JPS6362229A - 露光装置 - Google Patents
露光装置Info
- Publication number
- JPS6362229A JPS6362229A JP61205798A JP20579886A JPS6362229A JP S6362229 A JPS6362229 A JP S6362229A JP 61205798 A JP61205798 A JP 61205798A JP 20579886 A JP20579886 A JP 20579886A JP S6362229 A JPS6362229 A JP S6362229A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- exposure
- shot
- pattern
- exposed
- wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 30
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 10
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 22
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 2
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、半導体メモリや演算装置等の高密度集積回路
チップの製造の際、回路パターンの焼付けすなわち露光
に用いる装置に関する。
チップの製造の際、回路パターンの焼付けすなわち露光
に用いる装置に関する。
［従来技術］
半導体ウェハに回路パターンを焼付けるのに使用する投
影露光装置には、マスクと半導体ウェハを近接させて投
影露光する近接型露光装置と、ミラーを使用してマスク
のパターンを等倍で投影露光するミラー投影露光装置と
、マスク（レチクル）のパターンをレンズを介して縮小
投影して露光する縮小投影露光装置がある。
影露光装置には、マスクと半導体ウェハを近接させて投
影露光する近接型露光装置と、ミラーを使用してマスク
のパターンを等倍で投影露光するミラー投影露光装置と
、マスク（レチクル）のパターンをレンズを介して縮小
投影して露光する縮小投影露光装置がある。
［発明が解決しようとする問題点］
この縮小投影露光の際は半導体クエへを間欠的に漸動さ
せて所定チップ数の回路パターンを縮小投影して露光す
るのであるが、半導体ウェハ上の投影露光区域に実素子
パターン以外のパターン、例えばアライメントマーク、
テストチップパターン等を必要に応じて投影露光し、こ
れらのパターンを半導体ウェハに焼付けねばならない。
せて所定チップ数の回路パターンを縮小投影して露光す
るのであるが、半導体ウェハ上の投影露光区域に実素子
パターン以外のパターン、例えばアライメントマーク、
テストチップパターン等を必要に応じて投影露光し、こ
れらのパターンを半導体ウェハに焼付けねばならない。
そしてこの場合複数のレチクルを使用するか、または同
一のレチクルに複数の異なるパターンが描かれているも
のを使用しなければならない。また、同一のパターンの
露光でも、目的によって異なる処理を行なう場合がある
。このような際の露光を従来の方式で行なうと著しくス
ルーブツトが低下する場合がある。以上のことについて
図を用いて以下に説明する。
一のレチクルに複数の異なるパターンが描かれているも
のを使用しなければならない。また、同一のパターンの
露光でも、目的によって異なる処理を行なう場合がある
。このような際の露光を従来の方式で行なうと著しくス
ルーブツトが低下する場合がある。以上のことについて
図を用いて以下に説明する。
第２図は、上記のような場合を示すウェハ上のショット
配列の例である。番号で示したショット位置のパターン
とアルファベットで示したショットパターンの２種が混
在している。
配列の例である。番号で示したショット位置のパターン
とアルファベットで示したショットパターンの２種が混
在している。
例えば２種類のパターンを第２図のような配列でウェハ
上に露光して焼付ける際には、以下のような方法が考え
られる。
上に露光して焼付ける際には、以下のような方法が考え
られる。
（１）２枚のレチクルを用いて露光する方法（２）１枚
のレチクルに２種類のパターンを描画して１枚のレチク
ルで露光する方法 （１）の方法では１枚のレチクルでショット１゜２・・
・７まで露光した時点でレチクルを交換してショットＡ
を露光し再びレチクルを交換してショット８以降を露光
しなければならない。またその際にパターンの位置や大
きさが異なれば、マスキング・ブレードを、露光するパ
ターンに合わせて開閉させたり、ＴＴＬ−アライメント
用である対物ミラーが露光を遮らないように対物ミラー
を９勤させなければならない。このため、半導体焼付装
置のスルーブツトは著しく低下する。
のレチクルに２種類のパターンを描画して１枚のレチク
ルで露光する方法 （１）の方法では１枚のレチクルでショット１゜２・・
・７まで露光した時点でレチクルを交換してショットＡ
を露光し再びレチクルを交換してショット８以降を露光
しなければならない。またその際にパターンの位置や大
きさが異なれば、マスキング・ブレードを、露光するパ
ターンに合わせて開閉させたり、ＴＴＬ−アライメント
用である対物ミラーが露光を遮らないように対物ミラー
を９勤させなければならない。このため、半導体焼付装
置のスルーブツトは著しく低下する。
（２）の方法ならばレチクルの交換は不用であるが、こ
の方法でもレチクル上のパターンの大きさや位置により
てはパターンごとにマスキング・ブレード並びに対物ミ
ラーを９勤させなければならず、（１）の方法と同様に
スルーブツトは低下する。
の方法でもレチクル上のパターンの大きさや位置により
てはパターンごとにマスキング・ブレード並びに対物ミ
ラーを９勤させなければならず、（１）の方法と同様に
スルーブツトは低下する。
本発明の目的は、上述従来例の問題点に鑑み、１枚のウ
ェハ上に、複数のパターンを露光したり処理方法の異な
るパターンを露光する際の処理時間を短縮させることに
ある。
ェハ上に、複数のパターンを露光したり処理方法の異な
るパターンを露光する際の処理時間を短縮させることに
ある。
［問題点を解決するための手段および作用］ 上記目的
を達成するため本発明では、複数の露光処理の異なるパ
ターンをウェハ上の複数の領域に連続して露光する場合
において、複数の露光処理を判別し、その判別された処
理毎に該当するウェハ上の露光領域のみを連続して露光
するようにしている。これにより従来よりもスルーブツ
トの良い半導体の焼付けが可能になる。
を達成するため本発明では、複数の露光処理の異なるパ
ターンをウェハ上の複数の領域に連続して露光する場合
において、複数の露光処理を判別し、その判別された処
理毎に該当するウェハ上の露光領域のみを連続して露光
するようにしている。これにより従来よりもスルーブツ
トの良い半導体の焼付けが可能になる。
［実施例］
以下、図面を用いて本発明の詳細な説明する。
第１図は、本発明の一実施例に係る露光装置の概略構成
図である。同図において、ｘＹＳはウェハをＸ、Ｙ方向
へ移動させるＸＹステージ、ＸＭ、ＹＭはＸＹステージ
ＸＭＳをそれぞれＸ。
図である。同図において、ｘＹＳはウェハをＸ、Ｙ方向
へ移動させるＸＹステージ、ＸＭ、ＹＭはＸＹステージ
ＸＭＳをそれぞれＸ。
Ｙ方向に駆動する駆動モータ、ＷＳはウェハをθ方向に
回転させるウェハステージ、ＷＦはウェハ、ＬＮは焼付
投影レンズ、ＲＳはレチクルをＸ、Ｙ、θ方向に移動さ
せるレチクルステージ、ＲＴはレチクル、ＰＴはレチク
ルＲＴに描かれた回路パターン、ＭＢはマスキング・ブ
レード、Ｌｌは焼付用照明装置、ＭＲ，ＭＬはオートア
ライメント（以下、ＡＡという）用の対物ミラー、ＤＲ
，ＤＬは光電ディテクタ、ＣＢはｃｐｕ （中央演算装
置）やメモリ等からなる制御回路を備えたコントロール
ボックスである。
回転させるウェハステージ、ＷＦはウェハ、ＬＮは焼付
投影レンズ、ＲＳはレチクルをＸ、Ｙ、θ方向に移動さ
せるレチクルステージ、ＲＴはレチクル、ＰＴはレチク
ルＲＴに描かれた回路パターン、ＭＢはマスキング・ブ
レード、Ｌｌは焼付用照明装置、ＭＲ，ＭＬはオートア
ライメント（以下、ＡＡという）用の対物ミラー、ＤＲ
，ＤＬは光電ディテクタ、ＣＢはｃｐｕ （中央演算装
置）やメモリ等からなる制御回路を備えたコントロール
ボックスである。
また、ＳＬ、ＳＲはオフアクシスアライメントスコープ
、ＭＯＮはモニタ、ＫＢはキーボードである。
、ＭＯＮはモニタ、ＫＢはキーボードである。
次に、この装置による半導体ウェハの露光法を説明する
。
。
例として１枚のウェハ上に１ｆ！ｌ！類の実素子パター
ンとテストパターンを第２図のショット配列で露光する
ことにする。同図において、数字は実素子チップパター
ンのショット、アルファベットはテストチップパターン
のショットである。また、レチクル上には実素子パター
ンとそのアライメントマーク並びにテストパターンとそ
のアライメントマークがあらかじめ存在するものとする
。
ンとテストパターンを第２図のショット配列で露光する
ことにする。同図において、数字は実素子チップパター
ンのショット、アルファベットはテストチップパターン
のショットである。また、レチクル上には実素子パター
ンとそのアライメントマーク並びにテストパターンとそ
のアライメントマークがあらかじめ存在するものとする
。
以下、第３図のフローチャートに従って第１図の装置の
動作を詳細に説明する。
動作を詳細に説明する。
露光を開始すると、まず、ステップ１０１において、そ
のショットに露光しようとするパターンが実素子チップ
であるかテストチップであるかの判別を行なう。最初の
ショット（第２図の１）では実素子チップのパターンで
あるからステップ１０２へ進んでシミツト１が焼付投影
レンズＬＮ下の露光位置に来るようにウェハＷＦを移動
し、ステップ１０３でＴＴＬ−ＡＡを行なう。アライメ
ント終了後、ステップ１０４で露光を行ないショット１
の焼付けが終了する。そして、ステップ１０５で最終シ
ョット４３の露光が終了したかどうかの判定を行なう。
のショットに露光しようとするパターンが実素子チップ
であるかテストチップであるかの判別を行なう。最初の
ショット（第２図の１）では実素子チップのパターンで
あるからステップ１０２へ進んでシミツト１が焼付投影
レンズＬＮ下の露光位置に来るようにウェハＷＦを移動
し、ステップ１０３でＴＴＬ−ＡＡを行なう。アライメ
ント終了後、ステップ１０４で露光を行ないショット１
の焼付けが終了する。そして、ステップ１０５で最終シ
ョット４３の露光が終了したかどうかの判定を行なう。
ここでは未だ終了していないので再びステップ１０１に
戻りショット２について同様の処理を行なう。これらの
ステップを繰り返して、ショット７まで実素子チップパ
ターンの露光が終了すると、ステップ１０１において、
第２図のショットＡのテストチップを判別する。この場
合、テストチップ領域Ａを含むショット８の露光処理を
スキップし、ステップ１０５からステップ１０１に戻っ
て次のショット９以下について上述の処理を繰り返す。
戻りショット２について同様の処理を行なう。これらの
ステップを繰り返して、ショット７まで実素子チップパ
ターンの露光が終了すると、ステップ１０１において、
第２図のショットＡのテストチップを判別する。この場
合、テストチップ領域Ａを含むショット８の露光処理を
スキップし、ステップ１０５からステップ１０１に戻っ
て次のショット９以下について上述の処理を繰り返す。
こうして、ショット４３までの処理を終了すると、ステ
ップ１０６でテストチップの存在の有無を確認する。本
実施例のようにテストチップが存在する場合には、ステ
ップ１０７でテストチップパターンと実素子チップパタ
ーンが同時に露光可能なようにマスキング・ブレードを
開き、さらに、マスキング・ブレードが開いたことによ
り第１図のＡＡ用対物ミラーＭＲ，ＭＬが光を遮蔽しな
いように対物ミラーＭＲ，ＭＬを移動させる。ステップ
１０８ではテストチップの位置を判断してステップ１０
９でウェハＷＦ上のショット８をレンズＬＮ下の露光位
置に９勅する。そしてステップ１１０でテストチップ領
域Ａを含むショット８の実素子チップパターンのアライ
メントを行なってからステップ１１１でショット８を露
光する。そしてステップ１１２においてすべてのテスト
チップの露光が終了したかどうかを判別する。この場合
はまだ未露光のテストチップが存在するので、再びステ
ップ１０８に戻って次のテストチップ領域Ｂを含むショ
ット２０を検索し、ステップ１０９でショット２０を露
光位置に移動する。以下、同様のステップを繰り返しテ
ストチップ領域りを含むショット３５を露光し終ると、
ステップ１１２において全テストチップの処理終了が判
断され１枚のクエへの露光がすべて終了する。
ップ１０６でテストチップの存在の有無を確認する。本
実施例のようにテストチップが存在する場合には、ステ
ップ１０７でテストチップパターンと実素子チップパタ
ーンが同時に露光可能なようにマスキング・ブレードを
開き、さらに、マスキング・ブレードが開いたことによ
り第１図のＡＡ用対物ミラーＭＲ，ＭＬが光を遮蔽しな
いように対物ミラーＭＲ，ＭＬを移動させる。ステップ
１０８ではテストチップの位置を判断してステップ１０
９でウェハＷＦ上のショット８をレンズＬＮ下の露光位
置に９勅する。そしてステップ１１０でテストチップ領
域Ａを含むショット８の実素子チップパターンのアライ
メントを行なってからステップ１１１でショット８を露
光する。そしてステップ１１２においてすべてのテスト
チップの露光が終了したかどうかを判別する。この場合
はまだ未露光のテストチップが存在するので、再びステ
ップ１０８に戻って次のテストチップ領域Ｂを含むショ
ット２０を検索し、ステップ１０９でショット２０を露
光位置に移動する。以下、同様のステップを繰り返しテ
ストチップ領域りを含むショット３５を露光し終ると、
ステップ１１２において全テストチップの処理終了が判
断され１枚のクエへの露光がすべて終了する。
このような手順によれば、異なるパターンを１枚のウェ
ハ上に露光する際に、それぞれのパターン毎にＡＡ並び
に露光を行なうため、マスキング・ブレードＭＢやＡＡ
用対物ミラー−ＭＲ，ＭＬの移動は最小回数で済み、ま
たスキップした２種類のパターンを同時に露光すること
により露光回数も増加しない。
ハ上に露光する際に、それぞれのパターン毎にＡＡ並び
に露光を行なうため、マスキング・ブレードＭＢやＡＡ
用対物ミラー−ＭＲ，ＭＬの移動は最小回数で済み、ま
たスキップした２種類のパターンを同時に露光すること
により露光回数も増加しない。
なお、上述においては、１回に焼き付けるパターンが異
なるショットごとに類別して露光する場合について例示
したが、本発明は、パターンが異なる場合だけでなく、
露光量や投影倍率等の露光条件を異ならせて処理する場
合にも適用することができる。
なるショットごとに類別して露光する場合について例示
したが、本発明は、パターンが異なる場合だけでなく、
露光量や投影倍率等の露光条件を異ならせて処理する場
合にも適用することができる。
［発明の効果］
本発明によれば、複数の露光処理の異なるパターンをウ
ェハ上の複数の領域に連続して露光する場合に、複数の
露光処理を判別し、その判別された処理毎に該当するウ
ェハ上の露光領域のみを連続的に露光することで、マス
キング・ブレードやＡＡ用対物ミラー等のユニットのセ
ツティング回数を最小に留め、露光回数を増加させるこ
となくウェハの露光を行なうことができ、半導体焼付装
置のスルーブツトが向上する。
ェハ上の複数の領域に連続して露光する場合に、複数の
露光処理を判別し、その判別された処理毎に該当するウ
ェハ上の露光領域のみを連続的に露光することで、マス
キング・ブレードやＡＡ用対物ミラー等のユニットのセ
ツティング回数を最小に留め、露光回数を増加させるこ
となくウェハの露光を行なうことができ、半導体焼付装
置のスルーブツトが向上する。
第１図は、本発明の一実施例に係る露光装置の概略図、
第２図は、ウェハ上のショット配列例、第３図は、露光
動作を説明するためのフローチャートである。 １．２．−・・・・、 ４２．４３：実素子チップパタ
ーンのショット、 Ａ、Ｂ、Ｃ，Ｄ：テストチップパターンのショット。 特許出願人 キャノン株式会社 代理人 弁理士 伊 東 辰 雄 代理人 弁理士 伊 東 哲 也 ）で８ 第１図
動作を説明するためのフローチャートである。 １．２．−・・・・、 ４２．４３：実素子チップパタ
ーンのショット、 Ａ、Ｂ、Ｃ，Ｄ：テストチップパターンのショット。 特許出願人 キャノン株式会社 代理人 弁理士 伊 東 辰 雄 代理人 弁理士 伊 東 哲 也 ）で８ 第１図
Claims (1)
- １、被露光体をステップ移動させながら該被露光体上の
複数の領域にそれぞれ所定のパターンを順次露光するス
テップアンドリピート処理手段と、上記領域のうちの１
領域に露光すべき１種類のパターンを選択する手段と、
選択されたパターンと同一のパターンが同一の条件で露
光されるべき領域を選択する手段と、選択された領域の
みを対象として上記ステップアンドリピート処理を実行
させる制御手段と、未選択領域の有無を判定する手段と
、未選択領域有りのとき上記選択された領域に対する上
記ステップアンドリピート処理を終了した後に上記パタ
ーン選択手段に該未選択領域のうちの１領域に対するパ
ターンの再選択を指令する手段とを具備することを特徴
とする露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61205798A JPS6362229A (ja) | 1986-09-03 | 1986-09-03 | 露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61205798A JPS6362229A (ja) | 1986-09-03 | 1986-09-03 | 露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6362229A true JPS6362229A (ja) | 1988-03-18 |
Family
ID=16512860
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61205798A Pending JPS6362229A (ja) | 1986-09-03 | 1986-09-03 | 露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6362229A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011086771A (ja) * | 2009-10-15 | 2011-04-28 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5783032A (en) * | 1980-11-10 | 1982-05-24 | Mitsubishi Electric Corp | Formation of photo mask for semiconductor manufacture |
| JPS57183032A (en) * | 1981-05-06 | 1982-11-11 | Toshiba Corp | Method for wafer exposure and device thereof |
| JPS60221757A (ja) * | 1985-02-20 | 1985-11-06 | Hitachi Ltd | 露光用マスク |
-
1986
- 1986-09-03 JP JP61205798A patent/JPS6362229A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5783032A (en) * | 1980-11-10 | 1982-05-24 | Mitsubishi Electric Corp | Formation of photo mask for semiconductor manufacture |
| JPS57183032A (en) * | 1981-05-06 | 1982-11-11 | Toshiba Corp | Method for wafer exposure and device thereof |
| JPS60221757A (ja) * | 1985-02-20 | 1985-11-06 | Hitachi Ltd | 露光用マスク |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011086771A (ja) * | 2009-10-15 | 2011-04-28 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| US8618604B2 (en) | 2009-10-15 | 2013-12-31 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100860088B1 (ko) | 다중 노광 리소그래피 프로세스에 사용하기 위한 모델 기반기하학적 분해를 위한 방법, 프로그램물 및 장치 | |
| US6051348A (en) | Method for detecting malfunction in photolithographic fabrication track | |
| US7053990B2 (en) | System to increase throughput in a dual substrate stage double exposure lithography system | |
| US6245584B1 (en) | Method for detecting adjustment error in photolithographic stepping printer | |
| KR100892748B1 (ko) | 피처 피치에 기초하여 패턴 분해를 수행하는 방법 | |
| US7469057B2 (en) | System and method for inspecting errors on a wafer | |
| US7050156B2 (en) | Method to increase throughput in a dual substrate stage double exposure lithography system | |
| US6608920B1 (en) | Target acquisition technique for CD measurement machine | |
| US6546125B1 (en) | Photolithography monitoring using a golden image | |
| US20060192933A1 (en) | Multiple exposure apparatus and multiple exposure method using the same | |
| US20020009676A1 (en) | Method of forming small contact holes using alternative phase shift masks and negative photoresist | |
| JPS60109228A (ja) | 投影露光装置 | |
| JPS6362229A (ja) | 露光装置 | |
| US6893806B2 (en) | Multiple purpose reticle layout for selective printing of test circuits | |
| JP4700664B2 (ja) | アンカーリングフィーチャを利用したパターンピッチ分割分解を行うための方法 | |
| JP3245556B2 (ja) | ミックスアンドマッチ露光方法 | |
| JPH01293616A (ja) | 半導体集積回路の製造方法 | |
| JP2004071650A (ja) | 露光方法 | |
| JPH08274000A (ja) | 露光方法 | |
| JPH03180017A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2806307B2 (ja) | レンズディストーションの測定用レチクル及びその測定方法 | |
| JPS6172253A (ja) | ステツパ | |
| JPS5814137A (ja) | 縮小投影露光方法 | |
| JPH07142329A (ja) | 露光方法及び露光装置並びにマスク | |
| KR0168353B1 (ko) | 넌패턴 웨이퍼의 검사방법 |