JPH0582966B2 - - Google Patents
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- JPH0582966B2 JPH0582966B2 JP60231756A JP23175685A JPH0582966B2 JP H0582966 B2 JPH0582966 B2 JP H0582966B2 JP 60231756 A JP60231756 A JP 60231756A JP 23175685 A JP23175685 A JP 23175685A JP H0582966 B2 JPH0582966 B2 JP H0582966B2
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- wax
- temperature
- wafer
- pressing
- adhesive plate
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- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 23
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 19
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Landscapes
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明はシリコン ウエハを鏡面加工するのに
用いるウエハ貼付装置に関するものである。
用いるウエハ貼付装置に関するものである。
[従来の技術]
シリコン ウエハの最終加工工程である研磨工
程では、ウエハの片面の鏡面仕上げが行われてい
る。この加工に際して、ウエハは、例えば金属ま
たはセラミツク製の円板である接着プレート上に
ワツクスを介して接着される。一般に、この作業
としては、(1)接着プレートを使用するワツクスの
軟化点より幾分高めの温度に加熱し、(2)この加熱
された接着プレートのウエハ接着予定位置にワツ
クスを溶融塗布し、(3)この塗布したワツクス上に
ウエハを載置し、次いで先端にウエハ全面に均一
に接触する当接面を有する棒状の押付け治具を用
いてウエハを接着プレートに押圧し、ワツクス層
を介してウエハをプレートに接着し、および(4)最
後にウエハ接着プレートを冷却板上に置いてワツ
クスを固化させている。
程では、ウエハの片面の鏡面仕上げが行われてい
る。この加工に際して、ウエハは、例えば金属ま
たはセラミツク製の円板である接着プレート上に
ワツクスを介して接着される。一般に、この作業
としては、(1)接着プレートを使用するワツクスの
軟化点より幾分高めの温度に加熱し、(2)この加熱
された接着プレートのウエハ接着予定位置にワツ
クスを溶融塗布し、(3)この塗布したワツクス上に
ウエハを載置し、次いで先端にウエハ全面に均一
に接触する当接面を有する棒状の押付け治具を用
いてウエハを接着プレートに押圧し、ワツクス層
を介してウエハをプレートに接着し、および(4)最
後にウエハ接着プレートを冷却板上に置いてワツ
クスを固化させている。
しかしながら、最近、電子部品の高集積度化に
伴ないウエハに高い形状精度が要求されるのにつ
れて、ワツクス膜厚の均一性を高める必要性が望
まれている。膜厚のバラツキは完全な人手による
貼付作業では作業者の熟練度により左右され約4
〜5μmであり、またプレスを用いる半自動的な
貼付けの場合でも約1〜2μmのバラツキを生ず
る。ワツクス膜厚が不均一になるとウエハの平行
度の低下を招くことになり、ワツクス膜厚を均一
にするために押付け治具で接着プレートに対して
強くウエハを押圧するウエハ裏面にひつかき疵が
生じ望ましくない。
伴ないウエハに高い形状精度が要求されるのにつ
れて、ワツクス膜厚の均一性を高める必要性が望
まれている。膜厚のバラツキは完全な人手による
貼付作業では作業者の熟練度により左右され約4
〜5μmであり、またプレスを用いる半自動的な
貼付けの場合でも約1〜2μmのバラツキを生ず
る。ワツクス膜厚が不均一になるとウエハの平行
度の低下を招くことになり、ワツクス膜厚を均一
にするために押付け治具で接着プレートに対して
強くウエハを押圧するウエハ裏面にひつかき疵が
生じ望ましくない。
[発明が解決しようとする問題点]
本発明は上述する問題点に着目し、上記従来技
術ではウエハの加圧時においてプレートはその下
側のみから加熱され、また冷却時においてプレー
トはその下側の水冷ジヤケツトにより冷却される
ことからワツクス固化時にワツクス膜の上面と下
面との間に温度勾配が生じ、これによりワツクス
膜厚の制御が困難になることを確めた。この結
果、本発明はかかる温度勾配の影響なくウエハを
均一膜厚のワツクス膜を介してプレートに接着し
やすくしたウエハ貼付装置を提供することを目的
とする。
術ではウエハの加圧時においてプレートはその下
側のみから加熱され、また冷却時においてプレー
トはその下側の水冷ジヤケツトにより冷却される
ことからワツクス固化時にワツクス膜の上面と下
面との間に温度勾配が生じ、これによりワツクス
膜厚の制御が困難になることを確めた。この結
果、本発明はかかる温度勾配の影響なくウエハを
均一膜厚のワツクス膜を介してプレートに接着し
やすくしたウエハ貼付装置を提供することを目的
とする。
[問題点を解決するための手段]
本発明は前記目的を達成すべく幾多の研究の結
果、接着プレートおよび押圧機構の押圧体のそれ
ぞれに隣接するヒータを設け、ウエハ−ワツクス
積層体の両側面から温度制御しながら加熱するこ
とによつてワツクス膜における温度勾配を実質的
になくし、ワツクス膜厚の制御を容易にしたウエ
ハ貼付装置を開発し、本発明に到達したものであ
る。
果、接着プレートおよび押圧機構の押圧体のそれ
ぞれに隣接するヒータを設け、ウエハ−ワツクス
積層体の両側面から温度制御しながら加熱するこ
とによつてワツクス膜における温度勾配を実質的
になくし、ワツクス膜厚の制御を容易にしたウエ
ハ貼付装置を開発し、本発明に到達したものであ
る。
本発明は、ワツクスを溶融塗布する接着プレー
トおよびウエハを接着プレートに圧接する押圧機
構の押圧体からなるウエハ貼付装置において、前
記接着プレートおよび前記押圧体のそれぞれに隣
接するヒータを設け、該ヒータを高温および低温
の二段階に温度制御可能に設けたことを特徴とす
る。
トおよびウエハを接着プレートに圧接する押圧機
構の押圧体からなるウエハ貼付装置において、前
記接着プレートおよび前記押圧体のそれぞれに隣
接するヒータを設け、該ヒータを高温および低温
の二段階に温度制御可能に設けたことを特徴とす
る。
本発明のウエハ貼付装置の好適な構造において
は、接着プレートをアルミ鋳込ヒータ上に設け、
また押付体の昇降軸の端面に同じアルミ鋳込ヒー
タを設け、このヒータの表面に押圧体を固定する
ように構成する。
は、接着プレートをアルミ鋳込ヒータ上に設け、
また押付体の昇降軸の端面に同じアルミ鋳込ヒー
タを設け、このヒータの表面に押圧体を固定する
ように構成する。
上記手段においては、ワツクス膜における厚さ
方向の温度勾配がなくなり、かつ低温の加熱加圧
ステツプでワツクスの予備的な固化が均一に行わ
れる。
方向の温度勾配がなくなり、かつ低温の加熱加圧
ステツプでワツクスの予備的な固化が均一に行わ
れる。
[実施例]
次に、本発明を添付図面について説明する。
第1図において、基台1上には断熱材層2を介
して円板状のアルミ鋳込ヒータ3を設け、このヒ
ータ3の上に該ヒータと同軸に接着プレート4を
載置する。このプレート4の主面上の接着予定位
置にワツクスを介して複数のウエハ5を載置す
る。ワツクスはプレート上の接着予定位置に直接
に塗布するか、またはウエハの接着する片側面に
予め塗布することができる。一方、基台1の側面
にはL形の支柱6が取付けられている。この支柱
6の接着プレート4の主面に平行な延在部7は接
着プレート4の真上位置になるように設け、この
延在部7の先端部には、適当な昇降機構により昇
降自在に連結した昇降軸8を設ける。更に、この
昇降軸8の先端には、適当な押圧機構により作動
する昇降軸8と同軸に取付けた耐熱質のクツシヨ
ン材からなる押圧体9を設ける。この場合、押圧
体9はその軸心と同軸に形成されたアルミ鋳込ヒ
ータ3′の表面上に積層して設け、ヒータ3′の他
の表面は断熱材層2′を介して昇降軸8の先端に
固定する。
して円板状のアルミ鋳込ヒータ3を設け、このヒ
ータ3の上に該ヒータと同軸に接着プレート4を
載置する。このプレート4の主面上の接着予定位
置にワツクスを介して複数のウエハ5を載置す
る。ワツクスはプレート上の接着予定位置に直接
に塗布するか、またはウエハの接着する片側面に
予め塗布することができる。一方、基台1の側面
にはL形の支柱6が取付けられている。この支柱
6の接着プレート4の主面に平行な延在部7は接
着プレート4の真上位置になるように設け、この
延在部7の先端部には、適当な昇降機構により昇
降自在に連結した昇降軸8を設ける。更に、この
昇降軸8の先端には、適当な押圧機構により作動
する昇降軸8と同軸に取付けた耐熱質のクツシヨ
ン材からなる押圧体9を設ける。この場合、押圧
体9はその軸心と同軸に形成されたアルミ鋳込ヒ
ータ3′の表面上に積層して設け、ヒータ3′の他
の表面は断熱材層2′を介して昇降軸8の先端に
固定する。
上述するように、上下両ヒータ3および3′を
備えた本発明の装置は高温加圧ステツプと低温加
圧ステツプの二段階で操作される。高温加圧ステ
ツプにおいてはウエハ−ワツクス−接着プレート
全体を上下両ヒータ(ヒータ パワー、例えば上
下各2.7KW)で約190±2℃の温度(この場合、
プレート表面温度は約180℃になる)およびウエ
ハ単位面積当り約600〜1000g/cm2の圧力で約90
秒間にわたり加熱加圧する。
備えた本発明の装置は高温加圧ステツプと低温加
圧ステツプの二段階で操作される。高温加圧ステ
ツプにおいてはウエハ−ワツクス−接着プレート
全体を上下両ヒータ(ヒータ パワー、例えば上
下各2.7KW)で約190±2℃の温度(この場合、
プレート表面温度は約180℃になる)およびウエ
ハ単位面積当り約600〜1000g/cm2の圧力で約90
秒間にわたり加熱加圧する。
この高温加圧ステツプ終了後、引続く低温加圧
ステツプにおいて同じ圧力での加圧下で約90秒間
にわたり上下両ヒータの温度を90±2℃の温度
(この場合、プレート表面温度は約80℃になる)
に下げて加熱加圧し、この状態でワツクスを予備
的に固化するまで保持する。この低温加圧ステツ
プでは前の高温加圧ステツプにおいてウエハを精
度よく接着した状態を保持しながら、温度を低下
してワツクスを予備的に均一に固化する。
ステツプにおいて同じ圧力での加圧下で約90秒間
にわたり上下両ヒータの温度を90±2℃の温度
(この場合、プレート表面温度は約80℃になる)
に下げて加熱加圧し、この状態でワツクスを予備
的に固化するまで保持する。この低温加圧ステツ
プでは前の高温加圧ステツプにおいてウエハを精
度よく接着した状態を保持しながら、温度を低下
してワツクスを予備的に均一に固化する。
このようにワツクスを予備的に均一に固化した
ウエハを高精度の状態に保持したプレートは、通
常の手段によつて冷却してワツクスを完全に固化
される。
ウエハを高精度の状態に保持したプレートは、通
常の手段によつて冷却してワツクスを完全に固化
される。
上記操作における両ヒータの温度制御はパワー
コントロールおよびヒータ温度モニタ(図に示し
ていない)によるオン−オフ制御で行うことがで
きる。また、上記高および低温加圧における温度
変化に対するワツクスの粘度を第2図に示す。
コントロールおよびヒータ温度モニタ(図に示し
ていない)によるオン−オフ制御で行うことがで
きる。また、上記高および低温加圧における温度
変化に対するワツクスの粘度を第2図に示す。
[発明の効果]
以上説明したように、本発明のシリコン ウエ
ハ貼付装置よれば、ワツクス膜における厚さ方向
の温度勾配がなくなり、かつ低温の加熱加圧ステ
ツプでワツクスの予備的な固化が均一に行われる
ので、ウエハ全体にわたつて約0.5〜1.0μmの均
一なワツクス膜厚に制御でき、かつプレート上に
貼付けた複数個のウエハに対してそれぞれのワツ
クス膜厚のバラツキを0.5μm以下にすることがで
きた。
ハ貼付装置よれば、ワツクス膜における厚さ方向
の温度勾配がなくなり、かつ低温の加熱加圧ステ
ツプでワツクスの予備的な固化が均一に行われる
ので、ウエハ全体にわたつて約0.5〜1.0μmの均
一なワツクス膜厚に制御でき、かつプレート上に
貼付けた複数個のウエハに対してそれぞれのワツ
クス膜厚のバラツキを0.5μm以下にすることがで
きた。
第1図は本発明のシリコン ウエハ貼付装置の
説明用線図、第2図は第1図に示す本発明の装置
の作動における加熱加圧操作における温度変化に
対するワツクスの粘度を示す曲線図である。 1……基台、2,2′……断熱材層、3,3′…
…アルミ鋳込ヒータ、4……接着プレート、5…
…ウエハ、6……支柱、7……延在部、8……昇
降軸、9……押圧体。
説明用線図、第2図は第1図に示す本発明の装置
の作動における加熱加圧操作における温度変化に
対するワツクスの粘度を示す曲線図である。 1……基台、2,2′……断熱材層、3,3′…
…アルミ鋳込ヒータ、4……接着プレート、5…
…ウエハ、6……支柱、7……延在部、8……昇
降軸、9……押圧体。
Claims (1)
- 1 ウエハをワツクスを介して接着する接着プレ
ートおよびウエハをかかる接着プレートに圧接す
る押圧機構の押圧体からなるシリコン ウエハ貼
付装置において、前記接着プレートおよび前記押
圧体のそれぞれに隣接するヒータを設け、該ヒー
タを高温および低温の二段階に温度制御可能に設
けたことを特徴とするシリコン ウエハ貼付装
置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60231756A JPS6290944A (ja) | 1985-10-17 | 1985-10-17 | シリコンウエハ貼付装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60231756A JPS6290944A (ja) | 1985-10-17 | 1985-10-17 | シリコンウエハ貼付装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6290944A JPS6290944A (ja) | 1987-04-25 |
JPH0582966B2 true JPH0582966B2 (ja) | 1993-11-24 |
Family
ID=16928539
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60231756A Granted JPS6290944A (ja) | 1985-10-17 | 1985-10-17 | シリコンウエハ貼付装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6290944A (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH078130Y2 (ja) * | 1987-04-30 | 1995-03-01 | 日立電線株式会社 | GaAsウェハの貼付装置 |
JP2534210B2 (ja) * | 1989-04-03 | 1996-09-11 | 三菱電機株式会社 | ウエハ剥し装置 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5471980A (en) * | 1977-11-18 | 1979-06-08 | Mitsubishi Electric Corp | Adhesion method of semiconductor wafer to lapping surface plate |
JPS5932135A (ja) * | 1982-08-18 | 1984-02-21 | Toshiba Corp | 半導体ウエハの接着装置 |
-
1985
- 1985-10-17 JP JP60231756A patent/JPS6290944A/ja active Granted
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5471980A (en) * | 1977-11-18 | 1979-06-08 | Mitsubishi Electric Corp | Adhesion method of semiconductor wafer to lapping surface plate |
JPS5932135A (ja) * | 1982-08-18 | 1984-02-21 | Toshiba Corp | 半導体ウエハの接着装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6290944A (ja) | 1987-04-25 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |