JP2022117289A - 電流センサおよびそれを備えた電気制御装置 - Google Patents
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Abstract
Description
電流センサでは、それらの磁気抵抗効果素子や磁気検出素子により、バスバー等の導体に流れる電流が非接触状態で検出されるようになっている。
なお、本発明の効果はこれに限定されるものではなく、以下に記載のいずれの効果であってもよい。
0.背景
1.第1の実施の形態
導体の近傍に配置される電流センサの例。
2.第2の実施の形態
導体の近傍に配置される電流センサの例。
3.第3の実施の形態
電流センサを備えた電気制御装置の例。
上述の特許文献1に開示の電流センサでは、導体から発生する磁場が強くなり、それにより磁性体コアが磁気的に飽和しやすくなる。このため、磁気センサの出力の線形性が劣化するおそれがある。磁性体コアの空隙(ギャップ)を広くしたり、磁性体コアの体積を大きくしたりすれば、磁気センサの出力の線形性の悪化を改善することができる。しかしながら、磁性体コアの空隙(ギャップ)を広げると、導体から発生する磁場以外の磁場(以下、「外乱磁場」という場合がある。)が磁気検出部に印加されやすくなり、電流センサによる検出精度が低下するおそれがある。
[電流センサ1の構成]
最初に、図1から図6を参照して、本発明の第1の実施の形態としての電流センサ1の構成について説明する。図1は、電流センサ1の全体構成例を表す斜視図である。図1に示したように、電流センサ1は、例えば磁気検出部2と、集磁コア3と、磁気シールド4とを有する。電流センサ1は、例えば導体5の近傍に配置される。導体5は、例えばZ軸方向に延在している。導体5には、Z軸方向に沿って、電流センサ1の検出対象である電流Imが流れるようになっている。図2Aは、電流センサ1の、Z軸方向と直交するXY面の断面を表す模式図である。図2Bは、電流センサ1のうち、磁気検出部2および磁気シールド4のYZ面の断面を拡大して表す模式図である。電流センサ1では、導体5に電流ImがZ軸方向に沿って+Zの向きに流れると、導体5の周囲には磁束Bmが誘導される。磁束Bmは、例えば集磁コア3の内部を通過する。磁束Bmは、磁気検出部2に対し、例えばX軸方向に沿った-Xの向きに印加されるようになっている。すなわち、磁気検出部2は、磁束Bmが-Xの向きに通過する位置に配置される。本実施の形態では、導体5の幅に沿った方向をX軸方向とし、導体5の厚さ方向をY軸方向とする。
本実施の形態の「Z軸方向」、「X軸方向」、および「Y軸方向」は、それぞれ、本発明の「第1方向」、「第2方向」、および「第3方向」に対応する一具体例である。
導体5は、例えばCu(銅)などの高導電性非磁性材料により構成される。導体5は、例えばZ軸方向を長手方向とするように延在し、Y軸方向を厚み方向とする略板状体である。導体5は、おおよそ環状をなす集磁コア3により取り囲まれた空間を貫通するように配置されている。
集磁コア3は、自らを磁束Bmが通過するように磁束Bmを集束する軟磁性体である。図2Aに示したように、集磁コア3は、例えばZ軸方向と直交するXY面に沿って導体5を取り囲むように設けられている。なお、導体5を取り囲むとは、導体5の周囲を周回するように環状をなしている形態のみならず、導体5の周囲のうちの一部と対向する部分が欠落した状態の切り欠きを含む形態をも概念である。集磁コア3は、第1コア部31と、第2コア部32と、第3コア部33と、第4コア部34と、第5コア部35とを含んでいる。第1コア部31、第4コア部34、および第5コア部35は、いずれも、例えば導体5の幅方向であるX軸方向に延在している。第2コア部32および第3コア部33は、いずれも、例えば導体5の厚さ方向であるY軸方向に延在している。第1コア部31と、第4コア部34および第5コア部35とは、Y軸方向において対向するように配置されている。第2コア部32と第3コア部33とは、X軸方向において対向するように配置されている。第2コア部32は、第1コア部31のX軸方向の第1端部と、第4コア部34のX軸方向の第1端部とを繋ぐように設けられている。第4コア部34のX軸方向の第1端部と反対側の第2端部は、端面3T1を有している。第3コア部33は、第1コア部31のX軸方向の第1端部と反対側の第2端部と、第5コア部35のX軸方向の第1端部とを繋ぐように設けられている。第5コア部35のX軸方向の第1端部と反対側の第2端部は、端面3T2を有している。端面3T1と端面3T2とは、X軸方向に互いに離間して対向している。端面3T1と端面3T2とに挟まれた空間はコアギャップCGである。コアギャップCGは、X軸方向の幅W3を有する。なお、図2Aでは、第1コア部31と、第2コア部32と、第3コア部33と、第4コア部34と、第5コア部35とが互いに物理的に接触するように連結されている場合を例示しているが、本実施の形態はこれに限定されるものではない。例えば第1コア部31と、第2コア部32と、第3コア部33と、第4コア部34と、第5コア部35とが物理的に接触していなくとも、互いに磁気的に連結されていればよい。
本実施の形態の集磁コア3は、本発明の「第2軟磁性体」に対応する一具体例である。また、XY面は本発明の「第3平面」に対応する一具体例である。
磁気検出部2は、例えば端面3T1と端面3T2との隙間であるコアギャップCGに配置されている。電流センサ1では、導体5に電流Imが流れると導体5から磁束Bmが発生し、コアギャップCGを有する集磁コア3に磁束Bmが集束される。集磁コア3全体が磁束Bmの経路、すなわち磁路となる。したがって、コアギャップCGに設けられている磁気検出部2は、集磁コア3に集束される磁路に配置されることとなる。そのため、本実施形態において磁気検出部2がコアギャップCGに設けられる、とは、磁気検出部2の少なくとも一部が磁束Bmの経路に位置していればよいことを意味するものである。すなわち、磁気検出部2の全体がコアギャップCG内に位置していてもよいし、磁気検出部2の一部のみがコアギャップCG内に位置していてもよい。なお、磁気検出部2の詳細な構成については後述する。
磁気シールド4は、外乱磁場から磁気検出部2を磁気的に遮蔽する部材である。すなわち、磁気シールド4は、検出対象とする磁束Bm以外の外部からの不要な磁場(磁束)の、磁気検出部2に対する影響を緩和する軟磁性体である。図2Bに示したように、磁気シールド4は、X軸方向と直交するYZ面に沿って磁気検出部2を取り囲むように、全体として環状の形状を有している。なお、磁気検出部2を取り囲むとは、磁気検出部2の周囲の周回するように環状をなしている形態のみならず、磁気検出部2の周囲のうちの一部と対向する部分が欠落した状態の切り欠きを含む形態をも概念である。磁気シールド4は、導体5および磁気検出部2の双方と物理的に接触することなく離間して配置されている。
本実施の形態の磁気シールド4は、本発明の「第1軟磁性体」に対応する一具体例である。また、本実施の形態のYZ面は、本発明の「第1平面」に対応する一具体例である。さらに、本実施の形態のXZ面は、本発明の「第2平面」に対応する一具体例である。
本実施形態の電流センサ1によれば、集磁コア3のコアギャップCGに配置された磁気検出部2を取り囲むように磁気シールド4を設けるようにしている。このため、磁気検出部2に対する、周囲からの不要な外乱磁場の磁束の影響が緩和される。例えば外乱磁場のうちの、Y軸方向に沿った磁場成分HyおよびZ軸方向に沿った磁場成分Hzは、例えば図7に示したように、主に磁気シールド4を通過する。このため、磁気シールド4に取り囲まれた空間に配置されている磁気検出部2を通過する磁場成分Hyおよび磁場成分Hzは低減される。なお、図7は、電流センサ1の作用効果を説明するための第1の説明図である。例えば磁場成分Hzは2つに分流し、Y軸方向において互いに対向するように配置されてXZ面に沿って広がる第1シールド部41および第2シールド部42をそれぞれ通過することとなる。また、磁場成分Hyも2つに2つに分流し、Z軸方向において互いに対向するように配置されてXY面に沿って広がる第3シールド部43および第4シールド部44をそれぞれ通過することとなる。図7では、磁場成分Hzの経路を実線矢印で模式的に表し、磁場成分Hyの経路を破線矢印で模式的に表している。
(変形例1-1)
図12は、上記第1の実施の形態の第1変形例(変形例1-1)としての電流センサ1Aを表す断面模式図である。上記第1の実施の形態の電流センサ1では、例えば図2Aに示したように、磁気シールド4の第1シールド部41の幅W41および第2シールド部42の幅W42が、集磁コア3のコアギャップCGの幅W3よりも狭くなるようにした(W41,W42<W3)。これに対し、変形例1-1としての電流センサ1Aでは、図12に示したように、磁気シールド4の第1シールド部41の幅W41および第2シールド部42の幅W42が、集磁コア3のコアギャップCGの幅W3よりも広くなるようにしている(W41,W42>W3)。すなわち、第1シールド部41のX軸方向の第1端部および第2シールド部42のX軸方向の第1端部が、第4コア部34の一部とY軸方向に重なり合うと共に、第1シールド部41のX軸方向の第2端部および第2シールド部42のX軸方向の第2端部が、第5コア部35の一部とY軸方向に重なり合うようになっている。電流センサ1Aの構成は、上記の相違点を除き、電流センサ1の構成と実質的に同じである。なお、幅W41,W42は例えば5mm以上11mm以下とし、幅W3は例えば4mm以上10mm以下とすることができる。
図13は、上記第1の実施の形態の第2変形例(変形例1-2)としての電流センサ1Bを表す断面模式図である。上記第1の実施の形態の電流センサ1では、例えば図2Aに示したように、磁気シールド4の第1シールド部41の幅W41が、第2シールド部42の幅W42と実質的に等しくなるようにした(W1=W2)。これに対し、変形例1-2としての電流センサ1Bでは、図13に示したように、磁気シールド4の第1シールド部41の幅W41よりも第2シールド部42の幅W42が広くなるようにしている(W41<W42)。但し、第2シールド部42の幅W42は、集磁コア3のコアギャップCGの幅W3よりも狭くなるようにしている(W42<W3)。この点は、電流センサ1Bは電流センサ1と同じである。また、第1シールド部41の幅W41およびコアギャップCGの幅W3は、電流センサ1と電流センサ1Bとで実質的に同じである。なお、幅W42は例えば5mm以上11mm以下とすることができる。電流センサ1Bの構成は、第1シールド部41の幅W41よりも第2シールド部42の幅W42が広いことを除き、電流センサ1の構成と実質的に同じである。
図14は、上記第1の実施の形態の第3変形例(変形例1-3)としての電流センサ1Cを表す断面模式図である。上記第1の実施の形態の電流センサ1では、例えば図2Aに示したように、磁気シールド4の第1シールド部41の幅W41が、第2シールド部42の幅W42と実質的に等しくなるようにした(W1=W2)。これに対し、変形例1-3としての電流センサ1Cでは、図14に示したように、磁気シールド4の第2シールド部42の幅W42よりも第1シールド部41の幅W41が広くなるようにしている(W41>W42)。但し、第1シールド部41の幅W41は、集磁コア3のコアギャップCGの幅W3よりも狭くなるようにしている(W41<W3)。この点は、電流センサ1Cは電流センサ1と同じである。また、第2シールド部42の幅W42およびコアギャップCGの幅W3は、電流センサ1と電流センサ1Cとで実質的に同じである。なお、幅W41は例えば5mm以上11mm以下とすることができる。電流センサ1Cの構成は、第1シールド部41の幅W41が第2シールド部42の幅W42よりも広いことを除き、電流センサ1の構成と実質的に同じである。
図15は、上記第1の実施の形態の第4変形例(変形例1-4)としての電流センサ1Dを表す断面模式図である。上記変形例1-3の電流センサ1Cでは、Y軸方向においてコアギャップCGと導体5との間に第2シールド部42を配するようにしている。これに対し、変形例1-4の電流センサ1Dでは、コアギャップCGに第2シールド部42を配置するようにしている。変形例1-4の電流センサ1Dの構成は、コアギャップCGに第2シールド部42を配置することを除き、変形例1-3の電流センサ1Cの構成と実質的に同じである。
図16は、上記第1の実施の形態の第5変形例(変形例1-5)としての電流センサ1Eを表す断面模式図である。上記変形例1-4の電流センサ1Dでは、第1シールド部41の幅W41が第2シールド部42の幅W42よりも広く、かつ、コアギャップCGの幅W3よりも狭くなっている(W42<W41<W3)。これに対し、変形例1-5の電流センサ1Eでは、図16に示したように、磁気シールド4の第2シールド部42の幅W42が第1シールド部41の幅W41よりも広く、かつ、コアギャップCGの幅W3よりも狭くなるようにしている(W41<W42<W3)。この点を除き、変形例1-5の電流センサ1Eの構成は、変形例1-4の電流センサ1Dの構成と実質的に同じである。
図17は、上記第1の実施の形態の第6変形例(変形例1-6)としての電流センサ1Fを表す断面模式図である。上記変形例1-4の電流センサ1Dでは、コアギャップCGに第2シールド部42を配置するようにしている。これに対し、変形例1-6の電流センサ1Fでは、コアギャップCGに第1シールド部41を配置するようにしている。変形例1-6の電流センサ1Fの構成は、コアギャップCGに第1シールド部41を配置することを除き、変形例1-4の電流センサ1Dの構成と実質的に同じである。
図18は、上記第1の実施の形態の第7変形例(変形例1-7)としての電流センサ1Gを表す断面模式図である。上記変形例1-5の電流センサ1Eでは、コアギャップCGに第2シールド部42を配置するようにしている。これに対し、変形例1-7の電流センサ1Gでは、コアギャップCGに第1シールド部41を配置するようにしている。変形例1-7の電流センサ1Gの構成は、コアギャップCGに第1シールド部41を配置することを除き、変形例1-5の電流センサ1Eの構成と実質的に同じである。
図19は、上記第1の実施の形態の第8変形例(変形例1-8)としての電流センサ1Hの外観を表す斜視図である。第1の実施の形態の電流センサ1では、磁気検出部2の周囲を周回する環状をなす磁気シールド4を有するようにした。これに対し、変形例1-8の電流センサ1Hでは、図19に示したように磁気シールド4の代わりに磁気シールド4Aを有する。磁気シールド4Aは、第1~第4シールド部41~44のうちの第4シールド部44を含まずにYZ面において一部が開放されたU形状を有している。変形例1-8の電流センサ1Hにおいても、第1~第3シールド部41~43を含む磁気シールド4Aを有しているので、磁気検出部2に対する外乱磁場の影響を低減することができる。
図20は、上記第1の実施の形態の第9変形例(変形例1-9)としての電流センサ1Iの外観を表す斜視図である。第1の実施の形態の電流センサ1では、導体5の周囲を取り囲む第1~第5コア部31~35を含む集磁コア3を有するようにした。これに対し、変形例1-9の電流センサ1Iでは、集磁コア3の代わりに集磁コア3Aを有するようにした。集磁コア3Aは、図20に示したように、第1~第5コア部31~35のうちの第4コア部34および第5コア部35を有さずにXY面において一部が開放されたU形状を有している。変形例1-9の電流センサ1Iにおいても、磁気シールド4を有しているので、磁気検出部2に対する外乱磁場の影響を低減することができる。なお、電流センサ1Iは、磁気シールド4の代わりに図19に示した磁気シールド4Aを有するようにしてもよい。
図21は、上記第1の実施の形態の第10変形例(変形例1-10)としての電流センサ1Jの外観を表す斜視図である。変形例1-10の電流センサ1Jは、集磁コア3の代わりに軟磁性体3Bを有するようにしている。軟磁性体3Bは、XZ面に沿って広がる2枚の板状部材36,37を含んでいる。板状部材36および板状部材37は、いずれも軟磁性材料を主たる構成材料としている。板状部材36と板状部材37とは、Y軸方向において磁気シールド4および磁気検出部2を挟んで対向配置されている。変形例1-10の電流センサ1Jにおいても、磁気シールド4を有しているので、磁気検出部2に対する外乱磁場の影響を低減することができる。なお、電流センサ1Jは、磁気シールド4の代わりに図19に示した磁気シールド4Aを有するようにしてもよい。
[電流センサ6の構成]
図22Aおよび図22Bを参照して、本発明の第2の実施の形態としての電流センサ6の構成について説明する。図22Aは、電流センサ6の全体構成例を表す斜視図である。図22Aに示したように、電流センサ6は、例えば磁気検出部7と、集磁コア8と、磁気シールド9と、導体10とを有する。
導体10は、例えば第1部分11と第2部分12と、第3部分13と、第4部分14と、第5部分15とが順に連結されたものである。導体10は、例えばCu(銅)などの高導電性非磁性材料により構成される。第1部分11、第3部分13、および第5部分15は、例えばXY面に沿って広がっている。第2部分12および第4部分14は、第1部分11、第3部分13、および第5部分15に対して立設するように、XZ面に沿って広がっている。第2~第4部分12~14は、折り返し部分を構成している。
なお、第2部分12が本発明の「第1導体部分」に対応する一具体例であり、第4部分14が本発明の「第2導体部分」に対応する一具体例である。
磁気検出部7は、導体10の第2~第4部分12~14により構成される折り返し部分に形成される空間に配置されている。すなわち、磁気検出部7は、第2~第4部分12~14により取り囲まれた空間に配置されている。磁気検出部7の構成は、上記第1の実施の形態で説明した磁気検出部2の構成と実質的に同じものとすることができる。
磁気シールド9は、YZ面に沿って磁気検出部7を取り囲む磁気遮蔽部材である。すなわち、磁気シールド9は、検出対象とする磁束Bm以外の外部からの不要な磁場(磁束)の、磁気検出部7に対する影響を緩和する軟磁性体である。磁気シールド9は、導体10の第2~第4部分12~14により取り囲まれた空間に配置されている。さらに、磁気シールド9は、集磁コア8によって取り囲まれた空間に配置されている。図22Bは、図22Aに示した電流センサ6のうちの磁気シールド9の構成例を表すYZ面に沿った平面図である。磁気シールド9の構成は、上記第1の実施の形態で説明した磁気シールド4の構成と実質的に同じものとすることができる。具体的には、図22Bに示したように、磁気シールド9は、X軸方向と直交するYZ面に沿って磁気検出部7を取り囲むように、全体として環状の形状を有している。なお、磁気検出部7を取り囲むとは、磁気検出部7の周囲の周回するように環状をなしている形態のみならず、磁気検出部7の周囲のうちの一部と対向する部分が欠落した状態の切り欠きを含む形態をも概念である。磁気シールド9は、導体10および磁気検出部7の双方と物理的に接触せずに離間して配置されている。
また、磁気シールド9は、本発明の「第1軟磁性体」に対応する一具体例である。また、第1~第4シールド部91~94は、それぞれ、本発明の「第1~第4部分」に対応する一具体例である。また、本実施の形態のZ軸方向は、本発明の「第1方向」に対応する一具体例である。また、本実施の形態のX軸方向は、本発明の「第2方向」に対応する一具体例である。また、本実施の形態のY軸方向は、本発明の「第3方向」に対応する一具体例である。また、本実施の形態のYZ面は、本発明の「第1平面」に対応する一具体例である。さらに、本実施の形態のXZ面は、本発明の「第2平面」に対応する一具体例である。
集磁コア8は、自らを磁束Bmが通過するように磁束Bmを集束する軟磁性体である。集磁コア8は、例えばY軸方向と直交するXZ面に沿って磁気検出部7、磁気シールド9、ならびに導体10の第2部分12および第4部分14を取り囲むように設けられている。集磁コア8の構成材料は、上記第1の実施の形態で説明した集磁コア3の構成材料と実質的に同じものとすることができる。
なお、集磁コア8は、本発明の「第2軟磁性体」に対応する一具体例である。また、本実施の形態のXY面は、本発明の「第3平面」に対応する一具体例である。
図23は、電流センサ6を-Z方向に眺めた状態の、XY面に沿った断面図である。 電流センサ6では、導体10の第2部分12を電流Imが+Zの向きに流れると、第2部分12の周囲には磁束Bm1が発生する。磁束Bm1は、磁気検出部7に対し、X軸方向に沿った-Xの向きに付与される。電流Imは、第2部分12から第3部分13を経由して第4部分14を-Zの向きに流れる。そのため、第4部分14の周囲には磁束Bm2が発生する。磁束Bm2は、磁気検出部7に対し、X軸方向に沿った-Xの向きに付与される。したがって、磁気検出部7の近傍では、磁束Bm1と磁束Bm2とが合成されて高密度の磁束Bmが発生し、磁気検出部7に付与される。したがって、電流センサ6によれば、比較的微弱な電流Imであっても高い感度で電流値を検出することができる。
図24は、上記第2の実施の形態の第1変形例(変形例2-1)としての電流センサ6Aの外観を表す斜視図である。第2の実施の形態の電流センサ6では、磁気検出部7の周囲を周回する環状をなす磁気シールド9を有するようにした。これに対し、変形例2-1の電流センサ6Aでは、図24に示したように磁気シールド9の代わりに磁気シールド9Aを有する。磁気シールド9Aは、環状の一部に切り欠きK9Aを含んでおり、YZ面において一部が開放されたU形状を有している。変形例2-1の電流センサ6Aにおいても、磁気シールド9Aを有しているので、磁気シールド9Aを含まない場合と比較して磁気検出部7に対する外乱磁場の影響を低減することができる。
図25は、電流センサ1などを備えた電気制御装置の構成例を表すブロック図である。上記第1の実施の形態およびいくつかの変形例、ならびに第2の実施の形態および変形例で説明した電流センサ1,1A~1J,6,6Aは、いずれも、例えば図25に示した電気制御装置110に搭載することができる。
Claims (19)
- 導体を第1方向に沿って流れる電流により発生する第2方向の磁束が付与される磁気検出部と、
第1部分と、前記導体と前記第1部分との間に配置される第2部分と、前記第1部分と前記第2部分とを磁気的に繋ぐ第3部分とを含み、前記導体および前記磁気検出部の双方と離間しつつ、前記第2方向と直交する第1平面に沿って前記磁気検出部を前記第1部分、前記第2部分および前記第3部分により取り囲む第1軟磁性体と
を有する
電流センサ。 - 前記第1部分および前記第2部分は、前記第1方向および前記第2方向を含む第2平面に沿って広がっている
請求項1記載の電流センサ。 - 前記第3部分は、前記第2平面に対して実質的に直交する第3方向に延在している
請求項2記載の電流センサ。 - 前記磁気検出部は、前記第1方向および前記第2方向を含む第2平面に直交する第3方向に眺めた状態で前記第1部分および前記第2部分の双方と重なり合うように配置されている
請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の電流センサ。 - 前記第1部分および前記第2部分は、それぞれ、前記第1方向の両端部である第1端部および第2端部を含み、
前記第3部分は、前記第1部分の前記第1端部と前記第2部分の前記第1端部とを磁気的に繋ぐように設けられている
請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の電流センサ。 - 前記第1軟磁性体は、
前記第1部分の前記第2端部と前記第2部分の前記第2端部とを磁気的に繋ぐように設けられると共に前記第1方向において前記第3部分と対向する第4部分をさらに有する
請求項5記載の電流センサ。 - 前記第1方向と直交する第3平面に沿って前記導体を取り囲む第2軟磁性体をさらに有する
請求項1から請求項6のいずれか1項に記載の電流センサ。 - 前記第2軟磁性体は、前記第2方向に互いに離間して対向する第1端面および第2端面を含み、
前記磁気検出部は、前記第1端面と前記第2端面との隙間に配置されている
請求項7に記載の電流センサ。 - 前記第1軟磁性体の主たる構成材料である第1構成材料の鉄損は、前記第2軟磁性体の主たる構成材料である第2構成材料の鉄損よりも大きい
請求項7または請求項8に記載の電流センサ。 - 第1方向に延在し、電流が第1の向きに流れることにより第2方向の第1磁束を発生する第1導体部分と、前記第1方向に延在し、前記電流が前記第1の向きと反対の第2の向きに流れることにより前記第2方向の第2磁束を発生する第2導体部分とを含む導体と、
前記第1磁束および前記第2磁束が付与される磁気検出部と、
第1部分と、前記第1方向において前記第1部分と対向するように配置された第2部分と、前記第1部分と前記第2部分とを磁気的に繋ぐ第3部分とを含み、前記導体および前記磁気検出部の双方と離間しつつ、前記第2方向と直交する第1平面に沿って前記磁気検出部を前記第1部分、前記第2部分および前記第3部分により取り囲む第1軟磁性体と、
前記第1方向と直交する第3平面に沿って前記磁気検出部、前記第1導体部分および前記第2導体部分を取り囲む第2軟磁性体とを
有する
電流センサ。 - 前記磁気検出部は、前記第1方向に眺めた状態で前記第1部分および前記第2部分の双方と重なり合うように配置されている
請求項10記載の電流センサ。 - 前記第3部分は、前記第1方向に延在している
請求項10または請求項11に記載の電流センサ。 - 前記第1部分および前記第2部分は、それぞれ、前記第1方向および前記第2方向を含む第2平面に対して実質的に直交する第3方向の両端部である第1端部および第2端部を含み、
前記第3部分は、前記第1部分の前記第1端部と前記第2部分の前記第1端部とを磁気的に繋ぐように設けられている
請求項10から請求項12のいずれか1項に記載の電流センサ。 - 前記第1軟磁性体は、
前記第1部分の前記第2端部と前記第2部分の前記第2端部とを磁気的に繋ぐように設けられると共に前記第1方向において前記第3部分と対向する第4部分をさらに有する
請求項13記載の電流センサ。 - 前記第1軟磁性体は、前記第2軟磁性体によって取り囲まれた空間に配置されている
請求項10から請求項14のいずれか1項に記載の電流センサ。 - 前記第1軟磁性体の主たる構成材料である第1構成材料の鉄損は、前記第2軟磁性体の主たる構成材料である第2構成材料の鉄損よりも大きい
請求項10から請求項15のいずれか1項に記載の電流センサ。 - 前記磁気検出部は、磁気抵抗効果素子またはホール素子を含む
請求項1から請求項16のいずれか1項に記載の電流センサ。 - 前記磁気抵抗効果素子は、巨大磁気抵抗効果素子またはトンネル磁気抵抗効果素子である
請求項17記載の電流センサ。 - 請求項1から請求項18のいずれか1項に記載の電流センサを備えた電気制御装置。
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