JPS62181451A - フイ−ルド絶縁膜の形成方法 - Google Patents
フイ−ルド絶縁膜の形成方法Info
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- JPS62181451A JPS62181451A JP2198686A JP2198686A JPS62181451A JP S62181451 A JPS62181451 A JP S62181451A JP 2198686 A JP2198686 A JP 2198686A JP 2198686 A JP2198686 A JP 2198686A JP S62181451 A JPS62181451 A JP S62181451A
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 10
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 32
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 32
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 19
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims abstract description 10
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims abstract description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 8
- 238000009279 wet oxidation reaction Methods 0.000 abstract description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 abstract 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 abstract 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Local Oxidation Of Silicon (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造方法に係り、特に素子分離領
域に形成されるフィールド絶縁膜の形成方法に関する。
域に形成されるフィールド絶縁膜の形成方法に関する。
〔従来技術］
従来のフィールド酸化膜の形成方法を第２図に示す。第
２図Ａに示すように、シリコン基板ｌ上にシリコン酸化
膜２、第１多結晶シリコン膜３、シリコン窒化膜４、第
２多結晶シリコン膜５を堆積させる。次にレジスト６を
塗布し、素子分離領域を形成するマスクパターンを用い
て露光・現象を行ない、レジスト６をバターニングし、
これをマスクとしてフィールド酸化膜を形成する領域の
第２多結晶シリコン５とシリコン窒化膜４の一部を蝕刻
する。（第２図Ｂに図示） つづいてレジスト６を除去
した後、第２多結晶シリコン膜５を酸化し、酸化膜７を
形成する。（第２図Ｃに図示）擾 次に酸化膜７をマスクとして異型性エツチングによυシ
リコン窒化膜４と第１多結晶シリコン膜３の一部を蝕刻
し凹部を形成した後、酸化膜７を除去する。（第２図り
に図示） 次知第２図Ｅに図示するようにウェット酸化
を行ないフィールド酸化膜８を形成する。つづいてシリ
コン窒化膜４及び多結晶シリコンＩ臭３を除去して第２
図Ｆに示す素子分離酸化膜が得られる。
２図Ａに示すように、シリコン基板ｌ上にシリコン酸化
膜２、第１多結晶シリコン膜３、シリコン窒化膜４、第
２多結晶シリコン膜５を堆積させる。次にレジスト６を
塗布し、素子分離領域を形成するマスクパターンを用い
て露光・現象を行ない、レジスト６をバターニングし、
これをマスクとしてフィールド酸化膜を形成する領域の
第２多結晶シリコン５とシリコン窒化膜４の一部を蝕刻
する。（第２図Ｂに図示） つづいてレジスト６を除去
した後、第２多結晶シリコン膜５を酸化し、酸化膜７を
形成する。（第２図Ｃに図示）擾 次に酸化膜７をマスクとして異型性エツチングによυシ
リコン窒化膜４と第１多結晶シリコン膜３の一部を蝕刻
し凹部を形成した後、酸化膜７を除去する。（第２図り
に図示） 次知第２図Ｅに図示するようにウェット酸化
を行ないフィールド酸化膜８を形成する。つづいてシリ
コン窒化膜４及び多結晶シリコンＩ臭３を除去して第２
図Ｆに示す素子分離酸化膜が得られる。
第２図に示したような従来の製造方法では、第２多結晶
シリコン膜５の長時間の酸化工程によって四部側面のシ
リコン窒化ノ摸４と多結晶シリコン膜３との境界にも酸
化膜が形成さ九、第２図Ｆに示す突起部が形成する。こ
の突起部は素子分離領域の上に形成される導電膜や絶Ｒ
膜などが断切れを起こす原因となる。層間絶縁膜に断切
れが起こると、導電膜間でシ１−トしてしまうこともあ
り素子形成に悪影響を及ぼす。本発明は、フィール絶縁
膜の突起部による導電膜及び絶ｉ模の断切れを防止する
ことを目的とする。
シリコン膜５の長時間の酸化工程によって四部側面のシ
リコン窒化ノ摸４と多結晶シリコン膜３との境界にも酸
化膜が形成さ九、第２図Ｆに示す突起部が形成する。こ
の突起部は素子分離領域の上に形成される導電膜や絶Ｒ
膜などが断切れを起こす原因となる。層間絶縁膜に断切
れが起こると、導電膜間でシ１−トしてしまうこともあ
り素子形成に悪影響を及ぼす。本発明は、フィール絶縁
膜の突起部による導電膜及び絶ｉ模の断切れを防止する
ことを目的とする。
従来の製造方法におけるフィールド絶縁膜に発生する突
起物は、長時間の酸化工程により凹部側面の多結晶シリ
コンが酸化されて形成される。本発明では、凹部側面に
シリコン窒化膜を残存させた状態で酸化を行なうよって
した。
起物は、長時間の酸化工程により凹部側面の多結晶シリ
コンが酸化されて形成される。本発明では、凹部側面に
シリコン窒化膜を残存させた状態で酸化を行なうよって
した。
以上のように凹部の側面にシリコン窒化膜を残存させて
酸化を行なうと凹部側方の多結晶シリコンは酸化てれず
、突起物のないフィールド絶縁、漢が形成される。
酸化を行なうと凹部側方の多結晶シリコンは酸化てれず
、突起物のないフィールド絶縁、漢が形成される。
第１図に本発明の実施例を示す。第１図ＡＫ示すように
ｐ型シリコン基板１１に熱酸化を行ないシリコン酸化膜
１２５００〜１００ＯＡを形成し、つづいてその上に多
結晶シリコン１３をＣＶＤ法によって５００〜１５００
Ａの厚さに堆積させる。続いて、多結晶シリコン１３上
に第１のシリコン窒化膜１４を１０００〜２０００Ａの
厚さＫＣＶＤ法によシ堆積させる。次にｔｔｆｌレジス
ト塗布後マスクパターンを合わせ露光し、現像を行なっ
て素子領域となる部分をレジスト膜１５で覆う。つづい
て、レジスト膜１５ヲマスクとしてフィールド酸化膜を
形成する素子分離領域の窒化シリコンと多結晶シリコン
の一部を異方性エツチングによシ除去する。（第１図Ｂ
に図示）次にレジスト１５を除去し、凹部が形成された
全面に第２のシリコン窒化膜１６を膜厚５００〜２００
０ＡにＣＶＤ法により形成する。（第１図Ｃに図示）つ
づいて、異方性エツチングにより第１シリコン窒化膜と
四部側面のＪ２シリコン窒化膜とが残存するように第２
シリコン窒化膜１６を蝕刻する。つづいて残存した第１
シリコン窒化膜と凹部側面の第２シリコン窒化膜とから
成るシリコン窒化膜１７をマスクとしてボロンなどの不
純物を素子分離領域となる部分のシリコン基、仮１１に
イオン注入し、反転防止用のｐ型の高濃度領域１８を形
成する。
ｐ型シリコン基板１１に熱酸化を行ないシリコン酸化膜
１２５００〜１００ＯＡを形成し、つづいてその上に多
結晶シリコン１３をＣＶＤ法によって５００〜１５００
Ａの厚さに堆積させる。続いて、多結晶シリコン１３上
に第１のシリコン窒化膜１４を１０００〜２０００Ａの
厚さＫＣＶＤ法によシ堆積させる。次にｔｔｆｌレジス
ト塗布後マスクパターンを合わせ露光し、現像を行なっ
て素子領域となる部分をレジスト膜１５で覆う。つづい
て、レジスト膜１５ヲマスクとしてフィールド酸化膜を
形成する素子分離領域の窒化シリコンと多結晶シリコン
の一部を異方性エツチングによシ除去する。（第１図Ｂ
に図示）次にレジスト１５を除去し、凹部が形成された
全面に第２のシリコン窒化膜１６を膜厚５００〜２００
０ＡにＣＶＤ法により形成する。（第１図Ｃに図示）つ
づいて、異方性エツチングにより第１シリコン窒化膜と
四部側面のＪ２シリコン窒化膜とが残存するように第２
シリコン窒化膜１６を蝕刻する。つづいて残存した第１
シリコン窒化膜と凹部側面の第２シリコン窒化膜とから
成るシリコン窒化膜１７をマスクとしてボロンなどの不
純物を素子分離領域となる部分のシリコン基、仮１１に
イオン注入し、反転防止用のｐ型の高濃度領域１８を形
成する。
（第１図りに図示） 次にウェット酸化を行ない第１図
Ｅに示すような膜厚６０００〜１００００ Ａのフィー
ルド酸化膜１９を形成する。このウェット酸化の工程で
は素子分離領域の多結晶シリコンは酸化されてフィール
ド酸化膜の一部となる。次にシリコン窒化！漠１７及び
多結晶シリコン模１３を除去して第１１Ａ Ｆ Ｋ示す
ようなフィールド酸化ノ漢１９が形成される。
Ｅに示すような膜厚６０００〜１００００ Ａのフィー
ルド酸化膜１９を形成する。このウェット酸化の工程で
は素子分離領域の多結晶シリコンは酸化されてフィール
ド酸化膜の一部となる。次にシリコン窒化！漠１７及び
多結晶シリコン模１３を除去して第１１Ａ Ｆ Ｋ示す
ようなフィールド酸化ノ漢１９が形成される。
以上説明した方法で形成されたフィールド酸化膜は従来
問題となった突起部ができないため、安定した構造が得
られる。また、第２の多結晶シリコンを堆積、酸化する
必要がなくなるため、工程数が減る。さらにシリコン窒
化膜１６を形成し、これを用いて酸化のマスクとなるシ
リコン窒化）［１７を形成するようにしたため、変換差
を小さくすることができ、素子分離領域を狭くすること
ができる。
問題となった突起部ができないため、安定した構造が得
られる。また、第２の多結晶シリコンを堆積、酸化する
必要がなくなるため、工程数が減る。さらにシリコン窒
化膜１６を形成し、これを用いて酸化のマスクとなるシ
リコン窒化）［１７を形成するようにしたため、変換差
を小さくすることができ、素子分離領域を狭くすること
ができる。
尚、上記の実施例においてはｐ型シリコン基板につき説
明したが、ｎ型基板を用いてもよい。この場合、反転防
止用の高濃度領域はｎ型不純物を導入して形成する。
明したが、ｎ型基板を用いてもよい。この場合、反転防
止用の高濃度領域はｎ型不純物を導入して形成する。
以上説明したように本発明によれば、突起部のないフィ
ールド絶縁膜が得られることから、導（膜及び絶縁膜な
どの断切れを起こしにくくすることができ、絶縁膜で分
離された導電膜間のンヨートを防止することができる。
ールド絶縁膜が得られることから、導（膜及び絶縁膜な
どの断切れを起こしにくくすることができ、絶縁膜で分
離された導電膜間のンヨートを防止することができる。
第１図は本発明の実施例の形成方法を示す図、４２図は
従来の形成方法を示す図である。 １１・・・シリコン５ 板、 １４ 、１６ 、１
７・・・シリコン窒化）漢、１９・・・フィールド酸化
膜。
従来の形成方法を示す図である。 １１・・・シリコン５ 板、 １４ 、１６ 、１
７・・・シリコン窒化）漢、１９・・・フィールド酸化
膜。
Claims (1)
- 半導体基板表面に順次多結晶シリコン膜と第１シリコン
窒化膜とを形成する工程と、前記第１シリコン窒化膜の
一部を蝕刻して凹部を設ける工程と、この凹部側面を含
む半導体基板全面に第２シリコン窒化膜を形成する工程
と、この第２シリコン窒化膜を前記凹部の側面に残存さ
せ蝕刻除去する工程と、前記凹部側面に残存した第２シ
リコン窒化膜及び残存した第１シリコン窒化膜を選択酸
化のマスクとして酸化を行なう工程とからなるフィール
ド絶縁膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2198686A JPS62181451A (ja) | 1986-02-05 | 1986-02-05 | フイ−ルド絶縁膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2198686A JPS62181451A (ja) | 1986-02-05 | 1986-02-05 | フイ−ルド絶縁膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62181451A true JPS62181451A (ja) | 1987-08-08 |
Family
ID=12070347
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2198686A Pending JPS62181451A (ja) | 1986-02-05 | 1986-02-05 | フイ−ルド絶縁膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62181451A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63204746A (ja) * | 1987-02-20 | 1988-08-24 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
-
1986
- 1986-02-05 JP JP2198686A patent/JPS62181451A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63204746A (ja) * | 1987-02-20 | 1988-08-24 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
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