JPS60221757A - 露光用マスク - Google Patents
露光用マスクInfo
- Publication number
- JPS60221757A JPS60221757A JP60030354A JP3035485A JPS60221757A JP S60221757 A JPS60221757 A JP S60221757A JP 60030354 A JP60030354 A JP 60030354A JP 3035485 A JP3035485 A JP 3035485A JP S60221757 A JPS60221757 A JP S60221757A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- reticle
- patterns
- kinds
- effective area
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は露光用マスク、特に縮小投影露光用マスクすな
わちレチクルなどに関する。
わちレチクルなどに関する。
半導体装置の製造において、半導体基板表面の選択的な
拡散、酸化、エツチングのために基板表面に塗布された
。有機感光剤への光学処理のためにマスクアライナが使
用される。
拡散、酸化、エツチングのために基板表面に塗布された
。有機感光剤への光学処理のためにマスクアライナが使
用される。
従来のマスクアライナを投影方式により大別すると、（
１）マスクのパターンをウェハ面に１：】の比で投影さ
せる方式及び（２）マスクのパターンを例えば１／１０
に縮小してウエノ・面に移動投影する方式とがある。こ
のうち（１）は一つのマスタマスクに例えば２００チッ
プ分のパターンを配列したものを使用するもので投光時
間は約１０秒と短いが被処理物と同寸法の微細なパター
ンであるため解像度に限界があり、精密なパターンのマ
スクの製作が困難である。これに対して（２）は第１図
に示すように一つのマスク１に一つのチップに対する約
１０倍の寸法を有するパターン２を配列したものを使用
するので極めて高い精度のものが得られ、投光用光量も
少なくてすむが、第２図に示すように一つのウェハ３に
対してマスクをＸＹ方向に相対移動させながら例えば２
００チップ分の投影を順次行なうため処理時間が長く、
例えば２０分を ′要する。このような縮小投影アライ
ナは少量生産品種、特急試作品種のごとく大量につくる
よりも速急につくることを要求される場合に特に問題と
なる。
１）マスクのパターンをウェハ面に１：】の比で投影さ
せる方式及び（２）マスクのパターンを例えば１／１０
に縮小してウエノ・面に移動投影する方式とがある。こ
のうち（１）は一つのマスタマスクに例えば２００チッ
プ分のパターンを配列したものを使用するもので投光時
間は約１０秒と短いが被処理物と同寸法の微細なパター
ンであるため解像度に限界があり、精密なパターンのマ
スクの製作が困難である。これに対して（２）は第１図
に示すように一つのマスク１に一つのチップに対する約
１０倍の寸法を有するパターン２を配列したものを使用
するので極めて高い精度のものが得られ、投光用光量も
少なくてすむが、第２図に示すように一つのウェハ３に
対してマスクをＸＹ方向に相対移動させながら例えば２
００チップ分の投影を順次行なうため処理時間が長く、
例えば２０分を ′要する。このような縮小投影アライ
ナは少量生産品種、特急試作品種のごとく大量につくる
よりも速急につくることを要求される場合に特に問題と
なる。
たとえば、パターンが１％け書かれているレチクルにつ
いては、電子材料１９８３年３月号、ｐ。
いては、電子材料１９８３年３月号、ｐ。
−７２〜７８に記載されている。
本発明は上記した従来技術の問題点を解決するべくなさ
れたものであり、本発明の目的は縮小投影露光装置に使
用し作業時間を全体的に短縮できるマスク、すなわちレ
チクルを提供することなどにある。
れたものであり、本発明の目的は縮小投影露光装置に使
用し作業時間を全体的に短縮できるマスク、すなわちレ
チクルを提供することなどにある。
上記目的を達成するため本発明の一実施例は一枚のレチ
クル内の有効領域に複数個の品種の異なるバターを配置
することにより同じ工程で２品種以上を同時に処理し、
工程全体を短縮化することなどを要旨とする。
クル内の有効領域に複数個の品種の異なるバターを配置
することにより同じ工程で２品種以上を同時に処理し、
工程全体を短縮化することなどを要旨とする。
第３図に本発明の一実施例による縮小投影アライナ用マ
スクの構造の一例を示す。同図において、４はレチクル
、５の一点鎖線内はレチクル内の有効領域すなわち縮小
レンズの有効径を示す。この有効領域内に複数個の品種
の異なるパターンＡ。
スクの構造の一例を示す。同図において、４はレチクル
、５の一点鎖線内はレチクル内の有効領域すなわち縮小
レンズの有効径を示す。この有効領域内に複数個の品種
の異なるパターンＡ。
Ｂ、Ｃが設けられる。このＡ、Ｂ、Ｃは処理される半導
体ウェハ表面の同じ層に属し、同じ工程で処理されるも
のである。
体ウェハ表面の同じ層に属し、同じ工程で処理されるも
のである。
このようなレチクルを使用することにより、第５図（ａ
）に示すように３品種のパターンを同時にウェハ内に焼
き込むことができ、従来、一つのレチクルで１つのパタ
ーンしかないために３品種のパターンの焼付けにはその
３倍の手間と時間が必要であったが、本発明の一実施例
では１回ですみ、工程数が大幅に短縮できる。同図（ｂ
） 、 （ｃ）は１つのレチクルにおける品種の異なる
パターンを２種又は１種のみ取出して選択的に焼付ける
場合で、選択用マスク（遮蔽板）を使用する。
）に示すように３品種のパターンを同時にウェハ内に焼
き込むことができ、従来、一つのレチクルで１つのパタ
ーンしかないために３品種のパターンの焼付けにはその
３倍の手間と時間が必要であったが、本発明の一実施例
では１回ですみ、工程数が大幅に短縮できる。同図（ｂ
） 、 （ｃ）は１つのレチクルにおける品種の異なる
パターンを２種又は１種のみ取出して選択的に焼付ける
場合で、選択用マスク（遮蔽板）を使用する。
第４図は本発明の一実施例に使用される縮小投影アライ
ナにおけるマスク支持枠６を示し、支持枠中にマスク（
レチクル）４を固定し、遮蔽板７を開閉することによっ
てマスクの異なるパターンごとの選択的投影を可能とし
たものである。
ナにおけるマスク支持枠６を示し、支持枠中にマスク（
レチクル）４を固定し、遮蔽板７を開閉することによっ
てマスクの異なるパターンごとの選択的投影を可能とし
たものである。
このような本発明の一実施例によれば、縮小投光方式の
長所である精度の良さを有するとともに、異なる品種の
パターンを同時に焼付けることにより少量の多種生産の
場合の工程数を短縮することが可能となった。又、本発
明の一実施例によ４ば縮小投光アライナとして、複数個
の品種の異なるパターンを有するレチクルを使用し、異
なるパターン毎の選択的投影を可能ならしめ、その際マ
スクセツティング時間を節約することができ特に少量の
試作品を特急に処理する場合などに有効である。
長所である精度の良さを有するとともに、異なる品種の
パターンを同時に焼付けることにより少量の多種生産の
場合の工程数を短縮することが可能となった。又、本発
明の一実施例によ４ば縮小投光アライナとして、複数個
の品種の異なるパターンを有するレチクルを使用し、異
なるパターン毎の選択的投影を可能ならしめ、その際マ
スクセツティング時間を節約することができ特に少量の
試作品を特急に処理する場合などに有効である。
第１図は従来の縮小投影アライナ用レチクルの形態を示
す平面図、第２図は縮小投影アライナの原理的構造を示
す概略図、第３図は本発明の一実施例による縮小投影ア
ライナ用マスクの形態を示す平面図、第４図は本発明の
一実施例に使用する縮小投影アライナのマスク支持部を
示す概略断面図、第５図（ａ） 、 （ｂ） 、 （ｃ
）は本発明の一実施例による縮小投影マスクの異種パタ
ーンを選択的に取出す場合の形態を示す平面図である。 １・・・マスク、２・・・パターン、３・・・ウェハ、
４・・・レチクル、訃・・有効領域、６・・・マスク支
持枠、７・・・開閉する遮蔽板、Ａ、Ｂ、Ｃ・・・品種
ごとに異なるパターン。 □×Ｙ 第 ３１２Ｊ 第 ５ 崗 （ａ−＞ （ｂ） （ｃ）
す平面図、第２図は縮小投影アライナの原理的構造を示
す概略図、第３図は本発明の一実施例による縮小投影ア
ライナ用マスクの形態を示す平面図、第４図は本発明の
一実施例に使用する縮小投影アライナのマスク支持部を
示す概略断面図、第５図（ａ） 、 （ｂ） 、 （ｃ
）は本発明の一実施例による縮小投影マスクの異種パタ
ーンを選択的に取出す場合の形態を示す平面図である。 １・・・マスク、２・・・パターン、３・・・ウェハ、
４・・・レチクル、訃・・有効領域、６・・・マスク支
持枠、７・・・開閉する遮蔽板、Ａ、Ｂ、Ｃ・・・品種
ごとに異なるパターン。 □×Ｙ 第 ３１２Ｊ 第 ５ 崗 （ａ−＞ （ｂ） （ｃ）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、複数個のパターンを持つことを特徴とする縮小投影
露光用レチクル。 ２、上記複数個のパターンは少なくとも２つの異なるパ
ターンを有することを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載の縮小投影露光用レチクル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60030354A JPS60221757A (ja) | 1985-02-20 | 1985-02-20 | 露光用マスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60030354A JPS60221757A (ja) | 1985-02-20 | 1985-02-20 | 露光用マスク |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3548779A Division JPS55129333A (en) | 1979-03-28 | 1979-03-28 | Scale-down projection aligner and mask used for this |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62226314A Division JPS6379318A (ja) | 1987-09-11 | 1987-09-11 | 縮小投影露光方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60221757A true JPS60221757A (ja) | 1985-11-06 |
| JPS6155106B2 JPS6155106B2 (ja) | 1986-11-26 |
Family
ID=12301513
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60030354A Granted JPS60221757A (ja) | 1985-02-20 | 1985-02-20 | 露光用マスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60221757A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6362229A (ja) * | 1986-09-03 | 1988-03-18 | Canon Inc | 露光装置 |
| WO1999009456A1 (en) * | 1997-08-19 | 1999-02-25 | Micron Technology, Inc. | Multiple image reticle for forming layers |
| US6368754B1 (en) | 1998-11-13 | 2002-04-09 | Nec Corporation | Reticle used for fabrication of semiconductor device |
| CN102902155A (zh) * | 2011-07-29 | 2013-01-30 | 株式会社V技术 | 光掩模及曝光装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3704946A (en) * | 1969-02-20 | 1972-12-05 | Opt Omechanisms Inc | Microcircuit art generating means |
-
1985
- 1985-02-20 JP JP60030354A patent/JPS60221757A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3704946A (en) * | 1969-02-20 | 1972-12-05 | Opt Omechanisms Inc | Microcircuit art generating means |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6362229A (ja) * | 1986-09-03 | 1988-03-18 | Canon Inc | 露光装置 |
| WO1999009456A1 (en) * | 1997-08-19 | 1999-02-25 | Micron Technology, Inc. | Multiple image reticle for forming layers |
| US5995200A (en) * | 1997-08-19 | 1999-11-30 | Micron Technology, Inc. | Multiple image reticle for forming layers |
| US6040892A (en) * | 1997-08-19 | 2000-03-21 | Micron Technology, Inc. | Multiple image reticle for forming layers |
| US6421111B1 (en) | 1997-08-19 | 2002-07-16 | Micron Technology, Inc. | Multiple image reticle for forming layers |
| US6563568B2 (en) | 1997-08-19 | 2003-05-13 | Micron Technology, Inc. | Multiple image reticle for forming layers |
| US6646722B2 (en) | 1997-08-19 | 2003-11-11 | Micron Technology, Inc. | Multiple image reticle for forming layers |
| US6368754B1 (en) | 1998-11-13 | 2002-04-09 | Nec Corporation | Reticle used for fabrication of semiconductor device |
| CN102902155A (zh) * | 2011-07-29 | 2013-01-30 | 株式会社V技术 | 光掩模及曝光装置 |
| JP2013029749A (ja) * | 2011-07-29 | 2013-02-07 | V Technology Co Ltd | フォトマスク及び露光装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6155106B2 (ja) | 1986-11-26 |
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