JPWO2013161773A1 - 磁気センサデバイス - Google Patents
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Abstract
Description
また第1磁場減衰部12、第2磁場減衰部13a,bは、いずれも例えば次に挙げるものを用いて構成することができる。
(1)Fe−Ni系の合金材料(パーマロイ、42アロイ、45アロイ等)、
(2)Fe−BまたはFe−Si−Bを基本成分として、これにCu,Nb,Ta,Mo,Zr等を添加して得られる合金材料を用いて形成したナノ結晶軟磁性材料、
(3)Fe基やCo基等のアモルファス磁性材料、
(4)珪素鋼板等。
いずれの場合も、透磁率の高い磁性材料で形成することが好ましい。例えば、Fe−Ni系合金材料をフレーム状に圧延によって形成してもよいし、軟磁性の膜をめっきで被着して形成してもよいし、ソフトフェライトの基板やソフトフェライトのシートで形成してもよい。また、粉末状にして成形したり、樹脂含浸して成形してもよい。さらに磁気センサ素子における基板としてSi基板に代えて、フェライト基板等に置き換えたものを、減衰部の一部として用いることもできる。
(1)Fe−Ni系の合金材料(パーマロイ、42アロイ、45アロイ等)、
(2)Fe−BまたはFe−Si−Bを基本成分として、これにCu,Nb,Ta,Mo,Zr等を添加して得られる合金材料を用いて形成したナノ結晶軟磁性材料、
(3)Fe基やCo基等のアモルファス磁性材料、
(4)珪素鋼板等。
いずれの場合も、透磁率の高い磁性材料で形成することが好ましい。例えば、Fe−Ni系合金材料をフレーム状に圧延によって形成したり、軟磁性の膜をめっきで被着して形成してもよいし、ソフトフェライトの基板やソフトフェライトのシートで形成してもよい。また、粉末状にして成形したり、樹脂含浸して成形したりしてもよい。磁気センサ素子における基板としてSi基板に代えて、フェライト基板等に置き換えたものを、減衰部の一部として用いることもできる。
また例B1では、第3の磁場減衰部14を含む仮想的な面と、第1磁場減衰部12を含む仮想的な面とが交差する仮想的な線分L1,L2(図7に示すY軸方向に延びる線分)が、第1磁場減衰部12上にあるよう、第1磁場減衰部12のZ軸方向の幅が第2の磁場減衰部13のZ軸方向の幅以上の長さに形成される。
またリード線121をY軸方向に形成された開口から外部へ取り出し、第1磁場減衰部12と、第2、第3の磁場減衰部13,14とを一体に形成してもよい。この場合、磁場減衰体は中空のある四角柱状をなす。
Claims (8)
- 基板面に形成され、予め定められた検出軸方向の磁場の強さを検出する磁気センサ素子と、
前記磁気センサ素子の面に平行な第1、第2の面を有し、
前記第1の面内に配され、平面視において前記磁気センサ素子を内包する第1の磁場減衰部と、
前記第2の面内に配され、前記第1の磁場減衰部に対し、前記磁気センサ素子を間において対向する第2の磁場減衰部と、
を含む磁気センサデバイス。 - 基板面に形成され、予め定められた検出軸方向の磁場の強さを検出する磁気センサ素子と、
前記磁気センサ素子の面に平行な面を有し、平面視において前記磁気センサ素子を内包する奥行及び幅を有する第1の磁場減衰部と、
前記第1の磁場減衰部に対し、前記磁気センサ素子を間において対向し、前記磁気センサ素子の面に平行な仮想面内にあって、平面視において前記磁気センサ素子の中心を間においてその検出軸方向に直交する方向両側に配された一対の第2の磁場減衰部と、
を含む磁気センサデバイス。 - 前記一対の第2の磁場減衰部は平面視において、前記第1の磁場減衰部の内側にある請求項2記載の磁気センサデバイス。
- 基板面に形成され、予め定められた検出軸方向の磁場の強さを検出する磁気センサ素子と、
前記磁気センサ素子を間において対向する面をそれぞれ有する第1の磁場減衰部及び第2の磁場減衰部、並びに前記磁気センサ素子を間において互いに対向する面を有し、磁気センサ素子の検出軸に平行であり、前記第1、第2の磁場減衰部に交差する方向に設けられた第3の磁場減衰部を含んだ磁場減衰体と、
を含み、
前記磁気センサデバイスは、前記磁気センサ素子の検出軸方向には、前記第1,第2の磁場減衰部より低い透磁率を有する低透磁部が形成されている磁気センサデバイス。 - 前記第2の磁場減衰部と前記第3の磁場減衰部とが磁気的に一体である請求項4記載の磁気センサデバイス。
- 前記第1の磁場減衰部の、前記磁気センサ素子の検出軸方向に直交する方向の長さよりも、前記第2の磁場減衰部の、前記磁気センサ素子の検出軸方向に直交する方向の長さが短く形成されている請求項4記載の磁気センサデバイス。
- 前記第1の磁場減衰部と前記第3の磁場減衰部とが磁気的に一体である請求項4から6のいずれか一項に記載の磁気センサデバイス。
- 前記磁気センサ素子は、
環状をなす磁性体と、
当該磁性体に巻回され、前記磁性体の周方向に半周で一回転する方向の磁場を印加するコイルと、
前記磁性体の環状の中心部に配され、測定対象となる磁場の方向に磁化方向が固定された固定層を有する磁気抵抗効果素子と、
を含み、
前記固定層の面内で、磁化が固定された方向に平行または反平行な方向を前記検出軸方向とする磁気センサ素子である請求項1から7のいずれか一項に記載の磁気センサデバイス。
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