JPS6290944A - シリコンウエハ貼付装置 - Google Patents

シリコンウエハ貼付装置

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JPS6290944A
JPS6290944A JP60231756A JP23175685A JPS6290944A JP S6290944 A JPS6290944 A JP S6290944A JP 60231756 A JP60231756 A JP 60231756A JP 23175685 A JP23175685 A JP 23175685A JP S6290944 A JPS6290944 A JP S6290944A
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JP
Japan
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wax
wafer
plate
heaters
heated
Prior art date
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Granted
Application number
JP60231756A
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English (en)
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JPH0582966B2 (ja
Inventor
Takashi Araki
隆 荒木
Kazuo Sato
和夫 佐藤
Masaharu Kinoshita
正治 木下
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Coorstek KK
Original Assignee
Toshiba Ceramics Co Ltd
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Publication date
Application filed by Toshiba Ceramics Co Ltd filed Critical Toshiba Ceramics Co Ltd
Priority to JP60231756A priority Critical patent/JPS6290944A/ja
Publication of JPS6290944A publication Critical patent/JPS6290944A/ja
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  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明はシリコン ウェハを鏡面加工するのに用いるウ
ェハ貼付装置に関するものである。
[従来の技術] シリコン ウェハの最終加工工程である研磨工程では、
ウェハの片面の鏡面仕上げが行われている。この加工に
際して、ウェハは、例えば金属またはセラミック製の円
板である接着プレート上にワックスを介して接着される
。一般に、この作業としては、(1)接着プレートを使
用するワックスの軟化点より幾分高めの温度に加熱し、
(2)この加熱された接着プレートのウェハ接着予定位
置にワックスを溶融塗布し、(3)この塗布したワック
ス上にウェハを載置し、次いで先端にウェハ全面に均一
に接触する当接面を有する棒状の押付は治具を用いてウ
ェハを接着プレートに押圧し、ワックス層を介してウェ
ハをプレートに接着し、および(4)fi  ’侵にウ
ェハ接着プレートを冷却板上に置いてワックスを固化さ
せている。
しかしながら、最近、電子部品の高集積度化に伴ないウ
ェハに高い形状精度が要求されるのにつれて、ワックス
膜厚の均一性を高める必要性が望まれている。膜厚のバ
ラツキは完全な人手による貼付作業では作業者の熟練度
により左右され約4〜5μmであり、またプレスを用い
る半自動的な貼付けの場合でも約1〜2μmのバラツキ
を生ずる。ワックス膜厚が不均一になるとウェハの平行
度の低下を招くことになり、ワックス膜厚を均一にする
ために押付は治具で接着プレートに対して強くウェハを
押圧するとウェハ裏面にひつかき疵が生じ望ましくない
[発明が解決しようとする問題点] 本発明は上述する問題点に着目し、上記従来技術ではウ
ェハの加圧時においてプレートはその下側のみから加熱
され、また冷却時においてプレートはその下側の水冷ジ
ャケットにより冷却されることからワックス固化時にワ
ックス膜の上面と下面との間に温度勾配が生じ、これに
よりワックス膜厚の制御が困難になることを確めた。こ
の結果、本発明はかかる温度勾配の影響なくウェハを均
一膜厚のワックス膜を介してプレートに接着しやすくし
たウェハ貼付装置を提供することを目的とする。
[問題点を解決するための手段] 本発明は前記目的を達成すべく幾多の研究の結果、接着
プレートおよび押圧門構の押圧体のそれぞれに隣接する
ヒータを設け、ウェハーワックス積層体の両側面から温
度制御しながら加熱することによってワックス膜におけ
る温度勾配を実質的になくし、ワックス膜厚の制御を容
易にしたウェハ貼付装置を開発し、本発明に到達したち
のである。
本発明は、ワックスを溶融塗布する接着プレートおよび
ウェハを接着プレートに圧接する押圧機構の押圧体から
なるウェハ貼付装置において、前記接着プレートおよび
前記押圧体のそれぞれに隣接するヒータを設けたことを
特徴とする。
本発明のウェハ貼付装置の好適な構造においては、接着
プレートをアルミ鋳込ヒータ上に設け、また押圧体の昇
降軸の端面に同じアルミ鋳込ヒータを設け、このヒータ
の表面に抑圧体を固定するように構成する。
[実施例] 次に、本発明を添付図面について説明する。
第1図において、基台1上には断熱材層2を介して円板
状のアルミ鋳込ヒータ3を設け、このヒータ3の上に該
ヒータと同軸に接着プレート4を載置する。このプレー
ト4の主面上の接着予定位置にワックスを介して複数の
ウェハ5を載置する。
ワックスはプレート上の接着予定位置に直接に塗布する
か、またはウェハの接着する片側面に予め塗布すること
ができる。一方、基台1の側面にはL形の支柱6が取付
けられている。この支柱6の接着プレート4の主面に平
行な延在部7は接着プレート4の真上位置になるように
設け、この延在部7の先端部には、適当な昇降門構によ
り昇降自在に連結した昇降軸8を設ける。更に、この昇
降軸8の先端には、適当な抑圧機構により作動する昇降
軸8と同軸に取付けた耐熱質のクッション材からなる押
圧体9を設ける。この場合、押圧体9はその軸心と同軸
に形成されたアルミ鋳込ヒータ3′の表面上に堆積して
設け、ヒータ3′の他の表面は断熱材層2′を介して昇
降軸8の先端に固定する。
上述するように、上下両ヒータ3および3′から構成し
た本発明の装置の作動は高温加圧ステーションと低温加
圧ステーションとからなる。高温加圧ステーションにお
いてはウェハーワックス−接着プレート全体を上下両ヒ
ータ(ヒータ パワー、例えば上下各2.7kW)で約
190±2℃の温度(この場合、プレート表面温度は約
180℃になる)およびウェハ単位面積当り約600〜
10009 / cm2の圧力で約90秒間にわたり加
熱加圧する。
この高温加圧ステーション終了後、引続く低温加圧ステ
ーションにおいて同じ圧力での加圧下で約90秒間にわ
たり上下両ヒータの温度を90±2℃の温度(この場合
、プレート表面温度は約80℃になる)に下げて加熱加
圧し、この状態でワックスを予め固化するまで保持する
。この低温加圧ステーションでは前の高温加圧ステーシ
ョンにおいてウェハを精度よく接着した状態を保持しな
がら、温度を低下してワックスを固化する。
このようにワックスを予め固化したウェハを高精度の状
態に保持したプレートは、通常の手段によって冷却して
ワックスを完全に固化される。
上記作動における両ヒータの温度制御はパワコントロー
ルおよびヒータ温度モ:り(図に示ていない)によるオ
ン−オフ制御で行うことがきる。また、上記高および低
温加圧における濡1変化に対するワックスの粘度を第2
図に示す。
[発明の効果] 上)!するように、本発明はウェハ貼付装置の1着プレ
ートおよび押圧体に、それぞれ隣接する1−夕を設けた
ことにより、ウェハーワックス−ル−ト全体を高温およ
び低温の二段階で加熱加1操作し、この操作段階でワッ
クスを最終冷却面1前に予め固化することにより、ワッ
クス膜厚に2ける温度勾配を殆ど生じないようにしてワ
ック:の最終膜厚の制御を容易に達成できるようにし、
ウェハ全体にわたって約0.5〜1.0μmの均一ンワ
ックス膜厚に制御でき、かつプレート上に貼ずけた複数
個のウェハに対してそれぞれのワックス膜厚のバラツキ
を0.5μm以下にすることがでまた。
【図面の簡単な説明】
し   第1図は本発明のシリコン ウェハ貼付装置の
ひ  説明用線図、第2図は第1図に示す本発明の装置
費  の作動における加熱加圧操作における温度変化に
対するワックスの粘度を示す曲線図である。 1・・・基 台      2.2′・・・断熱材層!
     3.3’ ・・・アルミ鋳込ヒータ4・・・
接着プレート   5・・・ウェハl   6・・・支
 柱      7・・・延在部F   8・・・昇降
軸      9・・・押圧体ヒ 人 1    出 願 人  東芝セラミックス株式会社ζ

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、ワックスを溶融塗布する接着プレートおよびウェハ
    をかかる接着プレートに圧接する押圧機構の押圧体から
    なるシリコンウェハ貼付装置において、前記接着プレー
    トおよび前記押圧体のそれぞれに隣接するヒータを設け
    たことを特徴とするシリコンウェハ貼付装置。 2、前記ワックスを高温および低温の二段階で加熱加圧
    処理するように構成した特許請求の範囲第1項に記載の
    シリコンウェハ貼付装置。
JP60231756A 1985-10-17 1985-10-17 シリコンウエハ貼付装置 Granted JPS6290944A (ja)

Priority Applications (1)

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JP60231756A JPS6290944A (ja) 1985-10-17 1985-10-17 シリコンウエハ貼付装置

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JP60231756A JPS6290944A (ja) 1985-10-17 1985-10-17 シリコンウエハ貼付装置

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Publication Number Publication Date
JPS6290944A true JPS6290944A (ja) 1987-04-25
JPH0582966B2 JPH0582966B2 (ja) 1993-11-24

Family

ID=16928539

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JP60231756A Granted JPS6290944A (ja) 1985-10-17 1985-10-17 シリコンウエハ貼付装置

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63172561U (ja) * 1987-04-30 1988-11-09
JPH02263437A (ja) * 1989-04-03 1990-10-26 Mitsubishi Electric Corp ウエハ剥し装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5471980A (en) * 1977-11-18 1979-06-08 Mitsubishi Electric Corp Adhesion method of semiconductor wafer to lapping surface plate
JPS5932135A (ja) * 1982-08-18 1984-02-21 Toshiba Corp 半導体ウエハの接着装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5471980A (en) * 1977-11-18 1979-06-08 Mitsubishi Electric Corp Adhesion method of semiconductor wafer to lapping surface plate
JPS5932135A (ja) * 1982-08-18 1984-02-21 Toshiba Corp 半導体ウエハの接着装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63172561U (ja) * 1987-04-30 1988-11-09
JPH02263437A (ja) * 1989-04-03 1990-10-26 Mitsubishi Electric Corp ウエハ剥し装置

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JPH0582966B2 (ja) 1993-11-24

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