JP6355328B2 - 弾性表面波デバイス及びフィルタ - Google Patents
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Description
12 反射器
14 保護膜
16 金属膜
18、18a 付加膜
20 IDT
22 櫛型電極
24 電極指
26 ダミー電極指
28 バスバー
30、30a 隙間
48 付加膜
S1〜S4 直列共振器
P1、P2 並列共振器
Claims (9)
- 圧電基板上に設けられ、それぞれ複数の電極指と複数のダミー電極指とを含み、互いの前記電極指と前記ダミー電極指とが向かい合って配置された1組の櫛型電極と、
前記複数の電極指の先端と前記複数のダミー電極指の先端との間の複数の隙間それぞれにそれぞれ設けられた複数の付加膜と、を備え、
前記付加膜は、前記隙間の少なくとも一部を覆うと共に、前記電極指が延在する第1方向で前記隙間の両側に位置する前記電極指及び前記ダミー電極指並びに前記第1方向に交差する第2方向で前記隙間の側方に位置する前記電極指の少なくとも一つと重なっていることを特徴とする弾性表面波デバイス。 - 圧電基板上に設けられ、それぞれ複数の電極指と複数のダミー電極指とを含み、互いの前記電極指と前記ダミー電極指とが向かい合って配置された1組の櫛型電極と、
前記複数の電極指の先端と前記複数のダミー電極指の先端との間の複数の隙間に、前記隙間の少なくとも一部を覆うと共に、前記電極指が延在する第1方向で前記隙間の両側に位置する前記電極指及び前記ダミー電極指並びに前記第1方向に交差する第2方向で前記隙間の側方に位置する前記電極指の少なくとも一つと重なって設けられた複数の付加膜と、を備え、
前記付加膜は、前記第1方向で前記隙間の両側に位置する前記電極指及び前記ダミー電極指の少なくとも一方と重なり、前記第2方向で前記隙間の側方に位置する前記電極指とは重ならないことを特徴とする弾性表面波デバイス。 - 圧電基板上に設けられ、それぞれ複数の電極指と複数のダミー電極指とを含み、互いの前記電極指と前記ダミー電極指とが向かい合って配置された1組の櫛型電極と、
前記複数の電極指の先端と前記複数のダミー電極指の先端との間の複数の隙間に、前記隙間の少なくとも一部を覆うと共に、前記電極指が延在する第1方向で前記隙間の両側に位置する前記電極指及び前記ダミー電極指並びに前記第1方向に交差する第2方向で前記隙間の側方に位置する前記電極指の少なくとも一つと重なって設けられた複数の付加膜と、を備え、
前記付加膜は、前記1組の櫛型電極で励振される弾性波の波長をλとした場合に、前記第1方向で前記隙間の両側に位置する前記電極指の先端及び前記ダミー電極指の先端から1.0λ以下の範囲内で前記電極指及び前記ダミー電極指の少なくとも一方と重なることを特徴とする弾性表面波デバイス。 - 圧電基板上に設けられ、それぞれ複数の電極指と前記複数の電極指が接続されるバスバーとを含み、互いの前記電極指と前記バスバーとが向かい合って配置された1組の櫛型電極と、
前記複数の電極指の先端と前記バスバーの前記電極指の先端に相対する端との間の複数の隙間それぞれにそれぞれ設けられた複数の付加膜と、を備え、
前記付加膜は、前記隙間の少なくとも一部を覆うと共に、前記電極指が延在する第1方向で前記隙間の両側に位置する前記電極指及び前記バスバー並びに前記第1方向に交差する第2方向で前記隙間の側方に位置する前記電極指の少なくとも一つと重なっていることを特徴とする弾性表面波デバイス。 - 圧電基板上に設けられ、それぞれ複数の電極指と前記複数の電極指が接続されるバスバーとを含み、互いの前記電極指と前記バスバーとが向かい合って配置された1組の櫛型電極と、
前記複数の電極指の先端と前記バスバーの前記電極指の先端に相対する端との間の複数の隙間に、前記隙間の少なくとも一部を覆うと共に、前記電極指が延在する第1方向で前記隙間の両側に位置する前記電極指及び前記バスバー並びに前記第1方向に交差する第2方向で前記隙間の側方に位置する前記電極指の少なくとも一つと重なって設けられた複数の付加膜と、を備え、
前記付加膜は、前記第1方向で前記隙間の両側に位置する前記電極指及び前記バスバーの少なくとも一方と重なり、前記第2方向で前記隙間の側方に位置する前記電極指とは重ならないことを特徴とする弾性表面波デバイス。 - 圧電基板上に設けられ、それぞれ複数の電極指と前記複数の電極指が接続されるバスバーとを含み、互いの前記電極指と前記バスバーとが向かい合って配置された1組の櫛型電極と、
前記複数の電極指の先端と前記バスバーの前記電極指の先端に相対する端との間の複数の隙間に、前記隙間の少なくとも一部を覆うと共に、前記電極指が延在する第1方向で前記隙間の両側に位置する前記電極指及び前記バスバー並びに前記第1方向に交差する第2方向で前記隙間の側方に位置する前記電極指の少なくとも一つと重なって設けられた複数の付加膜と、を備え、
前記付加膜は、前記1組の櫛型電極で励振される弾性波の波長をλとした場合に、前記第1方向で前記隙間の両側に位置する前記電極指の先端及び前記バスバーの前記端から1.0λ以下の範囲内で前記電極指及び前記バスバーの少なくとも一方と重なることを特徴とする弾性表面波デバイス。 - 前記1組の櫛型電極を覆う保護膜を備え、
前記付加膜は、前記保護膜上に設けられていることを特徴とする請求項1から6のいずれか一項記載の弾性表面波デバイス。 - 前記付加膜は、酸化タンタル、酸化アルミニウム、酸化シリコン、窒化シリコン、窒化アルミニウム、炭化シリコン、酸化チタン、シリコン、及びダイヤモンドのいずれかを含む膜又は金属膜からなることを特徴とする請求項1から7のいずれか一項記載の弾性表面波デバイス。
- 請求項1から8のいずれか一項記載の弾性表面波デバイスを含むことを特徴とするフィルタ。
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US8294331B2 (en) | 2009-09-22 | 2012-10-23 | Triquint Semiconductor, Inc. | Acoustic wave guide device and method for minimizing trimming effects and piston mode instabilities |
US7939989B2 (en) * | 2009-09-22 | 2011-05-10 | Triquint Semiconductor, Inc. | Piston mode acoustic wave device and method providing a high coupling factor |
JP2011205625A (ja) * | 2010-03-02 | 2011-10-13 | Panasonic Corp | ラダー型フィルタ |
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