JPS6362229A - 露光装置 - Google Patents
露光装置Info
- Publication number
- JPS6362229A JPS6362229A JP61205798A JP20579886A JPS6362229A JP S6362229 A JPS6362229 A JP S6362229A JP 61205798 A JP61205798 A JP 61205798A JP 20579886 A JP20579886 A JP 20579886A JP S6362229 A JPS6362229 A JP S6362229A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- exposure
- shot
- pattern
- exposed
- wafer
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- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 30
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 10
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 22
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 2
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、半導体メモリや演算装置等の高密度集積回路
チップの製造の際、回路パターンの焼付けすなわち露光
に用いる装置に関する。
チップの製造の際、回路パターンの焼付けすなわち露光
に用いる装置に関する。
[従来技術]
半導体ウェハに回路パターンを焼付けるのに使用する投
影露光装置には、マスクと半導体ウェハを近接させて投
影露光する近接型露光装置と、ミラーを使用してマスク
のパターンを等倍で投影露光するミラー投影露光装置と
、マスク(レチクル)のパターンをレンズを介して縮小
投影して露光する縮小投影露光装置がある。
影露光装置には、マスクと半導体ウェハを近接させて投
影露光する近接型露光装置と、ミラーを使用してマスク
のパターンを等倍で投影露光するミラー投影露光装置と
、マスク(レチクル)のパターンをレンズを介して縮小
投影して露光する縮小投影露光装置がある。
[発明が解決しようとする問題点]
この縮小投影露光の際は半導体クエへを間欠的に漸動さ
せて所定チップ数の回路パターンを縮小投影して露光す
るのであるが、半導体ウェハ上の投影露光区域に実素子
パターン以外のパターン、例えばアライメントマーク、
テストチップパターン等を必要に応じて投影露光し、こ
れらのパターンを半導体ウェハに焼付けねばならない。
せて所定チップ数の回路パターンを縮小投影して露光す
るのであるが、半導体ウェハ上の投影露光区域に実素子
パターン以外のパターン、例えばアライメントマーク、
テストチップパターン等を必要に応じて投影露光し、こ
れらのパターンを半導体ウェハに焼付けねばならない。
そしてこの場合複数のレチクルを使用するか、または同
一のレチクルに複数の異なるパターンが描かれているも
のを使用しなければならない。また、同一のパターンの
露光でも、目的によって異なる処理を行なう場合がある
。このような際の露光を従来の方式で行なうと著しくス
ルーブツトが低下する場合がある。以上のことについて
図を用いて以下に説明する。
一のレチクルに複数の異なるパターンが描かれているも
のを使用しなければならない。また、同一のパターンの
露光でも、目的によって異なる処理を行なう場合がある
。このような際の露光を従来の方式で行なうと著しくス
ルーブツトが低下する場合がある。以上のことについて
図を用いて以下に説明する。
第2図は、上記のような場合を示すウェハ上のショット
配列の例である。番号で示したショット位置のパターン
とアルファベットで示したショットパターンの2種が混
在している。
配列の例である。番号で示したショット位置のパターン
とアルファベットで示したショットパターンの2種が混
在している。
例えば2種類のパターンを第2図のような配列でウェハ
上に露光して焼付ける際には、以下のような方法が考え
られる。
上に露光して焼付ける際には、以下のような方法が考え
られる。
(1)2枚のレチクルを用いて露光する方法(2)1枚
のレチクルに2種類のパターンを描画して1枚のレチク
ルで露光する方法 (1)の方法では1枚のレチクルでショット1゜2・・
・7まで露光した時点でレチクルを交換してショットA
を露光し再びレチクルを交換してショット8以降を露光
しなければならない。またその際にパターンの位置や大
きさが異なれば、マスキング・ブレードを、露光するパ
ターンに合わせて開閉させたり、TTL−アライメント
用である対物ミラーが露光を遮らないように対物ミラー
を9勤させなければならない。このため、半導体焼付装
置のスルーブツトは著しく低下する。
のレチクルに2種類のパターンを描画して1枚のレチク
ルで露光する方法 (1)の方法では1枚のレチクルでショット1゜2・・
・7まで露光した時点でレチクルを交換してショットA
を露光し再びレチクルを交換してショット8以降を露光
しなければならない。またその際にパターンの位置や大
きさが異なれば、マスキング・ブレードを、露光するパ
ターンに合わせて開閉させたり、TTL−アライメント
用である対物ミラーが露光を遮らないように対物ミラー
を9勤させなければならない。このため、半導体焼付装
置のスルーブツトは著しく低下する。
(2)の方法ならばレチクルの交換は不用であるが、こ
の方法でもレチクル上のパターンの大きさや位置により
てはパターンごとにマスキング・ブレード並びに対物ミ
ラーを9勤させなければならず、(1)の方法と同様に
スルーブツトは低下する。
の方法でもレチクル上のパターンの大きさや位置により
てはパターンごとにマスキング・ブレード並びに対物ミ
ラーを9勤させなければならず、(1)の方法と同様に
スルーブツトは低下する。
本発明の目的は、上述従来例の問題点に鑑み、1枚のウ
ェハ上に、複数のパターンを露光したり処理方法の異な
るパターンを露光する際の処理時間を短縮させることに
ある。
ェハ上に、複数のパターンを露光したり処理方法の異な
るパターンを露光する際の処理時間を短縮させることに
ある。
[問題点を解決するための手段および作用] 上記目的
を達成するため本発明では、複数の露光処理の異なるパ
ターンをウェハ上の複数の領域に連続して露光する場合
において、複数の露光処理を判別し、その判別された処
理毎に該当するウェハ上の露光領域のみを連続して露光
するようにしている。これにより従来よりもスルーブツ
トの良い半導体の焼付けが可能になる。
を達成するため本発明では、複数の露光処理の異なるパ
ターンをウェハ上の複数の領域に連続して露光する場合
において、複数の露光処理を判別し、その判別された処
理毎に該当するウェハ上の露光領域のみを連続して露光
するようにしている。これにより従来よりもスルーブツ
トの良い半導体の焼付けが可能になる。
[実施例]
以下、図面を用いて本発明の詳細な説明する。
第1図は、本発明の一実施例に係る露光装置の概略構成
図である。同図において、xYSはウェハをX、Y方向
へ移動させるXYステージ、XM、YMはXYステージ
XMSをそれぞれX。
図である。同図において、xYSはウェハをX、Y方向
へ移動させるXYステージ、XM、YMはXYステージ
XMSをそれぞれX。
Y方向に駆動する駆動モータ、WSはウェハをθ方向に
回転させるウェハステージ、WFはウェハ、LNは焼付
投影レンズ、RSはレチクルをX、Y、θ方向に移動さ
せるレチクルステージ、RTはレチクル、PTはレチク
ルRTに描かれた回路パターン、MBはマスキング・ブ
レード、Llは焼付用照明装置、MR,MLはオートア
ライメント(以下、AAという)用の対物ミラー、DR
,DLは光電ディテクタ、CBはcpu (中央演算装
置)やメモリ等からなる制御回路を備えたコントロール
ボックスである。
回転させるウェハステージ、WFはウェハ、LNは焼付
投影レンズ、RSはレチクルをX、Y、θ方向に移動さ
せるレチクルステージ、RTはレチクル、PTはレチク
ルRTに描かれた回路パターン、MBはマスキング・ブ
レード、Llは焼付用照明装置、MR,MLはオートア
ライメント(以下、AAという)用の対物ミラー、DR
,DLは光電ディテクタ、CBはcpu (中央演算装
置)やメモリ等からなる制御回路を備えたコントロール
ボックスである。
また、SL、SRはオフアクシスアライメントスコープ
、MONはモニタ、KBはキーボードである。
、MONはモニタ、KBはキーボードである。
次に、この装置による半導体ウェハの露光法を説明する
。
。
例として1枚のウェハ上に1f!l!類の実素子パター
ンとテストパターンを第2図のショット配列で露光する
ことにする。同図において、数字は実素子チップパター
ンのショット、アルファベットはテストチップパターン
のショットである。また、レチクル上には実素子パター
ンとそのアライメントマーク並びにテストパターンとそ
のアライメントマークがあらかじめ存在するものとする
。
ンとテストパターンを第2図のショット配列で露光する
ことにする。同図において、数字は実素子チップパター
ンのショット、アルファベットはテストチップパターン
のショットである。また、レチクル上には実素子パター
ンとそのアライメントマーク並びにテストパターンとそ
のアライメントマークがあらかじめ存在するものとする
。
以下、第3図のフローチャートに従って第1図の装置の
動作を詳細に説明する。
動作を詳細に説明する。
露光を開始すると、まず、ステップ101において、そ
のショットに露光しようとするパターンが実素子チップ
であるかテストチップであるかの判別を行なう。最初の
ショット(第2図の1)では実素子チップのパターンで
あるからステップ102へ進んでシミツト1が焼付投影
レンズLN下の露光位置に来るようにウェハWFを移動
し、ステップ103でTTL−AAを行なう。アライメ
ント終了後、ステップ104で露光を行ないショット1
の焼付けが終了する。そして、ステップ105で最終シ
ョット43の露光が終了したかどうかの判定を行なう。
のショットに露光しようとするパターンが実素子チップ
であるかテストチップであるかの判別を行なう。最初の
ショット(第2図の1)では実素子チップのパターンで
あるからステップ102へ進んでシミツト1が焼付投影
レンズLN下の露光位置に来るようにウェハWFを移動
し、ステップ103でTTL−AAを行なう。アライメ
ント終了後、ステップ104で露光を行ないショット1
の焼付けが終了する。そして、ステップ105で最終シ
ョット43の露光が終了したかどうかの判定を行なう。
ここでは未だ終了していないので再びステップ101に
戻りショット2について同様の処理を行なう。これらの
ステップを繰り返して、ショット7まで実素子チップパ
ターンの露光が終了すると、ステップ101において、
第2図のショットAのテストチップを判別する。この場
合、テストチップ領域Aを含むショット8の露光処理を
スキップし、ステップ105からステップ101に戻っ
て次のショット9以下について上述の処理を繰り返す。
戻りショット2について同様の処理を行なう。これらの
ステップを繰り返して、ショット7まで実素子チップパ
ターンの露光が終了すると、ステップ101において、
第2図のショットAのテストチップを判別する。この場
合、テストチップ領域Aを含むショット8の露光処理を
スキップし、ステップ105からステップ101に戻っ
て次のショット9以下について上述の処理を繰り返す。
こうして、ショット43までの処理を終了すると、ステ
ップ106でテストチップの存在の有無を確認する。本
実施例のようにテストチップが存在する場合には、ステ
ップ107でテストチップパターンと実素子チップパタ
ーンが同時に露光可能なようにマスキング・ブレードを
開き、さらに、マスキング・ブレードが開いたことによ
り第1図のAA用対物ミラーMR,MLが光を遮蔽しな
いように対物ミラーMR,MLを移動させる。ステップ
108ではテストチップの位置を判断してステップ10
9でウェハWF上のショット8をレンズLN下の露光位
置に9勅する。そしてステップ110でテストチップ領
域Aを含むショット8の実素子チップパターンのアライ
メントを行なってからステップ111でショット8を露
光する。そしてステップ112においてすべてのテスト
チップの露光が終了したかどうかを判別する。この場合
はまだ未露光のテストチップが存在するので、再びステ
ップ108に戻って次のテストチップ領域Bを含むショ
ット20を検索し、ステップ109でショット20を露
光位置に移動する。以下、同様のステップを繰り返しテ
ストチップ領域りを含むショット35を露光し終ると、
ステップ112において全テストチップの処理終了が判
断され1枚のクエへの露光がすべて終了する。
ップ106でテストチップの存在の有無を確認する。本
実施例のようにテストチップが存在する場合には、ステ
ップ107でテストチップパターンと実素子チップパタ
ーンが同時に露光可能なようにマスキング・ブレードを
開き、さらに、マスキング・ブレードが開いたことによ
り第1図のAA用対物ミラーMR,MLが光を遮蔽しな
いように対物ミラーMR,MLを移動させる。ステップ
108ではテストチップの位置を判断してステップ10
9でウェハWF上のショット8をレンズLN下の露光位
置に9勅する。そしてステップ110でテストチップ領
域Aを含むショット8の実素子チップパターンのアライ
メントを行なってからステップ111でショット8を露
光する。そしてステップ112においてすべてのテスト
チップの露光が終了したかどうかを判別する。この場合
はまだ未露光のテストチップが存在するので、再びステ
ップ108に戻って次のテストチップ領域Bを含むショ
ット20を検索し、ステップ109でショット20を露
光位置に移動する。以下、同様のステップを繰り返しテ
ストチップ領域りを含むショット35を露光し終ると、
ステップ112において全テストチップの処理終了が判
断され1枚のクエへの露光がすべて終了する。
このような手順によれば、異なるパターンを1枚のウェ
ハ上に露光する際に、それぞれのパターン毎にAA並び
に露光を行なうため、マスキング・ブレードMBやAA
用対物ミラー−MR,MLの移動は最小回数で済み、ま
たスキップした2種類のパターンを同時に露光すること
により露光回数も増加しない。
ハ上に露光する際に、それぞれのパターン毎にAA並び
に露光を行なうため、マスキング・ブレードMBやAA
用対物ミラー−MR,MLの移動は最小回数で済み、ま
たスキップした2種類のパターンを同時に露光すること
により露光回数も増加しない。
なお、上述においては、1回に焼き付けるパターンが異
なるショットごとに類別して露光する場合について例示
したが、本発明は、パターンが異なる場合だけでなく、
露光量や投影倍率等の露光条件を異ならせて処理する場
合にも適用することができる。
なるショットごとに類別して露光する場合について例示
したが、本発明は、パターンが異なる場合だけでなく、
露光量や投影倍率等の露光条件を異ならせて処理する場
合にも適用することができる。
[発明の効果]
本発明によれば、複数の露光処理の異なるパターンをウ
ェハ上の複数の領域に連続して露光する場合に、複数の
露光処理を判別し、その判別された処理毎に該当するウ
ェハ上の露光領域のみを連続的に露光することで、マス
キング・ブレードやAA用対物ミラー等のユニットのセ
ツティング回数を最小に留め、露光回数を増加させるこ
となくウェハの露光を行なうことができ、半導体焼付装
置のスルーブツトが向上する。
ェハ上の複数の領域に連続して露光する場合に、複数の
露光処理を判別し、その判別された処理毎に該当するウ
ェハ上の露光領域のみを連続的に露光することで、マス
キング・ブレードやAA用対物ミラー等のユニットのセ
ツティング回数を最小に留め、露光回数を増加させるこ
となくウェハの露光を行なうことができ、半導体焼付装
置のスルーブツトが向上する。
第1図は、本発明の一実施例に係る露光装置の概略図、
第2図は、ウェハ上のショット配列例、第3図は、露光
動作を説明するためのフローチャートである。 1.2.−・・・・、 42.43:実素子チップパタ
ーンのショット、 A、B、C,D:テストチップパターンのショット。 特許出願人 キャノン株式会社 代理人 弁理士 伊 東 辰 雄 代理人 弁理士 伊 東 哲 也 )で8 第1図
動作を説明するためのフローチャートである。 1.2.−・・・・、 42.43:実素子チップパタ
ーンのショット、 A、B、C,D:テストチップパターンのショット。 特許出願人 キャノン株式会社 代理人 弁理士 伊 東 辰 雄 代理人 弁理士 伊 東 哲 也 )で8 第1図
Claims (1)
- 1、被露光体をステップ移動させながら該被露光体上の
複数の領域にそれぞれ所定のパターンを順次露光するス
テップアンドリピート処理手段と、上記領域のうちの1
領域に露光すべき1種類のパターンを選択する手段と、
選択されたパターンと同一のパターンが同一の条件で露
光されるべき領域を選択する手段と、選択された領域の
みを対象として上記ステップアンドリピート処理を実行
させる制御手段と、未選択領域の有無を判定する手段と
、未選択領域有りのとき上記選択された領域に対する上
記ステップアンドリピート処理を終了した後に上記パタ
ーン選択手段に該未選択領域のうちの1領域に対するパ
ターンの再選択を指令する手段とを具備することを特徴
とする露光装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61205798A JPS6362229A (ja) | 1986-09-03 | 1986-09-03 | 露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61205798A JPS6362229A (ja) | 1986-09-03 | 1986-09-03 | 露光装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6362229A true JPS6362229A (ja) | 1988-03-18 |
Family
ID=16512860
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61205798A Pending JPS6362229A (ja) | 1986-09-03 | 1986-09-03 | 露光装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6362229A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011086771A (ja) * | 2009-10-15 | 2011-04-28 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5783032A (en) * | 1980-11-10 | 1982-05-24 | Mitsubishi Electric Corp | Formation of photo mask for semiconductor manufacture |
JPS57183032A (en) * | 1981-05-06 | 1982-11-11 | Toshiba Corp | Method for wafer exposure and device thereof |
JPS60221757A (ja) * | 1985-02-20 | 1985-11-06 | Hitachi Ltd | 露光用マスク |
-
1986
- 1986-09-03 JP JP61205798A patent/JPS6362229A/ja active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5783032A (en) * | 1980-11-10 | 1982-05-24 | Mitsubishi Electric Corp | Formation of photo mask for semiconductor manufacture |
JPS57183032A (en) * | 1981-05-06 | 1982-11-11 | Toshiba Corp | Method for wafer exposure and device thereof |
JPS60221757A (ja) * | 1985-02-20 | 1985-11-06 | Hitachi Ltd | 露光用マスク |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011086771A (ja) * | 2009-10-15 | 2011-04-28 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
US8618604B2 (en) | 2009-10-15 | 2013-12-31 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
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