JPS6371801A - 反射防止膜 - Google Patents
反射防止膜Info
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- JPS6371801A JPS6371801A JP61215741A JP21574186A JPS6371801A JP S6371801 A JPS6371801 A JP S6371801A JP 61215741 A JP61215741 A JP 61215741A JP 21574186 A JP21574186 A JP 21574186A JP S6371801 A JPS6371801 A JP S6371801A
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Formation Of Various Coating Films On Cathode Ray Tubes And Lamps (AREA)
- Vessels, Lead-In Wires, Accessory Apparatuses For Cathode-Ray Tubes (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Surface Treatment Of Optical Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
不発明は反射防止膜に関する。
ブラウン管、光学製品等では表面反射を防止する必要が
あり、従来、Ｐｈ１ｓｉｃｓ ｏｆ Ｔｂ１ｎ Ｆｉｌ
ｍｓ。
あり、従来、Ｐｈ１ｓｉｃｓ ｏｆ Ｔｂ１ｎ Ｆｉｌ
ｍｓ。
Ｖｏｌ、２ （Ａｃａｄｅｍｉｃ Ｐｒｅｓｓ、１９
６４ ）Ｐ、２３９〜３０４”Ａｎｔｉｒｅｆｌｅｃ
ｔｉｏｎ Ｃｏａｔｉｎｇｓ ｆｏｒ ０ｐｔｉｃａｌ
ａｎｄＩｎｆｒａｒｅｄ ０ｐｔｉｃａｌ Ｍａｔｅ
ｒｉａｌｓ″と題する論文で述べられているように、多
層膜をコーティングすることによりこの目的を達してい
た。しかし、前書にもあるよって、反射率を広い波長範
囲で低減させるためには、３層以上の多層コーティング
を行なう必要があり、しかも各層の膜厚を±２０Ａ程度
の精度で形成しなければならなかった。
６４ ）Ｐ、２３９〜３０４”Ａｎｔｉｒｅｆｌｅｃ
ｔｉｏｎ Ｃｏａｔｉｎｇｓ ｆｏｒ ０ｐｔｉｃａｌ
ａｎｄＩｎｆｒａｒｅｄ ０ｐｔｉｃａｌ Ｍａｔｅ
ｒｉａｌｓ″と題する論文で述べられているように、多
層膜をコーティングすることによりこの目的を達してい
た。しかし、前書にもあるよって、反射率を広い波長範
囲で低減させるためには、３層以上の多層コーティング
を行なう必要があり、しかも各層の膜厚を±２０Ａ程度
の精度で形成しなければならなかった。
上記従来技術は、精密な制御を必要とするためコストが
高（スループットが小さいという問題点があった。
高（スループットが小さいという問題点があった。
本発明は、低コストでスループットの大きい製法が可能
な反射防止膜、すなわち単層膜から成りしかも精密な膜
厚？１ｉＩＪ両を必要としない反射防止膜の提供を目的
とする。
な反射防止膜、すなわち単層膜から成りしかも精密な膜
厚？１ｉＩＪ両を必要としない反射防止膜の提供を目的
とする。
上記目的は、数種の物質を混合して成膜することにより
、屈折率が基板側から連続的に減少するような反射防止
膜を得ることにより達成される。
、屈折率が基板側から連続的に減少するような反射防止
膜を得ることにより達成される。
光の反射は屈折率の異なる物質の界面で生ずるため、屈
折率を連続的に変化させることにより反射は生じないこ
とになる。従来の手法である干渉を利用した多層膜方式
では、屈折率、膜厚等の梢密な制御を必要とするのに対
し、本発明方式では上記の原理に基づ（ため、精密な制
御を必要としない。
折率を連続的に変化させることにより反射は生じないこ
とになる。従来の手法である干渉を利用した多層膜方式
では、屈折率、膜厚等の梢密な制御を必要とするのに対
し、本発明方式では上記の原理に基づ（ため、精密な制
御を必要としない。
以下、本発明の実施例を図により説明する。
実施例１
第１図におけるガラス基板１上に真空蒸着法により、二
酸化ケイ素とフッ化マグネシウムを以下に示すように同
時に蒸着し、屈折率連続変化膜２を形成した。すなわち
、最初は二酸化ケイ素のみとし、次いでフッ化マグネシ
ウムの量を多くして行き二酸化シリコンとフッ化マグネ
シウムの蒸着量の比を連続的に変化させ【いく。そして
最後にはフッ化マグネシウムのみとなるようにする。得
られたサンプルの反射率を測定した結果、４ｏｏｎｍ−
９５０ｎｍの範囲で約２３４となり、反射防止効果が認
められた。（ガラス基板のみでは約４．５４ ）さらに
、屈折率連続変化膜２の上にフッ化マグネシウムとフッ
化カルシウムを同様な方法で蒸着し、屈折率連続変化膜
３を形成した。反射率を測定した結果、４００ｎｍ −
９５０ｎｍの範囲で約１４に低減した。
酸化ケイ素とフッ化マグネシウムを以下に示すように同
時に蒸着し、屈折率連続変化膜２を形成した。すなわち
、最初は二酸化ケイ素のみとし、次いでフッ化マグネシ
ウムの量を多くして行き二酸化シリコンとフッ化マグネ
シウムの蒸着量の比を連続的に変化させ【いく。そして
最後にはフッ化マグネシウムのみとなるようにする。得
られたサンプルの反射率を測定した結果、４ｏｏｎｍ−
９５０ｎｍの範囲で約２３４となり、反射防止効果が認
められた。（ガラス基板のみでは約４．５４ ）さらに
、屈折率連続変化膜２の上にフッ化マグネシウムとフッ
化カルシウムを同様な方法で蒸着し、屈折率連続変化膜
３を形成した。反射率を測定した結果、４００ｎｍ −
９５０ｎｍの範囲で約１４に低減した。
実施例２
第２図におけるシリコン基板４上に真空蒸着法によりＳ
ｉＯを蒸着した。この際、成膜速度を５０Ａ／Ｓ−＋５
Ａ／Ｓ程度まで、またＯ２雰囲気圧を１ ｃ″’ ｔｏ
ｒｒ→１０−’ ｔｏｒｒ まで連続的に変化させるこ
とにより、成形層５のＳｉＯｘにおけるＸの値がＯ→２
となるように変化させた。このようにして得られた酸素
含有量が連続的に変化する酸化シリコン膜は屈折率が連
続的に変化しており、反射率を測定した結１果４００ｎ
ｍ −９５０ｎｍの範囲で約５優となり反射防止効果が
認められた。（シリコン基板のみでは約３６憾）この上
にガラス基板１を密着させることにより、単にガラスと
シリコンを密着させる湯今に比べ、反射率を大幅に低減
することができた。また、ガラス基板を密着せずに、実
施例１と同様な処置を行なえば、さらに反射率を約１４
とすることができ、シリコン光電変換デバイスの反射防
止膜と、して大きな効果がある。
ｉＯを蒸着した。この際、成膜速度を５０Ａ／Ｓ−＋５
Ａ／Ｓ程度まで、またＯ２雰囲気圧を１ ｃ″’ ｔｏ
ｒｒ→１０−’ ｔｏｒｒ まで連続的に変化させるこ
とにより、成形層５のＳｉＯｘにおけるＸの値がＯ→２
となるように変化させた。このようにして得られた酸素
含有量が連続的に変化する酸化シリコン膜は屈折率が連
続的に変化しており、反射率を測定した結１果４００ｎ
ｍ −９５０ｎｍの範囲で約５優となり反射防止効果が
認められた。（シリコン基板のみでは約３６憾）この上
にガラス基板１を密着させることにより、単にガラスと
シリコンを密着させる湯今に比べ、反射率を大幅に低減
することができた。また、ガラス基板を密着せずに、実
施例１と同様な処置を行なえば、さらに反射率を約１４
とすることができ、シリコン光電変換デバイスの反射防
止膜と、して大きな効果がある。
実施例３
第３図に屈折率の異なる物質を接続する際に反射防止膜
を形成し光の伝達ロス、を防止する例を示す。例えばガ
ラス６とアルミナ８を接続する際、二酸化シリコンと酸
化アルミニウムを用い、実施例１と同様な方法により、
ガラス１上（屈折率連続変化膜７を形成し、アルミナ８
を接続する。光の伝達ロスを測定した結果、ロスはほと
んど見られなかりた。
を形成し光の伝達ロス、を防止する例を示す。例えばガ
ラス６とアルミナ８を接続する際、二酸化シリコンと酸
化アルミニウムを用い、実施例１と同様な方法により、
ガラス１上（屈折率連続変化膜７を形成し、アルミナ８
を接続する。光の伝達ロスを測定した結果、ロスはほと
んど見られなかりた。
本発明によれば、低コストでスループットよく反射防止
効果の大きい反射防止膜音形成することができるので、
高品位ブラウン管、光電変換素子等を高品質低価格で製
造できるという効果がある。
効果の大きい反射防止膜音形成することができるので、
高品位ブラウン管、光電変換素子等を高品質低価格で製
造できるという効果がある。
第１図、第２図とも本発明の一実施例の構成図、ｔＪＪ
３図は同じく部分説明図である。 １・・・ガラス基板、２．へ５．７−・・屈折率連続変
化膜４・・・シリコン基板、６・・・ガラス、８・・・
アルミナ。
３図は同じく部分説明図である。 １・・・ガラス基板、２．へ５．７−・・屈折率連続変
化膜４・・・シリコン基板、６・・・ガラス、８・・・
アルミナ。
Claims (1)
- １、数種の物質から成る反射防止膜において、それらの
物質を混合して成膜することにより、当該反射防止膜の
屈折率が基板側から連続的に減少することを特徴とする
反射防止膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61215741A JPS6371801A (ja) | 1986-09-16 | 1986-09-16 | 反射防止膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61215741A JPS6371801A (ja) | 1986-09-16 | 1986-09-16 | 反射防止膜 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6371801A true JPS6371801A (ja) | 1988-04-01 |
Family
ID=16677432
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61215741A Pending JPS6371801A (ja) | 1986-09-16 | 1986-09-16 | 反射防止膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6371801A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07235684A (ja) * | 1994-02-23 | 1995-09-05 | Hitachi Cable Ltd | 太陽電池 |
| US5674356A (en) * | 1994-04-05 | 1997-10-07 | Sony Corporation | Method for forming a semiconductor device in which an anti reflective layer is formed by varying the composition thereof |
| JP2005268643A (ja) * | 2004-03-19 | 2005-09-29 | Sony Corp | 固体撮像素子、カメラモジュール及び電子機器モジュール |
| JP2007504500A (ja) * | 2003-09-04 | 2007-03-01 | エシロール アンテルナショナル コムパニー ジェネラル ドプテイク | 光学基板上の反射防止被膜処理法と被膜処理された光学基板および被膜処理実施装置 |
| JP2010067956A (ja) * | 2008-09-08 | 2010-03-25 | Korea Electronics Telecommun | 太陽電池用反射防止膜、太陽電池及び該太陽電池の製造方法 |
| JP2011040774A (ja) * | 2010-10-06 | 2011-02-24 | Sony Corp | 固体撮像素子、カメラモジュール及び電子機器モジュール |
| JP2011077306A (ja) * | 2009-09-30 | 2011-04-14 | Ulvac Japan Ltd | 太陽電池及びその製造法 |
| JP2012089629A (ja) * | 2010-10-18 | 2012-05-10 | Mitsubishi Electric Corp | 光電変換装置、及び光電変換装置の製造方法 |
| JP2013084721A (ja) * | 2011-10-07 | 2013-05-09 | Sharp Corp | 光電変換素子および光電変換素子の製造方法 |
| CN103688195A (zh) * | 2011-05-17 | 2014-03-26 | 佳能电子株式会社 | 光学滤波器和光学设备 |
| JP2015185874A (ja) * | 2014-03-20 | 2015-10-22 | 住友金属鉱山株式会社 | 電磁波伝搬媒体 |
-
1986
- 1986-09-16 JP JP61215741A patent/JPS6371801A/ja active Pending
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US10011522B2 (en) | 2003-09-04 | 2018-07-03 | Essilor International | Method for treating antireflection coatings on an optical substrate, the thus obtained optical substrate and device for carrying gout said method |
| JP2007504500A (ja) * | 2003-09-04 | 2007-03-01 | エシロール アンテルナショナル コムパニー ジェネラル ドプテイク | 光学基板上の反射防止被膜処理法と被膜処理された光学基板および被膜処理実施装置 |
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| US9588266B2 (en) | 2011-05-17 | 2017-03-07 | Canon Denshi Kabushiki Kaisha | Optical filter and optical apparatus |
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