JPS63133561A - 溝形キヤパシタの製造方法 - Google Patents
溝形キヤパシタの製造方法Info
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- JPS63133561A JPS63133561A JP28021286A JP28021286A JPS63133561A JP S63133561 A JPS63133561 A JP S63133561A JP 28021286 A JP28021286 A JP 28021286A JP 28021286 A JP28021286 A JP 28021286A JP S63133561 A JPS63133561 A JP S63133561A
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Landscapes
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、ＭＯ３形集積回路の一要素である溝形キャパ
シタの製造方法に関するものである。
シタの製造方法に関するものである。
従来の技術
従来、溝形キャパシタの製造方法は、第２図に示すよう
な工程で行なわれていた。
な工程で行なわれていた。
まず、シリコン基板１の上に酸化シリコン膜２を成長さ
せた後、写真食刻法により開口を設ける（第２図Ａ）。
せた後、写真食刻法により開口を設ける（第２図Ａ）。
次に、酸化シリコン膜２をマスクとしてドライエツチン
グを施し、シリコン基板１に溝３を形成する（第２図Ｂ
）。酸化シリコン膜２をエツチングで除去した後、シリ
コン基板ｌの表面および溝３の内壁に酸化シリコン膜４
を９００℃〜１１００℃の温度で成長させる（第２図Ｃ
）。この酸化シリコン膜４を除去することによってドラ
イエツチング時に溝の内壁に誘起された損傷部を除去す
る（第２図Ｄ）。次に、シリコン基板１の表面および溝
３の内壁に酸化シリコン膜５を成長させてキャパシタ用
の誘電体膜を形成した後、この上にキャパシタの一方の
電極となるポリシリコン膜６を被着する（第２［ＩＵＥ
）。以上の工程を経て溝形キャパシタが形成される。
グを施し、シリコン基板１に溝３を形成する（第２図Ｂ
）。酸化シリコン膜２をエツチングで除去した後、シリ
コン基板ｌの表面および溝３の内壁に酸化シリコン膜４
を９００℃〜１１００℃の温度で成長させる（第２図Ｃ
）。この酸化シリコン膜４を除去することによってドラ
イエツチング時に溝の内壁に誘起された損傷部を除去す
る（第２図Ｄ）。次に、シリコン基板１の表面および溝
３の内壁に酸化シリコン膜５を成長させてキャパシタ用
の誘電体膜を形成した後、この上にキャパシタの一方の
電極となるポリシリコン膜６を被着する（第２［ＩＵＥ
）。以上の工程を経て溝形キャパシタが形成される。
発明が解決しようとする問題点
酸化工程を１１００℃程度の高温で行うと拡散領域の不
純物が再分布をおこすため、酸化工程は、普通９００℃
程度の低温で行われる。ところで、溝の内壁の損傷部の
除去のため酸化膜を形成する工程で９００℃程度の低温
で行うと、溝３の開口端にストレスがかかり、この酸化
膜を除去した後に開口端がとがるホーン現象が生じ、こ
の部分に電界が集中してキャパシタの耐圧特性が劣化す
る不都合があった。
純物が再分布をおこすため、酸化工程は、普通９００℃
程度の低温で行われる。ところで、溝の内壁の損傷部の
除去のため酸化膜を形成する工程で９００℃程度の低温
で行うと、溝３の開口端にストレスがかかり、この酸化
膜を除去した後に開口端がとがるホーン現象が生じ、こ
の部分に電界が集中してキャパシタの耐圧特性が劣化す
る不都合があった。
本発明は、溝の開口部の端縁に丸みをもたせることがで
きる方法を提供することを目的とするものである。
きる方法を提供することを目的とするものである。
問題点を解決するための手段
この問題点を解決するために本発明は、シリコン基板の
エツチング時のマスクとして、酸化シリコン膜と窒化シ
リコン膜の積層膜をエツチングマスクとしで用いてシリ
コン基板に溝を形成した後、さらに、この積層膜をマス
クとして溝の内壁を酸化し、この時、形成された酸化膜
と前記積層膜を除去した後、キャパシタ用の誘電体とな
る酸化シリコン膜とキャパシタの電極となるポリシリコ
ン膜を順次、溝の内壁に形成するものである。
エツチング時のマスクとして、酸化シリコン膜と窒化シ
リコン膜の積層膜をエツチングマスクとしで用いてシリ
コン基板に溝を形成した後、さらに、この積層膜をマス
クとして溝の内壁を酸化し、この時、形成された酸化膜
と前記積層膜を除去した後、キャパシタ用の誘電体とな
る酸化シリコン膜とキャパシタの電極となるポリシリコ
ン膜を順次、溝の内壁に形成するものである。
作用
この製造方法によれば、溝の開口部の端縁に丸みを容易
に形成することができる。
に形成することができる。
実施例
本発明の溝形キャパシタの製造方法の実施例を第１図の
工程断面図を参照して説明する。
工程断面図を参照して説明する。
まず、シリコン基板１の上に酸化シリコン膜７堆積して
積層膜を形成し、周知の写真食刻法により、積層膜に開
口９を設ける（第１図Ａ）。
積層膜を形成し、周知の写真食刻法により、積層膜に開
口９を設ける（第１図Ａ）。
次に、積層膜をマスクとして開口９内に露出したシリコ
ン基板部にドライエツチング処理を施し、幅１μｌ、長
さ３μｌ、深さ５μ■の溝３を形成する（第１図Ｂ）。
ン基板部にドライエツチング処理を施し、幅１μｌ、長
さ３μｌ、深さ５μ■の溝３を形成する（第１図Ｂ）。
次に、積層膜をマスクとして９００℃の温度でシリコン
基板１の中に形成した溝の内壁に５００〜２００ＯＡの
厚さの酸化シリコン膜１０を形成する（第１図Ｃ）。こ
のとき、窒化シリコン膜をマスクとして酸化しているた
め溝の開口部の端縁あたりの酸化膜が厚（なる。
基板１の中に形成した溝の内壁に５００〜２００ＯＡの
厚さの酸化シリコン膜１０を形成する（第１図Ｃ）。こ
のとき、窒化シリコン膜をマスクとして酸化しているた
め溝の開口部の端縁あたりの酸化膜が厚（なる。
この後、酸化シリコン膜７，１０を希弗酸で、窒化シリ
コン膜８をリン酸で除去する（第１図Ｄ）。この結果、
溝の開口部の端縁は丸みをおびる。なお、酸化シリコン
膜１０を除去することにより、ドライエツチング時に溝
の内壁に誘起された損傷部を除去する。
コン膜８をリン酸で除去する（第１図Ｄ）。この結果、
溝の開口部の端縁は丸みをおびる。なお、酸化シリコン
膜１０を除去することにより、ドライエツチング時に溝
の内壁に誘起された損傷部を除去する。
次に、シリコン基板１の表面および溝３の内壁に１００
〜５００Ａ程度の厚さの酸化シリコン膜５を成長させて
キャパシタ用の誘電体膜を形成させた後、キャパシタの
一方の電極となるポリシリコン膜６を３０００Ａ被着す
ることにより、溝形キャパシタが完成する（第１図Ｅ）
。
〜５００Ａ程度の厚さの酸化シリコン膜５を成長させて
キャパシタ用の誘電体膜を形成させた後、キャパシタの
一方の電極となるポリシリコン膜６を３０００Ａ被着す
ることにより、溝形キャパシタが完成する（第１図Ｅ）
。
なお、キャパシタの他方の電極はシリコン基板１である
。また、酸化シリコン膜７と窒化シリコン膜８の積層膜
の上に酸化シリコン膜を被着してもよい。
。また、酸化シリコン膜７と窒化シリコン膜８の積層膜
の上に酸化シリコン膜を被着してもよい。
発明の効果
以上のように本発明によれば、シリコン基板に形成され
た溝の開口部の端縁に丸みをもたせることができ、この
結果、高耐圧のキャパシタができる効果が奏される。
た溝の開口部の端縁に丸みをもたせることができ、この
結果、高耐圧のキャパシタができる効果が奏される。
第１図は本発明の一実施例による溝形キャパシタの製造
方法を示す工程断面図、第２図は従来の溝形キャパシタ
の製造方法を示す工程断面図である。 １・・・・・・シリコン基板、３・・・・・・溝、５．
７．１０・・・・・・酸化シリコン膜、６・・・・・・
ポリシリコン膜、８・・・・・・窒化シリコン膜、９・
・・・・・開口。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 ほか１名１−一−シ
リコン基ギえ ／−−−シワボン基板 第 ２ 図 ？ 第２図
方法を示す工程断面図、第２図は従来の溝形キャパシタ
の製造方法を示す工程断面図である。 １・・・・・・シリコン基板、３・・・・・・溝、５．
７．１０・・・・・・酸化シリコン膜、６・・・・・・
ポリシリコン膜、８・・・・・・窒化シリコン膜、９・
・・・・・開口。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 ほか１名１−一−シ
リコン基ギえ ／−−−シワボン基板 第 ２ 図 ？ 第２図
Claims (1)
- シリコン基板の上に第１の酸化シリコン膜と窒化シリ
コン膜からなる積層膜を形成し、同積層膜に開口を設け
る工程と、同開口を通して前記シリコン基板に食刻して
溝を形成する工程と、同溝を酸化して内壁に第２の酸化
シリコン膜を形成する工程と、前記積層膜および前記第
２の酸化シリコン膜を除去する工程と、前記溝を含むシ
リコン基板の表面を酸化してキャパシタ用の誘電体膜を
形成する工程と、同誘電体膜の上にキャパシタ用の一方
の電極となるポリシリコンを被着する工程とを備えたこ
とを特徴とする溝形キャパシタの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28021286A JPS63133561A (ja) | 1986-11-25 | 1986-11-25 | 溝形キヤパシタの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28021286A JPS63133561A (ja) | 1986-11-25 | 1986-11-25 | 溝形キヤパシタの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63133561A true JPS63133561A (ja) | 1988-06-06 |
Family
ID=17621873
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28021286A Pending JPS63133561A (ja) | 1986-11-25 | 1986-11-25 | 溝形キヤパシタの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63133561A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5541425A (en) * | 1994-01-20 | 1996-07-30 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device having trench structure |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62293661A (ja) * | 1986-06-12 | 1987-12-21 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体キヤパシタの製造方法 |
| JPS6365250B2 (ja) * | 1982-09-07 | 1988-12-15 |
-
1986
- 1986-11-25 JP JP28021286A patent/JPS63133561A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6365250B2 (ja) * | 1982-09-07 | 1988-12-15 | ||
| JPS62293661A (ja) * | 1986-06-12 | 1987-12-21 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体キヤパシタの製造方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5541425A (en) * | 1994-01-20 | 1996-07-30 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device having trench structure |
| US5795792A (en) * | 1994-01-20 | 1998-08-18 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing a semiconductor device having a trench structure |
| DE19501556C2 (de) * | 1994-01-20 | 1999-03-04 | Mitsubishi Electric Corp | Halbleitervorrichtung mit einer Grabenstruktur, Verwendung einer Halbleitervorrichtung mit einer Grabenstruktur und Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung mit einer Grabenstruktur |
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