JPS6155106B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6155106B2 JPS6155106B2 JP3035485A JP3035485A JPS6155106B2 JP S6155106 B2 JPS6155106 B2 JP S6155106B2 JP 3035485 A JP3035485 A JP 3035485A JP 3035485 A JP3035485 A JP 3035485A JP S6155106 B2 JPS6155106 B2 JP S6155106B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- reticle
- patterns
- reduction projection
- present
- Prior art date
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- Expired
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 101100269850 Caenorhabditis elegans mask-1 gene Proteins 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
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- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は露光用マスク、特に縮小投影露光用マ
スクすなわちレチクルなどに関する。
スクすなわちレチクルなどに関する。
半導体装置の製造において、半導体基板表面の
選択的な拡散、酸化、エツチングのために基板表
面に塗布された有機感光剤への光学処理のために
マスクアライナが使用される。
選択的な拡散、酸化、エツチングのために基板表
面に塗布された有機感光剤への光学処理のために
マスクアライナが使用される。
従来のマスクアライナを投影方式により大別す
ると、(1)マスクのパターンをウエハ面に１：１の
比で投影させる方式及び(2)マスクのパターンを例
えば1/10に縮小してウエハ面に移動投影する方式
とがある。このうち(1)は一つのマスタマスクに例
えば200チツプ分のパターンを配列したものを使
用するもので投光時間は約10秒と短いが被処理物
と同寸法の微細なパターンであるため解像度に限
界があり、精密なパターンのマスクの製作が困難
である。これに対して(2)は第１図に示すように一
つのマスク１に一つのチツプに対する約10倍の寸
法を有するパターン２を配列したものを使用する
ので極めて高い精度のものが得られ、投光用光量
も少なくてすむが、第２図に示すように一つのウ
エハ３に対してマスクをXY方向に相対移動させ
ながら例えば200チツプ分の投影を順次行なうた
め処理時間が長く、例えば20分を要する。このよ
うな縮小投影アライナは少量生産品種、特急試作
品種のごとく大量につくるよりも速急につくるこ
とを要求される場合に特に問題となる。
ると、(1)マスクのパターンをウエハ面に１：１の
比で投影させる方式及び(2)マスクのパターンを例
えば1/10に縮小してウエハ面に移動投影する方式
とがある。このうち(1)は一つのマスタマスクに例
えば200チツプ分のパターンを配列したものを使
用するもので投光時間は約10秒と短いが被処理物
と同寸法の微細なパターンであるため解像度に限
界があり、精密なパターンのマスクの製作が困難
である。これに対して(2)は第１図に示すように一
つのマスク１に一つのチツプに対する約10倍の寸
法を有するパターン２を配列したものを使用する
ので極めて高い精度のものが得られ、投光用光量
も少なくてすむが、第２図に示すように一つのウ
エハ３に対してマスクをXY方向に相対移動させ
ながら例えば200チツプ分の投影を順次行なうた
め処理時間が長く、例えば20分を要する。このよ
うな縮小投影アライナは少量生産品種、特急試作
品種のごとく大量につくるよりも速急につくるこ
とを要求される場合に特に問題となる。
たとえば、パターンが１つだけ書かれているレ
チクルについては、電子材料1983年３月号、p.72
〜78に記載されている。
チクルについては、電子材料1983年３月号、p.72
〜78に記載されている。
本発明は上記した従来技術の問題点を解決する
べくなされたものであり、本発明の目的は縮小投
影露光装置に使用し作業時間を全体的に短縮でき
るマスク、すなわちレチクルを提供することなど
にある。
べくなされたものであり、本発明の目的は縮小投
影露光装置に使用し作業時間を全体的に短縮でき
るマスク、すなわちレチクルを提供することなど
にある。
上記目的を達成するため本発明の一実施例は一
枚のレチクル内の有効領域に複数個の品種の異な
るパターを配置することにより同じ工程で２品種
以上を同時に処理し、工程全体を短縮化すること
などを要旨とする。
枚のレチクル内の有効領域に複数個の品種の異な
るパターを配置することにより同じ工程で２品種
以上を同時に処理し、工程全体を短縮化すること
などを要旨とする。
第３図に本発明の一実施例による縮小投影アラ
イナ用マスクの構造の一例を示す。同図におい
て、４はレチクル、５の一点鎖線内はレチクル内
の有効領域すなわち縮小レンズの有効径を示す。
この有効領域内に複数個の品種の異なるパターン
Ａ，Ｂ，Ｃが設けられる。このＡ，Ｂ，Ｃは処理
される半導体ウエハ表面の同じ層に属し、同じ工
程で処理されるものである。
イナ用マスクの構造の一例を示す。同図におい
て、４はレチクル、５の一点鎖線内はレチクル内
の有効領域すなわち縮小レンズの有効径を示す。
この有効領域内に複数個の品種の異なるパターン
Ａ，Ｂ，Ｃが設けられる。このＡ，Ｂ，Ｃは処理
される半導体ウエハ表面の同じ層に属し、同じ工
程で処理されるものである。
このようなレチクルを使用することにより、第
５図ａに示すように３品種のパターンを同時にウ
エハ内に焼き込むことができ、従来、一つのレチ
クルで１つのパターンしかないために３品種のパ
ターンの焼付けにはその３倍の手間と時間が必要
であつたが、本発明の一実施例では１回ですみ、
工程数が大幅に短縮できる。同図ｂ，ｃは１つの
レチクルにおける品種の異なるパターンを２種又
は１種のみ取出して選択的に焼付ける場合で、選
択用マスク（遮蔽板）を使用する。
５図ａに示すように３品種のパターンを同時にウ
エハ内に焼き込むことができ、従来、一つのレチ
クルで１つのパターンしかないために３品種のパ
ターンの焼付けにはその３倍の手間と時間が必要
であつたが、本発明の一実施例では１回ですみ、
工程数が大幅に短縮できる。同図ｂ，ｃは１つの
レチクルにおける品種の異なるパターンを２種又
は１種のみ取出して選択的に焼付ける場合で、選
択用マスク（遮蔽板）を使用する。
第４図は本発明の一実施例に使用される縮小投
影アライナにおけるマスク支持枠６を示し、支持
枠中にマスク（レチクル）４を固定し、遮蔽板７
を開閉することによつてマスクの異なるパターン
ごとの選択的投影を可能としたものである。
影アライナにおけるマスク支持枠６を示し、支持
枠中にマスク（レチクル）４を固定し、遮蔽板７
を開閉することによつてマスクの異なるパターン
ごとの選択的投影を可能としたものである。
このような本発明の一実施例によれば、縮小投
光方式の長所である精度の良さを有するととも
に、異なる品種のパターンを同時に焼付けること
により少量の多種生産の場合の工程数を短縮する
ことが可能となつた。又、本発明の一実施例によ
れば縮小投光アライナとして、複数個の品種の異
なるパターンを有するレチクルを使用し、異なる
パターン毎の選択的投影を可能ならしめ、その際
マスクセツテイング時間を節約することができ特
に少量の試作品を特急に処理する場合などに有効
である。
光方式の長所である精度の良さを有するととも
に、異なる品種のパターンを同時に焼付けること
により少量の多種生産の場合の工程数を短縮する
ことが可能となつた。又、本発明の一実施例によ
れば縮小投光アライナとして、複数個の品種の異
なるパターンを有するレチクルを使用し、異なる
パターン毎の選択的投影を可能ならしめ、その際
マスクセツテイング時間を節約することができ特
に少量の試作品を特急に処理する場合などに有効
である。
第１図は従来の縮小投影アライナ用レチクルの
形態を示す平面図、第２図は縮小投影アライナの
原理的構造を示す概略図、第３図は本発明の一実
施例による縮小投影アライナ用マスクの形態を示
す平面図、第４図は本発明の一実施例に使用する
縮小投影アライナのマスク支持部を示す概略断面
図、第５図ａ，ｂ，ｃは本発明の一実施例による
縮小投影マスクの異種パターンを選択的に取出す
場合の形態を示す平面図である。 １……マスク、２……パターン、３……ウエ
ハ、４……レチクル、５……有効領域、６……マ
スク支持枠、７……開閉する遮蔽板、Ａ，Ｂ，Ｃ
……品種ごとに異なるパターン。
形態を示す平面図、第２図は縮小投影アライナの
原理的構造を示す概略図、第３図は本発明の一実
施例による縮小投影アライナ用マスクの形態を示
す平面図、第４図は本発明の一実施例に使用する
縮小投影アライナのマスク支持部を示す概略断面
図、第５図ａ，ｂ，ｃは本発明の一実施例による
縮小投影マスクの異種パターンを選択的に取出す
場合の形態を示す平面図である。 １……マスク、２……パターン、３……ウエ
ハ、４……レチクル、５……有効領域、６……マ
スク支持枠、７……開閉する遮蔽板、Ａ，Ｂ，Ｃ
……品種ごとに異なるパターン。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 複数個のパターンを持つことを特徴とする縮
小投影露光用レチクル。 ２ 上記複数個のパターンは少なくとも２つの異
なるパターンを有することを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載の縮小投影露光用レチクル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60030354A JPS60221757A (ja) | 1985-02-20 | 1985-02-20 | 露光用マスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60030354A JPS60221757A (ja) | 1985-02-20 | 1985-02-20 | 露光用マスク |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3548779A Division JPS55129333A (en) | 1979-03-28 | 1979-03-28 | Scale-down projection aligner and mask used for this |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62226314A Division JPS6379318A (ja) | 1987-09-11 | 1987-09-11 | 縮小投影露光方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60221757A JPS60221757A (ja) | 1985-11-06 |
| JPS6155106B2 true JPS6155106B2 (ja) | 1986-11-26 |
Family
ID=12301513
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60030354A Granted JPS60221757A (ja) | 1985-02-20 | 1985-02-20 | 露光用マスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60221757A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6362229A (ja) * | 1986-09-03 | 1988-03-18 | Canon Inc | 露光装置 |
| US6040892A (en) | 1997-08-19 | 2000-03-21 | Micron Technology, Inc. | Multiple image reticle for forming layers |
| JP2000147743A (ja) | 1998-11-13 | 2000-05-26 | Nec Corp | 半導体製造用のレチクルとこれを用いた半導体装置の製造方法 |
| JP5770041B2 (ja) * | 2011-07-29 | 2015-08-26 | 株式会社ブイ・テクノロジー | フォトマスク及び露光装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3704946A (en) * | 1969-02-20 | 1972-12-05 | Opt Omechanisms Inc | Microcircuit art generating means |
-
1985
- 1985-02-20 JP JP60030354A patent/JPS60221757A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3704946A (en) * | 1969-02-20 | 1972-12-05 | Opt Omechanisms Inc | Microcircuit art generating means |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60221757A (ja) | 1985-11-06 |
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