TW201817152A - 利用靜電吸盤與凡得瓦力塗佈玻璃基板之設備與方法 - Google Patents

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Abstract

揭露一種使用真空沉積製程塗佈玻璃基板的吸附設備及方法。一或多個實施例中，該吸附設備包括：靜電吸盤（ESC）； 載具，配置在該ESC上，其中該載具包括第一表面及相對的第二表面，該第一表面鄰近該ESC，該第二表面用於與玻璃基板之第三表面形成凡得瓦黏結，而無須在該玻璃基板之第四表面上施加機械力，該第四表面與該第三表面相對。一或多個實施例中，該方法包括在ESC上配置載具及玻璃基板，使得該載具介於該玻璃基板與該ESC之間，而形成吸附組件；在該載具與該玻璃基板之間形成凡得瓦黏結；以及在該玻璃基板上真空沉積塗層。

Description

利用靜電吸盤與凡得瓦力塗佈玻璃基板之設備與方法
本申請案依照專利法主張美國臨時申請案第62/373,037號之優先權權益，該美國臨時申請案是在2016年8月10日提出申請，本案依賴其內容，且其內容之全體以參考形式併入本文中。
本案揭露內容關於使用ESC與凡得瓦力塗佈基板的設備與方法。
正在開發有表面處理的手持顯示器玻璃以符合市場需求，且此種表面處理包括抗菌表面處理及耐刮光學塗層。需要低製造成本及快速遞送此類手持顯示器之組合，因此針對二維及三維玻璃基板期望有低成本、高容量的製造製程以生產高效能抗刮光學塗層。此種製造製程包括真空沉積製程，其中由於製程時段期間的粒子動能而使得基板到達相對高的處理溫度（例如，高達或甚至超過230°C），此使得以習知技術（如黏著帶）夾箝基板變得困難。
使用黏著帶固定基板以在利用真空沉積製程的彼等製程中進行塗佈涉及三個明顯的缺點：（1）上帶製程耗費勞力且增加設置好基板以進行每一後續運作的時間以及（2）黏著劑在純電漿環境中釋氣，造成污染，而需要真空沉積腔室週期性地清潔，轉而對該製程增添更多成本及時間，以及（3）黏著劑在塗佈的基板上留下殘餘物，而需要塗佈後額外的調動及清潔，此亦對該製程添加了進一步的成本及時間。
在此產業中已嘗試了諸多方法以暫時地黏結基板以進行真空沉積處理但並未獲得顯著成功。該等方法包括，使用玻璃對玻璃的凡得瓦黏結、使用藉由利用各種黏著劑組成物的黏著劑黏結、以及使用在基板表面上的聚合物塗層以改變表面能量，而造成暫時的黏結維持得足夠強以用於所設想的末端製程但弱得足以一旦製程完成則脫黏。為了起始玻璃載體及玻璃基板之間的凡得瓦黏結，一般要求在整個接觸面積有牢固且均勻的壓力。不希望在生產程序中施加此種力或甚至接觸待塗佈的基板表面，因為此作用會直接衝擊所得的塗佈品質。
因此，可見需要有令人滿意的低成本技術，以於真空沉積腔室中附接玻璃基板以使用真空沉積製程進行塗佈。
本案揭露內容的第一態樣關於吸附（chucking）設備，該設備用於將蓋板玻璃吸附至載具。一或多個實施例中，該設備包括靜電吸盤（ESC）及配置在該ESC上的載具。一或多個實施例中，該載具包括第一表面及相對的第二表面，該第一表面鄰近該ESC，該第二表面用於與玻璃基板之（第三）表面形成凡得瓦黏結，而無須在玻璃基板上、該玻璃基板之相對的（第四）表面上施加機械力。一或多個實施例中，該載具可包括玻璃、玻璃陶瓷、陶瓷、矽晶圓、金屬、或其他適合的材料。
一或多個實施例中，ESC及載具適於在該載具及玻璃基板之間形成凡得瓦黏結，而無須在該玻璃基板上施加機械力。
一些實施例中，該ESC適於施加範圍從約3gf/cm2 至10gf/cm2 的夾箝力。
一或多個實施例中，該吸附設備包括具第一熱膨脹係數的玻璃基板，且該載具包括第二熱膨脹係數，該第二熱膨脹係數在該第一熱膨脹係數的10%以內。
本案揭露內容的第二態樣關於在玻璃基板之表面上真空沉積塗層的方法。一或多個實施例中，該方法包括：在ESC上配置載具及玻璃基板，使得該載具介於該玻璃基板與該ESC之間，而形成吸附組件；在該載具與該玻璃基板之間形成凡得瓦黏結；以及在該玻璃基板上真空沉積塗層。一或多個實施例中，該載具包括相對的第一表面及第二表面，且該玻璃基板包括相對的第三表面及第四表面，且其中該凡得瓦黏結是在該第二表面與該第三面之間形成。
一或多個實施例中，形成該凡得瓦黏結包括：賦能（energize）該ESC以將該玻璃基板固定到該載具，且將該載具固定到該ESC。一或多個實施例中，以範圍從約500伏特DC至約3500伏特DC之電壓賦能該ESC。一些例子中，形成該凡得瓦黏結包括：賦能該ESC以向該吸附組件施加夾箝力，該夾箝力的範圍是從約3gf/cm2 至10gf/cm2 。
一或多個實施例中，該方法包括：形成該凡得瓦黏結而無須在該第四表面上施加機械力。一或多個特定實施例中，該方法包括：形成該凡得瓦黏結而無須施加機械力至該玻璃基板。
一或多個特定實施例中，形成該凡得瓦黏結包括：清潔該第二表面與該第三表面。一些例子中，是在將該載具及該玻璃基板配置在該ESC上之前清潔該第二表面。其他例子中，該載具配置在該ESC上，且該玻璃基板依序配置在該載具上，且其中在該ESC上配置該載具之後及該玻璃基板放置在該載具上之前清潔該第二表面。
一或多個實施例中，該方法包括：去能（de-energize）該ESC；以及從該ESC移除凡得瓦式黏結的該蓋板玻璃及載具。
一或多個實施例中，該凡得瓦黏結包括範圍從約100mg/cm2 至700mg/cm2 的黏結強度。一些例子中，該第二表面包括：在尺寸為1mm乘以1mm的面積上小於約0.6nm的表面粗糙度及小於60µm的平坦度，且該第三表面包括：在尺寸為1mm乘以1mm的面積上小於80µm的平坦度。
一或多個實施例中，該吸附組件配置在載具板上，且該載具板配置在真空沉積腔室中。一些例子中，該載具板包括複數個吸附組件。
現在詳細參考各個繪製圖式，其中諸多視圖中類似元件符號代表類似部件，該等圖式大體上描繪吸附設備及使用該吸附設備在真空沉積腔室中藉由真空沉積製程塗佈基板的方法。該方法使用吸附設備（將在本文中描述）以將載具靜電式固定至ESC及將玻璃基板靜電式固定至該載具，而無須在該玻璃基板之表面上（在該表面上將有塗層沉積）施加機械力。
本文所述之吸附設備及方法實現使用真空沉積製程塗佈玻璃基板之純淨表面。該吸附設備及方法亦提供恆定且均勻的壓力，可將該壓力設定在一值，以提供正確水準的黏結能量以供保留及脫黏（一旦真空沉積製程完成後）。該吸附設備及方法亦減少用於塗佈的真空沉積腔室中固定玻璃基板所需的勞力及時間，且亦減少此類玻璃基板的調動，此是因為該方法可大幅地自動化。
本案揭露內容之第一態樣關於用於暫時將蓋板玻璃吸附至載具的吸附設備。參考第1圖至第5圖，該吸附設備10包括ESC12及配置在該ESC上的載具20。該載具20包括第一表面22及相對的第二表面24，其中該第一表面22鄰近該ESC。一些實施例中，該第一表面22直接接觸該ESC。該第二表面24適於或組裝成與玻璃基板30形成凡得瓦黏結。如第1圖中所示，該玻璃基板30包括第三表面32及相對的第四表面34。當載具與玻璃基板組裝時，在第二表面16及第三表面32之間形成凡得瓦黏結，而無須在玻璃基板之第四表面34上施加機械力。一或多個實施例中，組裝之後，如本文所述，形成凡得瓦黏結而無須在玻璃基板上（或更特定而言，玻璃基板的第四表面34上）施加機械力。一或多個實施例中，玻璃基板與載具之其中一者或兩者經修飾或處理而有助於凡得瓦黏結形成。例如，第二表面及第三表面之一者或兩者包括在尺寸1mm乘以1mm的面積上低於約0.6nm的表面粗糙度（Ra及Rq），例如低於約0.55nm、低於約0.5nm、低於約0.45nm、低於約0.4nm。該表面粗糙度的下限可為約0.1nm或0.2nm。
一些實施例中，第二表面可包括在尺寸1mm乘以1mm的面積上小於60µm的平坦度（例如55µm或更小、50µm或更小、45µm或更小、或約40µm或更小）。該平坦度的下限可為約10µm或20µm。
一或多個實施例中，該第三表面可包括在尺寸1mm乘以1mm的面積上小於80µm的平坦度（例如小於約75µm、小於約70µm、或小於約60µm）。該第二表面及該第三表面的平坦度之下限可為約20nm或10nm。
一或多個實施例中，該ESC適於施加範圍從約3gf/cm2 至10gf/cm2 的夾箝力。
吸附設備可包括玻璃基板，如本文所述。此種實施例中，該玻璃基板具有第一熱膨脹係數，且該載具包括第二熱膨脹係數，該第二熱膨脹係數在該第一熱膨脹係數的10%以內。一些例子中，該第一熱膨脹係數與該第二熱膨脹係數實質上相等。
如第2圖中所示，載具20可覆蓋僅一部分的玻璃基板。如第3圖至第4圖中所說明，上方形成凡得瓦黏結（VdW）的面積可覆蓋該玻璃基板30之總面積的僅一部分。
該玻璃基板可具有平坦或平面的形狀（二維），如第3圖中所示，或可彎曲或呈一形狀（三維），如第4圖中所示。於第3圖至第4圖指出上方形成凡得瓦黏結（VdW）的面積，且該面積包括該玻璃基板之總面積的僅一部分。一些實施例中，該凡得瓦黏結可於該玻璃基板面積之整體上方形成。在使用三維玻璃基板的情況下，上方形成凡得瓦黏結的面積可包括該玻璃基板之實質上平坦（或平面）的部分的整體或一部分，如第4圖中所示。一或多個實施例中，該載具可具有範圍從約0.5mm至約4mm的厚度，例如從約0.55mm至約4mm、從約0.6mm至約4mm、從約0.65mm至約4mm、從約0.7mm至約4mm、從約0.75mm至約4mm、從約0.8mm至約4mm、從約0.9mm至約4mm、從約1mm至約4mm、從約1.1mm至約4mm、從約1.2mm至約4mm、從約1.5mm至約4mm、從約0.5mm至約3.5mm、從約0.5mm至約3mm、從約0.5mm至約2.5mm、從約0.5mm至約2mm、從約0.5mm至約1.5mm、從約0.5mm至約1.1mm、或從約0.7mm至約1.1mm。
一或多個實施例中，該載具的該厚度（及質量）經選擇以實現透過ESC的保留，但防止載具操作如有效的吸熱體（heat sink）（此可能造成在製程溫度下該載具與該玻璃基板之間的永久黏結）。由於載具的輕質量，載具20甚至是在高溫下與玻璃基板組裝時都不會歷經此種永久黏結效應。該載具的質量可在6至8克的範圍。
本發明中所描述的載具20具有CTE（熱膨脹係數）類似的特定玻璃組成，且該CTE緊密地與玻璃基板30的CTE匹配。一或多個實施例中，載具與玻璃基板的CTE的差至多相差10%。玻璃基板30與載具20之間的實質上CTE的差異會引發載具與玻璃基板之間的熱膨脹速率不同，且可能造成當製程溫度增加時其中一者或另一者呈弓形。從而玻璃基板與載具之CTE較佳為經過挑選而彼此在數值上相近。一種輕易完成上述條件的方法是使載具所具備的玻璃組成實質上類似或甚至等同於玻璃基板的玻璃組成。
一或多個實施例中，載具與玻璃基板包括鈉鈣玻璃（soda lime glass）、鹼鋁矽酸鹽玻璃、含鹼的硼矽酸鹽玻璃、及鹼鋁硼矽酸鹽玻璃。發明所屬技術領域中具有通常知識者會瞭解其他玻璃基板的組成可與本發明一併利用。
在表1中的是用作為載具與玻璃基板的示範性玻璃。CTE值是介於室溫與300°C之間的平均值。熱膨脹係數（CTE）是以本發明所屬技術領域中具有通常知識者已知的方法進行特徵標定，諸如描述於ASTM E228（及其結果，皆以參考形式併入本文中）中的方法，標題為「Standard Test Method for Linear Thermal Expansion of Solid Materials with a Push-Rod Dilatometer」（美國賓州康斯霍肯的ASTM國際標準組織）。 方法
本案揭露內容的第二態樣屬於在玻璃基板之表面上真空沉積塗層的方法。一或多個實施例中，該方法包括：在ESC上配置載具及玻璃基板，使得該載具介於該玻璃基板與該ESC之間，而形成吸附組件；以及在該載具與該玻璃基板之間形成凡得瓦黏結。一或多個實施例中，該方法包括：在該玻璃基板上真空沉積塗層。
一或多個實施例中，載具包括相對的第一表面及第二表面（第1圖中的22、24），且玻璃基板包括相對的第三表面及第四表面（第1圖中的32、34），且形成凡得瓦黏結是在第二表面（第1圖中的24）與第三表面（第1圖中的32）之間執行。換言之，所得的凡得瓦黏結是在第二表面（第1圖中的24）與第三表面（第1圖中的32）之間。一或多個實施例中，該凡得瓦黏結包括範圍從約100mg/cm2 至700mg/cm2 的黏結強度。
一或多個實施例中，形成該凡得瓦黏結包括：在形成該黏結之前先清潔該第二表面與該第三表面，如第 5 圖 至第 8 圖 中所說明。不受理論限制的前提下，相信此種清潔移除有機物與顆粒，若不然該等有機物與顆粒會透過維持兩個表面之間的分離而防止凡得瓦力黏結的形成。
一或多個實施例中，在將該載具與該玻璃基板配置在ESC上之前先清潔第二表面。一些實施例中，該載具配置在該ESC上，且該玻璃基板依序配置在該載具上，且其中在該ESC上配置該載具之後及該玻璃基板放置在該載具上之前清潔該第二表面。
如第 5 圖 中所描繪，根據製程60，該載具與玻璃基板可於分開的步驟中清潔。於步驟61，在黏結前可用清潔劑清潔載具。於步驟62，玻璃基板可經受相同或不同的清潔劑清潔程序。於步驟64，清潔過的玻璃基板與載具隨後進行接觸（如本文所述）以形成凡得瓦黏結。
第 6 圖 說明示範性清潔劑清潔方法70的細節，該方法70於步驟71-76可用於清潔玻璃基板與載具（61、62）之一或多者。步驟71代表去離子水清洗浴，溫度範圍是從約65°C至約75°C（例如約71°C），持續時間範圍是從約10分鐘至約20分鐘（例如約13分鐘）。步驟72代表40kHz的超音波清潔劑浴，溫度範圍是從約65°C至約75°C（例如約71°C），持續時間範圍是從約10分鐘至約20分鐘（例如約12分鐘）。步驟73代表去離子水清洗浴，溫度範圍是從約65°C至約75°C（例如約71°C），持續時間範圍是從約10分鐘至約20分鐘（例如約12分鐘）。步驟74代表第二40kHz的超音波清潔劑浴，溫度範圍是從約65°C至約75°C（例如約71°C），持續時間範圍是從約10分鐘至約20分鐘（例如約12分鐘）。步驟75代表緩慢拉引（slow pull）去離子水清洗浴，溫度範圍是從約65°C至約75°C（例如約71°C），持續時間範圍是從約10分鐘至約20分鐘（例如約12分鐘）。步驟76代表強制送熱氣（forced hot air）乾燥步驟，持續時間範圍是從約10分鐘至約20分鐘（例如約12分鐘）。如本發明所屬技術領域中具有通常知識者所決定，可成功地利用不同溫度及不同持續時間的清洗、清潔劑、與乾燥步驟的其他組合。
一或多個實施例中，玻璃基板與載具之任意一者可經受額外的清潔。據此，根據一或多個實施例的方法包括再次清潔玻璃基板及/或載具（在以第5圖至第6圖中所示的利用清潔劑的清潔之後），此是透過使用溶解的臭氧及表面清潔程序完成。該等額外的清潔步驟顯示於第 7 圖 至第 8 圖 。如第 7 圖 中所示，該方法包括使用第二清潔步驟83進一步清潔該玻璃基板（該玻璃基板已用清潔劑清潔過）82。例如，清潔步驟83可包括標準清潔1（SC1）之清潔，其為在此技術中已知。如第 8 圖 所說明，第二清潔步驟83包括步驟91，該步驟91包括將臭氧溶解在去離子水中，以及以溫度範圍從約15°C至約25°C（例如約17°C至21°C）提供該組合，且將玻璃基板浸泡於該組合中達到範圍從約5分鐘至約15分鐘（例如10分鐘）的持續時間。在步驟92，該方法包括提供NH4 OH+H2 O2 的組合，溫度範圍是從約60°C至約70°C（例如約65°C），並且將該玻璃基板浸泡在該組合中達到範圍從約5分鐘至約15分鐘（例如10分鐘）的持續時間。步驟93代表在去離子水中清洗玻璃基板，溫度範圍是從約15°C至約25°C（例如約17°C至21°C），達到範圍從約5分鐘至約15分鐘（例如12分鐘）的持續時間。最後，步驟94代表乾燥步驟（例如Marangoni乾燥，為此技術中已知），其中玻璃基板是在溫度範圍是從約15°C至約25°C（例如約17°C至21°C）進行乾燥，達到範圍從約5分鐘至約15分鐘（例如14分鐘）的持續時間。如本發明所屬技術領域中具有通常知識者所決定，可成功地利用不同溫度及不同持續時間的清洗、清潔劑、與乾燥步驟的其他組合。
一或多個實施例中，玻璃基板及載具之其中一者或兩者經修飾或處理以助於形成凡得瓦黏結。例如，該方法可包括在第二表面或第三表面上施予表面粗糙度（Ra及Rq），該表面粗糙度為在尺寸1mm乘以1mm的面積上小於約0.6nm，例如小於約0.55nm、小於約0.5nm、小於約0.45nm、小於約0.4nm。除非另外指明，否則該表面粗糙度是在尺寸為1mm乘以1mm的面積上量測。該表面粗糙度的下限可為約0.1nm或0.2nm。
一些實施例中，該方法可包括在第二表面上施予平坦度，該平坦度為在尺寸1mm乘以1mm的面積上小於60µm，例如55µm或更小、50µm或更小、45µm或更小、或約40µm或更小。該平坦度的下限可為約10µm或20µm。
一或多個實施例中，該方法可包括在第三表面上施予平坦度，該平坦度為在尺寸1mm乘以1mm的面積上小於80µm，例如小於約75µm、小於約70µm、或小於約60µm。該第二表面與第三表面的該平坦度的下限可為約20nm。
在不受理論所限制的前提下，相信表面粗糙度的選擇有助於提供期望的玻璃基板分子與載具分子之間的接觸程度，以產生充足的凡得瓦黏結。然而，表面粗糙度應該不能太平滑，否則可能發生永久的黏結。從而，表面粗糙度應該經過挑選而粗糙得足以防止在高製程溫度下有永久的黏結，但要平滑得足以造成暫時的凡得瓦黏結。一個實例中，具有鹼鋁矽酸鹽玻璃組成的玻璃基板可經處理（或以其他方式修飾）而提供Rq=0.59nm及Ra=0.47nm的表面粗糙度，且其平坦度為低於80µm。
一或多個實施例中，在載具與玻璃基板之間形成凡得瓦黏結包括：接觸該載具之第二表面與該玻璃基板之第三表面；以及賦能該ESC以將該玻璃基板固定到該載具，且將該載具固定到該ESC。一些實施例中，該方法包括：以範圍從約500伏特DC至約3500伏特DC之電壓賦能該ESC。一些實施例中，該方法包括：形成該凡得瓦黏結，此是藉由賦能該ESC以向該吸附組件施加夾箝力，該夾箝力的範圍是從約3gf/cm2 至10gf/cm2 。一或多個實施例中，該方法包括：形成該凡得瓦黏結，而無須在該第四表面（第1圖，34）上施加機械力。一些實施例中，該方法包括：形成該凡得瓦黏結，而無須將機械力施加至該玻璃基板。
一或多個實施例中，該方法包括配置在載具板上的吸附組件，且該載具板配置在真空沉積腔室中。一些例子中，該載具板包括複數個吸附組件。在該玻璃基板上真空沉積塗層之後，根據一或多個實施例的該方法包括：去能該ESC；以及從該ESC移除凡得瓦式黏結的該蓋板玻璃及載具。
一或多個實施例中，上面形成凡得瓦黏結的接觸面積可形成該玻璃基板的總表面積的一部分（如第2圖、第9A至9B圖、及第10A至10B圖中所說明）。一些實施例中，該接觸面積可小於玻璃基板的總可利用的表面積，此取決於玻璃基板的質量及在真空沉積塗佈製程期間使該玻璃基板保持黏結的期望黏結強度。較大的接觸面積要求真空沉積塗佈步驟期間載具與玻璃基板之間較大的力。例如，當玻璃基板30有不同質量（例如約7.9g的質量或約18g的質量），所要求的玻璃基板與載具之間的黏結的力會有所不同。當使用真空沉積製程在真空沉積腔室（具有呈圓筒組裝方式的可旋轉壁）中塗佈此玻璃基板時，該可旋轉壁可具有1.5m之直徑且可以100RPM自旋。圓周則是4.7m且每秒的旋轉（RPS）=100/60=1.7RPS。此產生速率v=4.7m/1.7RPS=2.8m/s，該速率是線性速率。離心力則為：
對於7.9g的玻璃基板而言： Fc = m (n /60)2 / r = 7.9 x 10-3 kg (100 * 2 * * 0.75 m / 60)2 /0.75 m = 0.65 N 若接觸面積是5.5cm x 10cm或55cm2 ，則該面積=0.0055 m2 ，則0.65 N / 0.0055 m2 = 118.2 N/m2 = 1.21 g/cm2 ，此是當吸附組件在以100RPM旋轉的直徑1.5m的圓筒之外側上自旋時，將玻璃基板保持於載具所要求的最小黏結強度。
對於18g的玻璃基板： Fc = m (n 60)2 / r = 18.0 x 10-3 kg (100 * 2 * * 0.75 m / 60)2 /0.75 m = 1.48 N 若接觸面積是7cm x 12cm或84cm2 ，則該面積=0.0084 m2 ，則1.48 N / 0.0084 m2 = 176.2 N/m2 = 1.8 g/cm2 ，此是當吸附組件在以100RPM旋轉的直徑1.5m的圓筒之外側上自旋時，將玻璃基板保持於載具所要求的最小黏結強度。
若載具與玻璃基板之間的接觸面積減少，則每平方的要求的夾箝力應該增加。類似地，若玻璃基板的質量增加但接觸面積維持相同，則每平方面積所要求的夾箝力應該亦增加。
為了達成增加的黏結強度，接觸面積可增加，或許可與載具表面粗糙度（平滑會增加黏結強度）及載具平坦度（提供更均勻的接觸）的改變相組合。該等是可經調整的三個變數，該等變數可經調整而增加或減少特定塗佈製程速度（尤其是某些真空製程中的旋轉速度）、玻璃基板之質量、以及用於黏結的可得的玻璃基板平坦面積所要求的凡得瓦黏結強度。
實例
第 10A 圖 與第 10B 圖 說明與載具接觸的玻璃基板實驗測試結果。第10A圖與第10B圖的暗區指示凡得瓦黏結的存在。
實例1
厚度各為0.1µm的兩片鋁矽酸鹽玻璃放置在ESC上。第一玻璃片是載具，第二玻璃片是待使用真空沉積製程塗佈的玻璃基板。賦能該ESC之後，凡得瓦黏結開始形成且被觀察到，如第10A圖中所說明。
實例2
具有相同的鹼鋁矽酸鹽玻璃組成的兩個玻璃片放置在ESC上。施加500V的DC以賦能該ESC。凡得瓦黏結形成且被觀察到，且除了電場之外無須在玻璃基板上施加任何力，如第10B圖中所說明。
儘管已按照較佳的說明性實施例描述本發明，但發明所屬技術領域中具有通常知識者會瞭解，只要不背離所附之申請專利範圍中界定的本發明之精神與範疇，可製作各種改變、添加、刪除、及修飾。一些非限制性實施例包括下述者：
實施例1。一種用於使用真空沉積製程塗佈玻璃基板的吸附設備，該設備包括： 靜電吸盤（ESC）； 載具，配置在該ESC上，其中該載具包括第一表面及相對的第二表面，該第一表面鄰近該ESC，該第二表面用於與玻璃基板之第三表面形成凡得瓦黏結，而無須在該玻璃基板之第四表面上施加機械力，該第四表面與該第三表面相對。
實施例2。實施例1之設備，其中無須在該玻璃基板上施加機械力而形成該凡得瓦黏結。
實施例3。實施例1或實施例2之設備，其中該ESC適於施加範圍從約3gf/cm2 至10gf/cm2 的夾箝力。
實施例4。實施例1至3任一者之設備，其中該玻璃基板包括第一熱膨脹係數，且該載具包括第二熱膨脹係數，該第二熱膨脹係數在該第一熱膨脹係數的10%以內。
實施例5。實施例4之設備，其中該第一熱膨脹係數和該第二熱膨脹係數實質上相等。
實施例6。一種在玻璃基板的表面上真空沉積塗層的方法，該方法包括： 在ESC上配置載具及玻璃基板，使得該載具介於該玻璃基板與該ESC之間，而形成吸附組件； 在該載具與該玻璃基板之間形成凡得瓦黏結；以及 在該玻璃基板上真空沉積塗層。
實施例7。實施例6之方法，其中形成該凡得瓦黏結包括：賦能該ESC以將該玻璃基板固定到該載具，且將該載具固定到該ESC。
實施例8。實施例6或實施例7之方法，其中該載具包括相對的第一表面及第二表面，且該玻璃基板包括相對的第三表面及第四表面，且其中該凡得瓦黏結是在該第二表面與該第三面之間形成。
實施例9。實施例8之方法，其中形成該凡得瓦黏結包括：清潔該第二表面與該第三表面。
實施例10。實施例9之方法，其中該第二表面是在將該載具及該玻璃基板配置在該ESC上之前清潔。
實施例11。實施例10之方法，進一步包括：將該載具配置在該ESC上，且將該玻璃基板依序配置在該載具上，且其中在該ESC上配置該載具之後及該玻璃基板放置在該載具上之前清潔該第二表面。
實施例12。實施例7至11任一者之方法，進一步包括：去能該ESC；以及從該ESC移除凡得瓦式黏結的該蓋板玻璃及載具。
實施例13。實施例6至12任一者之方法，其中該凡得瓦黏結包括範圍從約100mg/cm2 至700mg/cm2 的黏結強度。
實施例14。實施例6至13任一者之方法，其中該第二表面包括：在尺寸為1mm乘以1mm的面積上小於約0.6nm的表面粗糙度及小於60µm的平坦度，且該第三表面包括：在尺寸為1mm乘以1mm的面積上小於80µm的平坦度。
實施例15。實施例7至14任一者之方法，進一步包括：以範圍從約500伏特DC至約3500伏特DC的電伏特賦能該ESC。
實施例16。實施例6至15任一者之方法，進一步包括：形成該凡得瓦黏結而無須在該第四表面上施加機械力。
實施例17。實施例16之方法，進一步包括：形成該凡得瓦黏結而無須施加機械力至該玻璃基板。
實施例18。實施例6至17任一者之方法，其中形成該凡得瓦黏結包括：賦能該ESC以施加夾箝力給該吸附組件，該夾箝力的範圍是從約3gf/cm2 至10gf/cm2 。
實施例19。實施例6至18任一者之方法，進一步包括：將該吸附組件配置在載具板上且將該載具板配置在真空沉積腔室中。
實施例20。實施例19之方法，其中該載具板包括複數個吸附組件。
10‧‧‧吸附設備
12‧‧‧ESC
20‧‧‧載具
22‧‧‧第一表面
24‧‧‧第二表面
30‧‧‧玻璃基板
32‧‧‧第三表面
34‧‧‧第四表面
60‧‧‧製程
61、62、64‧‧‧步驟
70‧‧‧方法
71-76‧‧‧步驟
80‧‧‧方法
81-84‧‧‧步驟
91-94‧‧‧步驟
第 1 圖 是根據一或多個實施例的吸附設備的側視圖。
第 2 圖 是根據一或多個實施例的吸附設備的側視圖。
第 3 圖 是根據一或多個實施例的複數個吸附設備的概略示意圖，該等吸附設備用於在真空沉積腔室中使用真空沉積製程塗佈玻璃基板。
第 4 圖 是第 3 圖 的吸附設備的前端平面視角示意圖，有二維玻璃基板裝設在該吸附設備上。
第 5 圖 是用於利用第 1 圖 之吸附設備的第一清潔程序的概略圖。
第 6 圖 是第 5 圖 的清潔程序之清潔劑清潔步驟的概略圖。
第 7 圖 是用於利用第 1 圖 之吸附設備的第二清潔程序的概略圖。
第 8 圖 是第 7 圖 的清潔程序之清潔步驟的概略圖。
第 9A 圖與第 9B 圖 是實驗測試結果的示意圖，顯示凡得瓦黏結之程度，第9B圖中的暗區是描繪非黏結區域。
第 10A 圖與第 10B 圖 是實驗測試結果的示意圖，顯示凡得瓦黏結之程度，繞射環區域是描繪非黏結區域。
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Claims (15)

  1. 一種用於使用真空沉積製程塗佈玻璃基板的吸附（chucking）設備，該設備包括： 一靜電吸盤（electrostatic chuck, ESC）；一載具，配置在該ESC上，其中該載具包括一第一表面及相對的一第二表面，該第一表面鄰近該ESC，該第二表面用於與一玻璃基板之一第三表面形成一凡得瓦黏結，而無須在該玻璃基板之一第四表面上施加一機械力，該第四表面與該第三表面相對。
  2. 如請求項1所述之設備，其中無須在該玻璃基板上施加一機械力而形成該凡得瓦黏結。
  3. 如請求項1或請求項2所述之設備，其中該ESC適於施加範圍從約3gf/cm2 至10gf/cm2 的一夾箝力。
  4. 如請求項1或請求項2所述之設備，其中該玻璃基板包括一第一熱膨脹係數，且該載具包括一第二熱膨脹係數，該第二熱膨脹係數在該第一熱膨脹係數的10%以內。
  5. 一種在玻璃基板的表面上真空沉積塗層的方法，該方法包括： 在一靜電（ESC）上配置一載具及一玻璃基板，使得該載具介於該玻璃基板與該ESC之間，而形成一吸附（chucking）組件；在該載具與該玻璃基板之間形成一凡得瓦黏結；以及在該玻璃基板上真空沉積一塗層。
  6. 如請求項5所述之方法，其中形成該凡得瓦黏結包括：賦能該ESC以將該玻璃基板固定到該載具，且將該載具固定到該ESC。
  7. 如請求項5所述之方法，其中該載具包括相對的第一表面及第二表面，且該玻璃基板包括相對的第三表面及第四表面，且其中該凡得瓦黏結是在該第二表面與該第三面之間形成，其中形成該凡得瓦黏結包括：清潔該第二表面與該第三表面。
  8. 如請求項7所述之方法，其中該第二表面是在將該載具及該玻璃基板配置在該ESC上之前清潔。
  9. 如請求項8所述之方法，進一步包括：將該載具配置在該ESC上，且將該玻璃基板依序配置在該載具上，且其中在該ESC上配置該載具之後及該玻璃基板放置在該載具上之前清潔該第二表面。
  10. 如請求項6至9任一項所述之方法，進一步包括：去能（de-energize）該ESC；以及從該ESC移除凡得瓦式黏結的該蓋板玻璃及載具。
  11. 如請求項5至9任一項所述之方法，其中該凡得瓦黏結包括範圍從約100mg/cm2 至700mg/cm2 的黏結強度。
  12. 如請求項7至9任一項所述之方法，其中該第二表面包括：在尺寸為1mm乘以1mm的面積上小於約0.6nm的表面粗糙度及小於60µm的平坦度，且該第三表面包括：在尺寸為1mm乘以1mm的面積上小於80µm的平坦度。
  13. 如請求項5至9任一項所述之方法，進一步包括：形成該凡得瓦黏結而無須在該第四表面上施加一機械力。
  14. 如請求項5至9任一項所述之方法，其中形成該凡得瓦黏結包括：賦能該ESC以施加一夾箝力給該吸附組件，該夾箝力的範圍是從約3gf/cm2 至10gf/cm2 。
  15. 如請求項5至9任一項所述之方法，進一步包括：將該吸附組件配置在一載具板上且將該載具板配置在一真空沉積腔室中。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201817152A (zh) * 2016-08-10 2018-05-01 美商康寧公司 利用靜電吸盤與凡得瓦力塗佈玻璃基板之設備與方法
GB201815258D0 (en) 2018-09-19 2018-10-31 Spts Technologies Ltd A support
KR102651311B1 (ko) 2019-06-03 2024-03-27 삼성전자주식회사 마이크로폰들을 이용하여 사용자의 음성을 분석하는 전자 장치 및 모바일 장치

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5055964A (en) * 1990-09-07 1991-10-08 International Business Machines Corporation Electrostatic chuck having tapered electrodes
US6399143B1 (en) * 1996-04-09 2002-06-04 Delsys Pharmaceutical Corporation Method for clamping and electrostatically coating a substrate
US5812362A (en) * 1996-06-14 1998-09-22 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for the use of diamond films as dielectric coatings on electrostatic chucks
US6678143B2 (en) * 2000-12-11 2004-01-13 General Electric Company Electrostatic chuck and method of manufacturing the same
US6814833B2 (en) * 2001-10-26 2004-11-09 Corning Incorporated Direct bonding of articles containing silicon
JP4247739B2 (ja) * 2003-07-09 2009-04-02 Ｔｏｔｏ株式会社 静電チャックによるガラス基板の吸着方法および静電チャック
US7347532B2 (en) * 2004-08-05 2008-03-25 Fujifilm Dimatix, Inc. Print head nozzle formation
US7671398B2 (en) * 2005-02-23 2010-03-02 Tran Bao Q Nano memory, light, energy, antenna and strand-based systems and methods
JP4976911B2 (ja) 2007-04-27 2012-07-18 新光電気工業株式会社 静電チャック
JP2010283339A (ja) * 2009-05-02 2010-12-16 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 光電変換装置及びその作製方法
US8580693B2 (en) * 2010-08-27 2013-11-12 Applied Materials, Inc. Temperature enhanced electrostatic chucking in plasma processing apparatus
JP5724657B2 (ja) * 2011-06-14 2015-05-27 旭硝子株式会社 ガラス基板保持手段、およびそれを用いたｅｕｖマスクブランクスの製造方法
US9130484B2 (en) 2011-10-19 2015-09-08 Sri International Vacuum augmented electroadhesive device
TW201334213A (zh) * 2011-11-01 2013-08-16 Intevac Inc 處理太陽能電池晶圓的靜電吸盤
JP2014017462A (ja) * 2012-03-02 2014-01-30 Fujifilm Corp 半導体装置の製造方法
US9030797B2 (en) * 2012-06-01 2015-05-12 Infineon Technologies Ag Thin substrate electrostatic chuck system and method
CN104603928B (zh) * 2012-09-07 2017-08-25 应用材料公司 便携式静电夹盘
JP2014103291A (ja) * 2012-11-21 2014-06-05 Renesas Electronics Corp 半導体装置の製造方法
JP6152994B2 (ja) * 2012-11-27 2017-06-28 株式会社クリエイティブテクノロジー 静電チャック及びガラス基板処理方法
US10086584B2 (en) 2012-12-13 2018-10-02 Corning Incorporated Glass articles and methods for controlled bonding of glass sheets with carriers
US9028628B2 (en) 2013-03-14 2015-05-12 International Business Machines Corporation Wafer-to-wafer oxide fusion bonding
US20150099110A1 (en) 2013-10-07 2015-04-09 Corning Incorporated Glass articles and methods for controlled bonding of glass sheets with carriers
US20170362698A1 (en) * 2014-12-03 2017-12-21 Sharp Kabushiki Kaisha Vapor deposition mask, vapor deposition device, method for manufacturing vapor deposition mask, and vapor deposition method
US9499908B2 (en) * 2015-02-13 2016-11-22 Eastman Kodak Company Atomic layer deposition apparatus
US20180258519A1 (en) * 2015-10-25 2018-09-13 Applied Materials, Inc. Apparatus for vacuum deposition on a substrate and method for masking the substrate during vacuum deposition
KR20180099761A (ko) 2015-12-30 2018-09-05 코닝 인코포레이티드 진공 코팅 공정에서 커버 기판을 반 데르 발스 힘으로 클램핑하는 방법 및 장치
TW201817152A (zh) * 2016-08-10 2018-05-01 美商康寧公司 利用靜電吸盤與凡得瓦力塗佈玻璃基板之設備與方法

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