JPS63306651A - 電力用半導体装置とその製造方法 - Google Patents

電力用半導体装置とその製造方法

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JPS63306651A
JPS63306651A JP63123730A JP12373088A JPS63306651A JP S63306651 A JPS63306651 A JP S63306651A JP 63123730 A JP63123730 A JP 63123730A JP 12373088 A JP12373088 A JP 12373088A JP S63306651 A JPS63306651 A JP S63306651A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は大電力を取扱う電気回路に使用される電力用
半導体装置と、その製造方法に関する。
〔従来の技術〕
このような電力用半導体装置は、***出願番号３．６０
４．３１３で知られている。この電力用半導体装置は、
底部で開いているプラスチックの容器を具備する。その
上面に導電パターン層（金属被膜基板）を持ち、半導体
素子と装置内部のための電気接続素子をもち半田で電気
的に接続されているセラミック製基板は、基礎の面とな
る。加えて、外部に負荷電流を運ぶ基本端子の接続素子
は、形成された基板に溶接されている。制御端子は、基
板の平成上の突出物が基板の外の部分に広がっているた
め、いわゆる突出端子と呼ばれている。制御端子はワイ
アーボンダーによる配線工程がすんだ後、二回目の半田
溶接で溶接されるか、薄い套管に挿入される。しかし主
接続のためのコネクタ板は、ちょうど他の一般的な装置
のように、一回目の平田溶接で前記基板上のコネクタ板
が直立して半［１１溶接される。溶接を行なうには高価
な溶接用のジグが必要であり、これは半田溶接する際に
コネクタ板が破損しないよう必要な場所に設置されるも
のである。
１９８７年１月８日イ寸けのエレクトロニック・デザイ
ン誌（Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ　Ｄｅｓｉｇｎ）の１５６
頁に、４ｅ図において装置の製造過Ｆ？が示される中で
、横になった状態のコネクタ板か溶接される製造工程が
示されている。この説明の結論は一方では、半田溶接の
通路が溶接後でも形成でき、溶接ジグが不必要になり、
単なる整列のための道具のみ必要であることを示してい
る。しかしコネクタ板は溶接の後、本体容器から分離さ
れ上に向けて曲げられなければならない。これは一定の
複雑さをともない、半田溶接の部分に機械的な圧力を加
えることとなる。
〔発明が解決しようとする課題〕
この発明は電力用半導体装置の生産が簡略化するよう、
また生産するとき特に位置決めや配列のための装置の助
けが不必要となるように、電力用半導体装置の構造を工
夫することを目的としている。
〔課題を解決するための手段及び作用〕この目的は、請
求項１で特徴づけられた電力用半導体装置により達成さ
れている。
さらに好ましい実施例は、他の請求項で明記されている
。また、請求項１０と１１はこの装置の製造方法を明記
している。
この発明の一つの実施例によれば、装置は異なった半田
溶接温度において二回に分けて半田溶接を行なうことに
よりつくられ、一回目のみでは外部接続素子は完成しな
い。一回目の半田溶接が終り部品を組込んだ後の電力用
半導体装置の基板は溶接するに適しており、また装置の
機能を試験するにも都谷がよい。適切な形状に形成され
たプラスチック製の本体容器の凹部は、二回目の溶接に
おいて溶接ジグとして使用される。すなわち、この容器
の凹部により接続部品は正確に一直線に整・列させられ
る。二回目の溶接におい、てプラスチックの容器は体積
が少ないので、都合のよい短時間の溶接時間のみでよい
。また連続した高熱で溶接が可能なように、耐熱構造を
とっている。もう一つの方法として、接続素子の必要部
分だけを溶接に必要な温度に短時間熱するだけで、二回
目の溶接は都合よく可能である。この場合プラスチック
の容器に対する熱の負担は最も小さく、一回目の溶接の
場合と同じ温度で半田が溶ける。温度抵抗と関係がある
普通の条件を満足するプラスチックの容器を使ってもよ
い。一回目の場合よりも低温で行なわれた二回目の溶接
を終えた後、電力用半導体装置は普通の方法で容器に納
められ、スプリングのロック付のカバーがその上に装着
される。
そして、カバーの狭い開口部より突き出した一対のコネ
クタ板が単純に曲げられる。
この発明の他の実施例によれば、配線工程を必要としな
い装置が示され、この装置は半導体のチップや外部端子
につながる接続金具やコネクタ板が挿入され、半゛田溶
接の段階でその状態を維持される埋込み穴を具備した耐
熱性のあるプラスチックの容器を有する。
〔実施例〕
発明は明細書の実施例の中で、さらに詳しく陳述される
。
第２図から第９図までの電力用半導体装置のさらに詳し
い説明は、発明の詳細な説明により明らかになり、また
第１図はこの発明の基礎となる回路図を示す。第１図に
おいてこの電力用半導体装置は、二つのゲート・オフ・
サイリスタ１と二つのダイオード２を具備し、三つの基
本端子３と四つの制御用端子４を具備する。
第２図は、直接に溶接する方法で装着された導体部分と
しての銅領域６を持つ、酸化アルミニウムによるセラミ
ック製基板５を示す。半導体（ダイオード）１．２は、
銅領域６に半田溶接される。
半田溶接部分７、すなわち銅領域６のある部分は製造工
程の一段階目で、溶接材料により半田メ・ツキされる。
その後に接続部品は、前記溶接領域７に溶接される。第
２図はさらに、ダイオード２と銅領域６の間に溶接され
電気的な関係をつくる留め金具８を示している。そして
、超音速の太線ワイアーボンディング法により作られた
配線９は、サイリスタ１と銅領域６の間にされる。
第３図は、耐熱性のプラスチックによる本体容器ｌＯの
平面図である。当該電力用半導体装置の本体容器ＩＯと
して示されている架構はこの発明の本質である構成を示
しており、位置決め凹部１１を作るための位置決め凹部
壁１３を具備しており、第５ａ図と第５ｂ図に示すコネ
クタ板１２は第７図に示すように製造工程において位置
決め四部ＩＩに挿入される。
位置決め凹部壁１３による位置決め凹部１１の形成は、
第４図に示す外観を考え合せれば明らかになる。第４図
は、第３図に示された当該電力用半導体装置の本体容器
ｌＯの断面を示した図である。さらに位置決め凹部１１
は第３図と第４図で明らかなように、それぞれ狭い位置
決め凹部１４と広い位置決め凹部１５とからなる。さら
に第４図は、広い位置決め凹部１５は狭い位置決め四部
１４よりも高い位置にあることを示している。広い位置
決め四部１５は、位置決め凹部壁１３上の形成された部
分１６より形成されている。形成された部分１６を持つ
二つの位置決め四部壁１３は鏡像のように構成され、断
面を示した位置決め凹部１１が広い部分と狭い部分とを
兼ね備えており、十字架構造をした位置決め凹部１１を
形成するよう互いに有するように適当な距灘を置いて形
成されている。第４図に見られるように、位置決め四部
壁１３は当該電力用半導体装置の本体容器１０の高さの
１／３の長さでかつ中央の高さにおいて、おおよそ位置
を定めている。この結果、位置決め凹部壁１３の下の空
間は、当該電力用半導体装置の本体容器ＩＯに挿入され
るセラミック製基板５の上の部品１，２（第４図では見
られぬが）が収納されるために残されている。形成され
た部分１６により形成された広い位置決め凹部１５は、
第８図、第９図で示される容器カバー１７がその上を覆
っている当該電力用半導体装置の本体容器１Ｇの最上部
の縁に達している。
さらに当該電力用半導体装置の本体容器ＩＯの詳細は、
これは従来技術でも知られていたが、第３図、第４図で
見ることができる。固定ネジのための穴１９を備えた固
定突縁１８は、当該電力用半導体装置の本体容器ＩＯに
具備されている。溝２０は突縁１８の領域に設けられて
おり、固定ネジの領域からセラミック製基板５への機械
的圧力の伝達が妨げるように設けられている。当該電力
用半導体装置の本体容器ＩＯの底部において、セラミッ
ク製基板５を受けるための埋込み穴２１と、埋込み穴２
１の中の粘着性の残余物を受ける溝２２が用意されてい
る。
またさらに形成された成型凹部２３は第３図にその平面
図が示されており、第６ａ図に示されたプラグ・コネク
タ２９は制御端子４を形作っている。
第５ａ図と第５ｂ図は、すでに述べたがコネクタ板１２
の側面図と正面図を示している。コネクタ板上部２４に
おいて、コネクタ板１２が引伸ばされた穴２５を持って
いる。本体容器のカバー１７が装着された後は、前記コ
ネクタ板上部２４は本体容器カバー１７の狭い開口部２
６を通して突き出され、第８図で見られるように開口部
２６で曲げられる。
さらに、延長された穴２５を持つ広いコネクタ板上部２
４で、第５ａ図と第５ｂ図で示されるコネクタ板１２は
、Ｚ形に角をつけられた半田溶接部を持つ狭い接続金具
２７を備えている。
第６ａ図と第８ｂ図は、制御端子４で説明したプラグ・
コネクタ２９を示す。これらは、当該電力用半導体装置
の本体容器ｌＯの成型凹部部２３に挿入されるために設
けられたコネクタ・タブ３０と、コネクタ基礎部３１を
備えている。コネクタ基礎部３１は、三箇所で曲げられ
た一本のワイアー３２を備えている。前記ワイアー３２
は、プラグ・コネクタ２９が成型四部２３に挿入された
後、セラミック製基板５に備えられた半田溶接領域７に
このワイアーの先端３３が達するように曲げ加工しであ
る。
第７図では、当該電力用半導体装置の本体容器ＩＯの平
面図が再び示されているが、しかし各部品が装着された
後であり、セラミック製基板５は当該電力用半導体装置
の本体容器ＩＯの底の面に接着され、コネクタ板１２は
位置決め凹部１１に位置され、プラグ−コネクタ２９は
成型凹部２３に挿入されている。目的を明快にするため
に、第２図で示された配線９と留め金具８は、第７図で
は省略している。
第８図は本体容器カバー１７の平面図で、当該電力用半
導体装置の本体容器ｌＯの上に装着される。
三つのコネクタ板上部２４は、本体カバー１７の狭い開
口部２６を貫通した後、曲げられる。ネジ３４は基本端
子３を形成するよう、コネクタ板上部２４の延長穴２５
を通してナツト止めされる。最終的に第９図は、さらに
完成した当該電力用半導体装置の側面図を示している。
図で示した当該電力用半導体装置の製造方法について、
以下に述べる。
まず第一に導電体である綱領域６を備えたセラミック製
基板５について述べる。綱領域６は既知の直接半田溶接
する方法で、セラミック製基板５に接続される。サイリ
スタ１と（ここではＧＴＯサイリスタであるが）、ダイ
オード２と留め金具８は綱領域６に溶接される。この半
田溶接は、たとえば連続的に熱せられた炉で約３００度
の温度の溶解した半田により行なわれる。さらに、第２
図に示された半田溶接領域７は、後の半田溶接の準備段
階として、例えばＰｂ５ｎ８０のような低温で溶解する
材料で半田メッキされる。配線９は、ターン・オフ・サ
イリスタ１のカソードとゲートの端子と綱領域６の間は
超音速の太線ワイアーボンディング法により配線される
。明らかに配線９は、留め金具８の代りにダイオード２
と接続ができる。
部品が実装済みの基板は第２図で示され、重要な電気パ
ラメーターを試験できる状態にある。この広さの中に部
品が実装しであるセラミック製基板５は、第４図と第５
図で示される当該電力用半導体装置の本体容器ｌＯの底
の面に備えられた埋込み穴２１に、本体容器と基板の間
の機械的な衝撃を避ける目的で弾力のあるシリコン・ゴ
ムによって接着されている。しかしそれ以外の方法とし
ては、一度目の半田溶接で前記基板５を銅板の上に溶接
しくこの銅板は図にはないが）、次にそれを当該電力用
半導体装置の本体容器１Ｇに接着させることで製造され
る。
当該電力用半導体装置の本体容器１０は、後の二回目の
半田溶接で破壊されないように、耐熱性のあるプラスチ
ックでできている。部分的には、例えば２００度から２
６０度の間の溶解点をもつ、透明で熱可塑性のあるポリ
エステルなどが適している。
接着の準備の後、第５ａ図と第５ｂ図で示されたコネク
タ板１２は、第７図で示したように位置決め凹部１１に
挿入される。位置決め凹部１１は、二回目の溶接工程に
おいて溶接ジグとして作用する。コネクタ板１２の半田
溶接部２８は、綱領域６の半田溶接領域７に接面してい
る。溶接面に半田がよく乗るように、コネクタ板はあら
かじめニッケル・メッキか銀メッキか錫メッキにする。
また第７図に示すように、第８ａ図と第６ｂ図で示すプ
ラグ・コネクタ２９は、ワイアーの先端３３が半田溶接
領域７に達するよう整列されたワイアーを装着し、成型
凹部２３に挿入される。ワイアー３２は綱領域６とプラ
グ・コネクタ２９の間の接続部品として好都合であり、
その理由は簡単にワイアーを曲げるだけで、綱領域６を
備えた基板５の異なった設計の回路が実現するからであ
る。
言うなれば、必要とされる部品の数または経済的効率に
よっては、さらに多くの変形例が可能である。このよう
に、ワイアー３２の代りのプラグ・コネクタ２９は製造
された状態で入手され、この構造において穴を開けられ
ており、すでに直接形成されてしまっている。綱領域６
に備えられた半田溶接領域７の代りに、溶剤を含んだ数
滴の半田ペーストを備えたコネクタ板１２の半田溶接部
２８とワイアー３２の解放された先端３３を用意しても
よい。
装着する手数を省くために、ダイオード２とプラグ・コ
ネクタ２９がすでに装着された形で当該電力用半導体装
置の本体容器ｌＯを供給者から受取ることにしてもよい
。
コネクタ板１２とワイアー３２は、二回目の溶接におい
て綱領域６に接続される。表面処理された半田溶接領域
７が用意できた場合は、減圧下のもとて最大溶接温度の
２２０度の連続燃焼炉で半田溶接が可能である。赤外線
ランプの照射により連続的に熱せられた炉を使用すれば
、当該電力用半導体装置の本体容器ｌＯや基板５はその
質量が小さいので、例えば１分から２分の短い時間で半
田溶接が可能である。例えば３Ｍ社製のＰＣ−７０など
の蒸気相手田溶接漕を用いて、沸騰点２１５度の沸騰し
た半田溶液を用いれば同等の効果を得られる。しかしな
がら他の半田溶接技術も用いられ、例えばレーザービー
ムやあるいは抵抗加熱、加圧プローブを使ういわゆるパ
ルス・リフローを用いた半田溶接の一点加熱による半田
溶接技術が使用される。
この場合、耐熱性のプラスチックの使用を少なくするた
めに、プラスチックの部分に及ぼす熱による損害は最小
となるようにしである。
最後の製造工程として、この大きさで完成された装置は
柔らかいシリコンで内部を満たされ、既知の方法でエポ
キシ樹脂で満たされたのち、プラスチックの本体容器カ
バー１７を装着される。ナツトは本体容器カバー１７の
基本端子３のある場所の埋込み穴に備えられ、コネクタ
板上部２４の延長穴２５はそれぞれナツトの上に位置し
てそこにネジが入るように、カバーから突き出したコネ
クタ板上部２４は曲げられる。
第二の実施例については、第１Ｏ図から第１６図で示さ
れる。この電力用半導体装置のプラスチック容器は、外
部端子を配列させる半田溶接ジグとして機能するだけで
なく、半導体チップと当該装置内部の接続金具のための
半田溶接ジグとしても機能する。この装置は、***特許
出願３，６１０，２８８において類似した実施例がすで
に知られている。しかしこの出願の装置では、装置の本
体容器は半田溶接ジグとしては使用できない。出願の装
置は単相整流器の実施例として開示されているにすぎな
い。
第１０図はこの場合セラミック製ではない基板３５の平
面図であり、たとえばポリイミド樹脂またはエポキシ樹
脂などの絶縁層で表面処理された金属板であり、例えば
アルミニウムの薄板等である。
絶縁層３６は適当な静電容量を持ち、（たとえば１秒間
に３ｋＶ＜らいの耐久電圧を持つ）また同じ時間で良好
な温度状態を保つものである。さらに導電パターン層３
７が、絶縁層３６に備えられている。絶縁層と銅層を備
えたこのような金属基板としては、デンカ（ＤＥＮＫＡ
）のヒツト・プレート（Ｈｉｔ　Ｐｌａｔｅ）などがあ
る。そのため、この基板の製造方法の説明は不必要であ
る。
この第２の実施例の基板３５は四角い形をしており、装
置は中央のネジにより固定されその結果として中央に配
列されるように、中央には穴３８が開いている。さらに
第１０図の平面図は、第１１図の半田部分４０をその上
に具備した領域３９を表わしている。領域３９は融剤を
含んだ半田部分４０を、例えばスクリーン印刷の方法で
焼付けられいる。半田部分４０は乾いている。この部分
を乾燥させる工程はもう一つの工程と同時に達成される
、すなわち、プラスチック製の本体容器４５（第１４図
）に基板３５を接合させるための粘着性を乾燥させる工
程と同時に行なわれる。
第１１図は、第１０図に描かれた直線Ｃ−Ｄに沿っての
断面図である。基板３５は、例えば、約ＩＩＩＩＩＩｌ
厚のアルミニウム板と、７０μｍの絶縁層３６と、約３
５μｍの導電パターン層３７からなっている。
第１２図は、基板に装着される部品を示している、すな
わちループ状拡張部分４２と装置の内部に接続される金
具４３と半導体チップ４４を具備するプラグ・コネクタ
上部４１である。
第１３図は、プラスチック製の本体容器４５の平面図で
ある。第１４図は、プラスチック製の本体容器の断面図
であり、第１３図の直線Ｅ−Ｆによる。
さらに中央穴４６はネジを留めるためのものであり、ま
たプラスチック製の本体容器４５は、半田溶接工程時に
部品４１．４３．４４の位置を固定するために特に形成
された埋込み穴４７．１．４７．２を具備している。こ
の接続において、埋込み穴４７．１にはプラグ・コネク
タ上部４１を、埋込み穴４７．２には半導体チップ４４
をそれぞれ挿入してその位置を固定する。金具４３は第
１５図のようにそれぞれ埋込み穴４７．１，４７．２を
通過し、装着するものである。またちょうど初めに示し
た実施例の本体容器ｌＯのように、プラスチック製の本
体容器４５は耐熱性を持っていなければならない。埋込
み穴４８は基板３５を挿入するために、プラスチック製
の本体容器４５の底の部分に設けられている。
基板３５は例えば温度上昇で硬質化させたシリコン・ゴ
ムを用いて、プラスチック容器４５に接着されている。
そして、本体容器の埋込み穴４７．■と４７．２に構成
部品が挿入される。初めに半導体チップ４４が挿入され
、そして金具４３が、そして最後にプラグ・コネクタ上
部４１が挿入される。これらの部品は溶接の前に任意に
半田メッキされ、その結果として、あらかじめ半田メッ
キされた基板３５の半田メッキ領域３９に接合され、埋
込み穴４７．１゜４７．２により整列される。部品が装
着された当該装置は、第１５図で示される。
低温で融解するＰｂ５ｎ　（半田）は、溶接材料とし。
てよく使用される。部品を装着された装置は、赤外線の
照射により連続的に熱せられた炉で溶接される。溶接の
後のフラックスの残余は溶解液で洗い落される。最終的
に装置は既知の方法で、第１６図の容器の角の上部のや
や下に見ることができる高さまで封入合成物４９で満た
される。第１θ図は完成された当該電力用半導体装置を
示している。
〔発明の効果〕
この発明の本体容器によれば、生産の一過程である半田
溶接の際に、溶接すべき構成部品を本体容器に設けられ
た埋込み穴、位置区分四部に挿入しその配列を固定する
ことで、従来のような半田溶接用のジグ（補助装置）を
必要とせずに溶接を行うことが可能となり設備、工程の
簡略化が計られる。
【図面の簡単な説明】
第１図は、第２図〜第９図の電力用半導体の回路図、 第２図は、各構成要素を装着したセラミック製基板の平
面図、 第３図は、プラスチックの容器の平面図、第４図は、第
３図のプラスチックの容器の内部の図、 第５図（ａ）は、取付は金具の側面図、第５図（ｂ）は
、取付は金具の正面図、第６図（ａ）は、取付はワイヤ
ーが溶接されたプラグ・コネクターの正面図、 第６図（ｂ）は、取付はワイヤーが溶接されたプラグ・
コネクターの側面図、 第７図は、セラミック製の基板が挿入され、接続用突起
物、プラグ・コネクターが装着された容器の平面図、 第８図は、プラスチックのカバーが取付けられて完成さ
れた電力用半導体素子の平面図第９図は、完成された電
力用半導体素子の側面図、 第１０図、第１１図は、第１５図、第１６図による２番
目の模範的な実施例で説明される単相整流器の基板の平
面図、 第１２図は、２番目の模範的な実施例のための部品の側
面図、 第１３図、第１４図は、２番目の模範的な実施例のプラ
スチックの容器の平面図、 第１５図は、部品が装着された電力用半導体素子の平面
図、 第１６図は、ケースに納められた電力用半導体素子の側
面図である。 １．２・・・半導体（ダイオード）　３・・・基本端子
４・・・制御端子　５・・・セラミックの基板　６・・
・銅領域　７・・・半田溶接領域　８・・・留め金具９
・・・配線　ｌＯ・・・本体容器　１１・・・位置決め
四部Ｉ２・・・コネクタ板　１３・・・位置決め凹部壁
　１４・・・狭い位置決め凹部　１５・・・広い位置決
め四部１６・・・形成された部分　１７・・・本体容・
器カバー１８・・・固定突縁　１９・・・穴　２ｏ・・
・溝　２１・・・埋込み穴２２・・・溝　２３・・・成
形凹部　２４・・・コネクタ板上部２５・・・延長され
た穴　２６・・・狭い開口部　２７・・・狭い接続部分
　２８・・・半田溶接部　２９・・・プラグ・コネクタ
３０・・・コネクタ・タブ　３１・・・コネクタ・基礎
部３２・・・ワイアー　３３・・・ワイアーの先端部　
３４・・・ネジ　３５・・・基板　３６・・・絶縁層　
３７・・・導電パターン層　３８・・・穴　３９・・・
露出領域　４０・・・半田部分４１・・・プラグ・コネ
クタ上部　４２・・・ループ状拡張部分　４３・・・金
具　４４・・・半導体チップ　４５・・・プラスチック
製の本体容器　４Ｂ・・・中央穴　４７．１・・・特別
に形成された埋込み穴　４７．２・・・特別に形成され
た埋込み穴　４８・・・埋込み穴　４９・・・封入合成
物。 出願人代理人　弁理士　鈴江武彦 ！ −例

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）本体容器と、 前記本体容器の底面に配設され、上面に電路としての導
    電パターン層が形成された絶縁性の基板と、前記導電パ
    ターン層に半田溶接された半導体部品を具備する電力用
    半導体装置において、前記本体容器が当該装置の製造過
    程において構成部品の半田溶接の際のジグとして機能す
    る位置決め部を有することを特徴とする電力用半導体装
    置。
  2. （２）前記本体容器は、前記基板の半田溶接に必要な温
    度に耐える耐熱性を持った耐熱性プラスチックにより形
    成される請求項１に記載の電力用半導体装置。
  3. （３）前記位置決め部は、コネクタ板を装備するための
    長い位置決め部と、コネクタ板に設けられた短い接続部
    品を装着するための短い位置決め部からなる十字形状で
    ある請求項１又は２に記載の電力用半導体装置。
  4. （４）前記本体容器は、土台部分とカバー部分に分離で
    きる請求項１、２又は３に記載の電力用半導体装置。
  5. （５）前記土台部分は、溶解点が２００度以上であり、
    ガラス変態温度は１００度以上である請求項１、２、３
    又は４に記載の電力用半導体装置。
  6. （６）制御端子を形成するための一本のワイアーが半田
    溶接されているプラグ・コネクタを有する請求項１、２
    、３、４又は５に記載の電力用半導体装置。
  7. （７）制御端子のためのプラグ・コネクタが、前記本体
    容器の成形凹部に挿入される請求項１、２、３、４、５
    又は６に記載の電力用半導体装置。
  8. （８）前記基板は、セラミック製である請求項１、２、
    ３、４、５、６又は７に記載の電力用半導体装置。
  9. （９）前記基板は、前記基板との間に絶縁層を介した銅
    の導電パターン層を有する金属基板である請求項１、２
    、３、４、５、６又は７に記載の電力用半導体装置。
  10. （１０）半導体部品を基板に装着し半田溶接し、一回目
    の半田溶接で当該装置に必要な内部接続を行うステップ
    と、 埋込み穴に装着された半導体部品を伴う基板を、耐熱性
    プラスチックで構成された本体容器の底面に接着するス
    テップと、 本体容器の位置決め凹部にコネクタ板を挿入し、必要に
    応じて半田ペーストが付けられたコネクタ板の半田溶接
    部を、銅領域からなる導電パターン層の一部であり必要
    に応じてあらかじめ半田メッキを設けた半田溶接領域に
    溶接し、前記本体容器の成型凹部にプラグ・コネクタを
    挿入するステップと、 プラグ・コネクタに形どられるか溶接され末端を持ち必
    要に応じて半田ペーストを付けたワイアーを、半田が設
    けられた導電パターン層の部分に半田溶接するステップ
    と、 一回目の半田溶接が溶けてしまうことがない温度で、二
    回目の半田溶接を行なうステップと、本体容器内に封入
    物を封入し、カバーを装着するステップとでなる電力用
    半導体装置の製造方法。
  11. （１１）半田溶接可能の金属被膜の基板に半田ペースト
    を塗布するステップと、 前記基板を耐熱性プラスチック製の本体容器に接着する
    ステップと、 前記本体容器に接着された前記基板に構成部品を装着す
    るステップと、 半田溶接工程を行なうステップと、 当該装置を実装するステップをさらに有する請求項１０
    に記載の電力用半導体装置の製造方法。
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