JPS6358636A - 光学情報記録部材 - Google Patents
光学情報記録部材Info
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Links
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Landscapes
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、元、熱などを用いて高速かつ、高密度に情報
を記録、消去、再生可能な光学情報記録部材に関するも
のである。
を記録、消去、再生可能な光学情報記録部材に関するも
のである。
従来の技術
近年、情報量の増大化、記録、再生の高速化。
高密度化に伴ない、レーザ光線を利用した光ディスクが
注目されている。光ディスクには、−度のみ記録可能な
追記型と、記録した信号を消去し何度も使用可能な書き
換え可能なものがある。追記型光ディスクには、記録信
号を穴あき状態として、再生するものや、凹凸を生成さ
せて再生するものがある。書き換え可能なものとしては
カルコゲン化物を用いる試みがあり、Te−Geを初め
として、これに人s、S、Si、Sa、Sb、Biなど
を添加した例が知られている。
注目されている。光ディスクには、−度のみ記録可能な
追記型と、記録した信号を消去し何度も使用可能な書き
換え可能なものがある。追記型光ディスクには、記録信
号を穴あき状態として、再生するものや、凹凸を生成さ
せて再生するものがある。書き換え可能なものとしては
カルコゲン化物を用いる試みがあり、Te−Geを初め
として、これに人s、S、Si、Sa、Sb、Biなど
を添加した例が知られている。
これに対し、本発明者らは先に、To−Te02のよう
な酸化物を含んだ系の相転移による反射率変化を信号と
する方式を提案した0さらに、相転移を利用した書き換
え可能な光ディスクとして、To−Te02に対し各種
添加物を添加(Sn、Ge。
な酸化物を含んだ系の相転移による反射率変化を信号と
する方式を提案した0さらに、相転移を利用した書き換
え可能な光ディスクとして、To−Te02に対し各種
添加物を添加(Sn、Ge。
Bi 、In、Pb、T7!、Seなど)した例がある
。これらの記録部材の特徴は、C/Nが高く、耐湿性に
対しても優れるという特徴を有している。
。これらの記録部材の特徴は、C/Nが高く、耐湿性に
対しても優れるという特徴を有している。
発明が解決しようとする問題点
カルコゲン化物よりなる書き換え可能な情報記録部材は
、一般的に、記録、消去の繰り返しに対する安定性が悪
いといった特徴を有する。この理由は、To、Geとそ
の他の添加成分が、数度のくり返しによって、膜が相分
離を生じてしまい、初期とくり返し後では膜の構成成分
が異なることに帰因すると思われる。消去可能な光ディ
スクで相転移を利用する場合、通常は、未記録、消去状
態を結晶質とし、記録状態を非晶質とする方法がとられ
る。この場合、記録はレーザ光で、−旦、膜を溶融させ
急冷によって非晶質にする訳である妙ζ現在の半導体レ
ーザにはパワーの限界があり、できるだけ融点の低い膜
が、記録感度が高いことになる。このために、上述した
カルコゲン化物よりなる膜は、記録感度を向上させるた
めに、できるだけ融点の低い組成、すなわち、Teが多
い膜組成となっている。Toが、他の添加成分より多い
ということは、<り返し特性においてそれだけ相分離が
起こし易いことを意味する。したがって融点を下げるた
めに添加した過剰のTeをいかに固定して動きにくい組
成にするかが、くり返し特性やや、GNR,消去率の経
時変動に大きな影響を及ぼすことになる。
、一般的に、記録、消去の繰り返しに対する安定性が悪
いといった特徴を有する。この理由は、To、Geとそ
の他の添加成分が、数度のくり返しによって、膜が相分
離を生じてしまい、初期とくり返し後では膜の構成成分
が異なることに帰因すると思われる。消去可能な光ディ
スクで相転移を利用する場合、通常は、未記録、消去状
態を結晶質とし、記録状態を非晶質とする方法がとられ
る。この場合、記録はレーザ光で、−旦、膜を溶融させ
急冷によって非晶質にする訳である妙ζ現在の半導体レ
ーザにはパワーの限界があり、できるだけ融点の低い膜
が、記録感度が高いことになる。このために、上述した
カルコゲン化物よりなる膜は、記録感度を向上させるた
めに、できるだけ融点の低い組成、すなわち、Teが多
い膜組成となっている。Toが、他の添加成分より多い
ということは、<り返し特性においてそれだけ相分離が
起こし易いことを意味する。したがって融点を下げるた
めに添加した過剰のTeをいかに固定して動きにくい組
成にするかが、くり返し特性やや、GNR,消去率の経
時変動に大きな影響を及ぼすことになる。
酸化物を含んだ記録部材にも、以下に記述する欠点があ
った。すなわち、消去率が録再消去のくり返しによって
低下することである。
った。すなわち、消去率が録再消去のくり返しによって
低下することである。
書き換え可能な光ディスクは、通常、初期状態を結晶状
態とし、記録状態を非晶質として記録を行なう。消去は
初期状態と同様に結晶質とする。
態とし、記録状態を非晶質として記録を行なう。消去は
初期状態と同様に結晶質とする。
この記録部材の結晶質−非晶質間の相転移は、レーザの
徐冷−急冷の条件変化によって達成される。
徐冷−急冷の条件変化によって達成される。
すなわち、レーザ光による加熱後、徐冷によって結晶質
となり急冷によって非晶質となる。したがって記録、消
去のくり返しによって、膜は何度も結晶質、非晶質状態
を経ることになる。この場合、膜に酸化物が存在すると
、膜の粘性が高いので、カルコゲン化物の泳動性が少な
くなり、膜組成の偏析が生じやすくなる。さらに、酸化
物の存在は膜自身の熱伝導を悪くするので、レーザ光の
入射側と反対側の膜厚間で温度分布差を生じ、膜組成の
偏析はやはり生ずる。こうした理由により、酸化物を含
んだ膜は、記録、消去のくり返しによって次第に特性が
変化するなどの欠点を有していた。
となり急冷によって非晶質となる。したがって記録、消
去のくり返しによって、膜は何度も結晶質、非晶質状態
を経ることになる。この場合、膜に酸化物が存在すると
、膜の粘性が高いので、カルコゲン化物の泳動性が少な
くなり、膜組成の偏析が生じやすくなる。さらに、酸化
物の存在は膜自身の熱伝導を悪くするので、レーザ光の
入射側と反対側の膜厚間で温度分布差を生じ、膜組成の
偏析はやはり生ずる。こうした理由により、酸化物を含
んだ膜は、記録、消去のくり返しによって次第に特性が
変化するなどの欠点を有していた。
本発明は、上述した酸化物を含む膜のくり返し特性を向
上させることを目的とし、さらに、カルコゲン化物より
なる従来組成の欠点(C/Nが低い、消去率が充分では
ない、耐湿性、耐熱性が悪い、くり返し特性が充分では
ない)を克服したものである。
上させることを目的とし、さらに、カルコゲン化物より
なる従来組成の欠点(C/Nが低い、消去率が充分では
ない、耐湿性、耐熱性が悪い、くり返し特性が充分では
ない)を克服したものである。
問題点を解決するための手段
本発明における記録層は、Te−Ge−8b系の組成物
であって、0がSb、Geの酸化物として非晶質状態で
存在していることを特徴とするものである。
であって、0がSb、Geの酸化物として非晶質状態で
存在していることを特徴とするものである。
作用
本発明の特徴は、結晶化速度は速いが、非晶質としての
安定性が悪いTe 6−Sb系に0を添加することによ
って、非晶質としての安定性を図るうとするものである
。0は膜中にあって、GeO2。
安定性が悪いTe 6−Sb系に0を添加することによ
って、非晶質としての安定性を図るうとするものである
。0は膜中にあって、GeO2。
Sb203などの酸化物を形成する。各々の酸化物の標
準生成自由エネルギーは、Sb203が一720KJ
/ mol 、GeO2が−rs 51KJ/moj
、TeO2が−327KJ /moeで、Sb203
カfiji モ生成1.ヤス(、TeO2が最も生成し
にくい。したがって、0はほとんどが、Sb203 、
GeO2として存在する。−般に、これらの酸化物は、
非晶質になり易く、そのものが非晶質として安定である
ばかりではなく、残りの光学特性を支配するカルコゲン
の非晶質としての安定化にも寄与する。したがって、T
e−Ge −Sbからなる膜の結晶化転位温度を高める
。
準生成自由エネルギーは、Sb203が一720KJ
/ mol 、GeO2が−rs 51KJ/moj
、TeO2が−327KJ /moeで、Sb203
カfiji モ生成1.ヤス(、TeO2が最も生成し
にくい。したがって、0はほとんどが、Sb203 、
GeO2として存在する。−般に、これらの酸化物は、
非晶質になり易く、そのものが非晶質として安定である
ばかりではなく、残りの光学特性を支配するカルコゲン
の非晶質としての安定化にも寄与する。したがって、T
e−Ge −Sbからなる膜の結晶化転位温度を高める
。
本発明の特徴は、0を添加することによって、酸化物を
形成し結晶化転位温度を高めると同時にTeGeSbか
らなる記録膜の非晶質化を容易にしようとするものであ
る。
形成し結晶化転位温度を高めると同時にTeGeSbか
らなる記録膜の非晶質化を容易にしようとするものであ
る。
sbはTeと化合物(Sb2Tes)を形成し、Te濃
度が50%以上のSb−Te系では、融点が最も高い場
合、(Sb2T05)でも622℃である。この温度は
他のTe−Ge、Te−8nなどと比較してもj50℃
近くも低い。したがって、Sbの添加は、Teと母材と
する膜の融点を上昇させることなしに、過剰なTeを固
定することが可能となる。
度が50%以上のSb−Te系では、融点が最も高い場
合、(Sb2T05)でも622℃である。この温度は
他のTe−Ge、Te−8nなどと比較してもj50℃
近くも低い。したがって、Sbの添加は、Teと母材と
する膜の融点を上昇させることなしに、過剰なTeを固
定することが可能となる。
実施例
本発明は、Te−Ge−Sb−o より構成される。
本発明において、OはsbあるいはGeと結合した状態
で存在し、記録前後によって光学的a度変化を呈するの
は、酸化物形成後のTe−Ge−Sbである。
で存在し、記録前後によって光学的a度変化を呈するの
は、酸化物形成後のTe−Ge−Sbである。
Te−Ge−Sbからなる膜の特徴は、結晶化速度が速
いものの、記録感度(非晶質化)が低く、かつ安定性に
乏しい欠点を有しているのに対し、本発明では酸化物を
形成させることにより、この欠点克服したものである。
いものの、記録感度(非晶質化)が低く、かつ安定性に
乏しい欠点を有しているのに対し、本発明では酸化物を
形成させることにより、この欠点克服したものである。
本発明において、Te 、 Ge 、Sb、Oは結晶状
態ではGeTe 、 Sb2Te5などの結晶形として
存在し非晶質状態そは、これらの非晶質の状態と、Ge
02゜Sb205の非晶質が存在する。
態ではGeTe 、 Sb2Te5などの結晶形として
存在し非晶質状態そは、これらの非晶質の状態と、Ge
02゜Sb205の非晶質が存在する。
本発明で非晶質化の感度を向上させるための0の含有量
は6〜30at%以内である。62Lt%より少ない場
合は、非晶質化に対する寄与は少なく、記録感度は悪い
。逆に30at%を越えると、記録膜の光学濃度を支配
するTo 、 Ge 、 Sb濃度が低くなり、記録、
消去が困難となる。
は6〜30at%以内である。62Lt%より少ない場
合は、非晶質化に対する寄与は少なく、記録感度は悪い
。逆に30at%を越えると、記録膜の光学濃度を支配
するTo 、 Ge 、 Sb濃度が低くなり、記録、
消去が困難となる。
本発明においては、酸素と結合しないTo、Ge。
sb濃度比が重要であるが、これらの一部は酸素と一部
結合しているので、残りのカルコゲン化物量の限定を行
なうことは困難である。しかしながら、本発明において
は、0がある特定の元素と1oo%結合したとしても、
その特定の元素は、酸化物の形成量以上の量を含むこと
が必須である。
結合しているので、残りのカルコゲン化物量の限定を行
なうことは困難である。しかしながら、本発明において
は、0がある特定の元素と1oo%結合したとしても、
その特定の元素は、酸化物の形成量以上の量を含むこと
が必須である。
すなわち、0が301Lt%の場合、最も酸化物を生成
しやすいsbはSb2o3として存在するので、20
at%以上含まれていなければならない。同様にGeは
Geo 2として存在するので15at%含有していな
ければならない。膜中にあって、0は必ずしも、sbあ
るいはGeと単独に酸化物を形成している訳ではないが
、いずれの元素も酸化物を形成後もカルコゲン化物とし
てTe−Ge−sbが存在しなければ、本発明の目的は
達せられない。したがって、本発明における酸素濃度は
6〜3Qat%であり、かつ、GeとSb濃度は酸化物
形成後も膜中に金属もしくは半金属の状態として存在し
ていることが不可欠である。
しやすいsbはSb2o3として存在するので、20
at%以上含まれていなければならない。同様にGeは
Geo 2として存在するので15at%含有していな
ければならない。膜中にあって、0は必ずしも、sbあ
るいはGeと単独に酸化物を形成している訳ではないが
、いずれの元素も酸化物を形成後もカルコゲン化物とし
てTe−Ge−sbが存在しなければ、本発明の目的は
達せられない。したがって、本発明における酸素濃度は
6〜3Qat%であり、かつ、GeとSb濃度は酸化物
形成後も膜中に金属もしくは半金属の状態として存在し
ていることが不可欠である。
以上述べた理由により、本発明のTo −Ge −Sb
−〇の最適組成は限定される。
−〇の最適組成は限定される。
次に本発明による光学情報記録部材の製法について述べ
る。
る。
図は、本発明の記録層を用いて構成した光ディスクの断
面の模式図である。図において、1.6は基板を表わし
ており、材質は、ポリカーボネート、アクリル樹脂、ガ
ラス、ポリエステル等の透明な基材を用いることが可能
である。2.4は保護層で、種々の酸化物、硫化物、炭
化物を用いることができる。この保護層2,4は記録膜
3の記録、消去の繰り返しによる基材の熱劣化を防ぐも
のであり、さらに、記録膜3を湿度より保護するもので
ある。したがって、保護層の材質、膜厚は上述した観点
より決定される。記録膜3は、蒸着。
面の模式図である。図において、1.6は基板を表わし
ており、材質は、ポリカーボネート、アクリル樹脂、ガ
ラス、ポリエステル等の透明な基材を用いることが可能
である。2.4は保護層で、種々の酸化物、硫化物、炭
化物を用いることができる。この保護層2,4は記録膜
3の記録、消去の繰り返しによる基材の熱劣化を防ぐも
のであり、さらに、記録膜3を湿度より保護するもので
ある。したがって、保護層の材質、膜厚は上述した観点
より決定される。記録膜3は、蒸着。
スパッタリング等によって形成される。蒸着で行なう場
合は各組成を単独に蒸着可能な4ソ一ス蒸着機を用いる
のが、均一膜を作成できるので望ましい。
合は各組成を単独に蒸着可能な4ソ一ス蒸着機を用いる
のが、均一膜を作成できるので望ましい。
本発明の記録膜3の膜厚は、保護層2.4の光学特性と
のマツチング、すなわち、記録部と未記録との反射率の
差が大きくとれる値とする。
のマツチング、すなわち、記録部と未記録との反射率の
差が大きくとれる値とする。
以下、具体的な例で本発明を詳述する。
実施例1
4源蒸着が可能な電子ビーム蒸着機を用いてTe、 G
e 、 Sb 、GeO2をそれぞれのソースから基材
上に同時に蒸着した。用いた基材はφsmmのガラスで
、蒸着は真空度が1 X 10−5Torrで基材の回
転速度は150rpmで行ない、膜厚は1000人とし
た。各ソースからの蒸着速度は記録膜中のTe、 Ga
、 Sb 、 Ge02の原子数の割合を調整するた
め、変化させた。第1表の組成の割合は、この蒸着の速
度より換算した値であるが、代表的な組成を波長分散型
X線マイクロアナライザー(XMA)で行なったところ
、仕込値とほぼ同様の定量結果が得られた。したがって
、表中の仕込み組成は、膜中でも同じと思われる。
e 、 Sb 、GeO2をそれぞれのソースから基材
上に同時に蒸着した。用いた基材はφsmmのガラスで
、蒸着は真空度が1 X 10−5Torrで基材の回
転速度は150rpmで行ない、膜厚は1000人とし
た。各ソースからの蒸着速度は記録膜中のTe、 Ga
、 Sb 、 Ge02の原子数の割合を調整するた
め、変化させた。第1表の組成の割合は、この蒸着の速
度より換算した値であるが、代表的な組成を波長分散型
X線マイクロアナライザー(XMA)で行なったところ
、仕込値とほぼ同様の定量結果が得られた。したがって
、表中の仕込み組成は、膜中でも同じと思われる。
上記製法によって作成された試験片の評価方法を以下に
記す。
記す。
転移温度とは、蒸着直後の非晶質状態の膜が熱によって
結晶状態になる開始温度を意味する。測定は、膜の透過
率の測定が可能な装置を用い、ヒーターにより試験片の
温度を昇温速度1°(:、/seaで上昇させた場合の
透過率が減少を開始する温度とした。
結晶状態になる開始温度を意味する。測定は、膜の透過
率の測定が可能な装置を用い、ヒーターにより試験片の
温度を昇温速度1°(:、/seaで上昇させた場合の
透過率が減少を開始する温度とした。
転移温度が高いことは、膜が熱的に安定であることを意
味する。
味する。
黒化特性とは、非晶質から結晶質への変態に対しての転
移速度を示したもので、白化特性は結晶質から非晶質の
転移速度を示したものである。
移速度を示したもので、白化特性は結晶質から非晶質の
転移速度を示したものである。
測定は、φ9ml11のガラス片上の記録膜に、レンズ
を用いて、レーザ光を集光させ、サンプル片を上下、左
右移動可能とした装置を用いて行なった0レーザ光のス
ポットは45X0.4μm、パルス巾200nS、パワ
ー密度10−6 m W/μm1波長は900nmとし
た。黒化特性は、試験片を比較的緩かに移動させた場合
の変態(非晶質から結晶知の速度を観察し、速度が充分
早く、かつ未記録部分と記録部分のコントラスト比が充
分大きいものを◎とした。×は緩やかに移動させても、
黒化しないもの、あるいは、コントラスト比が小さいも
のを示す。○、△は◎と×の中間に位置する。この定性
的な表現において、実用可能な黒化特性ば0以上である
。
を用いて、レーザ光を集光させ、サンプル片を上下、左
右移動可能とした装置を用いて行なった0レーザ光のス
ポットは45X0.4μm、パルス巾200nS、パワ
ー密度10−6 m W/μm1波長は900nmとし
た。黒化特性は、試験片を比較的緩かに移動させた場合
の変態(非晶質から結晶知の速度を観察し、速度が充分
早く、かつ未記録部分と記録部分のコントラスト比が充
分大きいものを◎とした。×は緩やかに移動させても、
黒化しないもの、あるいは、コントラスト比が小さいも
のを示す。○、△は◎と×の中間に位置する。この定性
的な表現において、実用可能な黒化特性ば0以上である
。
次に白化特性について述べる。白化特性を観る場合は、
まず、−旦、黒化し、その上を試験片を速やかに移動さ
せ、急冷状態を作り、白化(結晶質から非晶質)させる
。白化状態が◎のものは、移動速度が比較的緩やかでも
、白化し、しかも非晶質部分と結晶質部分のコントラス
ト比が太きいものを示し、Xは全く白化しないものを示
している。○とΔは、◎と×の中間に位置する。
まず、−旦、黒化し、その上を試験片を速やかに移動さ
せ、急冷状態を作り、白化(結晶質から非晶質)させる
。白化状態が◎のものは、移動速度が比較的緩やかでも
、白化し、しかも非晶質部分と結晶質部分のコントラス
ト比が太きいものを示し、Xは全く白化しないものを示
している。○とΔは、◎と×の中間に位置する。
上述した表現によれば、黒化、白化特性とも非常にすぐ
れている場合は、◎、◎となるが、実際問題としては同
じ移動速度で、どちらも◎となることはあり得す、望ま
しい材料としては、◎、○あるいは◎、△と、多少黒化
特性が優れているものである。
れている場合は、◎、◎となるが、実際問題としては同
じ移動速度で、どちらも◎となることはあり得す、望ま
しい材料としては、◎、○あるいは◎、△と、多少黒化
特性が優れているものである。
第1表に、本発明の範囲で0濃度を変化させて作成した
膜の転移温度と、黒化、白化特性の結果を示す。
膜の転移温度と、黒化、白化特性の結果を示す。
(以 下 余 白)
第1表の結果より明らかなように、本発明の範囲にある
Te−Ge−3b系記録薄膜は、黒化及び白化がそれぞ
れ可能である。即ちこの範囲内にある記録部材は、加熱
条件、例えば照射するレーザー光線の照射強度、照射時
間を適当に選ぶことで非晶質状態と結晶状態のいずれの
状態もとることが可能であり、光学的に情報を記録し、
かつ消去することが可能である。
Te−Ge−3b系記録薄膜は、黒化及び白化がそれぞ
れ可能である。即ちこの範囲内にある記録部材は、加熱
条件、例えば照射するレーザー光線の照射強度、照射時
間を適当に選ぶことで非晶質状態と結晶状態のいずれの
状態もとることが可能であり、光学的に情報を記録し、
かつ消去することが可能である。
なお実施例におけるテス) N11 t 8および15
は、本発明の範囲外の参考例で、遅1は酸素濃度が低い
場合で、黒化特性は優れるものの、白化特性が劣ること
を示している。克8ばこれとは反対に、酸素a度が高い
ため、白化特性は優れるものの、黒化特性が劣っている
。%16は酸素濃度は満足しているものの、Sb濃度が
全て酸化物を形成する濃度で、光学的濃度変化をもたら
す、TeGeSb系合金が形成されないので、黒化、白
化特性が充分ではない。
は、本発明の範囲外の参考例で、遅1は酸素濃度が低い
場合で、黒化特性は優れるものの、白化特性が劣ること
を示している。克8ばこれとは反対に、酸素a度が高い
ため、白化特性は優れるものの、黒化特性が劣っている
。%16は酸素濃度は満足しているものの、Sb濃度が
全て酸化物を形成する濃度で、光学的濃度変化をもたら
す、TeGeSb系合金が形成されないので、黒化、白
化特性が充分ではない。
得られた試料を光電子分光分析(E S CA)で00
結合を分析したところ気1〜述15では、GeとSb−
oの結合が観測され、Teの結合は観測されなかった0
これは蒸着にはGeO2を用いているものの、蒸着中に
Geo 2が分解し、−部sbと0が反応したものと思
われる。なお、X線回折で蒸着時の膜を分析したところ
、いずれの試料も、非晶質特有のハローパターンが観察
された0た0 実施例2 実施例1のNQ3における組成ヲTe、GO9Sbより
なるターゲットを有したスパッタ装置により蒸着した。
結合を分析したところ気1〜述15では、GeとSb−
oの結合が観測され、Teの結合は観測されなかった0
これは蒸着にはGeO2を用いているものの、蒸着中に
Geo 2が分解し、−部sbと0が反応したものと思
われる。なお、X線回折で蒸着時の膜を分析したところ
、いずれの試料も、非晶質特有のハローパターンが観察
された0た0 実施例2 実施例1のNQ3における組成ヲTe、GO9Sbより
なるターゲットを有したスパッタ装置により蒸着した。
Oa度はスパッタガスとして、Ar:0=96 + 5
としたガスを用イ5 X 10 ’Torr 。
としたガスを用イ5 X 10 ’Torr 。
条件で作成した。
この試料を、実施例1と同様に評価したところ、転移温
度は185°Cで、黒化、白化特性はそれぞれ◎、Δで
あった。
度は185°Cで、黒化、白化特性はそれぞれ◎、Δで
あった。
実施例3
基材として光ガイド用のトラックを備えた1、2tXφ
200mm のポリカーボネイト樹脂基材を用い、記
録膜として、実施例1のN9の薄膜を用いて光ディスク
を試作した。
200mm のポリカーボネイト樹脂基材を用い、記
録膜として、実施例1のN9の薄膜を用いて光ディスク
を試作した。
まず、基材上に耐熱層としてZns薄膜を900人蒸漬
し、その上に記録層を約1000人の厚さに蒸着し、更
にその上に同じく耐熱層としてZns薄膜を1800人
蒸着人蒸。
し、その上に記録層を約1000人の厚さに蒸着し、更
にその上に同じく耐熱層としてZns薄膜を1800人
蒸着人蒸。
この光ディスクの基板側から、光学系を用いて絞り込ん
だレーザー光線を照射して信号を記録し直ちに消去を行
なった。記録に先立って、スポット形状が1 μm×1
0μmの長楕円形のレーザー光線を14mWの強さでト
ラックにそって照射レトラック内の記録膜を結晶化し、
次に0.9μmφに絞り込んだレーザー光線をamWの
強さで照射した。記録周波数は2MHz、ディスクの回
転速度はs m / sである。このとき照射部は非晶
質化され、トラックに沿って信号が記録された。スペク
トラムアナライザーで、C/Nを測定したところ54d
Bが得られた。このトラック上に、前述の長楕円スポッ
トを照射したところ、信号は完全に消去された。
だレーザー光線を照射して信号を記録し直ちに消去を行
なった。記録に先立って、スポット形状が1 μm×1
0μmの長楕円形のレーザー光線を14mWの強さでト
ラックにそって照射レトラック内の記録膜を結晶化し、
次に0.9μmφに絞り込んだレーザー光線をamWの
強さで照射した。記録周波数は2MHz、ディスクの回
転速度はs m / sである。このとき照射部は非晶
質化され、トラックに沿って信号が記録された。スペク
トラムアナライザーで、C/Nを測定したところ54d
Bが得られた。このトラック上に、前述の長楕円スポッ
トを照射したところ、信号は完全に消去された。
実施例4
実施例3における光ディスクを用いて、寿命試験を80
℃、60係RHの条件下で行なった。
℃、60係RHの条件下で行なった。
試験方法は、予じめ情報を記録しておき、上記条件で保
持後のC/1(の劣化をみた。1ケ月経過後の07Hの
低下は−o、ts d Bと無視できる程度であった。
持後のC/1(の劣化をみた。1ケ月経過後の07Hの
低下は−o、ts d Bと無視できる程度であった。
実施例5
実施例3における光ディスクの記録、消去の:繰り返し
特性を評価した。
特性を評価した。
10万回記録、消去を繰り返した後のC/ Hの低下は
、約2 dB程度であった。
、約2 dB程度であった。
発明の効果
本発明によるTe−Gθ−3b記録薄膜は、耐熱性及び
耐湿性に極めて優れ、記録、消去を繰υ返しても膜が破
壊されることが無い。即ち、本発明によって実用上、極
めて優れた光学情報記録部材が提供された。
耐湿性に極めて優れ、記録、消去を繰υ返しても膜が破
壊されることが無い。即ち、本発明によって実用上、極
めて優れた光学情報記録部材が提供された。
図は、本発明の一実施例における光学情報記録部材の構
成を示した断面図である。
成を示した断面図である。
Claims (3)
- (1)Te、Ge、Sb、Oより構成され、OはSb、
Geの酸化物として非晶質状態で存在していることを特
徴とする光学情報記録部材。 - (2)Oの含有量が5〜30at%であり、かつGe、
Sbの濃度はGeO_2、Sd_2O_3酸化物を形成
する以上に含み、前記、酸化物以外にTe−Ge−Sb
のカルコゲン化物合金を形成していることを特徴とする
特許請求の範囲第1項記載の光学情報記録部材。 - (3)Sb、Geの酸化物がSb_2O_3、GeO_
2であることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の
光学情報記録部材。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61204134A JPS6358636A (ja) | 1986-08-29 | 1986-08-29 | 光学情報記録部材 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61204134A JPS6358636A (ja) | 1986-08-29 | 1986-08-29 | 光学情報記録部材 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6358636A true JPS6358636A (ja) | 1988-03-14 |
Family
ID=16485399
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61204134A Pending JPS6358636A (ja) | 1986-08-29 | 1986-08-29 | 光学情報記録部材 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6358636A (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02252577A (ja) * | 1989-03-28 | 1990-10-11 | Ricoh Co Ltd | 情報記録媒体 |
JPH0411336A (ja) * | 1990-04-27 | 1992-01-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光記録媒体 |
JPH0410980A (ja) * | 1990-04-27 | 1992-01-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光記録媒体 |
JPH06170684A (ja) * | 1992-12-04 | 1994-06-21 | Yasui:Kk | ワーク洗浄装置 |
EP0874361A2 (en) * | 1997-04-25 | 1998-10-28 | Teijin Limited | Phase change optical recording medium and process for manufacturing same |
WO2000022618A1 (fr) * | 1998-10-09 | 2000-04-20 | Commissariat A L'energie Atomique | Support d'enregistrement optique et procede de realisation de ce support |
WO2008129826A1 (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-30 | Panasonic Corporation | 情報記録媒体及びその製造方法 |
-
1986
- 1986-08-29 JP JP61204134A patent/JPS6358636A/ja active Pending
Cited By (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02252577A (ja) * | 1989-03-28 | 1990-10-11 | Ricoh Co Ltd | 情報記録媒体 |
JPH0411336A (ja) * | 1990-04-27 | 1992-01-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光記録媒体 |
JPH0410980A (ja) * | 1990-04-27 | 1992-01-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光記録媒体 |
JP2639174B2 (ja) * | 1990-04-27 | 1997-08-06 | 松下電器産業株式会社 | 光記録媒体 |
JPH06170684A (ja) * | 1992-12-04 | 1994-06-21 | Yasui:Kk | ワーク洗浄装置 |
EP0874361A3 (en) * | 1997-04-25 | 1999-04-07 | Teijin Limited | Phase change optical recording medium and process for manufacturing same |
EP0874361A2 (en) * | 1997-04-25 | 1998-10-28 | Teijin Limited | Phase change optical recording medium and process for manufacturing same |
EP1178477A1 (en) * | 1997-04-25 | 2002-02-06 | Teijin Limited | Phase change optical recording medium and process for manufacturing same |
KR100314790B1 (ko) * | 1997-04-25 | 2002-02-19 | 야스이 쇼사꾸 | 위상변화광기록매체및그제조방법 |
US6445675B1 (en) | 1997-04-25 | 2002-09-03 | Teijin Limited | Phase change optical recording medium and process for manufacturing same |
WO2000022618A1 (fr) * | 1998-10-09 | 2000-04-20 | Commissariat A L'energie Atomique | Support d'enregistrement optique et procede de realisation de ce support |
FR2785078A1 (fr) * | 1998-10-09 | 2000-04-28 | Commissariat Energie Atomique | Support d'enregistrement optique et procede de realisation de ce support |
WO2008129826A1 (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-30 | Panasonic Corporation | 情報記録媒体及びその製造方法 |
US8470514B2 (en) | 2007-03-30 | 2013-06-25 | Panasonic Corporation | Information recording medium and method for manufacturing the same |
JP5437793B2 (ja) * | 2007-03-30 | 2014-03-12 | パナソニック株式会社 | 情報記録媒体及びその製造方法 |
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