JPWO2006038584A1 - 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
また、前記半導体製造装置を用いて処理する半導体装置の製造方法において、前記制御部が、前記基板検出センサにより前記複数の基板の位置を測定し、この測定値と登録されている前記複数の基準位置とを比較し、前記複数の基板の位置ずれ許容範囲を超えていなかった場合は、前記ボートに積層配置された前記複数の基板と次回に処理する複数の基板とを交換し、前記処理炉に前記次回に処理する複数の基板を積層配置したボートを搬入し、前記処理炉にて前記次回に処理する複数の基板に所定の加熱処理を施すことを特徴とする。
2 光軸
3 ウェハ
4 演算ユニット(制御部)
5 アンプ
11 筐体
12 処理炉
13 ボート
14 移載機
14a 移載機本体
15 ツイーザ
16 アーム
17 フラグ
18 近接スイッチ
19a 支柱
19b 支持溝
ここで、基板の位置ずれとは、その測定対象となる少なくとも一枚の基板の基板全体の位置がずれること、または、基板の一部の位置がずれること、または、基板の一部が変形すること(例えば、熱変形により基板の主面中心部分が垂れること)のうちいずれの状態をも含む。
(2)上下端どちらか載置した1枚のウェハ検知を行い、その1枚のデータを元に他ウェハ位置情報を計算する。
なお、ボート製作の際、作製図面記載における公差の誤差は必ず存在するため、1スロットのみでは設計上ボートピッチが誤差無く連続していると仮定した上の計算となる。上記(1)のように上下端、若しくは途中スロットに複数ウェハを載せ、理論位置データを取得した方がその信頼性は高くなる。
(3)任意に設定した段の夫々にウェハを載置し、その検知結果から全ウェハ位置情報を算出する(3枚以上であってもよい)。
任意スロットでのデータ取得は可能である。但し、任意スロットは仮に隣合うスロット若しくは比較的近いスロットでは複数枚載せることの意味はない。離れたスロットにウェハを載せその間を等分する方が好ましい。又ウェハ間隔が非常に広く更に理論位置データの精度を上げるために、ウェハ間にもう一枚ウェハを追加すると良いが、実際にウェハ検出機構にて検出可能な分解能(0.5mmずれ)とボート製作公差±0.1mmを比較すると(1)の方法で十分精度よい理論位置データを取得することが可能であり、複数枚載せる必要はない。
(4)全段にウェハを載置し、全部の段のウェハ検知を行い、計算を行わない。
なお、ここでは製品用のウェハに相当する高い精度のウェハが全スロット分必要となる。
(5)ウェハは全く用いず、ボート駆動軸(昇降軸)のホーム位置情報とボートの設計寸法とを用い、計算上だけで全ウェハ位置情報を取得する方法。
処理炉で複数の基板が加熱処理され、ボートが処理炉から搬出されると移載機14に設けられた光センサ1により、移載機14が上昇、又は下降して、光センサ1とウェハ3の相対位置を変化させる実施例について説明したが、これに限らず、光センサ1は例えば筐体等にボート13に積層されたウェハ3を検知可能な位置に固定して、ボート13が処理炉から搬出される際、即ちボート13の下降動作により、光センサ1とウェハ3の相対位置を変化させ、ウェハ3を検知することも可能である。但し、この場合は、ウェハ位置を検出するための原点位置検出用のセンサをなすフラグ17はボート昇降機(図示せず)に設け、近接スイッチはフラグ17によりON・OFF可能な位置に、例えば筐体11等に取付けられる。
なお、この処理炉において、上述した制御部は、予めボート上の複数の基板の基準位置及びこの複数の基板の基準位置に対する位置ずれの許容範囲が登録されている状態でCVD処理を実行し、半導体製造を行う。その後、測定された基板位置と登録値とを比較し、複数の基板が位置ずれ許容範囲を越えていない場合に、次回にCVD処理する複数の基板とCVD処理済の基板とを交換し、次回の未処理の複数の基板に対し、CVD処理を実行し、半導体製造を行う。
外管(以下アウターチューブ205)は例えば石英(SiO2)等の耐熱性材料からなり、上端が閉塞され、下端に開口を有する円筒状の形態である。内管(以下インナーチューブ204)は、上端及び下端の両端に開口を有する円筒状の形態を有し、アウターチューブ205内に同心円状に配置されている。アウターチューブ205とインナーチューブ204の間の空間は筒状空間250を成す。インナーチューブ204の上部開口から上昇したガスは、筒状空間250を通過して排気管231から排気されるようになっている。
Claims (12)
- 複数の基板に所定の加熱処理を施す処理炉と、
前記複数の基板を積層配置して前記処理炉へ搬入・搬出するためのボートと、
該ボートに積層配置される前記複数の基板に対して相対位置を変化させて基板を検出する基板検出センサと、
前記複数の基板の基準位置、および前記複数の基板の基準位置に対する位置ずれ許容範囲を登録する制御部とを備え、
前記制御部が、前記基板検出センサの測定した前記複数の基板の位置情報を入力し、前記複数の基板の位置情報が前記複数の基板の基準位置に対し前記位置ずれ許容範囲を超えていた場合は、前記複数の基板の位置情報の平均値と最大値とを比較すると共に、前記複数の基板の位置情報の平均値と最小値とを比較し、前記それぞれの比較により求められた差が前記基板のずれの許容範囲内であれば、ボート停止位置のずれと判断する半導体製造装置。 - 前記制御部は、前記それぞれの比較により求められた差が前記基板のずれの許容範囲内であれば、ボート停止位置のずれを示す障害信号を出力する請求項1の半導体製造装置。
- 前記制御部は、予め設定された前記複数の基板の全枚数に対する所定割合枚数分の前記基板の位置情報の平均値と最大値とを比較すると共に、予め設定された前記複数の基板の全枚数に対する所定割合枚数分の前記基板の位置情報の平均値と最小値とを比較する請求項2の半導体製造装置。
- 前記制御部は、予め設定された所定枚数分を前記基板の位置情報の平均値と最大値とを比較すると共に、予め設定された所定枚数分を前記基板の位置情報の平均値と最小値とを比較する請求項2の半導体製造装置。
- 前記制御部は、前記複数の基板に対する全ての前記基板の位置情報の平均値と最大値とを比較すると共に、前記複数の基板に対する全ての基板の位置情報の平均値と最小値とを比較する請求項2の半導体製造装置。
- 複数の基板に所定の加熱処理を施す処理炉と、
前記複数の基板を積層配置して前記処理炉へ搬入・搬出するためのボートと、
該ボートに積層配置される前記複数の基板に対して相対位置を変化させて基板を検出する基板検出センサと、
前記複数の基板の基準位置、および前記複数の基板の基準位置に対する位置ずれ許容範囲を登録する制御部とを備え、
前記制御部は、前記基板検出センサの測定した前記複数の基板の位置情報を入力し、前記複数の基板の位置情報が前記複数の基板の基準位置に対し前記位置ずれ許容範囲を超えていた場合は、前記基板位置が漸次変化しているか確認し、前記基板位置が漸次変化していることを検出すれば、ボート変形であると判断する半導体製造装置。 - 請求項1の半導体製造装置を用いて処理する半導体装置の製造方法において、
前記制御部が、前記基板検出センサの測定した前記複数の基板の位置情報を入力し、前記複数の基板の位置情報が前記複数の基板の基準位置に対し前記位置ずれ許容範囲を超えていなかった場合は、前記ボートに積層配置された前記複数の基板と次回に処理する複数の基板とを交換し、
前記処理炉に前記次回に処理する複数の基板を積層配置したボートを搬入し、前記処理炉にて前記次回に処理する複数の基板に所定の加熱処理を施す半導体装置の製造方法。 - 請求項6の半導体製造装置を用いて処理する半導体装置の製造方法において、
前記制御部が、前記基板検出センサの測定した前記複数の基板の位置情報を入力し、前記複数の基板の位置情報が前記複数の基板の基準位置に対し前記位置ずれ許容範囲を超えていなかった場合は、前記ボートに積層配置された前記複数の基板と次回に処理する複数の基板とを交換し、
前記処理炉に前記次回に処理する複数の基板を積層配置したボートを搬入し、前記処理炉にて前記次回に処理する複数の基板に所定の加熱処理を施す半導体装置の製造方法。 - 前記制御部は、前記基板位置が漸次変化しているか確認し、前記基板位置が漸次変化していることを検出すれば、ボート変形であることを示す障害信号を出力する請求項6の半導体製造装置。
- 複数の基板に所定の加熱処理を施す処理炉と、
前記複数の基板を積層配置して前記処理炉へ搬入・搬出するためのボートと、
該ボートに積層配置される前記複数の基板に対して相対位置を変化させて基板を検出する基板検出センサと、
前記処理炉で前記複数の基板が加熱処理されると、前記ボートが前記処理炉から搬出されてから、又は前記ボートが前記処理炉から搬出される際に、前記基板検出センサにより前記複数の基板の位置を測定し、この測定値と登録されている前記複数の基準位置とを比較し、前記複数の基板の位置ずれ許容範囲を超えている場合は前記基板の位置が異常であると判断する制御部とを具備する半導体製造装置。 - 前記制御部は、前記基板の位置が異常であると判断した場合には、障害信号を出力する請求項10の半導体製造装置。
- 請求項10の半導体製造装置を用いて処理する半導体装置の製造方法において、
前記制御部が、前記基板検出センサにより前記複数の基板の位置を測定し、この測定値と登録されている前記複数の基準位置とを比較し、前記複数の基板の位置ずれ許容範囲を超えていなかった場合は、前記ボートに積層配置された前記複数の基板と次回に処理する複数の基板とを交換し、
前記処理炉に前記次回に処理する複数の基板を積層配置したボートを搬入し、前記処理炉にて前記次回に処理する複数の基板に所定の加熱処理を施す半導体装置の製造方法。
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