WO2015178003A1

WO2015178003A1 - 発光デバイスの製造方法および発光デバイス

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Publication number: WO2015178003A1
Application number: PCT/JP2015/002477
Authority: WO
Inventors: 隆太山田
Original assignee: 株式会社Ｊｏｌｅｄ
Priority date: 2014-05-21
Filing date: 2015-05-18
Publication date: 2015-11-26

Abstract

　一方が光反射性を有し他方が光透過性を有する第１電極および第２電極と、これらの間に配され、第１層および第２層を含む複数の機能層の積層構造とを有する発光色が同じ第１発光素子および第２発光素子が基板上に配されて成る発光デバイスの製造方法である。当該製造方法において、第１発光素子および第２発光素子の第１層をスパッタ法で形成し、第１発光素子および第２発光素子の第２層を塗布法で形成する。そして、第１発光素子の第１層の光学膜厚をＤｓ１、第２発光素子の第１層の光学膜厚をＤｓ２、第１発光素子の第２層の光学膜厚をＤｗ１、第２発光素子の第２層の光学膜厚をＤｗ２とした場合、Ｄｓ１＜Ｄｓ２且つＤｗ１＞Ｄｗ２の関係を満たす。

Description

発光デバイスの製造方法および発光デバイス

　本発明は、発光デバイスの製造方法および発光デバイスに関し、特に輝度むらおよび色度ずれの抑制に関する。

　近年、有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ－Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）パネルや有機ＥＬ照明等の発光デバイスの開発が盛んに行われている。このような発光デバイスは、一般に、陽極と陰極との間に、発光層を含む複数の機能層が積層された構成を有する。発光層以外の機能層としては、例えば、電子注入層や正孔輸送層等が挙げられる。発光デバイスでは、発光効率の向上が求められており、発光効率は、有機発光物質の光電変換率に係る内部効率と、光取出し効率に係る外部効率とに分けられる。そして、光取出し効率（外部効率）を向上させる方法の一つとして、発光デバイス内に共振器構造を導入する方法が従来知られている（例えば、特許文献１および特許文献２）。

特開２００６－１４０１３０号公報特開２０１２－３８５５５号公報

　発光デバイスの複数の機能層には、スパッタ法により形成される層が含まれる場合がある。スパッタ法により形成される層には、製造装置の部品の配置等に起因する装置の個性や、機能層の形成条件等の要因により、膜厚が相対的に厚い部分と相対的に薄い部分とが生じる。このような膜厚のばらつきが存在すると、発光面内において光学的距離にばらつきが生じる。すると、光の共振効果にもばらつきが生じ、発光デバイスの発光面内における輝度むらや色度ずれの原因となる。

　本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、発光面内の光の共振効果のばらつきを抑制して、輝度むらや色度ずれを抑制することができる発光デバイスの製造方法および発光デバイスを提供することを目的とする。

　本発明の一態様に係る発光デバイスの製造方法は、基板上に発光色が同じ第１発光素子および第２発光素子が配され、前記第１発光素子および前記第２発光素子の何れもが、一方が光反射性を有し他方が光透過性を有する第１電極および第２電極と、前記第１電極および前記第２電極の間に配され、第１層および第２層を含む複数の機能層の積層構造とを有する発光デバイスの製造方法であって、前記第１発光素子の前記第１層と、前記第２発光素子の前記第１層とを、スパッタ法で形成し、前記第１発光素子の前記第２層と、前記第２発光素子の前記第２層とを、塗布法で形成し、前記第１層および前記第２層の前記基板の主面と直交する方向における光学膜厚について、前記第１発光素子における前記第１層の光学膜厚をＤｓ１とし、前記第２発光素子における前記第１層の光学膜厚をＤｓ２とし、前記第１発光素子における前記第２層の光学膜厚をＤｗ１とし、前記第２発光素子における前記第２層の光学膜厚をＤｗ２とした場合、Ｄｓ１＜Ｄｓ２、且つ、Ｄｗ１＞Ｄｗ２の関係を満たすことを特徴とする。

　本発明の一態様に係る発光デバイスの製造方法によると、第１発光素子における第１層の光学膜厚Ｄｓ１よりも第２発光素子における第１層の光学膜厚Ｄｓ２の方が厚い。一方、第１発光素子における第２層の光学膜厚Ｄｗ１よりも第２発光素子における第２層の光学膜厚Ｄｗ２の方が薄い。即ち、第１発光素子において、第１層の光学膜厚Ｄｓ１が比較的薄いのを、第２層の光学膜厚Ｄｗ１が比較的厚いことにより、相殺することができる。同様に、第２発光素子において、第１層の光学膜厚Ｄｓ２が比較的厚いのを、第２層の光学膜厚Ｄｗ２が比較的薄いことにより相殺することができる。

　言い換えれば、発光デバイスの発光面全体として、第２層を塗布法で形成する際に、第２層を形成するためのインクの吐出量を調整して、第２層の光学膜厚が、スパッタ法で形成された第１層の光学膜厚ばらつきを相殺するような光学膜厚分布となるように第２層を形成することができる。

　これにより、輝度むらや色度ずれが抑制された発光デバイスを製造することができる。

本発明の実施形態に係る有機ＥＬ素子の構成を模式的に示す断面図である。本発明の実施形態に係る有機表示パネルの製造過程の一部を模式的に示す部分断面図である。（ａ）は、基材上にＴＦＴ層が形成された状態を示す部分断面図である。（ｂ）は、ＴＦＴ層上に層間絶縁層が形成された状態を示す部分断面図である。（ｃ）は、層間絶縁層上に陽極が形成された状態を示す部分断面図である。（ｄ）は、陽極上に正孔注入層が形成された状態を示す部分断面図である。図２の続きの有機ＥＬ表示パネルの製造過程の一部を模式的に示す部分断面図である。（ａ）は、正孔注入層および層間絶縁層上に隔壁材料層が形成された状態を示す部分断面図である。（ｂ）は、正孔注入層および層間絶縁層上に隔壁層が形成された状態を示す部分断面図である。（ｃ）は、隔壁層の開口部内に正孔輸送層が形成された状態を示す部分断面図である。（ｄ）は、隔壁層の開口部内において正孔輸送層上に発光層が形成された状態を示す部分断面図である。図３の続きの有機ＥＬ表示パネルの製造過程の一部を模式的に示す部分断面図である。（ａ）は、隔壁層上および発光層上に電子輸送層が形成された状態を示す部分断面図である。（ｂ）は、電子輸送層上に電子注入層が形成された状態を示す部分断面図である。（ｃ）は、電子注入層上に陰極および封止層が形成された状態を示す部分断面図である。本発明の実施形態に係る有機表示パネルの製造過程を示す模式工程図である。本発明の実施形態に係る有機表示パネルにおける正孔注入層の膜厚分布を示す図である。（ａ）は、本発明の実施形態に係る有機表示パネルにおける正孔注入層の領域別の代表ポイントの膜厚比をグラフにプロットした図である。（ｂ）は、（ａ）の代表ポイントにおけるＢ色の色度ｙ値を領域別にグラフにプロットした図である。（ｃ）は、（ａ），（ｂ）における領域区分を模式的に示す図である。本発明の実施形態に係る有機表示パネルにおける正孔輸送層の膜厚分布を模式的に示す図である。本発明の実施形態に係る有機表示パネルの第１発光素子および第２発光素子のそれぞれにおける正孔注入層と正孔輸送層の膜厚を模式的に示す図である。本発明の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の概略構成を示す模式ブロック図である。

　≪本発明の一態様の概要≫
　本発明の一態様に係る発光デバイスの製造方法は、基板上に発光色が同じ第１発光素子および第２発光素子が配され、前記第１発光素子および前記第２発光素子の何れもが、一方が光反射性を有し他方が光透過性を有する第１電極および第２電極と、前記第１電極および前記第２電極の間に配され、第１層および第２層を含む複数の機能層の積層構造とを有する発光デバイスの製造方法であって、前記第１発光素子の前記第１層と、前記第２発光素子の前記第１層とを、スパッタ法で形成し、前記第１発光素子の前記第２層と、前記第２発光素子の前記第２層とを、塗布法で形成し、前記第１層および前記第２層の前記基板の主面と直交する方向における光学膜厚について、前記第１発光素子における前記第１層の光学膜厚をＤｓ１とし、前記第２発光素子における前記第１層の光学膜厚をＤｓ２とし、前記第１発光素子における前記第２層の光学膜厚をＤｗ１とし、前記第２発光素子における前記第２層の光学膜厚をＤｗ２とした場合、Ｄｓ１＜Ｄｓ２、且つ、Ｄｗ１＞Ｄｗ２の関係を満たすことを特徴とする。

　これにより、第１発光素子における光学的距離と第２発光素子における光学的距離とのずれが抑制され、発光面内における光の共振効果のばらつきが抑制されて、輝度むらや色度ずれが抑制された発光デバイスを製造することができる。

　ここで、「光学膜厚」とは、機能層の厚み方向における光学的距離を意味しており、具体的には、機能層の物理的な膜厚に、機能層の光屈折率を乗じた値である。

　また、本発明の一態様に係る発光デバイスの製造方法の特定の局面では、前記Ｄｓ１、前記Ｄｓ２、前記Ｄｗ１、および、前記Ｄｗ２は、前記第１発光素子および前記第２発光素子の前記発光色の波長に基づいて、共振器構造を形成する光学膜厚にそれぞれ設定されていることを特徴とする。

　これにより、それぞれの発光素子において共振効果を適切に調整することができ、発光効率の向上、輝度むらの抑制、色度ずれの抑制を図ることができる。

　また、本発明の一態様に係る発光デバイスの製造方法の特定の局面では、前記基板の上方に、光反射性を有する材料を用いて前記第１電極を形成し、前記第１電極の上方に、前記第１層および前記第２層の一方を形成し、前記一方の上方に、前記第１層および前記第２層の他方を形成し、前記他方の上方に、発光層を形成し、前記発光層の上方に、光透過性を有する材料を用いて前記第２電極を形成し、前記Ｄｓ１、前記Ｄｓ２、前記Ｄｗ１、前記Ｄｗ２は、Ｄｓ１＋Ｄｗ１＝Ｄｓ２＋Ｄｗ２の関係を満たすことを特徴とする。

　上記製造方法は、第１電極が基板側に形成されて光反射性を有し、第２電極が基板と反対側に形成されて光透過性を有する、所謂トップエミッション型の発光デバイスの製造方法である。また、上記製造方法においては、光反射性を有する第１電極と発光層との間に第１層および第２層が形成される。従って、発光層から第２電極側へと発せられた光は、第１層および第２層を通過することなく、第２電極を透過して直接外部へと取り出される（以下、「直接出射光」という。）。一方、発光層から第１電極側へと発せられた光は、第１層および第２層を通過して第１電極表面で反射された後に再び第１層および第２層を通過して外部へと取り出される（以下、「反射出射光」という。）。よって、第１層および第２層の光学膜厚を調整することにより、もっとも効率的に共振効果の調整を行うことができる。

　そしてその際に、第１発光素子における光学的距離と第２発光素子における光学的距離とのずれが抑制され、発光面内における光の共振効果のばらつきが抑制されて、輝度むらや色度ずれが抑制された発光デバイスを製造することができる。

　また、本発明の一態様に係る発光デバイスの製造方法の特定の局面では、前記基板の上方に、光透過性を有する材料を用いて前記第１電極を形成し、前記第１電極の上方に、発光層を形成し、前記発光層の上方に、前記第１層および前記第２層の一方を形成し、前記一方の上方に、前記第１層および前記第２層の他方を形成し、前記他方の上方に、光反射性を有する材料を用いて前記第２電極を形成し、前記Ｄｓ１、前記Ｄｓ２、前記Ｄｗ１、前記Ｄｗ２は、Ｄｓ１＋Ｄｗ１＝Ｄｓ２＋Ｄｗ２の関係を満たすことを特徴とする。

　上記製造方法は、第１電極が基板側に形成されて光透過性を有し、第２電極が基板と反対側に形成されて光反射性を有する、所謂ボトムエミッション型の発光デバイスの製造方法である。また、上記製造方法においては、光反射性を有する第２電極と発光層との間に第１層および第２層が形成される。従って、上記トップエミッション型の場合と同様に、第１層および第２層の光学膜厚を調整することにより、もっとも効率的に共振効果の調整を行うことができる。

　また、本発明の一態様に係る発光デバイスの製造方法の特定の局面では、前記第１層を金属酸化物で形成し、前記第１層の上方に前記第２層を有機材料で形成することを特徴とする。

　これにより、第１層を、金属酸化物からなる正孔輸送層として形成することができる。その場合、例えば、タングステンをターゲット部材に酸素雰囲気下で反応性スパッタ法により酸化タングステンの層として正孔注入層を形成することができ、製造が容易である。

　また、第２層を、正孔輸送性を有する有機材料から成る正孔輸送層として形成することができる。その場合、正孔輸送性を有する有機材料を用いて塗布法により正孔輸送層を形成することができ、製造が容易である。

　本発明の別の一態様に係る発光デバイスは、基板と、前記基板上に配され、発光色が同じ第１発光素子および第２発光素子とを有する発光デバイスであって、前記第１発光素子および前記第２発光素子の何れもが、少なくとも一方が光透過性を有する第１電極および第２電極と、前記第１電極および前記第２電極の間に配され、スパッタ法により形成された第１層および塗布法により形成された第２層を含む複数の機能層の積層構造とを有し、前記第１層および前記第２層の前記基板の主面と直交する方向における光学膜厚について、前記第１発光素子における前記第１層の光学膜厚をＤｓ１とし、前記第２発光素子における前記第１層の光学膜厚をＤｓ２とし、前記第１発光素子における前記第２層の光学膜厚をＤｗ１とし、前記第２発光素子における前記第２層の光学膜厚をＤｗ２とした場合、Ｄｓ１＜Ｄｓ２、且つ、Ｄｗ１＞Ｄｗ２の関係を満たすことを特徴とする。

　本発明の別の一態様に係る発光デバイスによると、第１発光素子において、第１層の光学膜厚Ｄｓ１が比較的薄いのが、第２層の光学膜厚Ｄｗ１が比較的厚いことにより、相殺されている。同様に、第２発光素子において、第１層の光学膜厚Ｄｓ２が比較的厚いのが、第２層の光学膜厚Ｄｗ２が比較的薄いことにより相殺されている。即ち、発光デバイスの発光面全体として、第１層の光学膜厚ばらつきを相殺するような光学膜厚分布で第２層が形成されている。

　これにより、第１発光素子における光学的距離と第２発光素子における光学的距離とのずれが抑制され、発光面内における光の共振効果のばらつきが抑制されて、輝度むらや色度ずれが抑制された発光デバイスを実現することができる。

　また、本発明の別の一態様に係る発光デバイスの特定の局面では、前記Ｄｓ１、前記Ｄｓ２、前記Ｄｗ１、および、前記Ｄｗ２は、前記第１発光素子および前記第２発光素子の前記発光色の波長に基づいて、共振器構造を形成する光学膜厚にそれぞれ設定されていることを特徴とする。

　これにより、それぞれの発光素子において共振効果が適切に調整され、発光効率の向上、輝度むらの抑制、色度ずれの抑制を図ることができる。

　また、本発明の別の一態様に係る発光デバイスの特定の局面では、前記第１電極と前記第２電極との間にさらに発光層を有し、前記第１電極は、光反射性を有し、前記第１電極と前記発光層との間に、前記第１層および前記第２層が配され、前記Ｄｓ１、前記Ｄｓ２、前記Ｄｗ１、前記Ｄｗ２は、Ｄｓ１＋Ｄｗ１＝Ｄｓ２＋Ｄｗ２の関係を満たすことを特徴とする。

　光反射性を有する第１電極と発光層との間に第１層および第２層が配されているため、第１層および第２層の光学膜厚を調整することにより、もっとも効率的に共振効果の調整を行うことができる。それにより、第１発光素子における光学的距離と第２発光素子における光学的距離とのずれが抑制され、発光面内における光の共振効果のばらつきが抑制されて、輝度むらや色度ずれが抑制された発光デバイスを実現することができる。

　また、本発明の別の一態様に係る発光デバイスの特定の局面では、前記第１層は、金属酸化物から成り、前記第２層は、有機材料から成り、前記第１層は、前記第２層よりも前記第１電極側に配されていることを特徴とする。

　これにより、第１層を、例えば、酸化タングステンから成る正孔注入層として形成することができる。この場合、タングステンをターゲット部材に酸素雰囲気下で反応性スパッタ法により酸化タングステンの層として正孔注入層を形成することができ、製造が容易である。

　また、第２層を、有機材料から成る正孔輸送層として形成することができる。この場合、正孔輸送性を有する有機材料を、例えば、インクジェット法により塗布して正孔輸送層を形成することができ、製造が容易である。

　以下、本発明の実施形態および変形例について具体例を示し、構成および作用・効果を説明する。

　なお、以下の説明で用いる実施形態および変形例は、本発明の一態様に係る構成および作用・効果を分かりやすく説明するために用いる例示であって、本発明は、その本質的部分以外に何ら以下の実施形態および変形例に限定を受けるものではない。

　≪実施形態≫
　［１．有機ＥＬ表示パネルの概略構成］
　本発明の一態様である発光デバイスの一例としての実施形態に係る有機ＥＬ表示パネル１００の概略構成について、図１を用い説明する。

　図１は、実施形態に係る有機ＥＬ表示パネル１００の一部拡大断面図である。有機ＥＬ表示パネル１００は、基板１１上にマトリクス状に配置された複数の発光素子１を有する。１つの発光素子は、１つのサブ画素（サブピクセル）に相当し、Ｒ（赤色）、Ｇ（緑色）、Ｂ（青色）の何れかの発光色に対応している。そして、Ｒ，Ｇ，Ｂそれぞれに対応する３つのサブ画素（サブピクセル）により１つの画素（ピクセル）が構成される。即ち、１つの画素は、Ｒ色に対応した発光素子１Ｒ、Ｇ色に対応した発光素子１Ｇ、およびＢ色に対応した発光素子１Ｂの３つの発光素子１から成る。有機ＥＬ表示パネル１００は、同図上側を表示面とする、いわゆるトップエミッション型のカラーディスプレイパネルである。

　なお、構成要素を発光色により特に区別する必要がある場合には、構成要素の符号の後にＲ，Ｇ，Ｂの何れかを付して、それぞれに対応する発光色を示している。特に区別する必要が無い場合には、Ｒ，Ｇ，Ｂは付さない。例えば、発光色を特に区別しない場合には、単に発光素子１という。

　有機ＥＬ表示パネル１００は、基板１１、層間絶縁層１２、陽極１３、正孔注入層１４、隔壁層１５、正孔輸送層１６、発光層１７（１７Ｒ，１７Ｇ，１７Ｂ）、電子輸送層１８、電子注入層１９、陰極２０、および封止層２１を備える。基板１１、層間絶縁層１２、電子輸送層１８、電子注入層１９、陰極２０、および封止層２１は、複数の画素に共通して設けられている。本実施形態においては、正孔注入層１４、正孔輸送層１６、発光層１７、電子輸送層１８、電子注入層１９が、機能層である。有機ＥＬ表示パネル１００は、これら機能層が積層された積層構造を有している。なお、必ずしも上記全ての層が機能層に含まれていなくてもよいが、機能層には、少なくとも発光層１７が含まれる。そして、機能層には、スパッタ法で形成される層（第１層）と、塗布法で形成される層（第２層）が含まれる。発光層１７が、例えば、塗布法で形成される場合には、発光層１７が第２層であってもよいし、発光層１７以外の塗布法で形成される層が第２層として含まれていてもよい。

　続いて、有機ＥＬ表示パネル１００の各部構成について説明する。

　＜基板＞
　基板１１は、絶縁材料である基材１１１と、ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ　Ｆｉｌｍ　Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）層１１２とを含む。ＴＦＴ層１１２には、サブ画素毎に駆動回路（不図示）が形成されている。基材１１１が形成される材料としては、例えば、ガラスが用いられる。ガラス材料としては、具体的には例えば、無アルカリガラス、ソーダガラス、無蛍光ガラス、燐酸系ガラス、硼酸系ガラス、石英等のガラスなどが挙げられる。

　＜層間絶縁層＞
　層間絶縁層１２は、基板１１上に形成されている。層間絶縁層１２は、樹脂材料からなり、ＴＦＴ層１１２の上面の段差を平坦化するためのものである。層間絶縁層１２が形成される樹脂材料としては、例えば、ポジ型の感光性材料が用いられる。また、このような感光性材料としては、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、シロキサン系樹脂、フェノール系樹脂等が挙げられる。

　＜陽極＞
　陽極１３は、導電材料からなり、層間絶縁層１２上にサブ画素毎に形成される。本実施形態に係る有機ＥＬ表示パネル１００は、トップエミッション型であるので、陽極１３は、光反射性を具備した導電材料により形成されるとよい。光反射性を具備する導電材料としては、金属が挙げられる。具体的には、Ａｇ（銀）、Ａｌ（アルミニウム）、アルミニウム合金、Ｍｏ（モリブデン）、ＡＰＣ（銀、パラジウム、銅の合金）、ＡＲＡ（銀、ルビジウム、金の合金）、ＭｏＣｒ（モリブデンとクロムの合金）、ＭｏＷ（モリブデンとタングステンの合金）、ＮｉＣｒ（ニッケルとクロムの合金）等を用いることができる。また、陽極１３は、上記光反射性を具備する導電材料と透明導電材料との積層構造であってもよい。この場合、透明導電材料としては、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｚｉｎｃ　Ｏｘｉｄｅ）、ＺｎＯ（酸化亜鉛）等を用いることができる。

　なお、この断面図には現れていないが、層間絶縁層１２には、コンタクトホールがサブ画素毎に形成されている。当該コンタクトホールにはＴＦＴ接続配線が埋め込まれており、陽極１３は、ＴＦＴ接続配線を介して、ＴＦＴ層１１２に形成された駆動回路と電気的に接続されている。

　＜正孔注入層＞
　正孔注入層１４は、陽極１３から発光層１７への正孔の注入を促進させる機能を有する。正孔注入層１４は、例えば、金属酸化物から成り、陽極１３上に配置される。正孔注入層１４の形成は、例えば、スパッタリング法により行われる。正孔注入層１４の形成材料である金属酸化物としては、例えば、酸化タングステン（ＷＯｘ）、酸化モリブデン（ＭｏＯｘ）や、銀（Ａｇ）、クロム（Ｃｒ）、バナジウム（Ｖ）、ニッケル（Ｎｉ）、イリジウム（Ｉｒ）等の酸化物を用いることができる。

　本実施形態においては、正孔注入層１４は、酸化タングステンから成り、反応性スパッタ法を用いてタングステンと酸素とを反応させ、酸化タングステンの層を形成することにより、正孔注入層１４が形成される。

　＜隔壁層＞
　隔壁層１５は、正孔注入層１４の上面の一部の領域を露出させ、その周辺の領域を被覆した状態で正孔注入層１４上に形成されている。正孔注入層１４の上面において隔壁層１５で被覆されていない領域（以下、「開口部」という。）は、サブピクセルに対応している。即ち、隔壁層１５は、サブピクセル毎に設けられた開口部１５ａを有する。

　隔壁層１５は、例えば、絶縁性の有機材料（例えばアクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック樹脂、フェノール樹脂等）からなる。隔壁層１５は、発光層１７を塗布法で形成する場合には、塗布されたインクがあふれ出ないようにするための構造物として機能し、発光層１７を蒸着法で形成する場合には、蒸着マスクを載置するための構造物として機能する。本実施形態では、隔壁層１５は、樹脂材料からなり、例えば、ポジ型の感光性材料を用いることができる。このような感光性材料として、具体的には、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、シロキサン系樹脂、フェノール系樹脂等が挙げられる。本実施形態においては、フェノール系樹脂が用いられている。

　＜正孔輸送層＞
　正孔輸送層１６は、正孔注入層１４から注入された正孔を発光層１７へ輸送する機能を有する。正孔輸送層１６の形成は、有機材料溶液の塗布および乾燥により行われる。正孔輸送層１６を形成する有機材料としては、ポリフルオレンやその誘導体、あるいはポリアリールアミンやその誘導体等の高分子化合物を用いることができる。

　また、正孔輸送層１６はトリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、ポルフィリン化合物、芳香族第三級アミン化合物及びスチリルアミン化合物、ブタジエン化合物、ポリスチレン誘導体、ヒドラゾン誘導体、トリフェニルメタン誘導体、テトラフェニルベンジン誘導体を用いて形成されてもよい。特に好ましくは、ポリフィリン化合物、芳香族第三級アミン化合物及びスチリルアミン化合物等を用いてもよい。この場合、正孔輸送層１６は、真空蒸着法により形成される。

　本実施形態に係る有機ＥＬ表示パネル１００においては、正孔輸送層１６の形成は、有機材料溶液の塗布および乾燥により行われる。

　＜発光層＞
　発光層１７は、有機発光材料を含み、陽極１３の上方に位置する開口部１５ａ内に形成されている。発光層１７は、正孔と電子の再結合によりＲ、Ｇ、Ｂの各色の光を出射する機能を有する。本実施形態に係る有機ＥＬ表示パネル１００においては、発光層１７は、有機発光材料を含むインクがインクジェットにより開口部１５ａ内に塗布されて形成される。

　発光層１７に含まれる有機発光材料としては、例えば、オキシノイド化合物、ペリレン化合物、クマリン化合物、アザクマリン化合物、オキサゾール化合物、オキサジアゾール化合物、ペリノン化合物、ピロロピロール化合物、ナフタレン化合物、アントラセン化合物、フルオレン化合物、フルオランテン化合物、テトラセン化合物、ピレン化合物、コロネン化合物、キノロン化合物およびアザキノロン化合物、ピラゾリン誘導体およびピラゾロン誘導体、ローダミン化合物、クリセン化合物、フェナントレン化合物、シクロペンタジエン化合物、スチルベン化合物、ジフェニルキノン化合物、スチリル化合物、ブタジエン化合物、ジシアノメチレンピラン化合物、ジシアノメチレンチオピラン化合物、フルオレセイン化合物、ピリリウム化合物、チアピリリウム化合物、セレナピリリウム化合物、テルロピリリウム化合物、芳香族アルダジエン化合物、オリゴフェニレン化合物、チオキサンテン化合物、シアニン化合物、アクリジン化合物、８－ヒドロキシキノリン化合物の金属鎖体、２－ビピリジン化合物の金属鎖体、シッフ塩とＩＩＩ族金属との鎖体、オキシン金属鎖体、希土類鎖体等の蛍光物質を用いることができる。また、トリス（２－フェニルピリジン）イリジウムなどの燐光を発光する金属錯体等の公知の燐光物質を用いることができる。また、発光層１７は、ポリフルオレンやその誘導体、ポリフェニレンやその誘導体、あるいはポリアリールアミンやその誘導体等の高分子化合物等、もしくは前記低分子化合物と前記高分子化合物の混合物を用いて形成されてもよい。

　＜電子輸送層＞
　電子輸送層１８は、複数の画素に共通して発光層１７および隔壁層１５上に設けられており、陰極２０から注入された電子を発光層１７へと輸送する機能を有する。電子輸送層１８は、例えば、オキサジアゾール誘導体（ＯＸＤ）、トリアゾール誘導体（ＴＡＺ）、フェナンスロリン誘導体（ＢＣＰ、Ｂｐｈｅｎ）などを用い形成されている。

　＜電子注入層＞
　電子注入層１９は、電子輸送層１８上に複数の画素に共通して設けられており、陰極２０から発光層１７への電子の注入を促進させる機能を有する。電子注入層１９は、例えば、リチウム、バリウム、カルシウム、カリウム、セシウム、ナトリウム、ルビジウム等の低仕事関数金属や、フッ化リチウム等の低仕事関数金属塩、酸化バリウム等の低仕事関数金属酸化物などを用いて形成されている。

　＜陰極＞
　陰極２０は、電子注入層１９上に複数の画素に共通して設けられている。陰極２０は、例えば、例えば、ＩＴＯ（酸化インジウムスズ）、ＩＺＯ（酸化インジウム亜鉛）等の導電性を有する光透過性材料で形成されている。陰極２０が透明導電材料を用いて形成されることにより、発光層１７で発生した光を、陰極２０側から取り出すことができる。陰極２０に用いられる透明導電材料としては、上記以外にも、例えば、ＭｇＡｇ（マグネシウム銀）を用いることができる。この場合、陰極２０の厚みを数１０ｎｍ程度とすることで、光を透過させることができる。

　＜封止層＞
　陰極２０の上には、封止層２１が設けられている。封止層２１は、基板１１の反対側から不純物（水，酸素）が陰極２０，電子注入層１９，電子輸送層１８，発光層１７等へと侵入するのを防ぎ、不純物によるこれらの層の劣化を抑制する機能を有する。本実施形態に係る有機ＥＬ表示パネル１００はトップエミッション型の表示パネルであるため、封止層２１の材料としては、例えばＳｉＮ（窒化シリコン）、ＳｉＯＮ（酸窒化シリコン）等の光透過性材料が用いられる。

　＜その他＞
　なお、図１には図示されていないが、封止層２１の上にカラーフィルタや上部基板を載置し、接合してもよい。上部基板を載置および接合することにより、陰極２０，電子注入層１９，電子輸送層１８，発光層１７等に対する不純物からのさらなる保護を図ることができる。

　［２．有機ＥＬ表示パネルの製造方法］
　次に、有機ＥＬ表示パネル１００の製造方法の一例を、図２～図５を用いて説明する。なお、図２～４は、有機ＥＬ表示パネル１００の製造過程を模式的に示す部分断面図であり、図５は、有機ＥＬ表示パネル１００の製造過程を示す模式工程図である。

　先ず、図２（ａ）に示すように、基材１１１上にＴＦＴ層１１２を形成して、基板１１を形成する（図５のステップＳ１）。

　次に、図２（ｂ）に示すように、基板１１上に層間絶縁層１２を成膜する（図５のステップＳ２）。層間絶縁層１２の材料である層間絶縁層用樹脂には、本実施形態においては、ポジ型の感光性材料であるアクリル樹脂を用いる。層間絶縁層１２は、層間絶縁層用樹脂であるアクリル樹脂を層間絶縁層用溶媒（例えば、ＰＧＭＥＡ）に溶解させた層間絶縁層用溶液を基板１１上に塗布して成膜した後、焼成を行う（図５のステップＳ３）。焼成は、例えば、１５０℃以上２１０℃以下の温度で１８０分間行う。

　続いて、図２（ｃ）に示すように、層間絶縁層１２上に陽極１３を形成する。陽極１３は、真空蒸着法またはスパッタ法により、１５０〔ｎｍ〕程度の厚みに形成する（図５のステップＳ４）。陽極１３は、サブ画素ごとに形成される。

　次に、図２（ｄ）に示すように、陽極１３上に正孔注入層１４を形成する（図５のステップＳ５）。本実施形態に係る有機ＥＬ表示パネル１００おいては、正孔注入層１４は、酸化タングステンの層であり、反応性スパッタ法により形成される。

　続いて、図３（ａ）に示すように、正孔注入層１４および層間絶縁層１２上に、隔壁層１５の材料である隔壁層用樹脂を塗布し、隔壁材料層１５０を形成する。隔壁層用樹脂には、例えば、ポジ型の感光性材料であるフェノール樹脂が用いられる。隔壁材料層１５０は、隔壁層用樹脂であるフェノール樹脂を溶媒（例えば、乳酸エチルとＧＢＬの混合溶媒）に溶解させた溶液を正孔注入層１４上および層間絶縁層１２上にスピンコート法などを用いて一様に塗布することにより形成される。そして、隔壁材料層１５０にパターン露光と現像を行うことで隔壁層１５を形成し（図３（ｂ），図５のステップＳ６）、隔壁層１５を焼成する（図５のステップＳ７）。これにより、発光層１７の形成領域となる開口部１５ａが規定される。隔壁層１５の焼成は、例えば、１５０℃以上２１０℃以下の温度で６０分間行う。

　また、隔壁層１５の形成工程においては、さらに、隔壁層１５の表面を所定のアルカリ性溶液や水、有機溶媒等によって表面処理するか、プラズマ処理を施すこととしてもよい。これは、開口部１５ａに塗布するインク（溶液）に対する隔壁層１５の接触角を調節する目的で、もしくは、表面に撥水性を付与する目的で行われる。

　次に、隔壁層１５が規定する開口部１５ａに対し、正孔輸送層１６の構成材料を含むインクを、インクジェットヘッド３０１のノズル３０３０から吐出して開口部１５ａ内の正孔注入層１４上に塗布し、焼成（乾燥）を行って、正孔輸送層１６を形成する（図３（ｃ），図５のステップＳ８）。

　そして、発光層１７の構成材料を含むインクを、インクジェットヘッド３０１のノズル３０３０から吐出して開口部１５ａ内の正孔輸送層１６上に塗布し、焼成（乾燥）を行って発光層１７を形成する（図３（ｄ），図５のステップＳ９）。

　続いて、図４（ａ）に示すように、発光層１７上および隔壁層１５上に、電子輸送層１８を構成する材料を真空蒸着法またはスパッタリング法により各サブ画素に共通して成膜し、電子輸送層１８を形成する（図５のステップＳ１０）。

　次に、図４（ｂ）に示すように、電子注入層１９を構成する材料を、蒸着法、スピンコート法、キャスト法などの方法により電子輸送層１８上に成膜し、各サブ画素に共通して電子注入層１９を形成する（図５のステップＳ１１）。

　そして、図４（ｃ）に示すように、電子注入層１９上に、陰極２０および封止層２１を形成する。具体的には、先ず、ＩＴＯ，ＩＺＯ等の材料を用い、真空蒸着法，スパッタリング法等により成膜して、陰極２０を形成する（図５のステップＳ１２）。続いて、陰極２０上に、ＳｉＮを材料にスパッタリング法，ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法等により成膜し、封止層２１を形成する（図５のステップＳ１３）。

　以上の工程を経ることにより有機ＥＬ表示パネル１００が完成する。

　なお、封止層２１の上にカラーフィルタや上部基板を載置し、接合してもよい。

　［３．スパッタ法で形成される層の膜厚ばらつき］
　図６は、反応性スパッタ法により形成された正孔注入層１４の膜厚分布を示す図である。正孔注入層１４の膜厚の測定は、光学式膜厚測定器により行った。光学式膜厚測定器で正孔注入層１４の膜厚を測定する場合、隔壁層１５が存在すると測定が困難であるため、実際の膜厚測定は、隔壁層なしのダミー基板を用い、隔壁パターニングプロセスを通したのちに行った。また、図６においては、最も薄い膜厚の値を基準とした膜厚比〔％〕でそれぞれのパネル内領域の膜厚を示している。

　図６に示すように、正孔注入層１４の膜厚は中央部分が最も薄く、左上、左下、右上、右下に比較的膜厚の厚い部分が存在する。正孔注入層１４の膜厚比は、最も薄い部分で１００～１１７〔％〕であり、最も厚い部分で１８３～２００〔％〕であった。

　本実施形態に係る有機ＥＬ表示パネル１００においては、正孔注入層１４は、酸化タングステンの層である。反応性スパッタ法で酸化タングステンの層（正孔注入層１４）を形成する場合、本実施形態では、酸素供給口からチャンバ内に酸素を供給し、チャンバ内のタングステン材料と酸素とをプラズマにより反応させて、酸化タングステンの層を形成する。このとき、酸素供給口が設置されている位置や向き、タングステンターゲットがチャンバ内で配置されている位置、酸素の供給速度、プラズマの発生条件等の要因により、チャンバ内で酸化タングステンの層が形成されやすい箇所と形成されにくい箇所とが生じる。その結果、形成された正孔注入層１４の膜厚にばらつきが生じる。

　図７（ａ）は、図６の膜厚分布の結果を基に、有機ＥＬ表示パネル１００を図７（ｃ）に示すように９つのパネル内領域（左上、上、右上、左、中央、右、左下、下、右下）に区分し、それぞれのパネル内領域について代表ポイントを選定して当該代表ポイントにおける正孔注入層１４（酸化タングステンの層）の膜厚を光学式膜厚測定器により測定し、その測定結果をパネル内領域別にグラフにプロットした図である。図７（ａ）においては、最も薄い膜厚の値を基準とした膜厚比〔％〕でそれぞれのパネル内領域の膜厚を示している。

　図７（ａ）に示すように、中央部分が最も膜厚が薄く、左や右の領域は比較的膜厚が薄く、左上、右上、右上領域は比較的膜厚が厚い。

　図７（ｂ）は、上記各パネル内領域の代表ポイントにおけるＢ色の色度y値をパネル内領域別にグラフにプロットした図である。色度の測定は、３つのサンプルについて行われた。正孔注入層１４は、３つのサンプルとも、同じ製造装置を用い、同じ成膜条件で反応性スパッタ法により形成された。

　図７（ｂ）に示すように、３つのサンプルともに同様の色度ずれの傾向を示した。即ち、中央が最も出射光の波長が短くて青色に近く、左上および右下においては、出射光の波長が長波長側にずれ、緑色の波長成分が多くなる傾向が見られた。このような色度ずれは、機能層の膜厚のばらつきにより発光素子内における光学的距離にばらつきが生じ、パネル内領域によって共振効果で強められる光の波長が異なることが原因で生じると考えられる。即ち、機能層の膜厚が比較的厚い部分では、共振効果が得られる光の波長が長波長側にずれ、緑色により近い波長の光が共振効果により強められることとなる。

　図７（ｂ）に示す色度ずれの傾向は、図６に示す正孔注入層１４の膜厚分布および図７（ａ）に示すパネル内領域別の正孔注入層１４の膜厚と概ね一致している。このことからも、正孔注入層１４の膜厚ばらつきが色度ずれを引き起こしていることが示されていると考えられる。

　以上の結果から、スパッタ法により形成される機能層（本実施形態においては、正孔注入層１４）の膜厚のばらつきが、共振効果のばらつきを引き起こし、その結果、色度ずれが引き起こされることが確認された。ここで、図７（ｂ）では、Ｂ色についての色度の測定結果であったが、色度ずれの発生は、Ｂ色に限られず、Ｒ色でもＧ色でも同様に発生する。なお、有機ＥＬ照明装置など、白色光の場合は、色度ずれの代わりに輝度むらとして観察されることとなる。

　また、図７（ｂ）から窺えるように、３つのサンプルとも同様の色度ずれのばらつき傾向を示している。これは、３つのサンプルとも同様の正孔注入層１４の膜厚分布を有することを表している。発明者らの試験により、同一の製造装置、同一の成膜条件であれば、形成される機能層は、同様の膜厚分布を有することが確認されている。

　［３．塗布法で形成される層による光学的距離の調整］
　上述したように、スパッタ法により形成される機能層の膜厚ばらつきにより、光学的距離にばらつきが生じ、パネル内の領域によって光の共振効果の強さや共振効果が得られる波長に差が生じ、色度ずれや輝度むらが発生する。

　そこで、本実施形態に係る有機ＥＬ表示パネル１００では、スパッタ法により形成される機能層の光学膜厚のばらつきを相殺するような光学膜厚分布となるように塗布法により形成される機能層を形成する。本実施形態においては、反応性スパッタ法で形成される正孔注入層１４（図２（ｄ），図５のステップＳ５）の膜厚ばらつきを、塗布法で形成される正孔輸送層１６（図３（ｃ），図５のステップＳ８）で調整する場合について、以下に説明する。

　図８は、本実施形態に係る有機ＥＬ表示パネル１００における正孔輸送層１６の膜厚分布の一例を模式的に示す図である。図８に示すように、正孔輸送層１６は、３種類の膜厚で塗り分けられる。即ち、図６に示す正孔注入層１４の膜厚が最も薄い領域（膜厚比１００～１３３〔％〕の領域）に存在するサブ画素に対して、正孔輸送層１６の膜厚を厚め（本実施形態においては、例えば、膜厚比１６７～２００〔％〕）に形成する。また、図６に示す正孔注入層１４の膜厚が比較的厚い領域（膜厚比１６７～２００〔％〕の領域）に存在するサブ画素に対して、正孔輸送層１６の膜厚を薄め（本実施形態においては、例えば、膜厚比１００～１３３〔％〕）に形成する。そして、図６に示す正孔注入層１４が中間的な膜厚を有する領域（膜厚比１３３～１６７〔％〕の領域）に存在するサブ画素に対して、正孔輸送層１６の膜厚が中間的な膜厚（本実施形態においては、例えば、膜厚比１３３～１６７〔％〕）となるように形成する。

　図９は、上記のようにして形成された有機ＥＬ表示パネル１００において、異なる領域ａおよび領域ｂを模式的に示す平面図である。領域ａは、図６に示す正孔注入層１４の膜厚が最も薄い領域（膜厚比１００～１１７〔％〕）に含まれており、領域ｂは、正孔注入層１４の膜厚が最も厚い領域（膜厚比１８３～２００〔％〕）に含まれている。また、領域ａに存在する第１発光素子１ａの断面および、領域ｂに存在する第２発光素子１ｂの断面を、それぞれ破線の円内に模式的に示す。第１発光素子１ａおよび第２発光素子１ｂは、ここでは、ともに発光色がＢ色である。

　図９に示すように、第１発光素子１ａにおける正孔注入層１４の光学膜厚をＤｓ１、正孔輸送層１６の光学膜厚をＤｗ１とし、第２発光素子１ｂにおける正孔注入層１４の光学膜厚をＤｓ２、正孔輸送層１６の光学膜厚をＤｗ２とすると、Ｄｓ１＜Ｄｓ２であって、Ｄｗ１＞Ｄｗ２である。さらに、本実施形態においては、Ｄｓ１＋Ｄｗ１＝Ｄｓ２＋Ｄｗ２の関係を満たしている。即ち、正孔注入層１４と正孔輸送層１６の光学膜厚をそれぞれ合計した値が、発光素子１ａと１ｂとで、等しくなっている。言い換えれば、発光層１７Ｂから陽極１３側に発せられた光が、陽極１３の表面で反射した後に陰極２０側から外部へと出射される場合の光学的距離が、発光素子１ａと発光素子１ｂとで等しい。

　これにより、有機ＥＬ表示パネル１００のパネル面の全体に亘って、より均一で効果的な共振効果が得られるように調整することができ、輝度むらや色度ずれの発生を抑制することができる。

　なお、本実施形態においては、「膜厚」および「光学膜厚」とは、基板１１の主面１１aと直交する方向における膜厚および光学膜厚をそれぞれ意味する。以下、各変形例についても同様である。

　また、図９では、第１発光素子１ａ，第２発光素子１ｂ共に発光色はＢ色であったが、これに限られず、発光色はＲ，Ｇ，Ｂ何れでもよい。しかし、何れの発光色の場合であっても、第１発光素子１ａと第２発光素子１ｂの発光色は同じであるのがよい。発光色によって共振効果が効率よく得られる光学的距離が異なるからである。上記Ｄｓ１＋Ｄｗ１（＝Ｄｓ２＋Ｄｗ２）の値を、発光色ごとにそれぞれ共振効果が効率よく得られる光学的距離となる値としてもよい。

　また、図８に示す正孔輸送層１６の膜厚分布の一例では、３種類の膜厚（１００～１３０％，１３０～１７０％，１７０～２００％）から成る構成であったが、これに限られない。３種類よりも細かく膜厚段階を設定することにより、スパッタ法で形成される層の膜厚ばらつきをより精度よく相殺することができ、輝度むらや色度ずれをより精度よく抑制することができる。

　［４．有機ＥＬ表示装置の全体構成］
　図１０は、有機ＥＬ表示パネル１００を備えた有機ＥＬ表示装置１０００の構成を示す模式ブロック図である。図１０に示すように、有機ＥＬ表示装置１０００は、有機ＥＬ表示パネル１００と、これに接続された駆動制御部２００とを有し構成されている。駆動制御部２００は、４つの駆動回路２１０～２４０と制御回路２５０とから構成されている。

　なお、実際の有機ＥＬ表示装置１０００では、有機ＥＬ表示パネル１００に対する駆動制御部２００の配置については、これに限られない。

　［５．実施形態のまとめ］
　本実施形態に係る発光デバイスである有機ＥＬ表示パネル１００は、次のようにまとめることができる。

　基板と、前記基板上に配され、発光色が同じ第１発光素子および第２発光素子とを有する発光デバイスである。前記第１発光素子および前記第２発光素子の何れもが、少なくとも一方が光透過性を有する第１電極および第２電極と、前記第１電極および前記第２電極の間に配され、スパッタ法により形成された第１層および塗布法により形成された第２層を含む複数の機能層の積層構造とを有する。そして、前記第１層および前記第２層の前記基板の主面と直交する方向における光学膜厚について、前記第１発光素子における前記第１層の光学膜厚をＤｓ１とし、前記第２発光素子における前記第１層の光学膜厚をＤｓ２とし、前記第１発光素子における前記第２層の光学膜厚をＤｗ１とし、前記第２発光素子における前記第２層の光学膜厚をＤｗ２とした場合、Ｄｓ１＜Ｄｓ２、且つ、Ｄｗ１＞Ｄｗ２の関係を満たす。

　また、本実施形態に係る発光デバイスである有機ＥＬ表示パネル１００の製造方法は、次のようにまとめることができる。

　基板上に発光色が同じ第１発光素子および第２発光素子が配され、前記第１発光素子および前記第２発光素子の何れもが、一方が光反射性を有し他方が光透過性を有する第１電極および第２電極と、前記第１電極および前記第２電極の間に配され、第１層および第２層を含む複数の機能層の積層構造とを有する発光デバイスの製造方法である。

　前記第１発光素子の前記第１層と、前記第２発光素子の前記第１層とを、スパッタ法で形成し、前記第１発光素子の前記第２層と、前記第２発光素子の前記第２層とを、塗布法で形成する。

　そして、前記第１層および前記第２層の前記基板の主面と直交する方向における光学膜厚について、前記第１発光素子における前記第１層の光学膜厚をＤｓ１とし、前記第２発光素子における前記第１層の光学膜厚をＤｓ２とし、前記第１発光素子における前記第２層の光学膜厚をＤｗ１とし、前記第２発光素子における前記第２層の光学膜厚をＤｗ２とした場合、Ｄｓ１＜Ｄｓ２、且つ、Ｄｗ１＞Ｄｗ２の関係を満たす。

　本実施形態においては、上記第１層は、正孔注入層１４であり、上記第２層は、正孔輸送層１６である。

　本実施形態に係る有機ＥＬ表示パネル１００においては、正孔輸送層１６はインクジェット法により形成されるため、サブ画素ごとに塗布（滴下）するインクの量を精度よく且つ容易に調整することができる。したがって、スパッタ法により形成される正孔注入層１４の膜厚ばらつきを相殺するような膜厚分布を有する正孔輸送層１６を精度よく容易に形成することができる。

　これにより、パネル全体として、機能層の光学膜厚のばらつきが抑制されてより均一となり、色度ずれや輝度むらを抑制することができる。また、インクジェット法の場合、サブ画素単位でインクの滴下量を細かく調整できるため、上記のような光学膜厚のばらつき抑制方法に適している。

　本実施形態に係る有機ＥＬ表示パネル１００を量産する際には、製造装置およびスパッタ法で形成される層の成膜条件が一度決定すれば、次のようにすればよい。先ず、当該製造装置を用いて当該成膜条件でサンプルを形成し、形成されたサンプルにおけるスパッタ法で形成された層の膜厚分布を測定する。続いて、得られた膜厚分布のデータに基づいて、塗布法で形成される層の各サブ画素に滴下するインク量を決定する。そして、以降の製品の製造においては、上記決定された製造装置および成膜条件でスパッタ法により形成される層を形成し、上記決定されたサブ画素ごとの滴下インク量で、塗布法により形成される層を形成すればよい。製造装置および成膜条件が同じであれば、スパッタ法で形成される層は、何度形成しても同様の膜厚分布を有するため、上記のような量産方法が実用的である。

　≪変形例≫
　以上、本発明を実施形態に基づいて説明してきたが、本発明が上述の実施形態に限定されないのは勿論であり、以下のような変形例を実施することが出来る。

　（変形例１）
　上記実施形態においては、スパッタ法で形成される層である正孔注入層１４の膜厚ばらつきを、正孔輸送層１６により相殺したが、これに限られない。

　例えば、発光層１７を、正孔注入層１４の膜厚ばらつきを相殺するような膜厚分布で塗布法により形成してもよい。この場合、発光層１７から発せられる光の光学的距離を算出する際に、光の基点を発光層の厚み方向における中間点に設定した場合、直接出射光と反射出射光との位相差に関係してくる発光層の膜厚が１／２となることに留意する必要がある。この場合、正孔注入層１４が第１層であり、発光層１７が第２層である。

　また、電子輸送層１８を塗布法で形成してもよく、その場合に、電子輸送層１８の膜厚分布が、正孔注入層１４の膜厚ばらつきを相殺するような膜厚分布となるように形成してもよい。この場合、電子輸送層１８は、各サブ画素に共通ではなく、サブ画素ごとに塗り分けて形成するとよい。この場合、正孔注入層１４が第１層であり、電子輸送層１８が第２層である。

　（変形例２）
　上記実施形態においては、膜厚ばらつきの相殺対象であるスパッタ法で形成される層は、正孔注入層１４であったが、これに限られない。

　例えば、発光層が無機材料を用いてスパッタ法で形成されてもよく、電子注入層がスパッタ法で形成されてもよい。その場合は、発光層や電子注入層が、膜厚ばらつきの相殺対象となってもよい。即ち、スパッタ法で形成された発光層や電子注入層の膜厚ばらつきを、塗布法で形成される層（例えば、正孔輸送層）により相殺してもよい。

　本変形例においては、発光層または電子注入層が第１層であり、塗布法で形成される層（例えば、正孔輸送層）が第２層である。

　（変形例３）
　正孔注入層１４は、ＰＥＤＯＴ（ポリチオフェンとポリスチレンスルホン酸との混合物）やポリアニリン等の導電性ポリマー材料を用いて形成されてもよい。この場合、正孔注入層１４は、塗布法（ウェットプロセス）により形成される。塗布法により正孔注入層１４が形成される場合は、その形成工程において隔壁層が必要となるため、隔壁層１５の形成後、正孔輸送層１６の形成前に、正孔注入層１４の形成が行われる。また、この場合、正孔輸送層が第２層となる。

　変形例３の構成によっても、変形例２のように、スパッタ法で形成される発光層や電子注入層の膜厚ばらつきを、塗布法で形成される正孔注入層で相殺してもよい。その際には、正孔注入層のほうが先に形成されるため、後から形成される発光層や電子注入層の膜厚ばらつきを予め相殺するような膜厚分布に正孔注入層を形成するとよい。

　（変形例４）
　また、正孔注入層１４は、スパッタ法等のドライプロセスにより形成される層と塗布法（ウェットプロセス）により形成される層とが組み合わされて形成されてもよい。その場合は、当該ドライプロセスで形成される層の膜厚ばらつきを、当該ウェットプロセスで形成される層で相殺してもよい。この場合、上記ドライプロセスで形成される層が第１層であり、上記ウェットプロセスで形成される層が第２層である。

　（変形例５）
　上記実施形態においては、図９で正孔注入層１４と正孔輸送層１６の膜厚の関係をわかりやすく図示するために、発光素子１ａが正孔注入層１４の膜厚が最も薄い領域に存在し、発光素子１ｂが正孔注入層１４の膜厚が最も厚い領域に存在するとしたが、これに限られない。発光素子１ａおよび１ｂは、正孔注入層１４の膜厚が異なっていれば、有機ＥＬ表示パネル１００のパネル面内のいずれの領域に存在していてもよい。

　また、発光素子１ａと発光素子１ｂとは、同じ発光色であるとしたが、これに限られない。発光色ごとの光学的距離の調整を、正孔注入層１４および正孔輸送層１６以外の層（例えば、発光層１７）で行う場合は、発光素子１ａと発光素子１ｂの発光色が異なっていても、正孔注入層１４の光学膜厚のばらつきを正孔輸送層１６の光学膜厚分布で相殺するようにしてもよい。この場合、発光色ごとの光学距離の調整の際に、正孔注入層１４および正孔輸送層１６の膜厚を考慮しなくてもよいため、設計が容易である。

　（変形例６）
　上記実施形態に係る有機ＥＬ表示パネル１００は、トップエミッション型であったが、これに限られず、ボトムエミッション型であってもよい。その場合、陽極１３が光透過性を有し、陰極２０が光反射性を有するため、発光層１７よりも陰極２０側に配される２層の間で光学膜厚の調整を行うのが、より効果的である。

　（変形例７）
　発光層と光反射性を有する電極との間に配された２層により光学膜厚の調整が行われる場合が、最も効果的に光学的距離の調整を行うことができる。しかし、光学膜厚の調整は、上記の２層に限られず、陰極と陽極との間に挟まれた複数の機能層のうち、いずれの２層により行われてもよい。この場合においても、輝度むら抑制効果や色度ずれ抑制効果をある程度得ることができる。

　（変形例８）
　上記実施形態においては、本発明の一態様に係る発光デバイスとして、カラーディスプレイパネルである有機ＥＬ表示パネル１００を例に説明したが、これに限られない。本発明の一態様に係る発光デバイスは、有機ＥＬ照明装置であってもよい。この場合、有機ＥＬ照明装置が有する複数の発光素子１は、発光色がすべて白色であるので、発光色ごとに光学的距離を調整する必要が無く、設計が容易である。また、第１発光素子１ａと第２発光素子１ｂの発光色は、必然的に同じとなる。

　（変形例９）
　上記実施形態においては、スパッタ法として反応性スパッタ法の場合を例に説明したが、これに限られない。例えば、マグネトロンスパッタ法でも、配置される複数のマグネトロンの磁界に起因した膜厚のばらつきが生じる。従って、マグネトロンスパッタ法で形成される層の膜厚ばらつきを、塗布法で形成する層で相殺してもよい。

　以上、本発明に係る有機発光デバイスおよび表示装置について、実施形態および各変形例に基づいて説明したが、本発明は、上記の実施形態および各変形例に限定されるものではない。上記実施形態および各変形例に対して当業者が思いつく各種変形を施して得られる形態や、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で実施形態および各変形例における構成要素及び機能を任意に組み合わせることで実現される形態も本発明に含まれる。

　本発明は、輝度むら又は色度ずれが抑制された発光デバイスを製造するのに有用である。

　　１ａ　第１発光素子
　　１ｂ　第２発光素子
　　１１　基板
　　１３　陽極（第１電極）
　　１４　正孔注入層（第１層）
　　１６　正孔輸送層（第２層）
　　１７　発光層
　　２０　陰極（第２電極）
　１００　有機ＥＬ表示パネル（発光デバイス）

Claims

　基板上に発光色が同じ第１発光素子および第２発光素子が配され、前記第１発光素子および前記第２発光素子の何れもが、一方が光反射性を有し他方が光透過性を有する第１電極および第２電極と、前記第１電極および前記第２電極の間に配され、第１層および第２層を含む複数の機能層の積層構造とを有する発光デバイスの製造方法であって、
　前記第１発光素子の前記第１層と、前記第２発光素子の前記第１層とを、スパッタ法で形成し、
　前記第１発光素子の前記第２層と、前記第２発光素子の前記第２層とを、塗布法で形成し、
　前記第１層および前記第２層の前記基板の主面と直交する方向における光学膜厚について、前記第１発光素子における前記第１層の光学膜厚をＤｓ１とし、前記第２発光素子における前記第１層の光学膜厚をＤｓ２とし、前記第１発光素子における前記第２層の光学膜厚をＤｗ１とし、前記第２発光素子における前記第２層の光学膜厚をＤｗ２とした場合、
　Ｄｓ１＜Ｄｓ２、且つ、Ｄｗ１＞Ｄｗ２の関係を満たす
　発光デバイスの製造方法。
　前記Ｄｓ１、前記Ｄｓ２、前記Ｄｗ１、および、前記Ｄｗ２は、前記第１発光素子および前記第２発光素子の前記発光色の波長に基づいて、共振器構造を形成する光学膜厚にそれぞれ設定されている
　請求項１に記載の発光デバイスの製造方法。
　前記基板の上方に、光反射性を有する材料を用いて前記第１電極を形成し、
　前記第１電極の上方に、前記第１層および前記第２層の一方を形成し、
　前記一方の上方に、前記第１層および前記第２層の他方を形成し、
　前記他方の上方に、発光層を形成し、
　前記発光層の上方に、光透過性を有する材料を用いて前記第２電極を形成し、
　前記Ｄｓ１、前記Ｄｓ２、前記Ｄｗ１、前記Ｄｗ２は、
　　Ｄｓ１＋Ｄｗ１＝Ｄｓ２＋Ｄｗ２の関係を満たす
　請求項１または２に記載の発光デバイスの製造方法。
　前記基板の上方に、光透過性を有する材料を用いて前記第１電極を形成し、
　前記第１電極の上方に、発光層を形成し、
　前記発光層の上方に、前記第１層および前記第２層の一方を形成し、
　前記一方の上方に、前記第１層および前記第２層の他方を形成し、
　前記他方の上方に、光反射性を有する材料を用いて前記第２電極を形成し、
　前記Ｄｓ１、前記Ｄｓ２、前記Ｄｗ１、前記Ｄｗ２は、
　　Ｄｓ１＋Ｄｗ１＝Ｄｓ２＋Ｄｗ２の関係を満たす
　請求項１または２に記載の発光デバイスの製造方法。
　前記第１層を金属酸化物で形成し、
　前記第１層の上方に前記第２層を有機材料で形成する
　請求項３に記載の発光デバイスの製造方法。
　基板と、前記基板上に配され、発光色が同じ第１発光素子および第２発光素子とを有する発光デバイスであって、
　前記第１発光素子および前記第２発光素子の何れもが、少なくとも一方が光透過性を有する第１電極および第２電極と、前記第１電極および前記第２電極の間に配され、スパッタ法により形成された第１層および塗布法により形成された第２層を含む複数の機能層の積層構造とを有し、
　前記第１層および前記第２層の前記基板の主面と直交する方向における光学膜厚について、前記第１発光素子における前記第１層の光学膜厚をＤｓ１とし、前記第２発光素子における前記第１層の光学膜厚をＤｓ２とし、前記第１発光素子における前記第２層の光学膜厚をＤｗ１とし、前記第２発光素子における前記第２層の光学膜厚をＤｗ２とした場合、
　Ｄｓ１＜Ｄｓ２、且つ、Ｄｗ１＞Ｄｗ２の関係を満たす
　発光デバイス。
　前記Ｄｓ１、前記Ｄｓ２、前記Ｄｗ１、および、前記Ｄｗ２は、前記第１発光素子および前記第２発光素子の前記発光色の波長に基づいて、共振器構造を形成する光学膜厚にそれぞれ設定されている
　請求項６に記載の発光デバイス。
　前記第１電極と前記第２電極との間にさらに発光層を有し、
　前記第１電極は、光反射性を有し、
　前記第１電極と前記発光層との間に、前記第１層および前記第２層が配され、
　前記Ｄｓ１、前記Ｄｓ２、前記Ｄｗ１、前記Ｄｗ２は、
　　Ｄｓ１＋Ｄｗ１＝Ｄｓ２＋Ｄｗ２の関係を満たす
　請求項６または７に記載の発光デバイス。
　前記第１層は、金属酸化物から成り、
　前記第２層は、有機材料から成り、
　前記第１層は、前記第２層よりも前記第１電極側に配されている
　請求項８に記載の発光デバイス。