JP2997147B2 - 光半導体装置の製造方法 - Google Patents
光半導体装置の製造方法Info
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- JP2997147B2 JP2997147B2 JP5072066A JP7206693A JP2997147B2 JP 2997147 B2 JP2997147 B2 JP 2997147B2 JP 5072066 A JP5072066 A JP 5072066A JP 7206693 A JP7206693 A JP 7206693A JP 2997147 B2 JP2997147 B2 JP 2997147B2
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- optical semiconductor
- semiconductor chip
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造方法
に関し、特に、半導体レーザなどの光半導体素子が形成
された光半導体チップを、サブマウント上にダイボンデ
ィングする工程を有する光半導体装置の製造方法に適用
して有効な技術に関するものである。
に関し、特に、半導体レーザなどの光半導体素子が形成
された光半導体チップを、サブマウント上にダイボンデ
ィングする工程を有する光半導体装置の製造方法に適用
して有効な技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図２は光半導体チップをサブマウント上
にダイボンディングする従来の製造方法を説明するため
の図であり、１はサブマウント、２はハンダ、３は光半
導体チップ、５はピンセット、６はピンセット５に穿孔
された空洞、７は上下動軸である。
にダイボンディングする従来の製造方法を説明するため
の図であり、１はサブマウント、２はハンダ、３は光半
導体チップ、５はピンセット、６はピンセット５に穿孔
された空洞、７は上下動軸である。
【０００３】以下、従来の製造方法を図２を用いて、簡
単に説明する。
単に説明する。
【０００４】半導体レーザなどの光半導体素子が形成さ
れた光半導体チップ３は、上下動軸７に固定されたピン
セット５の空洞６を通して真空吸着され、一体となる。
光半導体チップ３を吸着したピンセット５は、上下動軸
７の移動に連動して、サブマウント１の上方を移動し、
ハンダ２が表面に被覆してあるサブマウント１上の所定
の位置に光半導体チップ３を配置させる。次に、ピンセ
ット５をサブマウント１に押圧し、さらに加熱してハン
ダ２を溶融させることにより、光半導体チップ３をサブ
マウント１にダイボンディングする。
れた光半導体チップ３は、上下動軸７に固定されたピン
セット５の空洞６を通して真空吸着され、一体となる。
光半導体チップ３を吸着したピンセット５は、上下動軸
７の移動に連動して、サブマウント１の上方を移動し、
ハンダ２が表面に被覆してあるサブマウント１上の所定
の位置に光半導体チップ３を配置させる。次に、ピンセ
ット５をサブマウント１に押圧し、さらに加熱してハン
ダ２を溶融させることにより、光半導体チップ３をサブ
マウント１にダイボンディングする。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記従
来のダイボンディング法では、ピンセットで光半導体チ
ップを押圧するときに、光半導体チップに損傷を与えな
いように押圧を注意深く調整する必要があった。また、
面積の大きな光半導体チップではピンセットで押圧され
る部分が相対的に微小となり、均一に押圧されないた
め、ボンディングが不完全となり、光半導体チップとサ
ブマウント間の近傍における熱抵抗が増大し、その結
果、光半導体装置の素子特性を劣化させるという問題が
あった。
来のダイボンディング法では、ピンセットで光半導体チ
ップを押圧するときに、光半導体チップに損傷を与えな
いように押圧を注意深く調整する必要があった。また、
面積の大きな光半導体チップではピンセットで押圧され
る部分が相対的に微小となり、均一に押圧されないた
め、ボンディングが不完全となり、光半導体チップとサ
ブマウント間の近傍における熱抵抗が増大し、その結
果、光半導体装置の素子特性を劣化させるという問題が
あった。
【０００６】本発明は、前記問題点を解決するためにな
されたものであり、本発明の目的は、光半導体チップを
サブマウントに損傷なく均一にボンディングすることが
可能な技術を提供することにある。
されたものであり、本発明の目的は、光半導体チップを
サブマウントに損傷なく均一にボンディングすることが
可能な技術を提供することにある。
【０００７】本発明の前記ならびにその他の目的及び新
規な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明ら
かにする。
規な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明ら
かにする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明は、光半導体装置の製造方法において、予め
接合材料を被覆したサブマウント上の所定の位置に、光
半導体チップを配置した後、この光半導体チップ上にス
ペーサを置き、そのままスペーサを上方より押圧部材で
押圧し、加熱してダイボンディングすることを最も主要
な特徴とする。
に、本発明は、光半導体装置の製造方法において、予め
接合材料を被覆したサブマウント上の所定の位置に、光
半導体チップを配置した後、この光半導体チップ上にス
ペーサを置き、そのままスペーサを上方より押圧部材で
押圧し、加熱してダイボンディングすることを最も主要
な特徴とする。
【０００９】
【作用】前述の手段によれば、光半導体装置の製造方法
において、光半導体チップと押圧部材との間にスペーサ
を挿入したことにより、スペーサ上面を押圧部材で押圧
する際、押圧部材による圧力が、スペーサにより分散し
て広がるので、光半導体チップに均一に圧力がかかる。
この結果、光半導体チップをサブマウントに損傷なく均
一にボンディングすることができる。さらに、光半導体
チップとサブマウントの接着が均一になることにより、
光半導体チップとサブマウント間の近傍における熱抵抗
を低減できるので、光半導体装置の熱抵抗による素子特
性劣化を防止することができる。また、光半導体チップ
の各地点における圧力が小さくなるので、光半導体チッ
プの損傷が少なくなる。
において、光半導体チップと押圧部材との間にスペーサ
を挿入したことにより、スペーサ上面を押圧部材で押圧
する際、押圧部材による圧力が、スペーサにより分散し
て広がるので、光半導体チップに均一に圧力がかかる。
この結果、光半導体チップをサブマウントに損傷なく均
一にボンディングすることができる。さらに、光半導体
チップとサブマウントの接着が均一になることにより、
光半導体チップとサブマウント間の近傍における熱抵抗
を低減できるので、光半導体装置の熱抵抗による素子特
性劣化を防止することができる。また、光半導体チップ
の各地点における圧力が小さくなるので、光半導体チッ
プの損傷が少なくなる。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を用いて詳細に
説明する。
説明する。
【００１１】図１は本発明による一実施例の構成を示す
図であり、１はダイヤ製のサブマウント、２はＡu-Ｓn
のハンダ(接合材料)、３はＩnＰを基板とし内部に半導
体レーザが形成された光半導体チップ、４はスペーサ、
５はピンセット、６はピンセット５に穿孔された空洞、
７は上下動軸である。スペーサ４はＩnＰからなる平板
を厚さ150ミクロン程度に研磨し、これを光半導体チッ
プ３と同程度の面積にへきかいしたものである。
図であり、１はダイヤ製のサブマウント、２はＡu-Ｓn
のハンダ(接合材料)、３はＩnＰを基板とし内部に半導
体レーザが形成された光半導体チップ、４はスペーサ、
５はピンセット、６はピンセット５に穿孔された空洞、
７は上下動軸である。スペーサ４はＩnＰからなる平板
を厚さ150ミクロン程度に研磨し、これを光半導体チッ
プ３と同程度の面積にへきかいしたものである。
【００１２】以下、本実施例の光半導体装置の製造方法
を、図１を用いて説明する。
を、図１を用いて説明する。
【００１３】まず、光半導体チップ３が、上下動軸７に
固定されたピンセット５の空洞６を通して真空吸着さ
れ、一体となり、光半導体チップ３を吸着したピンセッ
ト５が、上下動軸７の移動に連動して、サブマウント１
の上方を移動し、ハンダ２が表面に被覆してあるサブマ
ウント１上の所定の位置に光半導体チップを配置させ
る。
固定されたピンセット５の空洞６を通して真空吸着さ
れ、一体となり、光半導体チップ３を吸着したピンセッ
ト５が、上下動軸７の移動に連動して、サブマウント１
の上方を移動し、ハンダ２が表面に被覆してあるサブマ
ウント１上の所定の位置に光半導体チップを配置させ
る。
【００１４】次に、光半導体チップ３の場合と同様の手
順で、スペーサ４をピンセット５で真空吸着し、光半導
体チップ３上に置く。この後、ピンセット５をスペーサ
４に押圧し、同時に加熱することにより光半導体チップ
３をサブマウント１にダイボンディングする。次に、ピ
ンセット５をサブマウント１に押圧し、さらに加熱して
ハンダ２を溶融させることにより、光半導体チップ３を
サブマウント１にダイボンディングする。
順で、スペーサ４をピンセット５で真空吸着し、光半導
体チップ３上に置く。この後、ピンセット５をスペーサ
４に押圧し、同時に加熱することにより光半導体チップ
３をサブマウント１にダイボンディングする。次に、ピ
ンセット５をサブマウント１に押圧し、さらに加熱して
ハンダ２を溶融させることにより、光半導体チップ３を
サブマウント１にダイボンディングする。
【００１５】以上の説明からわかるように、本実施例の
光半導体装置の製造方法によれば、次のような効果を得
ることができる。
光半導体装置の製造方法によれば、次のような効果を得
ることができる。
【００１６】すなわち、光半導体チップ３とピンセット
５の間にスペーサ４を挿入したことにより、スペーサ４
の上面をピンセット５で押圧する際、ピンセット５によ
る押圧が、光半導体チップ３において分散して広がり、
光半導体チップ３に均一にかかるので、その結果、光半
導体チップ３をサブマウント１に損傷なく均一にボンデ
ィングすることができる。
５の間にスペーサ４を挿入したことにより、スペーサ４
の上面をピンセット５で押圧する際、ピンセット５によ
る押圧が、光半導体チップ３において分散して広がり、
光半導体チップ３に均一にかかるので、その結果、光半
導体チップ３をサブマウント１に損傷なく均一にボンデ
ィングすることができる。
【００１７】さらに、光半導体チップ３とサブマウント
１の接着が均一になることにより、光半導体チップ３と
サブマウント１間の近傍における熱抵抗を低減できるの
で、光半導体装置の熱抵抗による素子特性劣化を防止す
ることができる。また、光半導体チップ３の各地点にお
ける圧力が小さくなるので、光半導体チップ３の損傷が
少なくなる。
１の接着が均一になることにより、光半導体チップ３と
サブマウント１間の近傍における熱抵抗を低減できるの
で、光半導体装置の熱抵抗による素子特性劣化を防止す
ることができる。また、光半導体チップ３の各地点にお
ける圧力が小さくなるので、光半導体チップ３の損傷が
少なくなる。
【００１８】以上、本発明を実施例にもとづき具体的に
説明したが、本発明は、前記実施例に限定されるもので
はなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更し
得ることはいうまでもない。例えば、前記実施例では、
スペーサ４の材料にＩnＰを用いたが、本発明はこれに
限定されるものではなく、シリコン等の他の半導体基板
やガラス等の薄く研磨できる平板を用いてもよい。
説明したが、本発明は、前記実施例に限定されるもので
はなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更し
得ることはいうまでもない。例えば、前記実施例では、
スペーサ４の材料にＩnＰを用いたが、本発明はこれに
限定されるものではなく、シリコン等の他の半導体基板
やガラス等の薄く研磨できる平板を用いてもよい。
【００１９】
【発明の効果】以上、説明したように、本発明の光半導
体装置の製造方法によれば、光半導体チップに損傷を与
えることなく、サブマウントに均一に光半導体チップを
ボンディングすることができる。さらに、光半導体チッ
プとサブマウント間の近傍における熱抵抗を低減できる
ので、光半導体装置の熱抵抗による素子特性劣化を防止
することができる。また、光半導体チップの各地点にお
ける圧力が小さくなるので、光半導体チップの損傷が少
なくなる。
体装置の製造方法によれば、光半導体チップに損傷を与
えることなく、サブマウントに均一に光半導体チップを
ボンディングすることができる。さらに、光半導体チッ
プとサブマウント間の近傍における熱抵抗を低減できる
ので、光半導体装置の熱抵抗による素子特性劣化を防止
することができる。また、光半導体チップの各地点にお
ける圧力が小さくなるので、光半導体チップの損傷が少
なくなる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明による一実施例の光半導体装置の製造
方法を説明するための図。
方法を説明するための図。
【図２】 従来の光半導体装置の製造方法を説明するた
めの図。
めの図。
１…サブマウント、２…ハンダ、３…光半導体チップ、
４…スペーサ、５…ピンセット、６…空洞、７…上下動
軸。
４…スペーサ、５…ピンセット、６…空洞、７…上下動
軸。
Claims (1)
- 【請求項１】 予め接合材料を被覆したサブマウント上
の所定の位置に、光半導体素子が形成された光半導体チ
ップを配置する第一の工程と、引き続き前記光半導体チ
ップを押圧し、加熱するダイボンディングの第二の工程
から成る光半導体装置の製造方法において、前記第一の
工程の後に、前記光半導体チップ上にスペーサを置く工
程を設け、前記スペーサが前記光半導体チップ上に配置
された状態で前記第二の工程を行うことを特徴とする光
半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5072066A JP2997147B2 (ja) | 1993-03-30 | 1993-03-30 | 光半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5072066A JP2997147B2 (ja) | 1993-03-30 | 1993-03-30 | 光半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06283558A JPH06283558A (ja) | 1994-10-07 |
| JP2997147B2 true JP2997147B2 (ja) | 2000-01-11 |
Family
ID=13478659
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5072066A Expired - Fee Related JP2997147B2 (ja) | 1993-03-30 | 1993-03-30 | 光半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2997147B2 (ja) |
-
1993
- 1993-03-30 JP JP5072066A patent/JP2997147B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06283558A (ja) | 1994-10-07 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |