JPS63152155A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS63152155A JPS63152155A JP30067486A JP30067486A JPS63152155A JP S63152155 A JPS63152155 A JP S63152155A JP 30067486 A JP30067486 A JP 30067486A JP 30067486 A JP30067486 A JP 30067486A JP S63152155 A JPS63152155 A JP S63152155A
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- sio2
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 36
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 23
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims abstract description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 12
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims abstract description 7
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims abstract description 7
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 20
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 abstract description 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 8
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract 8
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract 8
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract 8
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract 8
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 8
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 abstract 1
- 238000009279 wet oxidation reaction Methods 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 11
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 4
- 241000293849 Cordylanthus Species 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Element Separation (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は半導体装置の製造方法に係り、特に、選択酸化
による微細な素子分離領域の形成方法に関するものであ
る。更に述べるならば、本発明は、バーズビーク伸長抑
制のための、シリコン窒化膜から成るオフセソIf設け
る構成の素子分離領域形成方法の改良に関するものであ
る。
による微細な素子分離領域の形成方法に関するものであ
る。更に述べるならば、本発明は、バーズビーク伸長抑
制のための、シリコン窒化膜から成るオフセソIf設け
る構成の素子分離領域形成方法の改良に関するものであ
る。
〈従来の技術〉
第2図(a)〜(e)は従来の製造方法の主要工程段階
に於ける状態全示す断面図である。
に於ける状態全示す断面図である。
シリコン基板1上に熱酸化膜2を形成した後、シリコン
窒化@3、シリコン酸化膜4を順次堆積し、マスク形成
、反応性イオンエツチングにより、素子領域予定領域上
に、熱酸化膜2、シリコン窒化膜3、シリコン酸化膜4
のパターンを形成する(第2図(a))。続いて、薄い
シリコン窒化膜5、シリコン酸化膜6′f:堆積する(
第2図(b) )。反応性イオンエツチングにより素子
領域予定領域周辺にシリコン酸化膜のサイドウオール6
′を形成し、続いて、このサイドウオール6′及びシリ
コン酸化膜4にマスクとしてシリコン窒化膜5テエノチ
ングする(第2図(C))。シリコン酸化膜4とシリコ
ン酸化膜のサイドウオール6′ヲウエノトエノチングに
より除去し、シリコン窒化膜のオフセット5′ヲ形成す
る(第2図(d))。この結果、素子分離予定領域の周
囲にシリコン窒化膜のオフセットが形成された状態とな
る。しかる後、スチーム雰囲気中で選択酸化全行ない、
フィールド酸化膜7を形成する(第2図(e))。
窒化@3、シリコン酸化膜4を順次堆積し、マスク形成
、反応性イオンエツチングにより、素子領域予定領域上
に、熱酸化膜2、シリコン窒化膜3、シリコン酸化膜4
のパターンを形成する(第2図(a))。続いて、薄い
シリコン窒化膜5、シリコン酸化膜6′f:堆積する(
第2図(b) )。反応性イオンエツチングにより素子
領域予定領域周辺にシリコン酸化膜のサイドウオール6
′を形成し、続いて、このサイドウオール6′及びシリ
コン酸化膜4にマスクとしてシリコン窒化膜5テエノチ
ングする(第2図(C))。シリコン酸化膜4とシリコ
ン酸化膜のサイドウオール6′ヲウエノトエノチングに
より除去し、シリコン窒化膜のオフセット5′ヲ形成す
る(第2図(d))。この結果、素子分離予定領域の周
囲にシリコン窒化膜のオフセットが形成された状態とな
る。しかる後、スチーム雰囲気中で選択酸化全行ない、
フィールド酸化膜7を形成する(第2図(e))。
−〈発明が解決しようとする問題点〉
しかしながら、上記従来の製造方法には以下に示す問題
点がめった。すなわち、従来の方法では、素子分離領域
端の形状が急峻になり、基板に損傷が生じ易いという問
題点があった。
点がめった。すなわち、従来の方法では、素子分離領域
端の形状が急峻になり、基板に損傷が生じ易いという問
題点があった。
本発明は上記問題点を解決することを目的としているも
のであり、素子分離領域幅を縮小しながらも、適度のバ
ーズビークを形成させ、これによって、素子分離領域端
の形状?緩やかにし、損傷発生の低減化を達成した半導
体装置製造方法全提供するものである。
のであり、素子分離領域幅を縮小しながらも、適度のバ
ーズビークを形成させ、これによって、素子分離領域端
の形状?緩やかにし、損傷発生の低減化を達成した半導
体装置製造方法全提供するものである。
く問題点を解決するための手段〉
その下面、すなわち、シリコン基板との間に薄いシリコ
ン酸化膜を有する、シリコン窒化膜のオフセノIf形成
し、その後、選択酸化を行なって素子分離領域を形成す
る。
ン酸化膜を有する、シリコン窒化膜のオフセノIf形成
し、その後、選択酸化を行なって素子分離領域を形成す
る。
く作 用〉
上記溝底とすることにより、適度のバーズビークが形成
され、素子分離領域端の形状が緩やかになる。
され、素子分離領域端の形状が緩やかになる。
〈実施例〉
以下、実施例に基づいて本発明の詳細な説明する。
第1図(a)〜(g)は本発明の一実施例の主要工程段
階に於ける状態を示す断面図である。
階に於ける状態を示す断面図である。
まず、P型シリコン基板lI上に熱酸化膜I2を形成し
た後、シリコン窒化膜13、シリコン酸化膜14を順次
堆積・する(第1図(a) )。続いて、マスク形成、
反応性イオンエツチングにより、素子領域予定領域上に
、熱酸化膜12、シリコン窒化膜13及びシリコン酸化
膜14のパターンを形成する(第1図(b))。次いで
、薄い熱、酸化膜15を形成し、薄いシリコン窒化膜1
6、シリコン酸化膜17を堆積する(第1図(C))。
た後、シリコン窒化膜13、シリコン酸化膜14を順次
堆積・する(第1図(a) )。続いて、マスク形成、
反応性イオンエツチングにより、素子領域予定領域上に
、熱酸化膜12、シリコン窒化膜13及びシリコン酸化
膜14のパターンを形成する(第1図(b))。次いで
、薄い熱、酸化膜15を形成し、薄いシリコン窒化膜1
6、シリコン酸化膜17を堆積する(第1図(C))。
反応性イオンエツチングにより素子領域予定領域の周辺
にシリコン酸化膜のサイドウオール17′ヲ形成する(
第1図(d))。続いて、シリコン酸化膜のサイドウオ
ール17′とシリコン酸化膜14をマスクとして、シリ
コン窒化膜16と薄い熱酸化膜15をエツチングする(
第1図(e〕)。絖いて、シリコン酸化膜I4とシリコ
ン酸化膜のサイドウオール17′をウェットエツチング
により除去し、シリコン窒化膜のオフセット+6’4形
成する(第1図(f))。この結果、素子分離予定領域
の周囲に、薄い熱酸化膜I5をパック7層として持つシ
リコン窒化膜のオフセットが形成される。途中、第1図
(e)の段階で、フィールド反転防止のために、不純物
、例えばIIB+をイオン注入する(18:P型反転防
止層)しかる後、スチーム雰囲気中で選択酸化全行い、
フィールド酸化膜19を形成する(第1図(g))。
にシリコン酸化膜のサイドウオール17′ヲ形成する(
第1図(d))。続いて、シリコン酸化膜のサイドウオ
ール17′とシリコン酸化膜14をマスクとして、シリ
コン窒化膜16と薄い熱酸化膜15をエツチングする(
第1図(e〕)。絖いて、シリコン酸化膜I4とシリコ
ン酸化膜のサイドウオール17′をウェットエツチング
により除去し、シリコン窒化膜のオフセット+6’4形
成する(第1図(f))。この結果、素子分離予定領域
の周囲に、薄い熱酸化膜I5をパック7層として持つシ
リコン窒化膜のオフセットが形成される。途中、第1図
(e)の段階で、フィールド反転防止のために、不純物
、例えばIIB+をイオン注入する(18:P型反転防
止層)しかる後、スチーム雰囲気中で選択酸化全行い、
フィールド酸化膜19を形成する(第1図(g))。
以下、図示しないが通常の工程に従い、フィールド酸化
膜19で囲まれた素子領域に素子を形成して半導体装置
を形成する。
膜19で囲まれた素子領域に素子を形成して半導体装置
を形成する。
〈発明の効果〉
以上詳細に説明したように、本発明の半導体装置製造方
法は、シリコン基板との間に薄いシリコン酸化膜を有す
るオフセラ)k形成した後、選択酸化を行って、素子分
離領域を形成するようにしたことを特徴とするものであ
り、本発明によれば、素子分離領域の縮小化を達成でき
ると同時に、基板中の損傷発生も防止することができる
、きわめて有用な半導体装置製造方法を提供することが
できるものである。
法は、シリコン基板との間に薄いシリコン酸化膜を有す
るオフセラ)k形成した後、選択酸化を行って、素子分
離領域を形成するようにしたことを特徴とするものであ
り、本発明によれば、素子分離領域の縮小化を達成でき
ると同時に、基板中の損傷発生も防止することができる
、きわめて有用な半導体装置製造方法を提供することが
できるものである。
第1図(a)乃至(g)は本発明に係る素子分離領域形
成工程を工程順に示す断面図、第2回軸)乃至(e)は
従来の素子分離領域形成工程を工程順に示す断面コ 図
である。 符号の説明 +1:P型シリコン基板、12:熱酸化膜、13・シリ
コン窒化膜、14:シリコン酸化膜、+5:薄い熱酸化
膜、16:薄いシリコン窒化膜、16’ニジIJコン窒
化膜のオフセラ)、+7:ンIJコン酸化膜、17′:
シリコン酸化膜のサイドウオール、18:P型反転防止
層、+9:フィールド酸化膜。
成工程を工程順に示す断面図、第2回軸)乃至(e)は
従来の素子分離領域形成工程を工程順に示す断面コ 図
である。 符号の説明 +1:P型シリコン基板、12:熱酸化膜、13・シリ
コン窒化膜、14:シリコン酸化膜、+5:薄い熱酸化
膜、16:薄いシリコン窒化膜、16’ニジIJコン窒
化膜のオフセラ)、+7:ンIJコン酸化膜、17′:
シリコン酸化膜のサイドウオール、18:P型反転防止
層、+9:フィールド酸化膜。
Claims (1)
- 1、シリコン窒化膜から成るオフセットを形成した後、
選択酸化を行なって素子分離用フィールド酸化膜を形成
する、半導体装置の製造方法に於いて、上記オフセット
とシリコン基板との間に薄いシリコン酸化膜を設ける構
成としたことを特徴とする、半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30067486A JPS63152155A (ja) | 1986-12-16 | 1986-12-16 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30067486A JPS63152155A (ja) | 1986-12-16 | 1986-12-16 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63152155A true JPS63152155A (ja) | 1988-06-24 |
Family
ID=17887706
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP30067486A Pending JPS63152155A (ja) | 1986-12-16 | 1986-12-16 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63152155A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03156957A (ja) * | 1989-11-15 | 1991-07-04 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
US5068202A (en) * | 1988-12-15 | 1991-11-26 | Sgs-Thomson Microelectronics S.R.L. | Process for excavating trenches with a rounded bottom in a silicon substrate for making trench isolation structures |
US5173444A (en) * | 1990-09-18 | 1992-12-22 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method for forming a semiconductor device isolation region |
US7192840B2 (en) | 2002-10-30 | 2007-03-20 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Semiconductor device fabrication method using oxygen ion implantation |
-
1986
- 1986-12-16 JP JP30067486A patent/JPS63152155A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5068202A (en) * | 1988-12-15 | 1991-11-26 | Sgs-Thomson Microelectronics S.R.L. | Process for excavating trenches with a rounded bottom in a silicon substrate for making trench isolation structures |
JPH03156957A (ja) * | 1989-11-15 | 1991-07-04 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
US5173444A (en) * | 1990-09-18 | 1992-12-22 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method for forming a semiconductor device isolation region |
US7192840B2 (en) | 2002-10-30 | 2007-03-20 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Semiconductor device fabrication method using oxygen ion implantation |
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