JPS62181451A - フイ−ルド絶縁膜の形成方法 - Google Patents
フイ−ルド絶縁膜の形成方法Info
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- JPS62181451A JPS62181451A JP2198686A JP2198686A JPS62181451A JP S62181451 A JPS62181451 A JP S62181451A JP 2198686 A JP2198686 A JP 2198686A JP 2198686 A JP2198686 A JP 2198686A JP S62181451 A JPS62181451 A JP S62181451A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造方法に係り、特に素子分離領
域に形成されるフィールド絶縁膜の形成方法に関する。
域に形成されるフィールド絶縁膜の形成方法に関する。
〔従来技術]
従来のフィールド酸化膜の形成方法を第2図に示す。第
2図Aに示すように、シリコン基板l上にシリコン酸化
膜2、第1多結晶シリコン膜3、シリコン窒化膜4、第
2多結晶シリコン膜5を堆積させる。次にレジスト6を
塗布し、素子分離領域を形成するマスクパターンを用い
て露光・現象を行ない、レジスト6をバターニングし、
これをマスクとしてフィールド酸化膜を形成する領域の
第2多結晶シリコン5とシリコン窒化膜4の一部を蝕刻
する。(第2図Bに図示) つづいてレジスト6を除去
した後、第2多結晶シリコン膜5を酸化し、酸化膜7を
形成する。(第2図Cに図示)擾 次に酸化膜7をマスクとして異型性エツチングによυシ
リコン窒化膜4と第1多結晶シリコン膜3の一部を蝕刻
し凹部を形成した後、酸化膜7を除去する。(第2図り
に図示) 次知第2図Eに図示するようにウェット酸化
を行ないフィールド酸化膜8を形成する。つづいてシリ
コン窒化膜4及び多結晶シリコンI臭3を除去して第2
図Fに示す素子分離酸化膜が得られる。
2図Aに示すように、シリコン基板l上にシリコン酸化
膜2、第1多結晶シリコン膜3、シリコン窒化膜4、第
2多結晶シリコン膜5を堆積させる。次にレジスト6を
塗布し、素子分離領域を形成するマスクパターンを用い
て露光・現象を行ない、レジスト6をバターニングし、
これをマスクとしてフィールド酸化膜を形成する領域の
第2多結晶シリコン5とシリコン窒化膜4の一部を蝕刻
する。(第2図Bに図示) つづいてレジスト6を除去
した後、第2多結晶シリコン膜5を酸化し、酸化膜7を
形成する。(第2図Cに図示)擾 次に酸化膜7をマスクとして異型性エツチングによυシ
リコン窒化膜4と第1多結晶シリコン膜3の一部を蝕刻
し凹部を形成した後、酸化膜7を除去する。(第2図り
に図示) 次知第2図Eに図示するようにウェット酸化
を行ないフィールド酸化膜8を形成する。つづいてシリ
コン窒化膜4及び多結晶シリコンI臭3を除去して第2
図Fに示す素子分離酸化膜が得られる。
第2図に示したような従来の製造方法では、第2多結晶
シリコン膜5の長時間の酸化工程によって四部側面のシ
リコン窒化ノ摸4と多結晶シリコン膜3との境界にも酸
化膜が形成さ九、第2図Fに示す突起部が形成する。こ
の突起部は素子分離領域の上に形成される導電膜や絶R
膜などが断切れを起こす原因となる。層間絶縁膜に断切
れが起こると、導電膜間でシ1−トしてしまうこともあ
り素子形成に悪影響を及ぼす。本発明は、フィール絶縁
膜の突起部による導電膜及び絶i模の断切れを防止する
ことを目的とする。
シリコン膜5の長時間の酸化工程によって四部側面のシ
リコン窒化ノ摸4と多結晶シリコン膜3との境界にも酸
化膜が形成さ九、第2図Fに示す突起部が形成する。こ
の突起部は素子分離領域の上に形成される導電膜や絶R
膜などが断切れを起こす原因となる。層間絶縁膜に断切
れが起こると、導電膜間でシ1−トしてしまうこともあ
り素子形成に悪影響を及ぼす。本発明は、フィール絶縁
膜の突起部による導電膜及び絶i模の断切れを防止する
ことを目的とする。
従来の製造方法におけるフィールド絶縁膜に発生する突
起物は、長時間の酸化工程により凹部側面の多結晶シリ
コンが酸化されて形成される。本発明では、凹部側面に
シリコン窒化膜を残存させた状態で酸化を行なうよって
した。
起物は、長時間の酸化工程により凹部側面の多結晶シリ
コンが酸化されて形成される。本発明では、凹部側面に
シリコン窒化膜を残存させた状態で酸化を行なうよって
した。
以上のように凹部の側面にシリコン窒化膜を残存させて
酸化を行なうと凹部側方の多結晶シリコンは酸化てれず
、突起物のないフィールド絶縁、漢が形成される。
酸化を行なうと凹部側方の多結晶シリコンは酸化てれず
、突起物のないフィールド絶縁、漢が形成される。
第1図に本発明の実施例を示す。第1図AK示すように
p型シリコン基板11に熱酸化を行ないシリコン酸化膜
12500〜100OAを形成し、つづいてその上に多
結晶シリコン13をCVD法によって500〜1500
Aの厚さに堆積させる。続いて、多結晶シリコン13上
に第1のシリコン窒化膜14を1000〜2000Aの
厚さKCVD法によシ堆積させる。次にttflレジス
ト塗布後マスクパターンを合わせ露光し、現像を行なっ
て素子領域となる部分をレジスト膜15で覆う。つづい
て、レジスト膜15ヲマスクとしてフィールド酸化膜を
形成する素子分離領域の窒化シリコンと多結晶シリコン
の一部を異方性エツチングによシ除去する。(第1図B
に図示)次にレジスト15を除去し、凹部が形成された
全面に第2のシリコン窒化膜16を膜厚500〜200
0AにCVD法により形成する。(第1図Cに図示)つ
づいて、異方性エツチングにより第1シリコン窒化膜と
四部側面のJ2シリコン窒化膜とが残存するように第2
シリコン窒化膜16を蝕刻する。つづいて残存した第1
シリコン窒化膜と凹部側面の第2シリコン窒化膜とから
成るシリコン窒化膜17をマスクとしてボロンなどの不
純物を素子分離領域となる部分のシリコン基、仮11に
イオン注入し、反転防止用のp型の高濃度領域18を形
成する。
p型シリコン基板11に熱酸化を行ないシリコン酸化膜
12500〜100OAを形成し、つづいてその上に多
結晶シリコン13をCVD法によって500〜1500
Aの厚さに堆積させる。続いて、多結晶シリコン13上
に第1のシリコン窒化膜14を1000〜2000Aの
厚さKCVD法によシ堆積させる。次にttflレジス
ト塗布後マスクパターンを合わせ露光し、現像を行なっ
て素子領域となる部分をレジスト膜15で覆う。つづい
て、レジスト膜15ヲマスクとしてフィールド酸化膜を
形成する素子分離領域の窒化シリコンと多結晶シリコン
の一部を異方性エツチングによシ除去する。(第1図B
に図示)次にレジスト15を除去し、凹部が形成された
全面に第2のシリコン窒化膜16を膜厚500〜200
0AにCVD法により形成する。(第1図Cに図示)つ
づいて、異方性エツチングにより第1シリコン窒化膜と
四部側面のJ2シリコン窒化膜とが残存するように第2
シリコン窒化膜16を蝕刻する。つづいて残存した第1
シリコン窒化膜と凹部側面の第2シリコン窒化膜とから
成るシリコン窒化膜17をマスクとしてボロンなどの不
純物を素子分離領域となる部分のシリコン基、仮11に
イオン注入し、反転防止用のp型の高濃度領域18を形
成する。
(第1図りに図示) 次にウェット酸化を行ない第1図
Eに示すような膜厚6000〜10000 Aのフィー
ルド酸化膜19を形成する。このウェット酸化の工程で
は素子分離領域の多結晶シリコンは酸化されてフィール
ド酸化膜の一部となる。次にシリコン窒化!漠17及び
多結晶シリコン模13を除去して第11A F K示す
ようなフィールド酸化ノ漢19が形成される。
Eに示すような膜厚6000〜10000 Aのフィー
ルド酸化膜19を形成する。このウェット酸化の工程で
は素子分離領域の多結晶シリコンは酸化されてフィール
ド酸化膜の一部となる。次にシリコン窒化!漠17及び
多結晶シリコン模13を除去して第11A F K示す
ようなフィールド酸化ノ漢19が形成される。
以上説明した方法で形成されたフィールド酸化膜は従来
問題となった突起部ができないため、安定した構造が得
られる。また、第2の多結晶シリコンを堆積、酸化する
必要がなくなるため、工程数が減る。さらにシリコン窒
化膜16を形成し、これを用いて酸化のマスクとなるシ
リコン窒化)[17を形成するようにしたため、変換差
を小さくすることができ、素子分離領域を狭くすること
ができる。
問題となった突起部ができないため、安定した構造が得
られる。また、第2の多結晶シリコンを堆積、酸化する
必要がなくなるため、工程数が減る。さらにシリコン窒
化膜16を形成し、これを用いて酸化のマスクとなるシ
リコン窒化)[17を形成するようにしたため、変換差
を小さくすることができ、素子分離領域を狭くすること
ができる。
尚、上記の実施例においてはp型シリコン基板につき説
明したが、n型基板を用いてもよい。この場合、反転防
止用の高濃度領域はn型不純物を導入して形成する。
明したが、n型基板を用いてもよい。この場合、反転防
止用の高濃度領域はn型不純物を導入して形成する。
以上説明したように本発明によれば、突起部のないフィ
ールド絶縁膜が得られることから、導(膜及び絶縁膜な
どの断切れを起こしにくくすることができ、絶縁膜で分
離された導電膜間のンヨートを防止することができる。
ールド絶縁膜が得られることから、導(膜及び絶縁膜な
どの断切れを起こしにくくすることができ、絶縁膜で分
離された導電膜間のンヨートを防止することができる。
第1図は本発明の実施例の形成方法を示す図、42図は
従来の形成方法を示す図である。 11・・・シリコン5 板、 14 、16 、1
7・・・シリコン窒化)漢、19・・・フィールド酸化
膜。
従来の形成方法を示す図である。 11・・・シリコン5 板、 14 、16 、1
7・・・シリコン窒化)漢、19・・・フィールド酸化
膜。
Claims (1)
- 半導体基板表面に順次多結晶シリコン膜と第1シリコン
窒化膜とを形成する工程と、前記第1シリコン窒化膜の
一部を蝕刻して凹部を設ける工程と、この凹部側面を含
む半導体基板全面に第2シリコン窒化膜を形成する工程
と、この第2シリコン窒化膜を前記凹部の側面に残存さ
せ蝕刻除去する工程と、前記凹部側面に残存した第2シ
リコン窒化膜及び残存した第1シリコン窒化膜を選択酸
化のマスクとして酸化を行なう工程とからなるフィール
ド絶縁膜の形成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2198686A JPS62181451A (ja) | 1986-02-05 | 1986-02-05 | フイ−ルド絶縁膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2198686A JPS62181451A (ja) | 1986-02-05 | 1986-02-05 | フイ−ルド絶縁膜の形成方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62181451A true JPS62181451A (ja) | 1987-08-08 |
Family
ID=12070347
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2198686A Pending JPS62181451A (ja) | 1986-02-05 | 1986-02-05 | フイ−ルド絶縁膜の形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62181451A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63204746A (ja) * | 1987-02-20 | 1988-08-24 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
-
1986
- 1986-02-05 JP JP2198686A patent/JPS62181451A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63204746A (ja) * | 1987-02-20 | 1988-08-24 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
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