JPS60157243A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS60157243A JPS60157243A JP1371984A JP1371984A JPS60157243A JP S60157243 A JPS60157243 A JP S60157243A JP 1371984 A JP1371984 A JP 1371984A JP 1371984 A JP1371984 A JP 1371984A JP S60157243 A JPS60157243 A JP S60157243A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- terminals
- sealing resin
- sealed
- external terminals
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/02—Containers; Seals
- H01L23/04—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
- H01L23/053—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having an insulating or insulated base as a mounting for the semiconductor body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/16—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations, e.g. centering rings
- H01L23/18—Fillings characterised by the material, its physical or chemical properties, or its arrangement within the complete device
- H01L23/24—Fillings characterised by the material, its physical or chemical properties, or its arrangement within the complete device solid or gel at the normal operating temperature of the device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は、電力半導体モジュールなどに使用する半導
体装置の改良に関するものである。
体装置の改良に関するものである。
近年、電子機器の発達は著しく、その小形軽量化が急速
に進んでいる。これらの基をなすものは、半導体装置の
小形化および信頼性の同上によるものである。このなか
でも特にトランジスタの大電流容量化に伴う中容量の電
力用半導体装置としての応用が活発になっており、小形
軽量化を図ったパワーモジュールの分野への適用も多く
なってきて（する。
に進んでいる。これらの基をなすものは、半導体装置の
小形化および信頼性の同上によるものである。このなか
でも特にトランジスタの大電流容量化に伴う中容量の電
力用半導体装置としての応用が活発になっており、小形
軽量化を図ったパワーモジュールの分野への適用も多く
なってきて（する。
コノよ５ ナバヮーモジュールの特長は軽量化と低価格
であるが、このためには樹脂封止形となる。
であるが、このためには樹脂封止形となる。
パワーモジュールでは、複数個の半導体チップを組込ん
でおり、半導体チップ自体も大電流容量化に伴ない大き
くなるため、外形寸法は従来の樹脂封止形半導体装置に
比べ、かなり大きなものとなる。最近では、６素子入り
（トランジスタチップ。
でおり、半導体チップ自体も大電流容量化に伴ない大き
くなるため、外形寸法は従来の樹脂封止形半導体装置に
比べ、かなり大きなものとなる。最近では、６素子入り
（トランジスタチップ。
フライホイルタイオード、スピードアップダイオード各
１チップの６倍）のパワーモジュールも実用化されてい
る。このようなことから、パワーモジュールの樹脂封止
には従来のものとは異なった構造が必要となってくる。
１チップの６倍）のパワーモジュールも実用化されてい
る。このようなことから、パワーモジュールの樹脂封止
には従来のものとは異なった構造が必要となってくる。
なかでも、最も問題となるのは外形が大きくなることに
より、容器内に充てんされる樹脂の体積が大きくなり半
導体チップの発熱による温度上昇で、封止樹脂の膨張や
温度低下時における収縮によるひずみがチップやアルミ
線に加わりチップの割れやアルミ線の断線の原因となる
ことがある。
より、容器内に充てんされる樹脂の体積が大きくなり半
導体チップの発熱による温度上昇で、封止樹脂の膨張や
温度低下時における収縮によるひずみがチップやアルミ
線に加わりチップの割れやアルミ線の断線の原因となる
ことがある。
これらを防止するため、最近は、各器内部の下層には絶
縁材としてのゲル状軟質樹脂で封止してチップやアルミ
線部を囲み、上層には充てん後硬化することにより強度
の方が高くなる封止樹脂で封止し、引出された外部端子
の保持とモジュールの機械的保繰とを行う二重の樹脂封
止構造のものが増えてきた〇 この棟の従来の半導体装置を第１図に斜視図で示す。第
２図は第１図の要部を拡大して示す断面図である。これ
らの図はパワーモジュールに使用するトランジスタの場
合を示し、１は放熱板で、上面にアルミナ材などからな
る絶縁基板２が固着されている。この絶縁基板２上には
ベース電極３Ｂ、コレクタ電極３Ｃ，エミッタ電極３Ｅ
が固着されている。コレクタ電極３Ｃ上には、トランジ
スタ素子４が固着されている。また、ベース電極３Ｂか
ら外部端子１４．エミッタ４極３Ｅから外部端子１５へ
引出されている。トランジスタ素子４上面のペースボン
ディングバットおよびエミッタホンデインクバットと対
応するベース奄４１１３Ｂ。
縁材としてのゲル状軟質樹脂で封止してチップやアルミ
線部を囲み、上層には充てん後硬化することにより強度
の方が高くなる封止樹脂で封止し、引出された外部端子
の保持とモジュールの機械的保繰とを行う二重の樹脂封
止構造のものが増えてきた〇 この棟の従来の半導体装置を第１図に斜視図で示す。第
２図は第１図の要部を拡大して示す断面図である。これ
らの図はパワーモジュールに使用するトランジスタの場
合を示し、１は放熱板で、上面にアルミナ材などからな
る絶縁基板２が固着されている。この絶縁基板２上には
ベース電極３Ｂ、コレクタ電極３Ｃ，エミッタ電極３Ｅ
が固着されている。コレクタ電極３Ｃ上には、トランジ
スタ素子４が固着されている。また、ベース電極３Ｂか
ら外部端子１４．エミッタ４極３Ｅから外部端子１５へ
引出されている。トランジスタ素子４上面のペースボン
ディングバットおよびエミッタホンデインクバットと対
応するベース奄４１１３Ｂ。
エミッタ電ｔｉ３Ｂへは、それぞれアルミ線でボンディ
ング接続している。
ング接続している。
次にや上記従来装置の組立てについて説明する。
まず、絶縁基板２０両面に所要はんだ付は箇所にメタラ
イズ層を施す。放熱板１上にはんだ薄片を介して絶縁基
板２を置く。次いで、この絶縁基板２上にそれぞれはん
だ薄片を介しコレクタｋｊｔ４１３Ｃ，ベース電！３Ｂ
、エミッタ電極３Ｅを載せる。
イズ層を施す。放熱板１上にはんだ薄片を介して絶縁基
板２を置く。次いで、この絶縁基板２上にそれぞれはん
だ薄片を介しコレクタｋｊｔ４１３Ｃ，ベース電！３Ｂ
、エミッタ電極３Ｅを載せる。
さらに、コレクタ電極３Ｃ上にはんだ薄片を介しトラン
ジスタ素子４を配置する。このように、各部品が載せら
れた放熱板１を組立設備の熱板（図示せず）上に載せ、
加熱して各部品をはんだ融着する。次に、トランジスタ
素子４上面のポンティングパットと対応する各電極３Ｂ
、３Ｃ，３Ｅとをそれぞれアルミ線によりワイヤポンド
する。
ジスタ素子４を配置する。このように、各部品が載せら
れた放熱板１を組立設備の熱板（図示せず）上に載せ、
加熱して各部品をはんだ融着する。次に、トランジスタ
素子４上面のポンティングパットと対応する各電極３Ｂ
、３Ｃ，３Ｅとをそれぞれアルミ線によりワイヤポンド
する。
各電極３Ｂ、３Ｃ，３にの先端を上方に曲げ起こし、電
極の外部端子９〜１５にはんだ付は等により接続し形成
する。次いで、放熱板１上に外装容器５を接着剤等で接
着し、外装容器５内部の下層には絶縁材としてのゲル状
封止樹脂６で封止し、外装容器５の上層には各外部端子
９〜１５を固定のため硬化封止樹脂１で封止して製品が
完成される。
極の外部端子９〜１５にはんだ付は等により接続し形成
する。次いで、放熱板１上に外装容器５を接着剤等で接
着し、外装容器５内部の下層には絶縁材としてのゲル状
封止樹脂６で封止し、外装容器５の上層には各外部端子
９〜１５を固定のため硬化封止樹脂１で封止して製品が
完成される。
ところで、上記従来の半導体装置は、外部端子９〜１５
の位置決めが非常に困難であり、位置決めのための外部
端子９〜１５の位置修正に多くの時間を必要とし、また
、治工具等を使用しなければ位置決めができず多くの作
業時間がかかる等の欠点があった。
の位置決めが非常に困難であり、位置決めのための外部
端子９〜１５の位置修正に多くの時間を必要とし、また
、治工具等を使用しなければ位置決めができず多くの作
業時間がかかる等の欠点があった。
この発明は、上記の欠点を解消するためになされたもの
で、外装容器の上部に、外部端子が確実に所定の位置に
来るように外装容器上部内側に穴または切欠部を設ける
ことにより外部でのプリント配線等が容易にできる半導
体装置を提供することを目的としている。
で、外装容器の上部に、外部端子が確実に所定の位置に
来るように外装容器上部内側に穴または切欠部を設ける
ことにより外部でのプリント配線等が容易にできる半導
体装置を提供することを目的としている。
〔発明の実施例Ｊ
以下、この発明について説明する。
第３図、第４図はこの発明の一実施例を示すもので、第
３図はモジュールに使用するトランジスタパワーの半導
体装置を示す斜視図、第４図は萬３図の要部を拡大して
示す断面図である。
３図はモジュールに使用するトランジスタパワーの半導
体装置を示す斜視図、第４図は萬３図の要部を拡大して
示す断面図である。
これらの図において、第１図、第２図と同一符号は同一
部分を示し、８は前記外装容器５の上部内側で各外部端
子９〜１５が確実に所定の位置に位置決めをするための
穴で、下方に向ってテーパが形成されている。
部分を示し、８は前記外装容器５の上部内側で各外部端
子９〜１５が確実に所定の位置に位置決めをするための
穴で、下方に向ってテーパが形成されている。
次に、上記半導体装置の組立てについて説明する。
第４図に示すごとく放熱板１上にはんだ薄片を介して絶
縁基板２を置く。次いで、この絶縁基板２上にそれぞれ
はんだ薄片を介しコレクタ電＃３Ｃ，ベース電極３Ｂ、
エミッタ電極３Ｅを載せ、さらに、コレクタ電極３Ｃ上
にはんだ薄片を介しトランジスタ素子４を配置する。次
に、トランジスタ素子４上面のポンティングパッドと対
応する各電極３Ｂ、３Ｃ，３Ｂとをそれぞれアルミ線に
よりワイヤポンドする。各＠ｍ３Ｂ、３Ｃ，３Ｂの先端
を上方に曲げ起こし各電極３Ｂ、 ３０．３Ｈの外部端
子９〜１５にはんだ付は等により接続し形成する。次い
で、放熱板１上に外装容器５を接着剤等で接着する場合
は、外装容器５の穴８に外部端子９〜１５を挿入してか
ら接着する。その後、外装容器５内部の下層にをまゲル
状封止樹脂６．上層には外部端子９〜１５を固定するた
め硬化封止樹脂Ｔで封止し製品を完成させる。
縁基板２を置く。次いで、この絶縁基板２上にそれぞれ
はんだ薄片を介しコレクタ電＃３Ｃ，ベース電極３Ｂ、
エミッタ電極３Ｅを載せ、さらに、コレクタ電極３Ｃ上
にはんだ薄片を介しトランジスタ素子４を配置する。次
に、トランジスタ素子４上面のポンティングパッドと対
応する各電極３Ｂ、３Ｃ，３Ｂとをそれぞれアルミ線に
よりワイヤポンドする。各＠ｍ３Ｂ、３Ｃ，３Ｂの先端
を上方に曲げ起こし各電極３Ｂ、 ３０．３Ｈの外部端
子９〜１５にはんだ付は等により接続し形成する。次い
で、放熱板１上に外装容器５を接着剤等で接着する場合
は、外装容器５の穴８に外部端子９〜１５を挿入してか
ら接着する。その後、外装容器５内部の下層にをまゲル
状封止樹脂６．上層には外部端子９〜１５を固定するた
め硬化封止樹脂Ｔで封止し製品を完成させる。
第５図はこの発明の他の実施例を示す要部の斜視図であ
る。この実施例では第３図、第４図の実施例における穴
８に代えて切欠部８′を用いたものである。作用効果は
穴８の場合とはとんと同一であるが、外部端子１４．１
５の挿通が穴８より切欠部ぎの方が容易である。
る。この実施例では第３図、第４図の実施例における穴
８に代えて切欠部８′を用いたものである。作用効果は
穴８の場合とはとんと同一であるが、外部端子１４．１
５の挿通が穴８より切欠部ぎの方が容易である。
なお、外部端子９〜１５の断面形状は、円形。
矩形等任意でよい。
以上説明したようにこの発明は、半導体装置の上部内側
で各外部端子を所定の位置に位置決めするための穴また
は切欠部を設けたので、各外部端子の位置が正確に位置
決めされる。このため、パワーモジュールを使用したイ
ンバータセット等を組立てる場合、プリント配線等の利
用ができると同時に、外部端子の接続も一体化ができ組
立て工ら 数を直ことができる等の洞点を有する。
で各外部端子を所定の位置に位置決めするための穴また
は切欠部を設けたので、各外部端子の位置が正確に位置
決めされる。このため、パワーモジュールを使用したイ
ンバータセット等を組立てる場合、プリント配線等の利
用ができると同時に、外部端子の接続も一体化ができ組
立て工ら 数を直ことができる等の洞点を有する。
、４、図面の簡単な説明
第１図、第２図は従来の半導体装置を示す斜視図と、第
１図の要部を拡大して示す断面図、第３図、第４図はこ
の発明の一実施例を示−ｒ斜視図と第３図の要部を拡大
して示す断面図、第５図はこの発明の他の実施例を示す
要部の斜視図である。
１図の要部を拡大して示す断面図、第３図、第４図はこ
の発明の一実施例を示−ｒ斜視図と第３図の要部を拡大
して示す断面図、第５図はこの発明の他の実施例を示す
要部の斜視図である。
図中、１は放熱板、２は絶縁基板、３Ｂはベース電極、
３Ｃはコレクタ電極、３Ｂはエミッタ電極、４はトラン
ジスタ素子、５は外装容器、６はグル状封止樹脂、７は
硬化封止樹脂、８は穴、ビは切欠部、９ｊ １０，１１
，１２，１３，１４゜１５は外部端子である。
３Ｃはコレクタ電極、３Ｂはエミッタ電極、４はトラン
ジスタ素子、５は外装容器、６はグル状封止樹脂、７は
硬化封止樹脂、８は穴、ビは切欠部、９ｊ １０，１１
，１２，１３，１４゜１５は外部端子である。
なお、図中の同一符号は同一または相当部分を示す。
代理人 大岩増雄 （外２名）
第１図
１ｑ
第２図
（３Ｃ，３Ｅ）
第３図
第５図 第４図
Claims (1)
- 放熱板上に絶縁基板を固着し、この絶縁基板上に僅数種
の電極を配置して固層し、これらの電極のうち所定のＷ
ｔａｘ上に半導体チップを装着し、前記各所定の電極か
ら上方に外部端子を引出し、前ｉ己放熱板上の周縁部に
沿って固着され絶縁相かうなる外装容器の下層にはグル
状封止樹脂を封入し、前記外装容器の上層には前記外部
端子固定のための硬化封止樹脂で封止した半導体装置に
おいて、前記外装容器の上部内側に前記各外部端子を所
定の位置に位置決めをするための穴または切欠部を設け
たことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1371984A JPS60157243A (ja) | 1984-01-25 | 1984-01-25 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1371984A JPS60157243A (ja) | 1984-01-25 | 1984-01-25 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60157243A true JPS60157243A (ja) | 1985-08-17 |
| JPH0228261B2 JPH0228261B2 (ja) | 1990-06-22 |
Family
ID=11841048
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1371984A Granted JPS60157243A (ja) | 1984-01-25 | 1984-01-25 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60157243A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6169844U (ja) * | 1984-10-12 | 1986-05-13 | ||
| JPH02114981U (ja) * | 1989-03-03 | 1990-09-14 | ||
| EP0438165A2 (en) * | 1990-01-18 | 1991-07-24 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device parts |
| US5285106A (en) * | 1990-01-18 | 1994-02-08 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device parts |
| WO1998052221A1 (de) * | 1997-05-09 | 1998-11-19 | Eupec Europäische Gesellschaft Für Leistungshalbleiter Mbh + Co. Kg | Leistungshalbleitermodul mit keramiksubstrat |
| JP2014143373A (ja) * | 2013-01-25 | 2014-08-07 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
| DE112008003425B4 (de) | 2007-12-20 | 2023-08-31 | Aisin Aw Co., Ltd. | Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5192064A (ja) * | 1975-02-11 | 1976-08-12 | ||
| JPS5412386A (en) * | 1977-06-28 | 1979-01-30 | Teijin Ltd | Isocarbostyril derivative |
| JPS5435666A (en) * | 1977-08-25 | 1979-03-15 | Fujitsu Ltd | Timing extraction system |
| JPS56145850U (ja) * | 1980-04-02 | 1981-11-04 | ||
| JPS57177547A (en) * | 1981-04-08 | 1982-11-01 | Thomson Csf | Case for middle output semiconductor element and method of producing same |
| JPS587346A (ja) * | 1981-07-07 | 1983-01-17 | 株式会社東海理化電機製作所 | プラスチツク積層体 |
-
1984
- 1984-01-25 JP JP1371984A patent/JPS60157243A/ja active Granted
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5192064A (ja) * | 1975-02-11 | 1976-08-12 | ||
| JPS5412386A (en) * | 1977-06-28 | 1979-01-30 | Teijin Ltd | Isocarbostyril derivative |
| JPS5435666A (en) * | 1977-08-25 | 1979-03-15 | Fujitsu Ltd | Timing extraction system |
| JPS56145850U (ja) * | 1980-04-02 | 1981-11-04 | ||
| JPS57177547A (en) * | 1981-04-08 | 1982-11-01 | Thomson Csf | Case for middle output semiconductor element and method of producing same |
| JPS587346A (ja) * | 1981-07-07 | 1983-01-17 | 株式会社東海理化電機製作所 | プラスチツク積層体 |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6169844U (ja) * | 1984-10-12 | 1986-05-13 | ||
| JPH0342685Y2 (ja) * | 1984-10-12 | 1991-09-06 | ||
| JPH02114981U (ja) * | 1989-03-03 | 1990-09-14 | ||
| JPH0611537Y2 (ja) * | 1989-03-03 | 1994-03-23 | 新電元工業株式会社 | 樹脂封止型電子回路装置 |
| EP0438165A2 (en) * | 1990-01-18 | 1991-07-24 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device parts |
| US5285106A (en) * | 1990-01-18 | 1994-02-08 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device parts |
| WO1998052221A1 (de) * | 1997-05-09 | 1998-11-19 | Eupec Europäische Gesellschaft Für Leistungshalbleiter Mbh + Co. Kg | Leistungshalbleitermodul mit keramiksubstrat |
| DE112008003425B4 (de) | 2007-12-20 | 2023-08-31 | Aisin Aw Co., Ltd. | Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements |
| JP2014143373A (ja) * | 2013-01-25 | 2014-08-07 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0228261B2 (ja) | 1990-06-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US9496205B2 (en) | Power semiconductor package | |
| JPH06216266A (ja) | 電子装置パッケージ・アセンブリー | |
| US7002251B2 (en) | Semiconductor device | |
| JP2895920B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPS62202548A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS60157243A (ja) | 半導体装置 | |
| JP3619708B2 (ja) | パワー半導体モジュール | |
| JPH0661372A (ja) | ハイブリッドｉｃ | |
| JP3258428B2 (ja) | 複合半導体装置の製造方法 | |
| JPH07176664A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| KR101008534B1 (ko) | 전력용 반도체모듈패키지 및 그 제조방법 | |
| JP3454192B2 (ja) | リードフレームとそれを用いた樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 | |
| KR900001744B1 (ko) | 반도체장치 | |
| JP2975782B2 (ja) | 混成集積回路装置およびこれに用いるケース材 | |
| JP3295987B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR102371636B1 (ko) | 양면 기판 반도체 제조 방법 | |
| JP2974819B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPS6219063B2 (ja) | ||
| JPS615535A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2000124251A (ja) | 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器 | |
| JP2003007899A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH11219969A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0451488Y2 (ja) | ||
| JPH0543485Y2 (ja) | ||
| JPH0357619B2 (ja) |