｗｔ％、Ｄ２ｗｔ％、Ｄ３ｗｔ％としたときに、Ｄ２＜Ｄ１≦Ｄ３の関係を満たすように形成されている。
なお、本変形例においても、第１層部分１９１～第３層部分１９３の各層の界面が必ずしも明確でない場合もあり得るが、上記（１－２）の場合と同様に判断する。
本変形例によれば、対向電極２０側の第３層部分１９３のドープ濃度が、中間層１８側の第１層部分１９１よりも大きいので、この部分で第２変形例と同じような効果を得られると共に、第１、第３層部分１９１、１９３の間にある第２層部分１９２のドープ濃度が一番低くなるようにしているのでＹｂドープ量の増加によって光透過性が必要以上に低下しないようにすることができる。第１層部分１９１により、中間層のＮａＦの不純物に対するブロック性を発揮しつつ、発光層への電子注入性を向上させることができる。
また、第３層部分１９３の濃度を高くすることでより陰極側からの機能層への電子注入性を向上するとともに外部からの不純物の浸入を阻止して、有機ＥＬ素子の寿命を更に延ばせることができるという効果を得ることができる。
本変形例の場合でも、ドープ濃度Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３の各値と中間層１８の膜厚が、上記実用適性領域の範囲内になるように設定されるのが望ましい。
（２）光共振器構造
（２－１）発光効率をさらに向上するためには、光共振器構造を採用することが望ましい。
図１７は、有機ＥＬ素子２の別の態様に係る積層構造を示す模式図である。
同図に示すように、機能層１９と対向電極２０との間に所定膜厚の透明導電膜２３が形成されている。この透明導電膜２３は、ＩＴＯやＩＺＯなどをマグネトロンスパッタリング法などにより形成する。
透明導電膜２３を介在させることにより、対向電極２０と透明導電膜２３との組が、陰極として機能し、合成されたシート抵抗が低くなり、電圧降下による輝度の防止に寄与すると共に、ＩＴＯ、ＩＺＯは透明度が高いので膜厚を比較的大きくとれるため、光共振器構造における光路長の調整に利用することができる。
この透明導電膜２３の膜厚は、１５ｎｍ以上が望ましく、４０ｎｍ以上がさらに望ましい。透明導電膜の膜厚を１５ｎｍ以上にすることでキャビティ調整（光共振器構造のための膜厚調整）を効果的に利用することが出来、高効率化を実現できる。
光共振器構造は、画素電極１３の正孔注入層１５との界面と、対向電極２０の透明導電膜２３との界面との間に構成され、特に、二次キャビティを構築するためには、有機発光層１７における発光位置（例えば、有機発光層１７と正孔輸送層１６との界面）と対向電極２０の反射面（対向電極２０と透明導電膜２３との界面）との光学長の調整が重要となるので、上記のように透明導電膜２３の膜厚を調整することにより達成できる。
なお、上述のようにＹｂは水分等の不純物と反応して変質しにくいので、機能層１９にドープするＹｂの量を最小限に抑制することができ、その結果として透明性が高く、その許容される膜厚の範囲も広いので、上記透明導電膜２３と合わせた膜厚の許容範囲が広がり、光共振器構造の設計の自由度がより増す。
また、ＩＴＯ膜やＩＺＯ膜がスパッタ法により製膜されるときにおいても、機能層１９がそのスパッタダメージを緩和することができるため、有機発光層が保護され、発光効率が良好で寿命が短くならない有機ＥＬ素子を得ることができる。
本変形例においては、対向電極２０と透明導電膜２３を合わして陰極（広義の対向電極）として捉えることができ、透明導電膜２３は、補助電極１３１上方の機能層１９上に積層されても構わない。
（２－２）図１８は、有機ＥＬ素子２のさらに別の変形例に係る積層構造を示す模式図である。
同図に示すように、本変形例では、対向電極２０の外側（有機発光層１７と反対側）に透明薄膜部２５を形成している。
一般に、屈折率の異なる透明薄膜を複数積層した場合に、各隣接する透明薄膜の界面で、当該界面に入射した光の一部が反射する現象が生じることは公知である。
本変形例では、例えば、対向電極２０をＡｇ（屈折率０．０５）で形成し、透明薄膜部２５をＩＺＯ（屈折率２．０５）で形成し、さらに封止層２１は、ＳｉＮ（屈折率１．８５）で形成するようにしている。これにより、対向電極２０と機能層１９の界面２０ａ以外にも、対向電極２０、透明薄膜部２５、封止層２１の各層の界面２５ａ、２１ａが反射面となる。
そのため、各界面と画素電極１３の反射面との間の光学的距離（共振長）が異なるキャビティ（光共振器構造）が複数形成されることになり、各キャビティにより異なるピーク波長を有するスペクトルの光が生成され、それらのスペクトルを合成してなるピーク波長を有するスペクトルの光が、有機ＥＬ素子２から出力される。
したがって、対向電極２０を含め透明薄膜部２５における各層の屈折率と膜厚を調整することにより、出力される光の色度を微調整できるという効果が得られる。このような構成は、有機ＥＬ素子２における画素電極１３と対向電極２０間の積層構造や膜厚の制限によっては、ＢもしくはＲ、Ｇの理想的なピーク波長を取得できない場合に、それらのピーク波長を理想的な波長域に補正するような場合に有効である。
これらの膜厚を調整して、Ｒ、Ｇ、Ｂのそれぞれの発光色において、色純度を高めることができる。
また、透明薄膜部２５が透明導電膜であるＩＺＯ膜からなり、対向電極２０に直接接して形成されているため、対向電極２０のシート抵抗による電圧降下を軽減し、有機ＥＬ表示パネル１０が大型化しても、その画面中央部における電圧降下を抑制し、より良好な画質を得ることができる。透明薄膜部２５は、他の透明導電膜、例えばＩＴＯ膜であってもよい。
（３）中間層、機能層のドープ金属など
（３－１）中間層１８の材料としては、ＮａＦのみに限られず、アルカリ金属およびアルカリ土類金属から選択された金属（第１金属）のフッ化物であればよい。それらの金属のフッ化物は、光透過率が高いと共に、水分等の不純物を透過させにくく、また、還元された金属が電子注入性を発揮するという共通の性質に有するからである。
もっとも、アルカリ金属等のフッ化物は、難溶性のものが多いが、ＮａＦは、可溶性であり、そのため、吸湿効果が高く、下層からの水分を内部に吸収して閉じ込める作用があり、下層部分にも水分が在留しないようにできるので、それらの機能の劣化の防止にも貢献しているのではないかと考えられ、この点でも他の金属のフッ化物よりも優れていると考えられる。
（３－２）上記実施の形態では、機能層１９のドープ金属として特性の優れたＹｂを使用したが、他の希土類金属であっても構わない。低仕事関数、光透過性、耐液性、還元性などの特性がＹｂと類似している点が多いからである。
（４）有機ＥＬ素子の積層構造の他の変形例
上記実施の形態では、有機ＥＬ素子の積層構成として、正孔注入層１５、正孔輸送層１６、有機発光層１７、中間層１８や機能層１９を有する構成であるとしたが、これに限られない。例えば、正孔輸送層１６を有しない有機ＥＬ素子であってもよい。また、例えば、正孔注入層１５と正孔輸送層１６とに替えて、単一層の正孔注入輸送層を有していてもよい。また、例えば、正孔注入層１５が２層以上であってもよいし、正孔輸送層１６が２層以上であってもよい。その場合、成膜される順番は、交互であってもよい。
また、対向電極２０と機能層１９との間に電子注入層を形成してもよい。この場合、電子注入層は、例えば、リチウム、バリウム、カルシウム、カリウム、セシウム、ナトリウム、ルビジウム等の低仕事関数金属が望ましい。これらの金属は良導電性材料であるので、補助電極１３１上に形成しても補助電極１３１と対向電極２０間のコンタクト抵抗にほとんど影響しないものと考えられる。
（５）上記実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネル１０では、図２に示すように、画素規制層１４１の延伸方向が有機ＥＬ表示パネル１０の長軸Ｘ方向、隔壁１４の延伸方向が有機ＥＬ表示パネル１０の短軸Ｙ方向であったが、画素規制層１４１と隔壁１４の延伸方向は、逆であってもよい。また、画素絶縁層及び隔壁の延伸方向は、有機ＥＬ表示パネル１０の形状とは無関係な方向であってもよい。
また、上記実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネル１０では、一例として画像表示面を長方形状としたが、画像表示面の形状に限定はなく、適宜変更可能である。
また、上記実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネル１０では、画素電極１３を長方形平板状の部材としたが、これに限られない。
さらに、上記実施の形態においてはラインバンク方式の有機ＥＬ表示パネルについて説明したが、一つの副画素ごとにその四方を隔壁で囲むようにした、いわゆるピクセルバンク方式の有機ＥＬ表示パネルであっても構わない。もっとも、ラインバンク方式の方が、画素規制層１４１上にも有機発光層１７などの塗布膜が残ることになるので、ピクセルバンク方式の場合よりもインクの滴下量が多くなり、それだけ乾燥後に残留する水分等の不純物の量が多いので、機能層１９のドープ金属として不純物に対する耐性を有するＹｂを採用する効果はより大きくなる。
（６）上記実施の形態では、補助電極１３１は、図４に示すように、３色の副画素列ＣＲ、ＣＧ、ＣＢごとに設けられた補助電極形成領域ＣＥ（図２参照）に列方向に延在して形成するようにパターン化されていたが、対向電極２０と補助電極１３１の接触面積が大きいほど、対向電極２０のシート抵抗による電圧降下が抑制されるので、例えば、補助電極１３１を、１つの副画素列ごとに形成するようにしてもよい。
また、隔壁１４を列方向と行方向に形成して、各副画素の四方を隔壁１４で囲むピクセルバンク方式の有機ＥＬ表示パネル１０にあっては、図１９に示すように、列方向に隣接する画素電極１３間に行方向に延びる行補助電極１３２を設けて列方向の補助電極１３１と連結することも可能である。
図２０は、この場合の基板１１上に隔壁を形成後、正孔注入層１５を形成した段階における有機ＥＬ素子２の図１９のＢ－Ｂ線に相当する部分の模式断面図である。
行方向に延在する隔壁１４は、２つのサブ隔壁１４ｐ、１４ｑに分離され、その間の補助電極形成領域に行補助電極１３２が形成されている。
もっとも、少なくとも、列方向もしくは行方向に延伸する補助電極が１つでもあれば、対向電極２０のシート抵抗による電圧降下が多少なりとも緩和される。
（７）上記実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネル１０では、Ｒ、Ｇ、Ｂ色にそれぞれ発光する副画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂが配列されていたが、副画素の発光色はこれに限られず、例えば、Ｒ、Ｇ、Ｂに加えて黄色（Ｙ）の４色であってもよい。また、一つの画素Ｐにおいて、副画素は１色あたり１個に限られず、複数配置されてもよい。また、画素Ｐにおける副画素の配列は、図２に示すような、赤色、緑色、青色の順番に限られず、これらを入れ替えた順番であってもよい。
（８）上記実施の形態の図３などでは、有機ＥＬ素子の各層の膜厚が、各発光色で等しい例が開示されている。実際に光共振器構造を構築する場合には、各色の発光色の波長に応じて、例えば、（ア）画素電極１３と対向電極２０の各反射面間の光学的距離、（イ）画素電極１３の反射面と、正孔輸送層１６と有機発光層１７の界面との距離、（ウ）正孔輸送層１６と有機発光層１７の界面と、対向電極２０の反射面との光学的距離、などが公知の光学的設計により決定され、そのため、例えば、正孔輸送層１６、有機発光層１７、機能層１９、透明導電膜２３などの膜厚が調整されることになる。
なお、全ての発光色について光共振器構造を採用しなくてもよく、また、同色の発光色が複数、１画素内にある場合もあり得るので、このような表示パネルの積層構造をまとめるとすれば、次のような表現になる。
「複数の発光部を含む画素が基板の主面に沿って二次元配置されてなる表示パネルであって、前記複数の発光部のうち少なくとも一の発光部は、前記複数の発光部における他の発光部と発光色が異なり、前記少なくとも一の発光部における、前記発光層および／または前記機能層の膜厚が、前記他の発光部と異なる表示パネル。」
（９）また、上記実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネル１０は、アクティブマトリクス方式を採用したが、これに限られず、パッシブマトリクス方式を採用してもよい。また、トップエミッション型の有機ＥＬ表示パネルだけでなくボトルエミッション型の有機ＥＬ表示パネルにも適用可能である。
（１０）上記実施の形態では、発光層として有機ＥＬを使用した有機ＥＬ表示パネルについて説明したが、その他、発光層として量子ドット発光素子（ＱＬＥＤ：Quantum dot Light Emitting Diode）を使用した量子ドット表示パネル（例えば、特開２０１０－１９９０６７号公報参照）などの表示パネルについても、発光層の構造や種類が異なるだけで、画素電極と対向電極との間に発光層やその他の機能層を介在させるという構成において有機ＥＬ表示パネルと同じであり、当該発光層やその他の機能層の形成に塗布方式を採用する場合には、本発明を適用することができる。
≪補足≫
以上、本開示に係る表示パネルおよびその製造方法について、実施の形態および変形例に基づいて説明したが、本発明は、上記の実施の形態および変形例に限定されるものではない。上記実施の形態および変形例に対して当業者が思いつく各種変形を施して得られる形態や、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で実施の形態および変形例における構成要素及び機能を任意に組み合わせることで実現される形態も本発明に含まれる。
本開示に係る表示パネルは、様々な電子機器に用いられる表示部として広く利用することができる。
１ 有機ＥＬ表示装置
２ 有機ＥＬ素子
１０ 有機ＥＬ表示パネル
１１ 基板
１２ 層間絶縁層
１３ 画素電極
１４ 隔壁
１５ 正孔注入層
１６ 正孔輸送層
１７ 有機発光層
１８ 中間層
１９ 機能層
２０ 対向電極
２１ 封止層
２３ 透明導電膜
２５ 透明薄膜部
１００Ｂ、１００Ｇ、１００Ｒ 副画素
１４１ 画素規制層
１９１ 第１層部分
１９２ 第２層部分
１９３ 第３層部分

Claims (9)

  1. 基板上方に複数の画素電極が行列状に配され、各画素電極上に発光層が配されてなる表示パネルであって、
    前記基板上の行または列方向に隣接する画素電極の間隙の内の少なくとも１の間隙上に、前記画素電極と非接触な状態で、列または行方向に延伸する給電補助電極と、
    前記発光層上および前記給電補助電極上方に共通して配され、アルカリ金属またはアルカリ土類金属である第１金属のフッ化物を含む中間層と、
    前記発光層および前記給電補助電極の上方に前記中間層を介して共通して配され、電子輸送性および電子注入性のうち少なくとも一方の性質を有する有機材料に、希土類金属に属する第２金属がドープされてなる機能層と、
    前記発光層および前記給電補助電極の上方に前記機能層を介して共通して配された対向電極と、を有し、
    前記中間層の膜厚をｘ［ｎｍ］、前記機能層における前記第２金属のドープ濃度をｙ［ｗｔ％］とした場合に、
    １≦ｘ≦３、２０≦ｙ≦４０、ｙ≧１０ｘ＋１０
    の関係を満たし、
    前記機能層は、前記中間層に近い側から第１層部分、第２層部分および第３層部分を順に積層してなり、前記第１層部分、第２層部分、第３層部分における前記第２金属のドープ濃度をそれぞれ、Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３とすると、Ｄ２＜Ｄ１＜Ｄ３である
    ことを特徴とする表示パネル。
  2. 前記第１金属は、Ｎａである
    ことを特徴とする請求項１に記載の表示パネル。
  3. 前記第２金属は、Ｙｂである
    ことを特徴とする請求項１または２に記載の表示パネル。
  4. 前記画素電極および前記給電補助電極は、同じ材料で構成されている
    ことを特徴とする請求項１から３までのいずれか１項に記載の表示パネル。
  5. 前記機能層と前記対向電極との間に、透明導電膜が形成されている
    ことを特徴とする請求項１から４までのいずれか１項に記載の表示パネル。
  6. 前記発光層が、行方向に隣接する画素電極間を列方向に延在する隔壁によって仕切られている
    ことを特徴とする請求項１から５までのいずれか１項に記載の表示パネル。
  7. トップエミッション型である
    ことを特徴とする請求項１から６までのいずれか１項に記載の表示パネル。
  8. 基板の上方に、画素電極と、前記基板の主面と平行な方向に前記画素電極と離れた給電補助電極とを形成し、
    前記画素電極の上方に発光層を形成し、
    アルカリ金属またはアルカリ土類金属である第１金属のフッ化物を含む中間層を、前記発光層上および前記給電補助電極上に共通して形成し、
    電子輸送性および電子注入性のうち少なくとも一方の性質を有する有機材料に、希土類金属に属する第２金属がドープされてなる機能層を、前記中間層を介して前記発光層および前記給電補助電極の上方に共通して形成し、
    前記機能層を介して前記発光層および前記給電補助電極の上方に共通して対向電極を形成する工程を含み、
    前記中間層の膜厚をｘ［ｎｍ］、前記機能層における前記第２金属のドープ濃度をｙ［ｗｔ％］とした場合に、
    １≦ｘ≦３、２０≦ｙ≦４０、ｙ≧１０ｘ＋１０
    の関係を満たし、
    前記機能層の形成において、前記中間層に近い側から第１層部分、第２層部分および第３層部分を順に積層し、前記第１層部分、第２層部分、第３層部分における前記第２金属のドープ濃度をそれぞれ、Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３とすると、Ｄ２＜Ｄ１＜Ｄ３である
    ことを特徴とする表示パネルの製造方法。
  9. 前記画素電極を形成する工程と前記発光層を形成する工程との間に、正孔注入性および／または正孔輸送性を有する正孔移動容易化層を形成する工程をさらに含み、前記正孔移動容易化層および前記発光層の形成のうち少なくとも一つは、ウエットプロセスにより形成される
    ことを特徴とする請求項８に記載の表示パネルの製造方法。
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