JPWO2006013931A1 - 焼成炉及びその焼成炉を用いた多孔質セラミック焼成体の製造方法 - Google Patents

焼成炉及びその焼成炉を用いた多孔質セラミック焼成体の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JPWO2006013931A1
JPWO2006013931A1 JP2006531549A JP2006531549A JPWO2006013931A1 JP WO2006013931 A1 JPWO2006013931 A1 JP WO2006013931A1 JP 2006531549 A JP2006531549 A JP 2006531549A JP 2006531549 A JP2006531549 A JP 2006531549A JP WO2006013931 A1 JPWO2006013931 A1 JP WO2006013931A1
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
fired
firing
firing furnace
ceramic
furnace
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2006531549A
Other languages
English (en)
Inventor
貴満 西城
貴満 西城
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ibiden Co Ltd
Original Assignee
Ibiden Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ibiden Co Ltd filed Critical Ibiden Co Ltd
Publication of JPWO2006013931A1 publication Critical patent/JPWO2006013931A1/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B3/00Ohmic-resistance heating
    • H05B3/62Heating elements specially adapted for furnaces
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F27FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
    • F27BFURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS IN GENERAL; OPEN SINTERING OR LIKE APPARATUS
    • F27B9/00Furnaces through which the charge is moved mechanically, e.g. of tunnel type; Similar furnaces in which the charge moves by gravity
    • F27B9/06Furnaces through which the charge is moved mechanically, e.g. of tunnel type; Similar furnaces in which the charge moves by gravity heated without contact between combustion gases and charge; electrically heated
    • F27B9/062Furnaces through which the charge is moved mechanically, e.g. of tunnel type; Similar furnaces in which the charge moves by gravity heated without contact between combustion gases and charge; electrically heated electrically heated
    • F27B9/063Resistor heating, e.g. with resistors also emitting IR rays
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F27FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
    • F27BFURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS IN GENERAL; OPEN SINTERING OR LIKE APPARATUS
    • F27B9/00Furnaces through which the charge is moved mechanically, e.g. of tunnel type; Similar furnaces in which the charge moves by gravity
    • F27B9/14Furnaces through which the charge is moved mechanically, e.g. of tunnel type; Similar furnaces in which the charge moves by gravity characterised by the path of the charge during treatment; characterised by the means by which the charge is moved during treatment
    • F27B9/20Furnaces through which the charge is moved mechanically, e.g. of tunnel type; Similar furnaces in which the charge moves by gravity characterised by the path of the charge during treatment; characterised by the means by which the charge is moved during treatment the charge moving in a substantially straight path tunnel furnace
    • F27B9/24Furnaces through which the charge is moved mechanically, e.g. of tunnel type; Similar furnaces in which the charge moves by gravity characterised by the path of the charge during treatment; characterised by the means by which the charge is moved during treatment the charge moving in a substantially straight path tunnel furnace being carried by a conveyor
    • F27B9/2407Furnaces through which the charge is moved mechanically, e.g. of tunnel type; Similar furnaces in which the charge moves by gravity characterised by the path of the charge during treatment; characterised by the means by which the charge is moved during treatment the charge moving in a substantially straight path tunnel furnace being carried by a conveyor the conveyor being constituted by rollers (roller hearth furnace)
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F27FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
    • F27BFURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS IN GENERAL; OPEN SINTERING OR LIKE APPARATUS
    • F27B9/00Furnaces through which the charge is moved mechanically, e.g. of tunnel type; Similar furnaces in which the charge moves by gravity
    • F27B9/30Details, accessories, or equipment peculiar to furnaces of these types
    • F27B9/38Arrangements of devices for charging
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F27FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
    • F27DDETAILS OR ACCESSORIES OF FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS, IN SO FAR AS THEY ARE OF KINDS OCCURRING IN MORE THAN ONE KIND OF FURNACE
    • F27D11/00Arrangement of elements for electric heating in or on furnaces
    • F27D11/02Ohmic resistance heating
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F27FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
    • F27DDETAILS OR ACCESSORIES OF FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS, IN SO FAR AS THEY ARE OF KINDS OCCURRING IN MORE THAN ONE KIND OF FURNACE
    • F27D9/00Cooling of furnaces or of charges therein
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B3/00Ohmic-resistance heating
    • H05B3/10Heating elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor
    • H05B3/12Heating elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor characterised by the composition or nature of the conductive material
    • H05B3/14Heating elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor characterised by the composition or nature of the conductive material the material being non-metallic
    • H05B3/141Conductive ceramics, e.g. metal oxides, metal carbides, barium titanate, ferrites, zirconia, vitrous compounds
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B3/00Ohmic-resistance heating
    • H05B3/62Heating elements specially adapted for furnaces
    • H05B3/64Heating elements specially adapted for furnaces using ribbon, rod, or wire heater

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Combustion & Propulsion (AREA)
  • Furnace Details (AREA)
  • Porous Artificial Stone Or Porous Ceramic Products (AREA)
  • Tunnel Furnaces (AREA)

Abstract

均一な加熱特性を有する発熱体を備えた焼成炉を提供する。焼成炉(10)は、被焼成体(11)を収容する焼成室(14)を有する筺体(12)と、電流の供給を受けたときに発熱して、焼成室内の被焼成体を加熱する複数の発熱体(23)とを備える。各発熱体は不規則な配向をもつ結晶粒子(32)から構成された材料から形成される。各発熱体は、粉体組成物(43)の封入された柔軟な型(44)の全体を加圧媒体中(41)で加圧して、粉体組成物の成形体(被焼成体)を製造し、その成形体を第1の温度で焼成し、その後、前記第1の温度よりも高い第2の温度で焼成することによって製造される。

Description

本願は2004年8月4日に出願した特願2004−228571号に基づく優先権主張出願である。
本発明は焼成炉に関し、詳しくは、セラミックス原料の成形体を焼成する抵抗加熱式焼成炉及びその焼成炉を用いた多孔質セラミック焼成体の製造方法に関する。
一般に、セラミックス原料からなる成形体は抵抗加熱式焼成炉で比較的高温で焼成される。抵抗加熱式焼成炉の一例が特許文献1に開示されている。その焼成炉は、成形体を焼成する焼成室に配置された複数のロッドヒータを備える。高温での焼成を可能にするため、抵抗加熱式焼成炉には、耐熱性に優れる材料が採用される。従来の焼成炉においては、ロッドヒータに電流を供給して発熱させて、ロッドヒータの輻射熱によって焼成室内に収容された成形体を加熱し焼結して、セラミックス焼結体を製造する。
特開2002−193670号公報
従来の抵抗加熱式焼成炉に設けられるロッドヒータは押出成形材により形成される。押出成形材の材料特性は、製法上の理由により、異方性を持つ。そのため、複数のロッドヒータ間で電気抵抗値等の電気的特性が大きくばらつく。このばらつきは、複数のロッドヒータ間で、発熱量や温度上昇速度のような加熱特性の差を生じさせる。異なる加熱特性(品質)を有するロッドヒータを使用した焼成炉では、炉内温度が不安定または不均一になり、所望の焼成性能を得ることが難しい。
本発明の目的は、加熱特性の均一な発熱体を備えた焼成炉及びその焼成炉を用いた多孔質セラミック焼成体の製造方法を提供することにある。
上記目的を達するために、本発明の一態様は、被焼成体を焼成する焼成炉を提供する。その焼成炉は前記被焼成体を収容する焼成室を有する筺体と、電流の供給を受けたときに発熱して、前記焼成室内の前記被焼成体を加熱する複数の発熱体とを備える。各発熱体は不規則な配向をもつ結晶粒子から構成された材料から形成されている。
本発明は更に、多孔質セラミック焼成体の製造方法を提供する。その製造方法は、セラミック粉末を含む組成物から被焼成体を形成する工程と、前記被焼成体を焼成する工程とを備え、前記焼成する工程は、焼成室を有する筺体と、不規則な配向をもつ結晶粒子から構成された材料から形成され、電流の供給を受けたときに発熱して、前記焼成室内の前記被焼成体を加熱する複数の発熱体とを含む焼成炉を用いて行なわれる。
一実施形態では、前記材料は冷間等方圧加圧法を通じて形成されたセラミックス材料である。前記セラミックス材料は水銀圧入法により測定された値で5〜20%の範囲の気孔率を有することが好ましい。一実施形態では、前記セラミックス材料はカーボンである。一実施形態の焼成炉は、前記複数の発熱体を支持する支持部材を更に備え、各発熱体は前記支持部材と接続された状態で前記筺体に間接的に支持される。前記支持部材は水銀圧入法により測定される気孔率が5〜20%の範囲に調節された材料から形成されることが好ましい。焼成炉は前記被焼成体を第1の温度と前記第1の温度よりも高い第2の温度とで焼成することができる。一実施形態では、焼成炉は複数の前記被焼成体を連続的に焼成する連続式焼成炉である。
本発明の好ましい実施形態に従う焼成炉の概略断面図。 図1の焼成炉の2−2線に沿った断面図。 図1の焼成炉の電極部材の拡大図。 被焼成体の形成に使用される冷間等方圧加圧装置の断面図。 排気ガス浄化用のパティキュレートフィルタの斜視図。 (A)(B)は図5のパティキュレートフィルタを製造するための一つのセラミック部材の斜視図及び断面図。
本発明の好ましい実施形態に従う焼成炉について説明する。
図1は、セラミックス製品の製造工程で使用される焼成炉10を示す。焼成炉10は搬入口13a及び取出口15aを有する筺体12を備えている。被焼成体11は搬入口13aから筺体12に搬入され、搬入口13aから取出口15aに向かって搬送される。焼成炉10は、筺体12内で被焼成体11を連続して焼成する連続式焼成炉である。被焼成体の原料の例は、多孔質炭化珪素(SiC)、窒化珪素(SiN)、サイアロン、コーディエライト、カーボン等のセラミックスである。
筺体12内には、前処理室13、焼成室14及び冷却室15が区画される。各室13〜15の下面に沿って、被焼成体11を搬送するための複数の搬送ローラ16が設けられている。図2に示すように、搬送ローラ16上には支持台11bが載置される。支持台11bは複数段の焼成用治具11aを支持する。各焼成用治具11aに被焼成体11が載置される。支持台11bは搬入口13aから取出口15aに向けて押される。被焼成体11、焼成用治具11a及び支持台11bは、搬送ローラ16の転動により、前処理室13、焼成室14、及び冷却室15の順に搬送される。
被焼成体11の例はセラミックス原料を圧縮して成形された成形体である。被焼成体11は筺体12内を所定の速度で移動しながら処理される。被焼成体11は、焼成室14を通過する際に焼成される。この搬送過程において、被焼成体11を形成するセラミックス粉末が焼結されて、焼結体が得られる。焼結体は冷却室15に搬送されて、所定温度まで冷却される。冷却された焼結体が取出口15aから取り出される。
次に、焼成炉10の構造について説明する。
図2は、図1の2−2線に沿った断面図である。図2に示されるように、炉壁18が焼成室14の上面、下面及び2つの側面を区画する。炉壁18及び焼成用治具11aは、カーボン等の高耐熱性材料から形成される。
炉壁18と筺体12との間には、カーボンファイバ等からなる断熱層19が設けられる。筺体12には、冷却水を流通させるための水冷ジャケット20が埋設されている。断熱層19及び水冷ジャケット20は、焼成室14の熱によって筺体12の金属製部品が劣化したり損傷するのを抑制する。
複数のロッドヒータ(発熱体)23が焼成室14の上方及び下方に、すなわち、焼成室14内の被焼成体11を挟むように、配置されている。一実施形態では、各ロッドヒータ23は円柱状であり、その長手軸は、筺体12の幅方向(被焼成体11の搬送方向に直交する方向)に延びている。各ロッドヒータ23は筺体12の両壁間に架設される。ロッドヒータ23は互いに平行に且つ所定間隔を隔てて設けられる。ロッドヒータ23は、焼成室14において被焼成体11の搬入位置から搬出位置まで全体的に配置される。
図3に示されるように、各ロッドヒータ23は、コネクタ25及び金属製の電極部材26を介して、焼成炉10の一部を構成する電源(図示せず)と電気的に接続されている。各ロッドヒータ23には、コネクタ25と電極部材26を通じて、筺体12外に設置された電源から電流が供給される。各ロッドヒータ23は、その給電時に発熱し、焼成室14内を所定の温度にまで上昇させる。
コネクタ25は筒状に形成されている。コネクタ25の一端にはロッドヒータ23が接続され、他端には電極部材26が接続される。筺体12の側壁部12aには、焼成室14内のロッドヒータ23と対応する位置に固定孔28が形成されている。固定孔28には、底29aを有するカップ状の外筒29が取り付けられている。底29aは筺体12の外面に露出している。外筒29の底29aの中央に形成された固定孔30にコネクタ25が固定される。これによって、ロッドヒータ23と電極部材26とが安定に支持される。コネクタ25はロッドヒータ23を筺体12に対して間接的に支持する支持部材として機能する。一実施形態では、外筒29の固定孔30とコネクタ25との間にリング状の絶縁部材31が介装されている。コネクタ25及び外筒29を形成する材料の例は、カーボン等の高耐熱性材料である。
ロッドヒータ23及びコネクタ25を形成するセラミックス材料は不規則な配向をもつ結晶粒子32から構成されている(図3参照)。セラミックス材料の気孔率は、水銀圧入法により測定された値で、5〜20%であることが好ましい。水銀圧入法とは、試料の表面及び内部にある細孔に水銀を加圧して注入し、その圧力と試料に注入された水銀の量とに基づいて、比表面積や細孔分布を算出する方法である。セラミックス材料の気孔率が5%未満であると、その製造方法上の理由から、製品歩留まりの低下を招くおそれがある。一方、セラミックス材料の気孔率が20%を超えると、高温ガスによる表面侵食が促進され易く、ロッドヒータ23やコネクタ25等が短期間で溶損し使用不能となるおそれがある。高耐熱性の面において好ましいセラミックス材料はカーボンである。高耐熱性、導電性、及び加工性の面において好ましいセラミックス材料はグラファイト(黒鉛)である。
次に、セラミックス部品(ロッドヒータ23とコネクタ25)の製造方法について説明する。
原料となるコークスを粉砕し、所定値に調整された粒度を有するコークス粉体を形成する。コークス粉体の好ましい最大粒子径は、0.02〜0.05mmである。コークス粉体にバインダとしてのピッチを添加し混練して、粉体組成物を調製する。粉体組成物から成形体(被焼成体)を製造する。この成形は例えば加圧であり、冷間等方圧加圧法(CIP法)で行なうことが好ましい。成形用の加圧圧力の例は約3000kgf/cmである。成形体の形状は例えばブロックであるが、ロッドヒータ23またはコネクタ25の形状であってもよい。成形体を比較的高温(第1の温度)で焼成する。これにより、成形体のコークス粉体が焼結されて、カーボン素材からなる焼結体が生成される。この焼結体を、前記第1の温度よりも高い温度(第2の温度)で焼成する。これにより、焼結体のカーボン素材が黒鉛化されて、グラファイト素材(セラミックス材料)からなる粗セラミック部品が生成される。粗セラミック部品の形状を整えて、セラミック部品が製造される。一例では、第1及び第2の温度はそれぞれ約1000℃、約3000℃である。
図4を参照して冷間等方圧加圧法を説明する。冷間等方圧加圧装置(CIP装置)40は、粉体組成物43の封入されたゴム型44と、水等の加圧媒体(流体)41とゴム型44とを収容する圧力容器42と、加圧媒体41を介してゴム型44(及び粉体組成物43)を加圧するためのポンプ45とを備える。ポンプ45によって加圧された加圧媒体41はゴム型44の全表面を均一な圧力で加圧する。これにより、ゴム型44に封入された粉体組成物43が均一な圧力で圧縮されて、ゴム型44によって規定される形状を有する成形体が成形される。加圧の圧力を調節することによって、粉体組成物43の成形体の気孔率を調節することができる。この成形体を焼成して生成された焼結体(セラミックス部品)においては、セラミックス材料の結晶粒子を不規則に配向することが容易であり、また、セラミックス材料の気孔率を上記好ましい範囲に収めることが容易である。
好ましい実施形態によれば以下の利点が得られる。
(1)ロッドヒータ23及びコネクタ25を形成するセラミックス材料は、不規則に配向された結晶粒子からなるため、セラミックス材料の特性は等方性を持つ。このような等方性材料により形成された抵抗発熱体すなわちロッドヒータ23を採用することによって、ロッドヒータ23間での電気抵抗値等の電気特性のばらつきは低減され、発熱特性(品質)のばらつきは低減される。従って、焼成炉10は均一な温度で加熱することができ、所望の焼成能力を発揮することができる。具体的には、各ロッドヒータ23の通電制御を容易に行うことができ、また焼成室14内の炉内温度を容易に安定化させることができる。また、ロッドヒータ23間の抵抗値のばらつきが低減されるため、発熱による劣化や損傷の進み具合は均等になり、ロッドヒータ23の耐用期間は均一になる。従って、焼成炉10においては、複数本のロッドヒータ23のそれぞれを長期間に亘って効率良く使用することができる。
(2)ロッドヒータ23及びコネクタ25を形成するセラミックス材料の気孔率は、水銀圧入法により測定した値で、5〜20%である。ロッドヒータ23及びコネクタ25を気孔率の小さいセラミックス材料により形成することで、表面に露出する気孔の数が極力低減される。好ましい実施形態においては、各ロッドヒータ23の全体、及び、コネクタ25においてロッドヒータ23との接続部位は、焼成室14の高温ガス雰囲気に常に晒されるが、ロッドヒータ23とコネクタ25の表面に露出する気孔の数が少ないので、焼成室14内において発生するガスとの接触面積は低減される。これにより、ロッドヒータ23及びコネクタ25と高温ガスとの反応性が低く抑えられ、高温ガスによる溶損や表面侵食等を抑制することができる。よって、ロッドヒータ23及びコネクタ25の耐用期間を延長することができる。
(3)ロッドヒータ23及びコネクタ25を形成するセラミックス材料は冷間等方圧加圧法により形成される。このため、セラミックス材料の特性は等方性を持つ。これにより、各ロッドヒータ23間での電気的特性に関する品質のばらつきが小さく抑えられ、加熱特性の均一化を図ることが容易となる。また、前記セラミックス材料では、表面に露出する気孔の数が低減されている。これにより、高温ガスによる溶損や表面侵食等が抑制され、ロッドヒータ23及びコネクタ25の耐用期間は延長される。
(4)ロッドヒータ23及びコネクタ25を形成するセラミックス材料としては、耐熱性に優れるという観点からカーボンが好ましく、グラファイトがより一層好ましい。これにより、ロッドヒータ23及びコネクタ25について、それらの耐用期間をより一層長くすることができる。
(5)焼成炉10は、筺体12内に搬入された被焼成体11が焼成室14において連続して焼成される連続式焼成炉である。連続式焼成炉を採用することによって、セラミック製品の大量生産を行う上で、従来のバッチ式焼成炉のものと比較した場合に、その生産性を大幅に向上させることができる。
次に、本発明の好ましい実施形態に従う、焼成炉を用いた多孔質セラミック焼成体の製造方法を説明する。
多孔質セラミック焼成体は、焼成材料を成形して成形体を用意し、その成形体(被焼成体)を焼成することによって製造される。焼成材料の例は、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、窒化ホウ素及び窒化チタン等の窒化物セラミックや、炭化ケイ素、炭化ジルコニウム、炭化チタン、炭化タンタル及び炭化タングステン等の炭化物セラミックや、アルミナ、ジルコニア、コージェライト、ムライト及びシリカ等の酸化物セラミックや、シリコンと炭化ケイ素との複合体のような複数の焼成材料の混合物や、チタン酸アルミニウムのような複数種類の金属元素を含む酸化物セラミック及び非酸化物セラミックを含む。
好ましい多孔質セラミック焼成体は、高い耐熱性、優れた機械的特性、及び高い熱伝導率を有する多孔質の非酸化物焼成体である。特に好ましい多孔質セラミック焼成体は多孔質の炭化ケイ素焼成体である。多孔質の炭化ケイ素焼成体は、ディーゼルエンジン等の内燃機関の排気ガスを浄化するパティキュレートフィルタや触媒担体等のセラミック部材として用いられる。
以下、パティキュレートフィルタを説明する。
図5はパティキュレートフィルタ(ハニカム構造体)50を示す。パティキュレートフィルタ50は、図6(A)に示す多孔質の炭化ケイ素焼成体としての複数のセラミック部材60を結束することによって製造される。複数のセラミック部材60は接着層53によって互いに接着されて、一つのセラミックブロック55を形成する。セラミックブロック55は用途に応じて整えられた寸法と形状を有する。例えば、セラミックブロック55は用途に応じた長さに切断され、用途に応じた形状(円柱、楕円柱、角柱など)に削られる。形状の整えられたセラミックブロック55の側面はコート層54で覆われる。
図6(B)に示すように、各セラミック部材60は長手方向に延びる複数のガス通路61を区画する隔壁63を含む。セラミック部材60の各端面において、ガス通路61の開口は一つおきに封止プラグ62によって塞がれている。すなわち、各ガス通路61の一方の開口は封止プラグ62によって塞がれており、他方の開口は開放されている。パティキュレートフィルタ50の一端面から一ガス通路61に流入した排気ガスは、隔壁63を通過して、そのガス通路61に隣接する他のガス通路61に入り、パティキュレートフィルタ50の他端面から流出する。排気ガスが隔壁63を通過するときに、排気ガス中の粒子状物質(PM)は隔壁63に捕捉される。このようにして、浄化された排気ガスがパティキュレートフィルタ50から流出する。
炭化ケイ素焼成体から形成されたパティキュレートフィルタ50は、極めて高い耐熱性を備え、また、再生処理も容易であるため、種々の大型車両やディーゼルエンジン搭載車両への使用に適している。
セラミック部材60を互いに接着するための接着層53は粒子状物質(PM)を除去するフィルタの機能を有してもよい。接着層53の材料は特に限定されないが、セラミック部材60の材料と同じであることが好ましい。
コート層54は、パティキュレートフィルタ50が内燃機関の排気経路に設置されたときに、排気ガスがパティキュレートフィルタ50の側面から漏出するのを防止する。コート層54の材料は特に限定されないが、セラミック部材60の材料と同じであることが好ましい。
各セラミック部材60の主成分は炭化ケイ素であることが好ましい。各セラミック部材60の主成分は、炭化ケイ素と金属ケイ素とを混合したケイ素含有セラミックや、炭化ケイ素がケイ素又はケイ素酸塩化物で結合されたセラミックや、チタン酸アルミニウムや、炭化ケイ素以外の炭化物セラミックや、窒化物セラミックや、酸化物セラミックであってもよい。
セラミック部材60の0〜45重量%の金属ケイ素が焼成材料に含まれる場合、金属ケイ素によって一部又は全部のセラミック粉末が互いに接着される。そのため、機械的強度の高いセラミック部材60が得られる。
セラミック部材60の好ましい平均気孔径は5〜100μmである。その平均気孔径が5μm未満の場合、排気ガスによりセラミック部材60が目詰まりすることがある。平均気孔径が100μmを超えると、排気ガス中のPMがセラミック部材60の隔壁63を通り抜けてしまい、セラミック部材60に捕集されないことがある。
セラミック部材60の気孔率は特に限定されないが、40〜80%であることが好ましい。気孔率が40%未満の場合、排気ガスによりセラミック部材60が目詰まりすることがある。気孔率が80%を超えると、セラミック部材60の機械的強度が低く、破損することがある。
セラミック部材60を製造するための好ましい焼成材料はセラミック粒子である。セラミック粒子は焼成時に収縮の程度が少ないものが好ましい。パティキュレートフィルタ50を製造するのに特に好ましい焼成材料は、0.3〜50μmの平均粒径を有する比較的大きなセラミック粒子100重量部と、0.1〜1.0μmの平均粒径を有する比較的小さなセラミック粒子5〜65重量部との混合物である。
パティキュレートフィルタ50の形状は円柱に限られず、楕円柱や角柱であってもよい。
次に、パティキュレートフィルタ50の製造方法を説明する。
まず、アトライターのような湿式混合粉砕装置を用いて、炭化ケイ素粉末(セラミック粒子)と、バインダと、分散溶媒とを含む焼成組成物(材料)を調製する。焼成組成物をニーダーで十分に混練し、例えば押し出し成形法によって、図6(A)のセラミック部材60の形状(中空の角柱)を有する成形体(被焼成体11)に成形する。
バインダの種類は特に限定されないが、メチルセルロース、カルボキシメチルセルロース、ヒドロキシエチルセルロース、ポリエチレングリコール、フェノール樹脂、及びエポキシ樹脂が一般に使用される。バインダの好ましい量は、炭化ケイ素粉末100重量部に対して、1〜10重量部である。
分散溶媒の種類は特に限定されないが、ベンゼンなどの非水溶性有機溶媒、メタノールなどの水溶性有機溶媒、及び水が一般に使用される。分散溶媒の好ましい量は、焼成組成物の粘度が一体範囲内となるように決められる。
被焼成体11を乾燥させる。必要に応じて、一部のガス通路61の一開口を封止する。その後、再度被焼成体11を乾燥させる。
複数の乾燥した被焼成体11を焼成用治具11aに並べて載置する。複数の焼成用治具11aを積み重ねて、支持台11bに載置する。支持台11bは搬送ローラ16によって移動されて、焼成室14を通過する。このときに、被焼成体11は焼成されて、多孔質のセラミック部材60が製造される。
複数のセラミック部材60を接着層53によって互いに接着し、セラミックフィルタブロック55を形成する。セラミックブロック55の寸法と形状を用途に応じて整える。セラミックブロック55の側面にコート層54を形成する。このようにして、パティキュレートフィルタ50が完成する。
次に、好ましい実施形態の実施例を説明する。ただし、本発明は下記の実施例に限定されない。
(実施例1〜3及び比較例1〜3)
実施例1〜3については、冷間等方圧加圧法(CIP法)により製造されたカーボン材(以下、CIP材と称す)からロッドヒータ23を形成した。比較例1〜3については、押出成形法により製造されたカーボン材(押出成形材)からロッドヒータ23を形成した。各ロッドヒータ23を焼成炉10内に配設し、電流を供給して抵抗発熱させることによって、各ロッドヒータ23の電圧降下時間(hr)を測定した。電圧降下時間が長いほど、耐用期間は長い。電圧降下時間の測定において、焼成炉10の炉内雰囲気はアルゴン(Ar)雰囲気であり、炉内温度は約2200℃である。
表1は、評価結果と、実施例1〜3及び比較例1〜3で用いられるカーボン材の各種物性を示す。
Figure 2006013931
表1に示されるように、CIP材(実施例)の気孔率が押出成形材(比較例)のものよりも低く、比較例のロッドヒータ23の表面に多数の気孔が露出しているのに対し、実施例のロッドヒータ23の表面に露出する気孔は少ない。
実施例1〜3の電圧降下時間は、比較例1〜3のものよりも2倍以上となり、実施例1〜3のロッドヒータの耐用期間が長い。この理由は以下のように推察する。比較例のロッドヒータ23では、表面に露出する多数の気孔のために、高温ガスによる溶損や表面侵食を受けやすい。一方、実施例のロッドヒータ23では、表面に露出する気孔が少ないために、高温ガスによる溶損や表面侵食を受けにくい。
実施例1〜3の測定データによれば、ロッドヒータ23の耐用期間を長くするには、CIP材の好ましい嵩密度は1.8g/cm以上、好ましい気孔率は18%以下である。参考例は、ロッドヒータ23をCIP材で形成したが、その嵩密度及び気孔率は好ましい範囲以外の値である。参考例の測定データによれば、ロッドヒータ23をCIP材で形成すれば、嵩密度及び気孔率が好ましい範囲外であっても、比較例1〜3に比べて電圧降下時間を延長できることがわかった。
実施例4
実施例1〜3の焼成炉を用いた多孔質セラミック焼成体の製造方法を説明する。
平均粒径10μmのα型炭化ケイ素粉末60重量%と、平均粒径0.5μmのα型炭化ケイ素粉末40重量%とを湿式混合した。混合物100重量部に対して、有機バインダとして5重量部のメチルセルロースと、10重量部の水とを加えてから混練して混練物を調製した。混練物に可塑剤と潤滑剤とを少量ずつ加えて更に混練して、押し出し成形を行うことにより、炭化ケイ素質成形体(被焼成体)を作成した。
その成形体をマイクロ波乾燥機を用いて100℃で3分間一次乾燥を行なった。引き続き、成形体を熱風乾燥機を用いて110℃で20分間二次乾燥を行なった。
乾燥した成形体を切断し、ガス通路の開口した端面を露出させた。一部のガス通路の開口に炭化ケイ素ペーストを詰めて、封止プラグ62を形成した。
カーボン製の焼成用治具11aに載せられたカーボン製の下駄材上に、10個の乾燥した成形体(被焼成体)11を並べた。焼成用治具11aを5段に積み重ねた。最上段の焼成用治具上11aに蓋板を載せた。この積層体(積み重ねた焼成用治具11a)を2つ並べて支持台11b上に載置した。
複数の成形体11を載せた支持台11bを連続脱脂炉に搬入した。酸素濃度を8%に調節した、空気と窒素の混合ガス雰囲気下で300℃で加熱して成形体11を脱脂した。
脱脂後、支持台11bを連続焼成炉10に搬入した。常圧のアルゴンガス雰囲気下で2200℃で3時間焼成して、四角柱状の多孔質炭化珪素焼成体(セラミック部材60)を製造した。
繊維長が20μmのアルミナファイバーを30重量%、平均粒径が0.6μmの炭化ケイ素粒子を20重量%と、シリカゾル15重量%と、カルボキシメチルセルロース5.6重量%と、水28.4重量%を含む接着ペーストを用意した。この接着ペーストは耐熱性である。この接着ペーストで16個のセラミック部材60を4×4の束に接着して、セラミックブロック55を作成した。ダイアモンドカッターでセラミックブロック55を切断及び切削してセラミックブロック55の形状を整えた。セラミックブロック55の例は、144mmの直径と150mmの長さの円柱である。
無機繊維(アルミナシリケートのようなセラミックファイバー、繊維長が5〜100μm、ショット含有率3%)を23.3重量%と、無機粒子(炭化ケイ素粒子、平均粒径が0.3μm)を30.2重量%と、無機バインダ(ゾル中にSiO2を30重量%含有する)7重量%と、有機バインダ(カルボキシメチルセルロース)0.5重量%と、水39重量%を混合し混練してコート材ペーストを調製した。
コート材ペーストをセラミックブロック55の側面に塗布して、1.0mmの厚さのコート層54を形成し、コート層54を120℃で乾燥した。このようにして、パティキュレートフィルタ50が完成する。
実施例4のパティキュレートフィルタ50は、排気ガス浄化フィルタに要求される種々の特性を満たす。複数のセラミック部材60は均一な温度の焼成炉10で連続的に焼成されるので、気孔径、気孔率及び機械的強度等の特性がセラミック部材60間でばらつくのが低減され、パティキュレートフィルタ50の特性のばらつきも低減される。
以上説明したように、本発明の焼成炉は多孔質セラミック焼成体の製造に適している。
好ましい実施形態及び実施例は以下のように変更してもよい。
冷間等方圧加圧法は、ゴム型44を加圧媒体41中に浸漬させて加圧する湿式法であったが、圧力容器42に組み込まれたゴム型を介して加圧する乾式法に変更してもよい。
ロッドヒータ23は、炭化珪素系のセラミックス材料により形成されてもよい。
ロッドヒータ23とコネクタ25とを一体形成してもよい。
発熱体(ロッドヒータ23)の形状は円柱以外であってもよく、例えば、平板状、角棒または角材であってもよい。
被焼成体11の形状は任意である。
焼成炉10は連続式焼成炉以外であってもよく、例えばバッチ式焼成炉等であってもよい。
焼成炉10はセラミックス製品の製造工程以外で使用されるものであってもよく、例えば、半導体や電子部品等の製造工程等で使用される熱処理炉やリフロー炉等であってもよい。
実施例4では、パティキュレートフィルタ50は、接着層53(接着ペースト)によって相互に接着された複数のフィルタ素子60を含む。一つのフィルタ素子60をパティキュレートフィルタ50として用いてもよい。
各フィルタ素子60の側面にコート層54(コート材ペースト)を塗布してもよく、しなくてもよい。
セラミック部材60の各端面において、全てのガス通路61は封止プラグ62で封止されずに開放されていてもよい。このようなセラミック焼成体は、触媒担体として使用するのに適している。触媒の例は、貴金属、アルカリ金属、アルカリ土類金属、酸化物、及びそれらのうちの2種類以上の組み合わせであるが、触媒の種類は特に限定されない。貴金属としては、白金、パラジウム、ロジウム等が使用できる。アルカリ金属としては、カリウム、ナトリウム等が使用できる。アルカリ土類金属としては、バリウム等が使用できる。酸化物としては、ペロブスカイト型酸化物(La0.750.25MnO3等)、CeO2等が使用できる。この様な触媒を担持したセラミック焼成体は、特に限定されるものではないが、例えば、自動車の排ガス浄化用のいわゆる三元触媒やNOx吸蔵触媒として用いることができる。触媒は、セラミック焼成体を作成した後にその焼成体に担持されても良いし、焼成体の作成前に焼成体の原料(無機粒子)に担持されても良い。触媒の担持方法の例は含浸法であるが、特に限定されない。

Claims (16)

  1. 被焼成体を焼成する焼成炉であって、
    前記被焼成体を収容する焼成室を有する筺体と、
    電流の供給を受けたときに発熱して、前記焼成室内の前記被焼成体を加熱する複数の発熱体とを備え、各発熱体は不規則な配向をもつ結晶粒子から構成された材料から形成されていることを特徴とする焼成炉。
  2. 前記材料は冷間等方圧加圧法を通じて形成されたセラミックス材料であることを特徴とする請求項1記載の焼成炉。
  3. 前記セラミックス材料は水銀圧入法により測定された値で5〜20%の範囲の気孔率を有することを特徴とする請求項2の焼成炉。
  4. 前記セラミックス材料はカーボンであることを特徴とする請求項2又は3の焼成炉。
  5. 前記複数の発熱体を支持する支持部材を更に備え、各発熱体は前記支持部材と接続された状態で前記筺体に間接的に支持されることを特徴とする請求項1〜4のうちいずれか1項に記載の焼成炉。
  6. 前記支持部材は水銀圧入法により測定される気孔率が5〜20%の範囲に調節された材料から形成されることを特徴とする請求項5記載の焼成炉。
  7. 前記被焼成体を第1の温度と前記第1の温度よりも高い第2の温度とで焼成することを特徴とする請求項1〜6のうちいずれか1項に記載の焼成炉。
  8. 複数の前記被焼成体を連続的に焼成する連続式焼成炉であることを特徴とする請求項1〜7のうちいずれか1項に記載の焼成炉。
  9. 多孔質セラミック焼成体の製造方法であって、
    セラミック粉末を含む組成物から被焼成体を形成する工程と、
    焼成室を有する筺体と、不規則な配向をもつ結晶粒子から構成された材料から形成され、電流の供給を受けたときに発熱して、前記焼成室内の前記被焼成体を加熱する複数の発熱体とを含む焼成炉を用いて前記被焼成体を焼成する工程と
    を備えることを特徴とする前記製造方法。
  10. 前記発熱体の前記材料は冷間等方圧加圧法を通じて形成されたセラミックス材料である請求項9記載の製造方法。
  11. 前記セラミックス材料は水銀圧入法により測定された値で5〜20%の範囲の気孔率を有する請求項10の製造方法。
  12. 前記セラミックス材料はカーボンである請求項10又は11の製造方法。
  13. 前記焼成炉は前記複数の発熱体を支持する支持部材を更に備え、各発熱体は前記支持部材と接続された状態で前記筺体に間接的に支持される請求項9〜12のうちいずれか1項に記載の製造方法。
  14. 前記支持部材は水銀圧入法により測定される気孔率が5〜20%の範囲に調節された材料から形成される請求項13記載の製造方法。
  15. 前記焼成する工程は前記被焼成体を第1の温度と前記第1の温度よりも高い第2の温度とで焼成することを含む請求項9〜14のうちいずれか1項に記載の製造方法。
  16. 前記焼成炉は連続式焼成炉であり、前記焼成する工程は、複数の前記被焼成体を連続的に焼成することを含むことを特徴とする請求項9〜15のうちいずれか1項に記載の製造方法。
JP2006531549A 2004-08-04 2005-08-04 焼成炉及びその焼成炉を用いた多孔質セラミック焼成体の製造方法 Pending JPWO2006013931A1 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004228571 2004-08-04
JP2004228571 2004-08-04
PCT/JP2005/014315 WO2006013931A1 (ja) 2004-08-04 2005-08-04 焼成炉及びその焼成炉を用いた多孔質セラミック焼成体の製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPWO2006013931A1 true JPWO2006013931A1 (ja) 2008-05-01

Family

ID=35787210

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006531549A Pending JPWO2006013931A1 (ja) 2004-08-04 2005-08-04 焼成炉及びその焼成炉を用いた多孔質セラミック焼成体の製造方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20060118546A1 (ja)
EP (1) EP1818639A4 (ja)
JP (1) JPWO2006013931A1 (ja)
WO (1) WO2006013931A1 (ja)

Families Citing this family (75)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE20023989U1 (de) 1999-09-29 2008-09-18 IBIDEN CO., LTD., Ogaki-shi Keramische Filteranordnung
DE60319756T3 (de) 2002-02-05 2014-04-17 Ibiden Co., Ltd. Wabenkörperfilter zur Abgasreinigung, Kleber, Beschichtungsmaterial und Verfahren zur Herstellung eines solchen Wabenfilterkörpers
US20050169819A1 (en) 2002-03-22 2005-08-04 Ibiden Co., Ltd Honeycomb filter for purifying exhaust gas
EP1493904B1 (en) 2002-04-10 2016-09-07 Ibiden Co., Ltd. Honeycomb filter for clarifying exhaust gas
EP1500799B1 (en) * 2002-04-11 2007-10-24 Ibiden Co., Ltd. Honeycomb filter for clarifying exhaust gas
WO2004106702A1 (ja) * 2003-05-06 2004-12-09 Ibiden Co. Ltd. ハニカム構造体
US20060051556A1 (en) * 2003-09-12 2006-03-09 Ibiden Co., Ltd. Sintered ceramic compact and ceramic filter
WO2005045210A1 (ja) * 2003-11-05 2005-05-19 Ibiden Co., Ltd. ハニカム構造体の製造方法、及び、シール材
WO2005108328A1 (ja) * 2004-05-06 2005-11-17 Ibiden Co., Ltd. ハニカム構造体及びその製造方法
KR100668547B1 (ko) * 2004-05-18 2007-01-16 이비덴 가부시키가이샤 허니콤 구조체 및 배기 가스 정화 장치
DE602005009099D1 (de) * 2004-07-01 2008-10-02 Ibiden Co Ltd Verfahren zur herstellung von porösen keramischen körpern
KR100844250B1 (ko) 2004-08-04 2008-07-07 이비덴 가부시키가이샤 소성로 및 이것을 이용한 다공질 세라믹 부재의 제조 방법
JPWO2006013652A1 (ja) 2004-08-04 2008-05-01 イビデン株式会社 連続焼成炉及びこれを用いた多孔質セラミック部材の製造方法
JPWO2006016430A1 (ja) * 2004-08-10 2008-05-01 イビデン株式会社 焼成炉及び該焼成炉を用いたセラミック部材の製造方法
JP5142529B2 (ja) * 2004-09-30 2013-02-13 イビデン株式会社 ハニカム構造体
WO2006041174A1 (ja) * 2004-10-12 2006-04-20 Ibiden Co., Ltd. セラミックハニカム構造体
JP4870657B2 (ja) * 2005-02-04 2012-02-08 イビデン株式会社 セラミックハニカム構造体およびその製造方法
JP2006223983A (ja) * 2005-02-17 2006-08-31 Ibiden Co Ltd ハニカム構造体
JP4870559B2 (ja) 2005-03-28 2012-02-08 イビデン株式会社 ハニカム構造体
WO2006117899A1 (ja) * 2005-04-28 2006-11-09 Ibiden Co., Ltd. ハニカム構造体
EP1752390B1 (en) * 2005-06-06 2011-09-28 Ibiden Co., Ltd. Use of packaging material and method of transporting honeycomb structure
WO2007010643A1 (ja) * 2005-07-21 2007-01-25 Ibiden Co., Ltd. ハニカム構造体及び排ガス浄化装置
EP1832565A4 (en) * 2005-08-03 2007-10-17 Ibiden Co Ltd TEMPLATE FOR COOKING SILICON CARBIDE AND PROCESS FOR PRODUCING POROUS SILICON CARBIDE BODY
CN101242937B (zh) * 2005-10-05 2011-05-18 揖斐电株式会社 挤压成形用模具和多孔质陶瓷部件的制造方法
JP5127450B2 (ja) 2005-11-18 2013-01-23 イビデン株式会社 ハニカム構造体
JPWO2007058006A1 (ja) * 2005-11-18 2009-04-30 イビデン株式会社 ハニカム構造体
US20070187651A1 (en) * 2005-12-26 2007-08-16 Kazuya Naruse Method for mixing powder, agitation apparatus, and method for manufacturing honeycomb structured body
WO2007074508A1 (ja) * 2005-12-26 2007-07-05 Ibiden Co., Ltd. ハニカム構造体の製造方法
WO2007074523A1 (ja) * 2005-12-27 2007-07-05 Ibiden Co., Ltd. 搬送装置及びハニカム構造体の製造方法
WO2007074528A1 (ja) * 2005-12-27 2007-07-05 Ibiden Co., Ltd. 脱脂用治具、セラミック成形体の脱脂方法、及び、ハニカム構造体の製造方法
WO2007086143A1 (ja) * 2006-01-30 2007-08-02 Ibiden Co., Ltd. ハニカム構造体の検査方法、及び、ハニカム構造体の製造方法
WO2007094075A1 (ja) * 2006-02-17 2007-08-23 Ibiden Co., Ltd. 乾燥用治具組立装置、乾燥用治具分解装置、乾燥用治具循環装置、セラミック成形体の乾燥方法、及び、ハニカム構造体の製造方法
WO2007097004A1 (ja) * 2006-02-24 2007-08-30 Ibiden Co., Ltd. 湿式混合機、湿式混合方法及びハニカム構造体の製造方法
WO2007097000A1 (ja) * 2006-02-24 2007-08-30 Ibiden Co., Ltd. ハニカム成形体用封口装置、封止材ペーストの充填方法、及び、ハニカム構造体の製造方法
WO2007096986A1 (ja) 2006-02-24 2007-08-30 Ibiden Co., Ltd. 端面加熱装置、ハニカム集合体の端面乾燥方法、及び、ハニカム構造体の製造方法
EP1826517B1 (en) * 2006-02-28 2008-08-13 Ibiden Co., Ltd. Drying jig, drying method of honeycomb molded body, and manufacturing method of honeycomb structured body
ATE551167T1 (de) * 2006-02-28 2012-04-15 Ibiden Co Ltd Verfahren zur herstellung von einem wabenstrukturkörper
WO2007102217A1 (ja) * 2006-03-08 2007-09-13 Ibiden Co., Ltd. 焼成体用冷却機、焼成炉、セラミック焼成体の冷却方法、及び、ハニカム構造体の製造方法
WO2007102216A1 (ja) * 2006-03-08 2007-09-13 Ibiden Co., Ltd. 脱脂炉投入装置、及び、ハニカム構造体の製造方法
JP2008175517A (ja) * 2006-03-08 2008-07-31 Ibiden Co Ltd 焼成体用冷却機、焼成炉、セラミック焼成体の冷却方法、及び、ハニカム構造体の製造方法
WO2007108076A1 (ja) * 2006-03-17 2007-09-27 Ibiden Co., Ltd. 乾燥装置、セラミック成形体の乾燥方法及びハニカム構造体の製造方法
WO2007116529A1 (ja) 2006-04-11 2007-10-18 Ibiden Co., Ltd. 成形体切断装置、セラミック成形体の切断方法、及び、ハニカム構造体の製造方法
WO2007122680A1 (ja) * 2006-04-13 2007-11-01 Ibiden Co., Ltd. 押出成形機、押出成形方法及びハニカム構造体の製造方法
WO2007122707A1 (ja) * 2006-04-19 2007-11-01 Ibiden Co., Ltd. ハニカム構造体の製造方法
WO2007122715A1 (ja) * 2006-04-20 2007-11-01 Ibiden Co., Ltd. ハニカム焼成体の検査方法、及び、ハニカム構造体の製造方法
WO2007122716A1 (ja) * 2006-04-20 2007-11-01 Ibiden Co., Ltd. 搬送装置、及び、ハニカム構造体の製造方法
WO2007129391A1 (ja) * 2006-05-01 2007-11-15 Ibiden Co., Ltd. 焼成用治具組立装置、焼成用治具分解装置、循環装置、セラミック成形体の焼成方法、及び、ハニカム構造体の製造方法
WO2007132530A1 (ja) * 2006-05-17 2007-11-22 Ibiden Co., Ltd. ハニカム成形体用端面処理装置、ハニカム成形体の封止方法、及び、ハニカム構造体の製造方法
WO2007138701A1 (ja) * 2006-05-31 2007-12-06 Ibiden Co., Ltd. 把持装置、及び、ハニカム構造体の製造方法
EP1880818A1 (en) * 2006-06-05 2008-01-23 Ibiden Co., Ltd. Method for cutting honeycomb structure
PL1875997T3 (pl) * 2006-07-07 2009-08-31 Ibiden Co Ltd Urządzenie do obróbki powierzchni czołowej, sposób obróbki powierzchni czołowej formowanego korpusu o strukturze plastra miodu oraz sposób wytwarzania struktury o kształcie plastra miodu
TW200806029A (en) * 2006-07-14 2008-01-16 Asustek Comp Inc Display system and control method thereof
ATE470649T1 (de) * 2006-09-14 2010-06-15 Ibiden Co Ltd Verfahren zur herstellung eines wabenkörpers und zusammensetzung für sinterwabenkörper
WO2008032391A1 (fr) * 2006-09-14 2008-03-20 Ibiden Co., Ltd. Procédé de production d'une structure en nid d'abeille et composition de matière première pour nid d'abeille calciné
WO2008032390A1 (fr) * 2006-09-14 2008-03-20 Ibiden Co., Ltd. Procédé de production d'une structure en nid d'abeille
WO2008047404A1 (fr) * 2006-10-16 2008-04-24 Ibiden Co., Ltd. Support de montage pour structure alvéolaire et dispositif d'inspection pour structure alvéolaire
WO2008090625A1 (ja) * 2007-01-26 2008-07-31 Ibiden Co., Ltd. 外周層形成装置及びハニカム構造体の製造方法
WO2008114335A1 (ja) * 2007-02-21 2008-09-25 Ibiden Co., Ltd. 加熱炉及びハニカム構造体の製造方法
WO2008126320A1 (ja) * 2007-03-30 2008-10-23 Ibiden Co., Ltd. ハニカム構造体の製造方法
WO2008126319A1 (ja) * 2007-03-30 2008-10-23 Ibiden Co., Ltd. 多孔質炭化ケイ素焼結体の製造方法
WO2008139581A1 (ja) * 2007-05-09 2008-11-20 Ibiden Co., Ltd. 炭化ケイ素焼成用原料の製造方法、及び、ハニカム構造体の製造方法
WO2008149435A1 (ja) * 2007-06-06 2008-12-11 Ibiden Co., Ltd. 焼成用治具及びハニカム構造体の製造方法
WO2008155856A1 (ja) 2007-06-21 2008-12-24 Ibiden Co., Ltd. ハニカム構造体、及び、ハニカム構造体の製造方法
JP5180835B2 (ja) * 2007-10-31 2013-04-10 イビデン株式会社 ハニカム構造体用梱包体、及び、ハニカム構造体の輸送方法
WO2009066388A1 (ja) * 2007-11-21 2009-05-28 Ibiden Co., Ltd. ハニカム構造体及びハニカム構造体の製造方法
WO2009101682A1 (ja) * 2008-02-13 2009-08-20 Ibiden Co., Ltd. ハニカム構造体、排ガス浄化装置、及び、ハニカム構造体の製造方法
WO2009101683A1 (ja) 2008-02-13 2009-08-20 Ibiden Co., Ltd. ハニカム構造体の製造方法
JPWO2009107230A1 (ja) * 2008-02-29 2011-06-30 イビデン株式会社 ハニカム構造体用シール材、ハニカム構造体、及び、ハニカム構造体の製造方法
WO2009118813A1 (ja) * 2008-03-24 2009-10-01 イビデン株式会社 ハニカム構造体及びハニカム構造体の製造方法
WO2009118814A1 (ja) * 2008-03-24 2009-10-01 イビデン株式会社 ハニカムフィルタ
WO2009118862A1 (ja) * 2008-03-27 2009-10-01 イビデン株式会社 ハニカム構造体の製造方法
CN102809297B (zh) * 2012-08-29 2015-01-21 北京七星华创电子股份有限公司 热处理设备炉丝引线安装固定装置
JP6405122B2 (ja) * 2014-06-03 2018-10-17 イビデン株式会社 カーボンヒータ、ヒータユニット、焼成炉及び珪素含有多孔質セラミック焼成体の製造方法
DE102016202902A1 (de) * 2016-02-24 2017-08-24 Sirona Dental Systems Gmbh Induktionsofen und Verfahren zur Durchführung einer Wärmebehandlung eines Zahnersatzteils
JP7249848B2 (ja) * 2019-03-28 2023-03-31 日本碍子株式会社 炭化珪素含有セラミックス製品の製造方法

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2735881A (en) * 1956-02-21 Metal-impregnated heating rods for electric
US3429974A (en) * 1961-11-07 1969-02-25 Norton Co High temperature tunnel kiln for production of crystalline refractory and abrasive materials
DE3316689C2 (de) * 1983-05-06 1985-05-23 W.C. Heraeus Gmbh, 6450 Hanau Rohrofen
US4912302A (en) * 1987-05-30 1990-03-27 Ngk Insulators, Ltd. Furnace for sintering ceramics, carbon heater used therefor and process for sintering ceramics
US5073689A (en) * 1988-02-06 1991-12-17 Shinagawa Shirorenga Kabushiki Kaisha Zirconia refractory heating element
WO1991002438A1 (en) * 1989-07-31 1991-02-21 Union Oil Company Of California Modular heater
TW223729B (ja) * 1990-08-03 1994-05-11 Mitsui Mining Co Ltd
DE69130205T2 (de) * 1990-12-25 1999-03-25 Ngk Insulators Ltd Heizungsapparat für eine Halbleiterscheibe und Verfahren zum Herstellen desselben
JPH11204238A (ja) * 1998-01-08 1999-07-30 Ngk Insulators Ltd セラミックスヒーター
JP2001031473A (ja) * 1999-07-21 2001-02-06 Toyo Tanso Kk 黒鉛ヒーター
JP4298156B2 (ja) * 1999-12-08 2009-07-15 キヤノン株式会社 電子放出装置及び画像形成装置
JP4323064B2 (ja) * 2000-06-29 2009-09-02 イビデン株式会社 連続脱脂炉、多孔質炭化珪素焼結体の製造方法
JP3998910B2 (ja) 2000-12-22 2007-10-31 イビデン株式会社 炭化珪素成形体の焼成方法、多孔質炭化珪素部材の製造方法及びセラミックフィルタの製造方法
JP4266103B2 (ja) * 2001-12-07 2009-05-20 日本碍子株式会社 多孔質セラミック体の製造方法
KR100521371B1 (ko) 2003-01-22 2005-10-12 삼성전자주식회사 소노스형 비휘발성 메모리 및 그 제조 방법
JP2005285355A (ja) * 2004-03-26 2005-10-13 Ngk Insulators Ltd 加熱装置
JPWO2006013652A1 (ja) * 2004-08-04 2008-05-01 イビデン株式会社 連続焼成炉及びこれを用いた多孔質セラミック部材の製造方法
JPWO2006013932A1 (ja) * 2004-08-06 2008-05-01 イビデン株式会社 焼成炉及びその焼成炉を用いた多孔質セラミック焼成体の製造方法
EP1677063A4 (en) * 2004-08-25 2007-05-30 Ibiden Co Ltd KILN and Method for Making a Porous Ceramic Cooked Product Using KILN

Also Published As

Publication number Publication date
EP1818639A1 (en) 2007-08-15
US20060118546A1 (en) 2006-06-08
EP1818639A4 (en) 2007-08-29
WO2006013931A1 (ja) 2006-02-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPWO2006013931A1 (ja) 焼成炉及びその焼成炉を用いた多孔質セラミック焼成体の製造方法
WO2006013932A1 (ja) 焼成炉及びその焼成炉を用いた多孔質セラミック焼成体の製造方法
WO2006022131A1 (ja) 焼成炉及びその焼成炉を用いた多孔質セラミック焼成体の製造方法
KR100842594B1 (ko) 소성로 및 상기 소성로를 이용한 세라믹 부재의 제조 방법
KR100842595B1 (ko) 연속 소성로 및 이것을 이용한 다공질 세라믹 부재의 제조방법
EP1832565A1 (en) Jig for silicon carbide firing and method for producing porous silicon carbide body
EP1974795B1 (en) Honeycomb filter
EP1506948B1 (en) Honeycomb structural body
EP0761279A2 (en) Honeycomb structure, process for its production, its use and heating apparatus
US20060029898A1 (en) Firing furnace, porous ceramic member manufacturing method using the same, and porous ceramic member manufactured by the manufacturing method
JPWO2008120386A1 (ja) ハニカム構造体
JP2007230859A (ja) ハニカム構造体の製造方法
WO2007108076A1 (ja) 乾燥装置、セラミック成形体の乾燥方法及びハニカム構造体の製造方法
JPH1052618A (ja) ハニカム構造体とその製造方法及び用途、並びに加熱装置
EP2008987B1 (en) Honeycomb structure body
EP2327945B1 (en) Method for manufacturing ceramic fired body and method for manufacturing honeycomb structured body
US20150351159A1 (en) Carbon heater, heater unit, firing furnace, and method for manufacturing silicon-containing porous ceramic fired body
JP5111139B2 (ja) 多孔質炭化ケイ素焼結体の製造方法
JP2004002130A (ja) セラミックス多孔体及びその製造方法
JP2001019560A (ja) セラミック成形体の脱脂用治具
JP2003328725A (ja) 排気ガスフィルタ
CN115106129A (zh) 蜂窝结构体及采用了该蜂窝结构体的电加热型载体