JP2017188345A - 発光パネルの製造方法、および、発光パネル - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 27
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims abstract description 47
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims abstract description 47
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 46
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 30
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 26
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 26
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 25
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 21
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 46
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 17
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 14
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 210
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 51
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 43
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 43
- -1 amino-substituted chalcone derivative Chemical class 0.000 description 38
- 239000010408 film Substances 0.000 description 32
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 30
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 24
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 21
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 21
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 17
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 16
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 15
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 13
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 12
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 11
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 10
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 10
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 10
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 10
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 10
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 8
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 6
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 6
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 6
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 5
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 5
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 5
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 5
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 4
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Chemical compound [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 2
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 238000000635 electron micrograph Methods 0.000 description 2
- LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-hydroxypropanoate Chemical compound CCOC(=O)C(C)O LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N fluoranthrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=C22)=C3C2=CC=CC3=C1 GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000007857 hydrazones Chemical class 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 2
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 description 2
- 150000004866 oxadiazoles Chemical class 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 2
- JEXVQSWXXUJEMA-UHFFFAOYSA-N pyrazol-3-one Chemical class O=C1C=CN=N1 JEXVQSWXXUJEMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000003219 pyrazolines Chemical class 0.000 description 2
- 229910052701 rubidium Inorganic materials 0.000 description 2
- IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N rubidium atom Chemical compound [Rb] IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 150000003852 triazoles Chemical class 0.000 description 2
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N vinyl-ethylene Natural products C=CC=C KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- QGKMIGUHVLGJBR-UHFFFAOYSA-M (4z)-1-(3-methylbutyl)-4-[[1-(3-methylbutyl)quinolin-1-ium-4-yl]methylidene]quinoline;iodide Chemical class [I-].C12=CC=CC=C2N(CCC(C)C)C=CC1=CC1=CC=[N+](CCC(C)C)C2=CC=CC=C12 QGKMIGUHVLGJBR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- MAGZFRRCWFGSHK-UHFFFAOYSA-N 1,2,3,4-tetraphenylbenzene Chemical class C1=CC=CC=C1C(C(=C1C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)=CC=C1C1=CC=CC=C1 MAGZFRRCWFGSHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VERMWGQSKPXSPZ-BUHFOSPRSA-N 1-[(e)-2-phenylethenyl]anthracene Chemical class C=1C=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C2C=1\C=C\C1=CC=CC=C1 VERMWGQSKPXSPZ-BUHFOSPRSA-N 0.000 description 1
- NSMJMUQZRGZMQC-UHFFFAOYSA-N 2-naphthalen-1-yl-1H-imidazo[4,5-f][1,10]phenanthroline Chemical compound C12=CC=CN=C2C2=NC=CC=C2C2=C1NC(C=1C3=CC=CC=C3C=CC=1)=N2 NSMJMUQZRGZMQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004325 8-hydroxyquinolines Chemical class 0.000 description 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001020 Au alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WDECIBYCCFPHNR-UHFFFAOYSA-N Chrysene Natural products C1=CC=CC2=CC=C3C4=CC=CC=C4C=CC3=C21 WDECIBYCCFPHNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000599 Cr alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001182 Mo alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910015202 MoCr Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N Phenanthrene Natural products C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C=CC2=C1 YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Chemical class 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- PJANXHGTPQOBST-VAWYXSNFSA-N Stilbene Natural products C=1C=CC=CC=1/C=C/C1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-VAWYXSNFSA-N 0.000 description 1
- XBDYBAVJXHJMNQ-UHFFFAOYSA-N Tetrahydroanthracene Natural products C1=CC=C2C=C(CCCC3)C3=CC2=C1 XBDYBAVJXHJMNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001080 W alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000641 acridinyl group Chemical class C1(=CC=CC2=NC3=CC=CC=C3C=C12)* 0.000 description 1
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 1
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Natural products C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N antipyrene Natural products C1=CC=C2C=CC3=CC=CC4=CC=C1C2=C43 BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N benzo-alpha-pyrone Natural products C1=CC=C2OC(=O)C=CC2=C1 ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005385 borate glass Substances 0.000 description 1
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 1
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical compound [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N chromium nickel Chemical compound [Cr].[Ni] VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 description 1
- 229960000956 coumarin Drugs 0.000 description 1
- 235000001671 coumarin Nutrition 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N endo-cyclopentadiene Natural products C1C=CC=C1 ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 229940116333 ethyl lactate Drugs 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 150000008376 fluorenones Chemical class 0.000 description 1
- 239000003353 gold alloy Substances 0.000 description 1
- VPUGDVKSAQVFFS-UHFFFAOYSA-N hexabenzobenzene Natural products C1=C(C2=C34)C=CC3=CC=C(C=C3)C4=C4C3=CC=C(C=C3)C4=C2C3=C1 VPUGDVKSAQVFFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 150000002460 imidazoles Chemical class 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UEEXRMUCXBPYOV-UHFFFAOYSA-N iridium;2-phenylpyridine Chemical compound [Ir].C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1.C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1.C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 UEEXRMUCXBPYOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 1
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N naphthalene-acid Natural products C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001120 nichrome Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 1
- NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N o-biphenylenemethane Natural products C1=CC=C2CC3=CC=CC=C3C2=C1 NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 150000007978 oxazole derivatives Chemical class 0.000 description 1
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004986 phenylenediamines Chemical class 0.000 description 1
- 239000005365 phosphate glass Substances 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Chemical class 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical compound COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WVIICGIFSIBFOG-UHFFFAOYSA-N pyrylium Chemical compound C1=CC=[O+]C=C1 WVIICGIFSIBFOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N stilbene Chemical class C=1C=CC=CC=1C=CC1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000021286 stilbenes Nutrition 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 230000008685 targeting Effects 0.000 description 1
- 150000005075 thioxanthenes Chemical class 0.000 description 1
- 150000004961 triphenylmethanes Chemical class 0.000 description 1
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
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Abstract
【課題】陰極形成時の基板サイズが大型化しても透光性電極としての陰極の膜質を安定化させる。【解決手段】基板11の上方に、陽極13、発光層17、陰極20の順に形成する発光パネルの製造方法であって、銀を主成分とし銅を含むターゲットを用いるスパッタ法により、光透過性を有するように前記陰極を形成する。【選択図】図7
Description
本開示は、発光パネルの製造方法および発光パネルに関し、特に、トップエミッション型発光パネルの透明電極たる陰極の製造方法、および、製造された陰極に関する。
液晶ディスプレイや有機EL(Electro−Luminescence)表示装置をはじめとする平面ディスプレイが広く利用されている。このような発光パネルは、一般に、陽極と陰極との間に発光層が配された構成を有している。特に、いわゆるトップエミッション型の発光パネルでは、以下のような構造となっている。基板側の電極には発光層からの光を光が取り出される側に反射させて光取り出し効率を高めるため、銀(Ag)やアルミニウム(Al)等の光反射性導電材料が用いられている。一方、光が取り出される側の電極には、発光層から発せられた光を効率よく外部に取り出すために、透光性導電材料が用いられている。従来、透光性導電材料としては、例えば、金属酸化物(ITO;Indium Tin Oxide、酸化インジウムスズ)が用いられている(例えば、特許文献1)。
透光性の材料を用いて形成された電極(以下、「透光性電極」という)では、低抵抗と高透過率の両立が求められる。そのため、金属酸化物のほか、金属薄膜が検討されている。透光性電極では、さらに、より効率よく光を透過させ、また、抵抗率等の特性を一定化させるために、膜質の均一性が求められる。そのため、蒸着やスパッタ法等での形成が行われる。
本開示は、透光性電極として銀を主体とする金属薄膜を形成する際の、膜質の均一化を向上させる発光パネルの製造方法、および、発光パネルを提供することを目的とする。
本開示の一態様に係る発光パネルの製造方法は、基板の上方に、陽極、発光層、陰極の順に発光パネルを形成する製造方法であって、銀を主成分とし銅を含むターゲットを用いたスパッタ法により、光透過性を有するように前記陰極を形成することを特徴とする。
上記態様の発光パネルの製造方法によれば、陰極形成時の基板サイズが大型化しても透光性電極としての陰極の膜質を安定化させることができる。
<本開示の一態様に至った経緯>
発光パネルの透光性電極には、高い可視光の透過率と低い電気抵抗が必要とされる。そこで、電導性の高い銀(Ag)の薄膜を透光性電極として用いることが検討されている。銀の薄膜を透光性電極として用いるためには、膜厚を7〜17nm程度とする必要がある。従来、金属の薄膜を生成するには蒸着法を用いるが、銀の薄膜を透光性電極として形成しようとする場合において、以下のような問題が発生することが判明した。
発光パネルの透光性電極には、高い可視光の透過率と低い電気抵抗が必要とされる。そこで、電導性の高い銀(Ag)の薄膜を透光性電極として用いることが検討されている。銀の薄膜を透光性電極として用いるためには、膜厚を7〜17nm程度とする必要がある。従来、金属の薄膜を生成するには蒸着法を用いるが、銀の薄膜を透光性電極として形成しようとする場合において、以下のような問題が発生することが判明した。
第1に、蒸着による透光性電極を生成する際に、不純物による膜質の不均一性が発生することがある。具体的に説明すると、銀(Ag)の融点は960℃以上であるため、蒸着装置に付着した不純物、特に、水(H2O)や酸素(O2)が銀原子上に堆積しやすく、成膜された銀薄膜の純度が局所的に低下することがある。そのため、膜質が安定せず局所的にシート抵抗値の上昇や光透過率の低下が発生することがあり、特に、大型パネル内や、1枚の大型基板から切り出された複数のパネル間で、安定した品質が得られない原因となり得る。
第2に、銀薄膜がアイランド状に形成されることによる高抵抗化が発生しうる。図9に、蒸着法により形成した銀薄膜の断面図を示す。図9に示すように、基板上の銀薄膜601が粗大結晶(以下、「アイランド」と呼ぶ)610を形成するように不均質に成長している。このような銀の薄膜が不均質に成長することにより、アイランド内部とアイランド外部との間で、電気抵抗の差異が生じる。したがって、透光性電極内で電気抵抗の不均質化が起き、発光パネルの輝度にばらつきが起きる原因となり得る。なお、この現象は膜厚が50nm以上である場合には発生しないため、銀膜を反射電極として用いる場合には考慮する必要はなく、透光性電極として使用する場合にのみ考慮する必要がある。
第3に、ラインソースを用いる蒸着法では大型基板に対して膜質の均一性が劣化することがある。ラインソースを用いる蒸着法では、蒸着源となる棒状の金属(ラインソース)と蒸着対象となる基板とを対向させ、基板を蒸着源金属と直交する方向に一定速度で搬送しながら蒸着を行う。ところが、大型基板の場合、ラインソースを複数準備する必要が生じ、膜質の均一化が困難となる。
これらの問題に対処するため、発明者は銀の薄膜をスパッタ方式により形成するという着想を得た。スパッタ方式を用いることにより、上述の第1、第3の問題を生じなくさせることができる。ところが、単にスパッタ方式を用いるだけでは、上述の第2の問題は依然として発生する可能性がある。これは、アイランド化現象は、蒸着方式に起因するものではなく、銀の特性であるためである。そこで、発明者は、銀に他の元素を添加したものをターゲットとするスパッタリングを検討し、銀に銅(Cu)を添加したターゲットを用いることで、アイランド化を防ぐことができることを見出し、本開示の発光パネルの製造方法を実現するに至った。
<開示の態様>
本開示の一態様に係る発光パネルの製造方法は、基板の上方に、陽極、発光層、陰極の順に発光パネルを形成する製造方法であって、銀を主成分とし銅を含むターゲットを用いるスパッタ法により、光透過性を有するように前記陰極を形成することを特徴とする。
この発光パネルの製造方法によれば、透光性電極としての陰極の均一性を向上させることができる。そのため、低抵抗と高透光性の両立を図ることができる。それにより、発光パネルの輝度、効率、寿命を向上させることができる。
本開示の一態様に係る発光パネルの製造方法は、基板の上方に、陽極、発光層、陰極の順に発光パネルを形成する製造方法であって、銀を主成分とし銅を含むターゲットを用いるスパッタ法により、光透過性を有するように前記陰極を形成することを特徴とする。
この発光パネルの製造方法によれば、透光性電極としての陰極の均一性を向上させることができる。そのため、低抵抗と高透光性の両立を図ることができる。それにより、発光パネルの輝度、効率、寿命を向上させることができる。
また、前記陰極の形成は、一方向に延伸するようにターゲットを設置し、前記一方向に直交する向きに設けられた搬送路に沿って前記基板を搬送しながらスパッタリングを行うことにより行う、としてもよい。
これにより、基板の面積に関わらず、短時間で膜厚が安定した陰極を形成することができる。
これにより、基板の面積に関わらず、短時間で膜厚が安定した陰極を形成することができる。
また、前記搬送路における前記基板の搬送速度は、形成完了時における陰極の膜厚は7nm以上17nm以下となるように制御されてもよい。
これにより、陰極の電気伝導性と可視光の透過率とを共に高く維持し、高性能の発光パネルを製造することができる。
また、前記ターゲットとして、銀に銅を添加した材料を用いるとしてもよい。
これにより、陰極の電気伝導性と可視光の透過率とを共に高く維持し、高性能の発光パネルを製造することができる。
また、前記ターゲットとして、銀に銅を添加した材料を用いるとしてもよい。
これにより、陰極の組成を安定させることができ、陰極の均質性を高く維持することが可能となる。
また、前記ターゲットとして、銀を主成分とする、銀と銅との混合物を用いるとしてもよい。
これにより、ターゲットを合金として生成する必要がなく、より簡易な方法で本開示に係る発光パネルを製造することができる。
また、前記ターゲットとして、銀を主成分とする、銀と銅との混合物を用いるとしてもよい。
これにより、ターゲットを合金として生成する必要がなく、より簡易な方法で本開示に係る発光パネルを製造することができる。
また、本開示の一態様に係る発光パネルは、基板の上方に、陽極、発光層、陰極の順に積層されてなる発光パネルであって、前記陰極は、銀を主成分とし銅を含む材料からなり、かつ、光透過性を有する。
この発光パネルによれば、透光性電極としての陰極において均質性が高く、また、電気伝導率と透光性が高いため、輝度むらがなく、高効率、長寿命が実現できる。
この発光パネルによれば、透光性電極としての陰極において均質性が高く、また、電気伝導率と透光性が高いため、輝度むらがなく、高効率、長寿命が実現できる。
また、前記陰極の膜厚は7nm以上17nm以下である、としてもよい。
これにより、陰極の透光性と電気伝導率とをバランスよく両立させることができる。
<実施の形態>
1.発光パネルの概略構成
本発明の一態様である発光パネルの一例として、本発明が有機EL表示パネルに適用された場合について説明する。
これにより、陰極の透光性と電気伝導率とをバランスよく両立させることができる。
<実施の形態>
1.発光パネルの概略構成
本発明の一態様である発光パネルの一例として、本発明が有機EL表示パネルに適用された場合について説明する。
図1は、実施形態に係る発光パネル100の概略構成を示す一部拡大断面図である。発光パネル100は、基板11上にマトリクス状に配置された複数の発光素子1を有する。1つの発光素子は、1つのサブ画素(サブピクセル)に相当し、R(赤色)、G(緑色)、B(青色)の何れかの発光色に対応している。そして、R,G,Bそれぞれに対応する3つのサブ画素(サブピクセル)により1つの画素(ピクセル)が構成される。即ち、1つの画素は、R色に対応した発光素子1(R)、G色に対応した発光素子1(G)、およびB色に対応した発光素子1(B)の3つの発光素子1から成る。発光パネル100は、同図上側を表示面とする、いわゆるトップエミッション型のカラーディスプレイパネルである。
なお、構成要素を発光色により特に区別する必要が無い場合には、(R),(G),(B)は付さない。例えば、発光色を特に区別しない場合には、単に発光素子1という。
発光パネル100は、基板11、層間絶縁層12、下部電極13、正孔注入層14、隔壁層15、正孔輸送層16、発光層17(17(R),17(G),17(B))、電子輸送層18、電子注入層19、上部電極20、および封止層21を備える。基板11、層間絶縁層12、正孔注入層14、電子輸送層18、電子注入層19、上部電極20、および封止層21は、複数の画素に共通して形成されている。
発光パネル100は、基板11、層間絶縁層12、下部電極13、正孔注入層14、隔壁層15、正孔輸送層16、発光層17(17(R),17(G),17(B))、電子輸送層18、電子注入層19、上部電極20、および封止層21を備える。基板11、層間絶縁層12、正孔注入層14、電子輸送層18、電子注入層19、上部電極20、および封止層21は、複数の画素に共通して形成されている。
続いて、発光パネル100の各部構成について説明する。
(1) 基板
基板11は、絶縁材料である基材111と、TFT(Thin Film Transistor)層112とを含む。TFT層112には、サブ画素毎に駆動回路(不図示)が形成されている。基材111が形成される材料としては、例えば、ガラスが用いられる。ガラス材料としては、具体的には例えば、無アルカリガラス、ソーダガラス、無蛍光ガラス、燐酸系ガラス、硼酸系ガラス、石英等のガラスなどが挙げられる。
(1) 基板
基板11は、絶縁材料である基材111と、TFT(Thin Film Transistor)層112とを含む。TFT層112には、サブ画素毎に駆動回路(不図示)が形成されている。基材111が形成される材料としては、例えば、ガラスが用いられる。ガラス材料としては、具体的には例えば、無アルカリガラス、ソーダガラス、無蛍光ガラス、燐酸系ガラス、硼酸系ガラス、石英等のガラスなどが挙げられる。
1.2 層間絶縁層
層間絶縁層12は、基板11上に形成されている。層間絶縁層12は、樹脂材料からなり、TFT層112の上面の段差を平坦化するためのものである。層間絶縁層12が形成される樹脂材料としては、例えば、ポジ型の感光性材料が用いられる。また、このような感光性材料としては、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、シロキサン系樹脂、フェノール系樹脂等が挙げられる。
層間絶縁層12は、基板11上に形成されている。層間絶縁層12は、樹脂材料からなり、TFT層112の上面の段差を平坦化するためのものである。層間絶縁層12が形成される樹脂材料としては、例えば、ポジ型の感光性材料が用いられる。また、このような感光性材料としては、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、シロキサン系樹脂、フェノール系樹脂等が挙げられる。
(3) 下部電極(陽極)
下部電極13は、導電材料からなり、層間絶縁層12上にサブ画素毎に形成される。下部電極13は、陽極であって、バリアメタル層13aおよびバリアメタル層13a上に積層された下部電極層13bから成る。バリアメタル層13aは、例えば、タングステン(W)、モリブデン(Mo)、鉄(Fe)等の遷移金属元素を含有する金属あるいは合金からなる。本実施形態においては、バリアメタル層13aは、タングステンから成る。
下部電極13は、導電材料からなり、層間絶縁層12上にサブ画素毎に形成される。下部電極13は、陽極であって、バリアメタル層13aおよびバリアメタル層13a上に積層された下部電極層13bから成る。バリアメタル層13aは、例えば、タングステン(W)、モリブデン(Mo)、鉄(Fe)等の遷移金属元素を含有する金属あるいは合金からなる。本実施形態においては、バリアメタル層13aは、タングステンから成る。
また、本実施形態に係る発光パネル100は、トップエミッション型であるので、下部電極層13bは、光反射性を具備した導電材料により形成されるとよい。光反射性を具備する導電材料としては、金属が挙げられる。具体的には、Ag(銀)、Al(アルミニウム)、アルミニウム合金、Mo(モリブデン)、APC(銀、パラジウム、銅の合金)、ARA(銀、ルビジウム、金の合金)、MoCr(モリブデンとクロムの合金)、MoW(モリブデンとタングステンの合金)、NiCr(ニッケルとクロムの合金)等を用いることができる。本実施形態においては、下部電極層13bは、アルミニウムを含む金属材料から成り、より具体的には、ACL(アルミニウムとコバルトとランタンの合金)から成る。
なお、下部電極13上に、光透過性導電材料の層を積層してもよい。この場合、光透過性導電材料としては、ITO(Indium Tin Oxide)、IZO(Indium Zinc Oxide)、ZnO(酸化亜鉛)等を用いることができる。
また、この断面図には現れていないが、層間絶縁層12には、コンタクトホールがサブ画素毎に形成されている。当該コンタクトホールにはTFT接続配線が埋め込まれており、下部電極13は、TFT接続配線を介して、TFT層112に形成された駆動回路と電気的に接続されている。
また、この断面図には現れていないが、層間絶縁層12には、コンタクトホールがサブ画素毎に形成されている。当該コンタクトホールにはTFT接続配線が埋め込まれており、下部電極13は、TFT接続配線を介して、TFT層112に形成された駆動回路と電気的に接続されている。
(4) 正孔注入層
正孔注入層14は、下部電極13から発光層17への正孔の注入を促進させる機能を有する。正孔注入層14は、例えば、金属酸化物から成り、下部電極13上に配置される。正孔注入層14の形成は、例えば、スパッタリング法により行われる。正孔注入層14の形成材料である金属酸化物としては、例えば、酸化タングステン(WOx)、酸化モリブデン(MoOx)や、銀(Ag)、クロム(Cr)、バナジウム(V)、ニッケル(Ni)、イリジウム(Ir)等の酸化物を用いることができる。本実施形態においては、正孔注入層14は、下部電極13および層間絶縁層12上に複数の画素に共通して設けられている。
正孔注入層14は、下部電極13から発光層17への正孔の注入を促進させる機能を有する。正孔注入層14は、例えば、金属酸化物から成り、下部電極13上に配置される。正孔注入層14の形成は、例えば、スパッタリング法により行われる。正孔注入層14の形成材料である金属酸化物としては、例えば、酸化タングステン(WOx)、酸化モリブデン(MoOx)や、銀(Ag)、クロム(Cr)、バナジウム(V)、ニッケル(Ni)、イリジウム(Ir)等の酸化物を用いることができる。本実施形態においては、正孔注入層14は、下部電極13および層間絶縁層12上に複数の画素に共通して設けられている。
(5) 隔壁層
隔壁層15は、正孔注入層14の上面の一部の領域を露出させ、その周辺の領域を被覆した状態で正孔注入層14上に形成されている。正孔注入層14の上面において隔壁層15で被覆されていない領域(以下、「開口部」という。)は、サブピクセルに対応している。即ち、隔壁層15は、サブピクセル毎に設けられた開口部15aを有する。
隔壁層15は、正孔注入層14の上面の一部の領域を露出させ、その周辺の領域を被覆した状態で正孔注入層14上に形成されている。正孔注入層14の上面において隔壁層15で被覆されていない領域(以下、「開口部」という。)は、サブピクセルに対応している。即ち、隔壁層15は、サブピクセル毎に設けられた開口部15aを有する。
隔壁層15は、例えば、絶縁性の有機材料(例えば、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック樹脂、フェノール樹脂等)からなる。隔壁層15は、発光層17を塗布法で形成する場合には、塗布されたインクがあふれ出ないようにするための構造物として機能し、発光層17を蒸着法で形成する場合には、蒸着マスクを載置するための構造物として機能する。本実施形態では、隔壁層15は、樹脂材料からなり、例えば、ポジ型の感光性材料を用いることができる。このような感光性材料として、具体的には、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、シロキサン系樹脂、フェノール系樹脂等が挙げられる。
(6) 正孔輸送層
正孔輸送層16は、正孔注入層14から注入された正孔を発光層17へ輸送する機能を有し、正孔を正孔注入層14から発光層17へと効率よく輸送するため、正孔移動度の高い有機材料で形成されている。正孔輸送層16の形成は、有機材料溶液の塗布および乾燥により行われる。正孔輸送層16を形成する有機材料としては、ポリフルオレンやその誘導体、あるいはポリアリールアミンやその誘導体等の高分子化合物を用いることができる。
正孔輸送層16は、正孔注入層14から注入された正孔を発光層17へ輸送する機能を有し、正孔を正孔注入層14から発光層17へと効率よく輸送するため、正孔移動度の高い有機材料で形成されている。正孔輸送層16の形成は、有機材料溶液の塗布および乾燥により行われる。正孔輸送層16を形成する有機材料としては、ポリフルオレンやその誘導体、あるいはポリアリールアミンやその誘導体等の高分子化合物を用いることができる。
また、正孔輸送層16はトリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、ポルフィリン化合物、芳香族第三級アミン化合物及びスチリルアミン化合物、ブタジエン化合物、ポリスチレン誘導体、ヒドラゾン誘導体、トリフェニルメタン誘導体、テトラフェニルベンゼン誘導体を用いて形成されてもよい。特に好ましくは、ポリフィリン化合物、芳香族第三級アミン化合物及びスチリルアミン化合物等を用いてもよい。この場合、正孔輸送層16は、真空蒸着法により形成される。
(7) 発光層
発光層17は、有機発光材料を含み、下部電極13の上方に位置する開口部15a内に形成されている。発光層17は、正孔と電子の再結合によりR、G、Bの各色の光を出射する機能を有する。本実施形態に係る発光パネル100においては、発光層17は、有機発光材料を含むインクがインクジェットにより開口部15a内に塗布されて形成される。
発光層17は、有機発光材料を含み、下部電極13の上方に位置する開口部15a内に形成されている。発光層17は、正孔と電子の再結合によりR、G、Bの各色の光を出射する機能を有する。本実施形態に係る発光パネル100においては、発光層17は、有機発光材料を含むインクがインクジェットにより開口部15a内に塗布されて形成される。
発光層17に含まれる有機発光材料としては、例えば、オキシノイド化合物、ペリレン化合物、クマリン化合物、アザクマリン化合物、オキサゾール化合物、オキサジアゾール化合物、ペリノン化合物、ピロロピロール化合物、ナフタレン化合物、アントラセン化合物、フルオレン化合物、フルオランテン化合物、テトラセン化合物、ピレン化合物、コロネン化合物、キノロン化合物およびアザキノロン化合物、ピラゾリン誘導体およびピラゾロン誘導体、ローダミン化合物、クリセン化合物、フェナントレン化合物、シクロペンタジエン化合物、スチルベン化合物、ジフェニルキノン化合物、スチリル化合物、ブタジエン化合物、ジシアノメチレンピラン化合物、ジシアノメチレンチオピラン化合物、フルオレセイン化合物、ピリリウム化合物、チアピリリウム化合物、セレナピリリウム化合物、テルロピリリウム化合物、芳香族アルダジエン化合物、オリゴフェニレン化合物、チオキサンテン化合物、シアニン化合物、アクリジン化合物、8−ヒドロキシキノリン化合物の金属錯体、2−ビピリジン化合物の金属錯体、シッフ塩とIII族金属との錯体、オキシン金属錯体、希土類錯体等の蛍光物質を用いることができる。また、トリス(2−フェニルピリジン)イリジウムなどの燐光を発光する金属錯体等の公知の燐光物質を用いることができる。また、発光層17は、ポリフルオレンやその誘導体、ポリフェニレンやその誘導体、あるいはポリアリールアミンやその誘導体等の高分子化合物等、もしくは前記低分子化合物と前記高分子化合物の混合物を用いて形成されてもよい。
(8) 電子輸送層
電子輸送層18は、複数の画素に共通して発光層17および隔壁層15上に設けられており、上部電極20から注入された電子を発光層17へと輸送する機能を有する。電子輸送層18は、例えば、オキサジアゾール誘導体(OXD)、トリアゾール誘導体(TAZ)、フェナンスロリン誘導体(BCP、Bphen)などを用い形成されている。
電子輸送層18は、複数の画素に共通して発光層17および隔壁層15上に設けられており、上部電極20から注入された電子を発光層17へと輸送する機能を有する。電子輸送層18は、例えば、オキサジアゾール誘導体(OXD)、トリアゾール誘導体(TAZ)、フェナンスロリン誘導体(BCP、Bphen)などを用い形成されている。
(9) 電子注入層
電子注入層19は、電子輸送層18上に複数の画素に共通して設けられており、上部電極20から発光層17への電子の注入を促進させる機能を有する。電子注入層19は、例えば、リチウム、バリウム、カルシウム、カリウム、セシウム、ナトリウム、ルビジウム等の低仕事関数金属や、フッ化リチウム等の低仕事関数金属塩、酸化バリウム等の低仕事関数金属酸化物などを用いて形成されている。
電子注入層19は、電子輸送層18上に複数の画素に共通して設けられており、上部電極20から発光層17への電子の注入を促進させる機能を有する。電子注入層19は、例えば、リチウム、バリウム、カルシウム、カリウム、セシウム、ナトリウム、ルビジウム等の低仕事関数金属や、フッ化リチウム等の低仕事関数金属塩、酸化バリウム等の低仕事関数金属酸化物などを用いて形成されている。
(10) 上部電極(陰極)
上部電極20は、電子注入層19上に複数の画素に共通して設けられており、陰極である。上部電極20は、スパッタリング法により成膜される。上部電極20は、厚さ7〜17nm程度のCu添加Ag合金で形成されている。上部電極20が光透過性を有する厚みで形成されることにより、発光層17で発生した光を、上部電極20側から取り出すことができる。
上部電極20は、電子注入層19上に複数の画素に共通して設けられており、陰極である。上部電極20は、スパッタリング法により成膜される。上部電極20は、厚さ7〜17nm程度のCu添加Ag合金で形成されている。上部電極20が光透過性を有する厚みで形成されることにより、発光層17で発生した光を、上部電極20側から取り出すことができる。
(11) 封止層
上部電極20の上には、封止層21が設けられている。封止層21は、基板11の反対側から不純物(水,酸素)が上部電極20,電子注入層19,電子輸送層18,発光層17等へと侵入するのを防ぎ、不純物によるこれらの層の劣化を抑制する機能を有する。本実施形態に係る発光パネル100はトップエミッション型の表示パネルであるため、封止層21の材料としては、例えばSiN(窒化シリコン)、SiON(酸窒化シリコン)等の光透過性材料が用いられる。
上部電極20の上には、封止層21が設けられている。封止層21は、基板11の反対側から不純物(水,酸素)が上部電極20,電子注入層19,電子輸送層18,発光層17等へと侵入するのを防ぎ、不純物によるこれらの層の劣化を抑制する機能を有する。本実施形態に係る発光パネル100はトップエミッション型の表示パネルであるため、封止層21の材料としては、例えばSiN(窒化シリコン)、SiON(酸窒化シリコン)等の光透過性材料が用いられる。
(12) その他
なお、図1には図示されていないが、封止層21の上にカラーフィルタや上部基板を載置し、接合してもよい。上部基板を設けることにより、上部電極20,電子注入層19,電子輸送層18,発光層17等に対する不純物からのさらなる保護を図ることができる。
2.発光パネルの製造方法
次に、発光パネル100の製造方法の一例を、図2〜図5を用いて説明する。なお、図2〜4は、発光パネル100の製造過程を模式的に示す部分断面図であり、図5は、発光パネル100の製造過程を示す模式工程図である。
なお、図1には図示されていないが、封止層21の上にカラーフィルタや上部基板を載置し、接合してもよい。上部基板を設けることにより、上部電極20,電子注入層19,電子輸送層18,発光層17等に対する不純物からのさらなる保護を図ることができる。
2.発光パネルの製造方法
次に、発光パネル100の製造方法の一例を、図2〜図5を用いて説明する。なお、図2〜4は、発光パネル100の製造過程を模式的に示す部分断面図であり、図5は、発光パネル100の製造過程を示す模式工程図である。
先ず、図2(a)に示すように、基材111上にTFT層112を形成して、基板11を形成する(図5のステップS1)。
次に、図2(b)に示すように、基板11上に層間絶縁層12を成膜し焼成する(図5のステップS2)。層間絶縁層12の材料である層間絶縁層用樹脂には、本実施形態においては、ポジ型の感光性材料であるアクリル樹脂を用いる。層間絶縁層12は、層間絶縁層用樹脂であるアクリル樹脂を層間絶縁層用溶媒(例えば、PGMEA)に溶解させた層間絶縁層用溶液を基板11上に塗布して成膜した後、焼成を行う。焼成は、例えば、150℃以上210℃以下の温度で180分間行う。
次に、図2(b)に示すように、基板11上に層間絶縁層12を成膜し焼成する(図5のステップS2)。層間絶縁層12の材料である層間絶縁層用樹脂には、本実施形態においては、ポジ型の感光性材料であるアクリル樹脂を用いる。層間絶縁層12は、層間絶縁層用樹脂であるアクリル樹脂を層間絶縁層用溶媒(例えば、PGMEA)に溶解させた層間絶縁層用溶液を基板11上に塗布して成膜した後、焼成を行う。焼成は、例えば、150℃以上210℃以下の温度で180分間行う。
続いて、図2(c)に示すように、層間絶縁層12上にバリアメタル材料層131を一様に形成する(図5のステップS3)。バリアメタル材料層131は、例えば、タングステン(W)、モリブデン(Mo)、鉄(Fe)等の遷移金属元素を含有する金属あるいは合金からなる。バリアメタル材料層131の成膜方法としては、例えば、スパッタ法が利用できる。スパッタ法では、例えば、遷移金属元素を含有する金属あるいは合金製の平板をターゲット部材に使用し、不活性ガスとしてアルゴンガスを使用してもよい。本実施形態では、バリアメタル材料層131は、例えば、タングステンを材料として40nmの膜厚で形成する。
さらに続いて、図2(d)に示すように、バリアメタル材料層131上に下部電極レイヤー132を形成する。下部電極レイヤー132は、光反射性の導電材料を用いてスパッタ法により層間絶縁層12上に一様に形成する(図5のステップS4)。下部電極レイヤー132を形成する光反射性の導電材料は、本実施形態においてはアルミニウムを含む金属材料であり、より具体的には、ACL(アルミニウムとコバルトとランタンの合金)である。また、下部電極レイヤー132の厚さは、例えば、50nm以上300nm以下であり、本実施形態においては、200nmである。
本実施形態においては、図2(d)に示すように、下部電極レイヤー132およびバリアメタル材料層131により下部電極材料層130が構成される。
続いて、図2(e)に示すように、下部電極レイヤー132およびバリアメタル材料層131から成る下部電極材料層130上に正孔注入材料層140を形成する(図5のステップS5)。本実施形態に係る発光パネル100においては、正孔注入材料層140は、酸化タングステンの層であり、反応性スパッタ法により形成される。
続いて、図2(e)に示すように、下部電極レイヤー132およびバリアメタル材料層131から成る下部電極材料層130上に正孔注入材料層140を形成する(図5のステップS5)。本実施形態に係る発光パネル100においては、正孔注入材料層140は、酸化タングステンの層であり、反応性スパッタ法により形成される。
そして、図2(f)に示すように、下部電極材料層130および正孔注入材料層140をエッチングによりパターニングして、サブピクセルごとに区画された複数の下部電極13および正孔注入層14を形成する(図5のステップS6)。
なお、各下部電極13は、バリアメタル層13aおよび下部電極層13bから成る。バリアメタル層13aは、バリアメタル材料層131がパターニングされて形成される。下部電極層13bは、下部電極レイヤー132がパターニングされて形成される。正孔注入層14は、正孔注入材料層140がパターニングされて形成される。
なお、各下部電極13は、バリアメタル層13aおよび下部電極層13bから成る。バリアメタル層13aは、バリアメタル材料層131がパターニングされて形成される。下部電極層13bは、下部電極レイヤー132がパターニングされて形成される。正孔注入層14は、正孔注入材料層140がパターニングされて形成される。
また、本実施形態においては、正孔注入材料層140はドライエッチングによりパターニングされ、下部電極材料層130はウェットエッチングによりパターニングされるが、パターニングの方法としては特にこれに限定されるものではない。
さらには、下部電極材料層130のパターニングを行って下部電極13を形成した後に、下部電極13および層間絶縁層12上に正孔注入層14を各サブピクセル共通な一様な膜として形成してもよい。
さらには、下部電極材料層130のパターニングを行って下部電極13を形成した後に、下部電極13および層間絶縁層12上に正孔注入層14を各サブピクセル共通な一様な膜として形成してもよい。
続いて、図3(a)に示すように、正孔注入層14および層間絶縁層12上に、隔壁層15の材料である隔壁層用樹脂を塗布し、隔壁材料層150を形成する。隔壁層用樹脂には、例えば、ポジ型の感光性材料であるフェノール樹脂が用いられる。隔壁材料層150は、隔壁層用樹脂であるフェノール樹脂を溶媒(例えば、乳酸エチルとGBLの混合溶媒)に溶解させた溶液を正孔注入層14上および層間絶縁層12上にスピンコート法などを用いて一様に塗布することにより形成される。そして、隔壁材料層150にパターン露光と現像を行うことで隔壁層15を形成し(図3(b),図5のステップS7)、隔壁層15を焼成する(図5のステップS8)。これにより、発光層17の形成領域となる開口部15aが規定される。隔壁層15の焼成は、例えば、150℃以上210℃以下の温度で60分間行う。
また、隔壁層15の形成工程においては、さらに、隔壁層15の表面を所定のアルカリ性溶液や水、有機溶媒等によって表面処理するか、プラズマ処理を施すこととしてもよい。これは、開口部15aに塗布するインク(溶液)に対する隔壁層15の接触角を調節する目的で、もしくは、表面に撥水性を付与する目的で行われる。
次に、図3(c)に示すように、隔壁層15が規定する開口部15aに対し、正孔輸送層16の構成材料を含むインクを、インクジェットヘッド401のノズル4030から吐出して開口部15a内の正孔注入層14上に塗布し、焼成(乾燥)を行って、正孔輸送層16を形成する(図5のステップS9)。
次に、図3(c)に示すように、隔壁層15が規定する開口部15aに対し、正孔輸送層16の構成材料を含むインクを、インクジェットヘッド401のノズル4030から吐出して開口部15a内の正孔注入層14上に塗布し、焼成(乾燥)を行って、正孔輸送層16を形成する(図5のステップS9)。
そして、図3(d)に示すように、発光層17の構成材料を含むインクを、インクジェットヘッド401のノズル4030から吐出して開口部15a内の正孔輸送層16上に塗布し、焼成(乾燥)を行って発光層17を形成する(図5のステップS10)。
続いて、図4(a)に示すように、発光層17上および隔壁層15上に、電子輸送層18を構成する材料を真空蒸着法またはスパッタリング法により各サブピクセルに共通して成膜し、電子輸送層18を形成する(図5のステップS11)。
続いて、図4(a)に示すように、発光層17上および隔壁層15上に、電子輸送層18を構成する材料を真空蒸着法またはスパッタリング法により各サブピクセルに共通して成膜し、電子輸送層18を形成する(図5のステップS11)。
次に、図4(b)に示すように、電子注入層19を構成する材料を、蒸着法、スピンコート法、キャスト法などの方法により電子輸送層18上に成膜し、各サブ画素に共通して電子注入層19を形成する(図5のステップS12)。
そして、図4(c)に示すように、電子注入層19上に、上部電極20および封止層21を形成する。具体的には、先ず、Cu添加Agを用い、スパッタリング法により成膜して、上部電極20を形成する(図5のステップS13)。
そして、図4(c)に示すように、電子注入層19上に、上部電極20および封止層21を形成する。具体的には、先ず、Cu添加Agを用い、スパッタリング法により成膜して、上部電極20を形成する(図5のステップS13)。
ここで、上部電極20の形成方法について、さらに説明する。
まず、図6を用いて、スパッタ装置500の概略構成について説明する。スパッタ装置500は、基板受け渡し室510、成膜室520、ロードロック室530を有し、成膜室520内で、マグネトロンスパッタ法によりスパッタリングを行う。成膜室520には、スパッタリングガスを導入されている。スパッタリングガスには、Ar(アルゴン)等の不活性ガスが用いられる。本実施形態においては、Arが用いられる。
まず、図6を用いて、スパッタ装置500の概略構成について説明する。スパッタ装置500は、基板受け渡し室510、成膜室520、ロードロック室530を有し、成膜室520内で、マグネトロンスパッタ法によりスパッタリングを行う。成膜室520には、スパッタリングガスを導入されている。スパッタリングガスには、Ar(アルゴン)等の不活性ガスが用いられる。本実施形態においては、Arが用いられる。
スパッタ装置500内のキャリア521には、成膜対象の基板522が設置される。基板522は、基板受け渡し室510において、基板突き上げ機構511によりキャリア521に装着される。基板522が装着されたキャリア521は、基板受け渡し室510から成膜室520を経由してロードロック室530まで、搬送路501上を一定の速度で直線移動する。本実施形態においては、キャリア521の移動速度は30mm/sである。なお、基板522は加温せず、常温でスパッタリングが行われる。
成膜室520内には、搬送路501に対して直交する方向に延びる、棒状のターゲット523が設置されている。本実施の形態においては、ターゲット523は、Cuが添加されたAgである。なお、ターゲット523の下方には磁石525が配置されている。なお、ターゲット523は、棒状の金属である必要はなく、例えば、粉末状であってもよい。また、ターゲット523は銀を主成分とし銅を含んでいればよく、銅は銀に添加されている必要はない。例えば、銀の粉末に銅の粉末を微量加えた混合物をターゲット523として用いてもよい。
電源524は、ターゲット523に対して電圧を印加する。なお、図6では電源524は交流電源であるが、直流電源、または、直流/交流のハイブリッド電源であってもよい。
排気系531によりスパッタ装置500内を排気し、ガス供給系532により成膜室520内にスパッタリングガスを導入する。電源524によりターゲット523に電圧を印加すると、スパッタリングガスのプラズマが発生し、ターゲット523の表面がスパッタされる。そして、スパッタされたターゲット523の原子を基板522上に堆積させることにより成膜する。
排気系531によりスパッタ装置500内を排気し、ガス供給系532により成膜室520内にスパッタリングガスを導入する。電源524によりターゲット523に電圧を印加すると、スパッタリングガスのプラズマが発生し、ターゲット523の表面がスパッタされる。そして、スパッタされたターゲット523の原子を基板522上に堆積させることにより成膜する。
なお、スパッタリングガスであるArのガス圧は、例えば、0.6Paであり、流量は100sccmである。
続いて、上部電極20上に、SiNを材料にスパッタリング法,CVD(Chemical Vapor Deposition)法等により成膜し、封止層21を形成する(図5のステップS14)。
続いて、上部電極20上に、SiNを材料にスパッタリング法,CVD(Chemical Vapor Deposition)法等により成膜し、封止層21を形成する(図5のステップS14)。
以上の工程を経ることにより発光パネル100が完成する。このように、本実施形態に係る発光パネル100においては、上部電極20を形成する際に、銅(Cu)が添加された銀(Ag)をターゲットとして用いることを特徴とする。
なお、封止層21の上にカラーフィルタや上部基板を載置し、接合してもよい。
3.上部電極の特性について
発明者らは、上部電極の表面状態、電気抵抗、光透過率について評価試験を行った。評価試験に供したサンプルは4種類である。サンプルAは、上部電極20を、銅(Cu)が添加された銀(Ag)をターゲットとして、IZO(Indium Zinc Oxide)上に膜厚15nmで形成したサンプルである。サンプルBは、上部電極20を、純銀(Ag)をターゲットとして、サンプルAと同様IZO上に膜厚15nmで形成したサンプルである。サンプルCは、上部電極20を、銅(Cu)が添加された銀(Ag)をターゲットとして、有機機能層上に膜厚15nmで形成したサンプルである。サンプルDは、上部電極20を、純銀(Ag)をターゲットとして、有機機能層上に膜厚15nmで形成したサンプルである。
(1)表面状態
図7(a)〜(d)に、各サンプルにおける上部電極20の表面を撮像した電子顕微鏡写真を示す。図7(b)、図7(d)に示すように、純銀をターゲットとした上部電極20では、1〜数μm程度のアイランド301が形成され、ボイド(空隙)302が発生している。一方、図7(a)、図7(c)に示すように、銅を添加した銀をターゲットとした上部電極20では、アイランドもボイドも見受けられず、膜質が均質となっている。これは、次のような原因が考えられる。純銀の薄膜においてアイランド化が発生したりボイドが形成されたりする要因として考えられることは、スパッタされた銀原子が基板上に堆積する際、他の原子上よりも銀原子上に定着しやすいことである。すなわち、基板上にすでに堆積している銀の上に銀原子が定着しやすいため、銀の結晶が粗大化してアイランド化が発生する一方、IZOや有機機能層の表面には銀原子が定着しづらく、ボイドが形成される原因となる。これに対し、銅を添加した場合、膜質が均質となるのは、スパッタされた銀原子が、銀原子上よりさらに銅原子上に定着しやすいことが考えられる。銀原子の定着しやすい場所が銅原子上、銀原子上、それ以外の場所、の順であれば、銅原子が定着した場所も薄膜成長の中心となりボイドが形成されづらくなる上、銀の微結晶が過度に成長しアイランド化が発生する現象が抑制されるからである。
なお、封止層21の上にカラーフィルタや上部基板を載置し、接合してもよい。
3.上部電極の特性について
発明者らは、上部電極の表面状態、電気抵抗、光透過率について評価試験を行った。評価試験に供したサンプルは4種類である。サンプルAは、上部電極20を、銅(Cu)が添加された銀(Ag)をターゲットとして、IZO(Indium Zinc Oxide)上に膜厚15nmで形成したサンプルである。サンプルBは、上部電極20を、純銀(Ag)をターゲットとして、サンプルAと同様IZO上に膜厚15nmで形成したサンプルである。サンプルCは、上部電極20を、銅(Cu)が添加された銀(Ag)をターゲットとして、有機機能層上に膜厚15nmで形成したサンプルである。サンプルDは、上部電極20を、純銀(Ag)をターゲットとして、有機機能層上に膜厚15nmで形成したサンプルである。
(1)表面状態
図7(a)〜(d)に、各サンプルにおける上部電極20の表面を撮像した電子顕微鏡写真を示す。図7(b)、図7(d)に示すように、純銀をターゲットとした上部電極20では、1〜数μm程度のアイランド301が形成され、ボイド(空隙)302が発生している。一方、図7(a)、図7(c)に示すように、銅を添加した銀をターゲットとした上部電極20では、アイランドもボイドも見受けられず、膜質が均質となっている。これは、次のような原因が考えられる。純銀の薄膜においてアイランド化が発生したりボイドが形成されたりする要因として考えられることは、スパッタされた銀原子が基板上に堆積する際、他の原子上よりも銀原子上に定着しやすいことである。すなわち、基板上にすでに堆積している銀の上に銀原子が定着しやすいため、銀の結晶が粗大化してアイランド化が発生する一方、IZOや有機機能層の表面には銀原子が定着しづらく、ボイドが形成される原因となる。これに対し、銅を添加した場合、膜質が均質となるのは、スパッタされた銀原子が、銀原子上よりさらに銅原子上に定着しやすいことが考えられる。銀原子の定着しやすい場所が銅原子上、銀原子上、それ以外の場所、の順であれば、銅原子が定着した場所も薄膜成長の中心となりボイドが形成されづらくなる上、銀の微結晶が過度に成長しアイランド化が発生する現象が抑制されるからである。
(2)シート抵抗値
図7(e)に、各サンプルのシート抵抗値を示す。図7(e)に示すように、上部電極20が純銀であるサンプルB、サンプルDに対し、上部電極20が銅を含んでいるサンプルA、Cでは、シート抵抗値が約60%上昇している。しかしながら、サンプルA、サンプルCでも、同じ膜厚のITO、IZOに対して十分にシート抵抗値は小さく、金属酸化物で形成される上部電極より高い導電性を有している。
図7(e)に、各サンプルのシート抵抗値を示す。図7(e)に示すように、上部電極20が純銀であるサンプルB、サンプルDに対し、上部電極20が銅を含んでいるサンプルA、Cでは、シート抵抗値が約60%上昇している。しかしながら、サンプルA、サンプルCでも、同じ膜厚のITO、IZOに対して十分にシート抵抗値は小さく、金属酸化物で形成される上部電極より高い導電性を有している。
(3)光透過率
図8(a)、(b)に、各サンプルにおける光の透過率を示す。図8(a)に示すように、IZO上に形成された上部電極20では、銅を含んだサンプルAの光透過率は同を含まないサンプルBの光透過率とほぼ同じである。一方、図8(b)に示すように、有機機能層上に形成された上部電極20では、銅を含まないサンプルDに対し、銅を含むサンプルCでは、波長500nm以上(緑色〜赤色、および赤外光)では光透過率が数%程度低下する。しかしながら、サンプルCでも、わずかにサンプルDより光透過率が低い程度であり、十分に可視光の光透過率は高い。
図8(a)、(b)に、各サンプルにおける光の透過率を示す。図8(a)に示すように、IZO上に形成された上部電極20では、銅を含んだサンプルAの光透過率は同を含まないサンプルBの光透過率とほぼ同じである。一方、図8(b)に示すように、有機機能層上に形成された上部電極20では、銅を含まないサンプルDに対し、銅を含むサンプルCでは、波長500nm以上(緑色〜赤色、および赤外光)では光透過率が数%程度低下する。しかしながら、サンプルCでも、わずかにサンプルDより光透過率が低い程度であり、十分に可視光の光透過率は高い。
(4)まとめ
以上説明したように、銅を含む銀合金による上部電極20では、可視光の透過率が十分に高く、かつ、シート抵抗値が十分に小さい。さらに、膜質が均一であるため、陰極形成時の基板サイズに関係なく、透光性電極としての陰極の膜質を安定化させることができる。
以上説明したように、銅を含む銀合金による上部電極20では、可視光の透過率が十分に高く、かつ、シート抵抗値が十分に小さい。さらに、膜質が均一であるため、陰極形成時の基板サイズに関係なく、透光性電極としての陰極の膜質を安定化させることができる。
4.有機EL表示装置の全体構成
図10は、発光パネル100を備えた有機EL表示装置1000の構成を示す模式ブロック図である。図10に示すように、有機EL表示装置1000は、発光パネル100と、これに接続された駆動制御部200とを含む構成である。駆動制御部200は、4つの駆動回路210〜240と、制御回路250とから構成されている。
図10は、発光パネル100を備えた有機EL表示装置1000の構成を示す模式ブロック図である。図10に示すように、有機EL表示装置1000は、発光パネル100と、これに接続された駆動制御部200とを含む構成である。駆動制御部200は、4つの駆動回路210〜240と、制御回路250とから構成されている。
なお、実際の有機EL表示装置1000では、発光パネル100に対する駆動制御部200の配置については、これに限られない。
4.変形例
上記実施の形態においては、本開示に係る発光パネルの一例として有機EL表示装置に適用された場合について説明したが、これに限られない。本開示に係る発光パネルは、無機の発光材料を用いた発光パネルでもよい。
4.変形例
上記実施の形態においては、本開示に係る発光パネルの一例として有機EL表示装置に適用された場合について説明したが、これに限られない。本開示に係る発光パネルは、無機の発光材料を用いた発光パネルでもよい。
また、表示装置に限られず、有機EL照明装置のようなパネル型の照明装置であってもよい。
以上、本開示に係る有機発光パネルおよび表示装置について、実施の形態および変形例に基づいて説明したが、本発明は、上記の実施の形態および変形例に限定されるものではない。上記実施の形態および変形例に対して当業者が思いつく各種変形を施して得られる形態や、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で実施の形態および変形例における構成要素及び機能を任意に組み合わせることで実現される形態も本発明に含まれる。
以上、本開示に係る有機発光パネルおよび表示装置について、実施の形態および変形例に基づいて説明したが、本発明は、上記の実施の形態および変形例に限定されるものではない。上記実施の形態および変形例に対して当業者が思いつく各種変形を施して得られる形態や、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で実施の形態および変形例における構成要素及び機能を任意に組み合わせることで実現される形態も本発明に含まれる。
本発明は、発光層から発せられた光を発光層の一方の側に配された電極層が光透過性を有することにより、外部へ光を取り出す構成を備えた発光パネルにおいて、発光強度の面内ばらつきが抑制された発光パネルを製造するのに有用である。
11 基板
13 下部電極
17 発光層
20 上部電極
100 発光パネル
13 下部電極
17 発光層
20 上部電極
100 発光パネル
Claims (7)
- 基板の上方に、陽極、発光層、陰極の順に発光パネルを形成する製造方法であって、
銀を主成分とし銅を含むターゲットを用いるスパッタ法により、光透過性を有するように前記陰極を形成する
発光パネルの製造方法。 - 前記陰極の形成は、一方向に延伸するようにターゲットを設置し、前記一方向に直交する向きに設けられた搬送路に沿って前記基板を搬送しながらスパッタリングを行うことにより行う
請求項1に記載の発光パネルの製造方法。 - 前記搬送路における前記基板の搬送速度は、作成完了時における陰極の膜厚が7nm以上17nm以下となるように制御される
請求項2に記載の発光パネルの製造方法。 - 前記ターゲットは、銀に銅を添加した材料を用いる
請求項1から3のいずれか1項に記載の発光パネルの製造方法。 - 前記ターゲットとして、銀を主成分とする、銀と銅との混合物を用いる
請求項1から3のいずれか1項に記載の発光パネルの製造方法。 - 基板の上方に、陽極、発光層、陰極の順に積層されてなる発光パネルであって、
前記陰極は、銀を主成分とし銅を含む材料からなり、かつ、光透過性を有する
発光パネル。 - 前記陰極の膜厚は7nm以上17nm以下である
請求項6に記載の発光パネル。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016077071A JP2017188345A (ja) | 2016-04-07 | 2016-04-07 | 発光パネルの製造方法、および、発光パネル |
Applications Claiming Priority (1)
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Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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ID=60045700
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016077071A Pending JP2017188345A (ja) | 2016-04-07 | 2016-04-07 | 発光パネルの製造方法、および、発光パネル |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2017188345A (ja) |
-
2016
- 2016-04-07 JP JP2016077071A patent/JP2017188345A/ja active Pending
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