JP2002367885A - 電子線露光用マスクおよびそれを用いた電子線露光方法 - Google Patents
電子線露光用マスクおよびそれを用いた電子線露光方法Info
- Publication number
- JP2002367885A JP2002367885A JP2001169420A JP2001169420A JP2002367885A JP 2002367885 A JP2002367885 A JP 2002367885A JP 2001169420 A JP2001169420 A JP 2001169420A JP 2001169420 A JP2001169420 A JP 2001169420A JP 2002367885 A JP2002367885 A JP 2002367885A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- exposure
- electron beam
- mask
- pattern
- beam exposure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Abandoned
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/20—Masks or mask blanks for imaging by charged particle beam [CPB] radiation, e.g. by electron beam; Preparation thereof
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
- H01L21/0277—Electrolithographic processes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/3175—Lithography
- H01J2237/31777—Lithography by projection
- H01J2237/31788—Lithography by projection through mask
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/3175—Lithography
- H01J2237/31793—Problems associated with lithography
- H01J2237/31794—Problems associated with lithography affecting masks
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
- Y10S430/143—Electron beam
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 電子線露光用マスクの交換回数を減らして露
光時間を短縮する。 【解決手段】 電子線露光用マスク１０が、１または２
種類以上の露光領域、例えばホール層露光領域Ａ、配線
層露光領域Ｂ、ゲート層露光領域Ｃの３種の露光領域
を、それぞれ２個以上有するように構成した。これによ
り、各露光領域を用いた露光する際は、露光領域を所定
の露光位置に移動させればよく、電子線露光用マスク１
０を電子線露光装置外に取り出して交換する必要がなく
なる。さらに、露光領域が１種類につき２個以上形成さ
れているので、使用している露光領域が汚れた場合に代
用することができ、電子線露光用マスク１０の洗浄回数
が減り、交換回数を減らすことができる。したがって、
リソグラフィ工程での露光時間を短縮することができ
る。
光時間を短縮する。 【解決手段】 電子線露光用マスク１０が、１または２
種類以上の露光領域、例えばホール層露光領域Ａ、配線
層露光領域Ｂ、ゲート層露光領域Ｃの３種の露光領域
を、それぞれ２個以上有するように構成した。これによ
り、各露光領域を用いた露光する際は、露光領域を所定
の露光位置に移動させればよく、電子線露光用マスク１
０を電子線露光装置外に取り出して交換する必要がなく
なる。さらに、露光領域が１種類につき２個以上形成さ
れているので、使用している露光領域が汚れた場合に代
用することができ、電子線露光用マスク１０の洗浄回数
が減り、交換回数を減らすことができる。したがって、
リソグラフィ工程での露光時間を短縮することができ
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は電子線露光用マスク
に関し、特にウェハに転写すべき露光パターンが形成さ
れた露光領域が１枚に複数形成されている電子線露光用
マスクに関する。
に関し、特にウェハに転写すべき露光パターンが形成さ
れた露光領域が１枚に複数形成されている電子線露光用
マスクに関する。
【０００２】
【従来の技術】現在、半導体パターンをウェハに形成す
るリソグラフィ技術においては、いわゆるフォトマスク
と呼ばれる設計パターンの原版を、光を用いてウェハに
縮小露光する方式が主流となっている。縮小露光の際の
縮小率は１／５あるいは１／４であり、露光にはｉ線
（波長３６５ｎｍ）やDeepＵＶ光（波長２４８ｎｍ，１
９３ｎｍ）が採用されている。露光には将来的に１５７
ｎｍといった露光波長も採用されると予想されている。
しかし、半導体素子のサイズは、このような光リソグラ
フィーの進展を上回るスピードで縮小しており、新たな
リソグラフィ技術の実用化が望まれている。
るリソグラフィ技術においては、いわゆるフォトマスク
と呼ばれる設計パターンの原版を、光を用いてウェハに
縮小露光する方式が主流となっている。縮小露光の際の
縮小率は１／５あるいは１／４であり、露光にはｉ線
（波長３６５ｎｍ）やDeepＵＶ光（波長２４８ｎｍ，１
９３ｎｍ）が採用されている。露光には将来的に１５７
ｎｍといった露光波長も採用されると予想されている。
しかし、半導体素子のサイズは、このような光リソグラ
フィーの進展を上回るスピードで縮小しており、新たな
リソグラフィ技術の実用化が望まれている。
【０００３】近年、より高解像度のリソグラフィ技術と
して、ＥＰＬ（Electron beam projection lithograph
y）やＬＥＥＰＬ（low energy electron beam proximit
y projection lithography）などの電子線露光装置を用
いた電子線投影露光技術が開発され始めている。ＥＰＬ
は設計パターンに対して４倍の大きさの電子線露光用マ
スクを用い、１００ｋＶという高い加速電圧で露光す
る。一方、ＬＥＥＰＬは電子線露光用マスクが設計パタ
ーンと等倍で、加速電圧は２ｋＶ程度と低い。
して、ＥＰＬ（Electron beam projection lithograph
y）やＬＥＥＰＬ（low energy electron beam proximit
y projection lithography）などの電子線露光装置を用
いた電子線投影露光技術が開発され始めている。ＥＰＬ
は設計パターンに対して４倍の大きさの電子線露光用マ
スクを用い、１００ｋＶという高い加速電圧で露光す
る。一方、ＬＥＥＰＬは電子線露光用マスクが設計パタ
ーンと等倍で、加速電圧は２ｋＶ程度と低い。
【０００４】このような電子線投影露光では、電子線露
光用マスクとして、ウェハに転写すべき露光パターン
が、電子線露光用マスク基板に開口されて形成された、
ステンシルマスクが用いられている。
光用マスクとして、ウェハに転写すべき露光パターン
が、電子線露光用マスク基板に開口されて形成された、
ステンシルマスクが用いられている。
【０００５】図４は転写パターンとそれを形成するため
の電子線露光用マスクの例を示す平面図であり、（ａ）
は転写パターン、（ｂ）および（ｃ）は相補マスクを示
す図である。
の電子線露光用マスクの例を示す平面図であり、（ａ）
は転写パターン、（ｂ）および（ｃ）は相補マスクを示
す図である。
【０００６】電子線投影露光によって、図４（ａ）に示
すようなドーナツパターン１００をウェハに転写する場
合には、このドーナツパターン１００と同形の開口部を
有するステンシルマスクでは、中央のドットパターン１
００ａをステンシルマスク内で保持することができな
い。したがって、図４（ｂ）および図４（ｃ）に示すよ
うに、互いに相補関係にある２枚の相補マスク１０１，
１０２に分割し、それぞれの相補マスク１０１，１０２
を用いて露光を行い、ウェハにドーナツパターン１００
を形成する必要が生じる。
すようなドーナツパターン１００をウェハに転写する場
合には、このドーナツパターン１００と同形の開口部を
有するステンシルマスクでは、中央のドットパターン１
００ａをステンシルマスク内で保持することができな
い。したがって、図４（ｂ）および図４（ｃ）に示すよ
うに、互いに相補関係にある２枚の相補マスク１０１，
１０２に分割し、それぞれの相補マスク１０１，１０２
を用いて露光を行い、ウェハにドーナツパターン１００
を形成する必要が生じる。
【０００７】ところで、半導体製造過程では、半導体素
子を形成する各層を成膜し、リソグラフィによってレジ
ストパターンを形成してエッチングを行うという基本プ
ロセスがある。このリソグラフィ工程においては、例え
ば、素子分離層用の電子線露光用マスクには素子分離層
を形成するための露光パターンが形成された露光領域の
み、あるいはゲート層用の電子線露光用マスクにはゲー
ト層を形成するための露光パターンが形成された露光領
域のみ、というように、１枚の電子線露光用マスクに、
ウェハ製造の個別工程における単一層形成のための露光
領域しか形成されていなかった。
子を形成する各層を成膜し、リソグラフィによってレジ
ストパターンを形成してエッチングを行うという基本プ
ロセスがある。このリソグラフィ工程においては、例え
ば、素子分離層用の電子線露光用マスクには素子分離層
を形成するための露光パターンが形成された露光領域の
み、あるいはゲート層用の電子線露光用マスクにはゲー
ト層を形成するための露光パターンが形成された露光領
域のみ、というように、１枚の電子線露光用マスクに、
ウェハ製造の個別工程における単一層形成のための露光
領域しか形成されていなかった。
【０００８】図５はリソグラフィ工程で用いる従来の電
子線露光用マスクの例を示す平面図である。電子線露光
用マスク２００には、その露光領域２０１内に、露光パ
ターン２０１ａ，２０１ｂ，２０１ｃ，２０１ｄが形成
されている。この４つの露光パターン２０１ａ，２０１
ｂ，２０１ｃ，２０１ｄのパターン形状は異なる場合も
あるが、その場合でも、全て同一の層を形成するための
露光パターンとなっている。
子線露光用マスクの例を示す平面図である。電子線露光
用マスク２００には、その露光領域２０１内に、露光パ
ターン２０１ａ，２０１ｂ，２０１ｃ，２０１ｄが形成
されている。この４つの露光パターン２０１ａ，２０１
ｂ，２０１ｃ，２０１ｄのパターン形状は異なる場合も
あるが、その場合でも、全て同一の層を形成するための
露光パターンとなっている。
【０００９】すなわち、従来は、リソグラフィ工程にお
いて、ウェハ製造の個別工程における各層形成ごとに、
その層を形成するための露光パターンが形成されている
露光領域を有する電子線露光用マスクに交換する必要が
あった。
いて、ウェハ製造の個別工程における各層形成ごとに、
その層を形成するための露光パターンが形成されている
露光領域を有する電子線露光用マスクに交換する必要が
あった。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかし、現在の電子線
露光装置では、光露光の場合と違って、露光雰囲気が真
空であるため、電子線露光用マスクの交換に時間がかか
るという問題点があった。
露光装置では、光露光の場合と違って、露光雰囲気が真
空であるため、電子線露光用マスクの交換に時間がかか
るという問題点があった。
【００１１】電子線露光装置の場合の露光時間は、電子
線照射時間、電子線ビーム調整時間、アライメント時
間、電子線露光用マスク搬送時間、ウェハ搬送時間な
ど、従来広く用いられて来た光露光装置に比べて時間が
かかり、スループットが低い。特に、少量多品種デバイ
スの製造においては、露光すべきウェハ枚数が少なく、
各層の形成に応じて頻繁に電子線露光用マスクを交換す
る必要があるので、電子線露光用マスクの交換や、電子
線露光用マスクのセット後の位置測定などによって露光
時間が長くなり、リソグラフィ工程のスループット低下
の大きな原因となっていた。
線照射時間、電子線ビーム調整時間、アライメント時
間、電子線露光用マスク搬送時間、ウェハ搬送時間な
ど、従来広く用いられて来た光露光装置に比べて時間が
かかり、スループットが低い。特に、少量多品種デバイ
スの製造においては、露光すべきウェハ枚数が少なく、
各層の形成に応じて頻繁に電子線露光用マスクを交換す
る必要があるので、電子線露光用マスクの交換や、電子
線露光用マスクのセット後の位置測定などによって露光
時間が長くなり、リソグラフィ工程のスループット低下
の大きな原因となっていた。
【００１２】電子線露光用マスクとして相補マスクを用
いる場合についても、ウェハに露光パターンを転写する
際、相補関係にある露光パターンがそれぞれ形成されて
いる電子線露光用マスクを２枚用いるので、相補パター
ンの形成に電子線露光用マスクの交換が必要となり、露
光時間が余計にかかってしまう。
いる場合についても、ウェハに露光パターンを転写する
際、相補関係にある露光パターンがそれぞれ形成されて
いる電子線露光用マスクを２枚用いるので、相補パター
ンの形成に電子線露光用マスクの交換が必要となり、露
光時間が余計にかかってしまう。
【００１３】また、電子線露光用マスクは、フォトマス
クのようにペリクルを用いることができない。そのた
め、電子線露光用マスクの汚れや異物の付着によって寿
命が短くなる可能性があり、電子線露光用マスクを頻繁
に洗浄する必要がある。したがって、電子線露光用マス
クを洗浄する場合にも、電子線露光用マスクの交換が必
要となり、露光時間が余計にかかることになる。
クのようにペリクルを用いることができない。そのた
め、電子線露光用マスクの汚れや異物の付着によって寿
命が短くなる可能性があり、電子線露光用マスクを頻繁
に洗浄する必要がある。したがって、電子線露光用マス
クを洗浄する場合にも、電子線露光用マスクの交換が必
要となり、露光時間が余計にかかることになる。
【００１４】本発明はこのような点に鑑みてなされたも
のであり、交換回数を減らして露光時間を短縮する電子
線露光用マスクを提供することを目的とする。
のであり、交換回数を減らして露光時間を短縮する電子
線露光用マスクを提供することを目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、ウェハ
に転写すべき露光パターンが形成された露光領域を有す
る電子線露光用マスクであって、１または２種類以上の
露光領域を、それぞれ２個以上有することを特徴とする
電子線露光用マスクが提供される。
に転写すべき露光パターンが形成された露光領域を有す
る電子線露光用マスクであって、１または２種類以上の
露光領域を、それぞれ２個以上有することを特徴とする
電子線露光用マスクが提供される。
【００１６】上記構成によれば、電子線露光用マスク
が、１または２種類以上の露光領域をそれぞれ２個以上
有するので、各露光領域を用いた露光の際は、露光領域
を所定の露光位置に移動させればよく、電子線露光用マ
スクを電子線露光装置外に取り出して交換する必要がな
くなる。また、１種類の露光領域を２個以上有するの
で、使用している露光領域が汚れた場合に代用すること
ができ、電子線露光用マスクの洗浄回数が減る。
が、１または２種類以上の露光領域をそれぞれ２個以上
有するので、各露光領域を用いた露光の際は、露光領域
を所定の露光位置に移動させればよく、電子線露光用マ
スクを電子線露光装置外に取り出して交換する必要がな
くなる。また、１種類の露光領域を２個以上有するの
で、使用している露光領域が汚れた場合に代用すること
ができ、電子線露光用マスクの洗浄回数が減る。
【００１７】また、本発明によれば、ウェハに転写すべ
き露光パターンが形成された露光領域を有する電子線露
光用マスクであって、一の露光パターンが形成された一
の露光領域と、他の露光パターンが形成された他の露光
領域と、を有することを特徴とする電子線露光用マスク
が提供される。
き露光パターンが形成された露光領域を有する電子線露
光用マスクであって、一の露光パターンが形成された一
の露光領域と、他の露光パターンが形成された他の露光
領域と、を有することを特徴とする電子線露光用マスク
が提供される。
【００１８】上記構成によれば、電子線露光用マスク
が、一の露光領域と他の露光領域とを有するので、電子
線露光用マスクを電子線露光装置外に取り出すことな
く、異なる露光パターン、例えば、一の露光パターンと
他の露光パターンとが相補関係にある相補パターンなど
を露光することができ、電子線露光用マスクの交換回数
が減る。
が、一の露光領域と他の露光領域とを有するので、電子
線露光用マスクを電子線露光装置外に取り出すことな
く、異なる露光パターン、例えば、一の露光パターンと
他の露光パターンとが相補関係にある相補パターンなど
を露光することができ、電子線露光用マスクの交換回数
が減る。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照して説明する。図１は第１の実施の形態に係る電
子線露光用マスクの平面図である。
を参照して説明する。図１は第１の実施の形態に係る電
子線露光用マスクの平面図である。
【００２０】電子線露光用マスク１０には、ウェハに転
写すべき露光パターンが形成された露光領域、例えば、
半導体製造過程のホール層に転写すべき露光パターンが
形成された露光領域であるホール層露光領域Ａ、配線層
に転写すべき露光パターンが形成された露光領域である
配線層露光領域Ｂ、およびゲート層に転写すべき露光パ
ターンが形成された露光領域であるゲート層露光領域Ｃ
の３種類の露光領域が形成されている。これら各露光領
域は、１枚の電子線露光用マスク１０に、それぞれ３個
ずつ形成されていて、合計９個の露光領域が形成されて
いる。
写すべき露光パターンが形成された露光領域、例えば、
半導体製造過程のホール層に転写すべき露光パターンが
形成された露光領域であるホール層露光領域Ａ、配線層
に転写すべき露光パターンが形成された露光領域である
配線層露光領域Ｂ、およびゲート層に転写すべき露光パ
ターンが形成された露光領域であるゲート層露光領域Ｃ
の３種類の露光領域が形成されている。これら各露光領
域は、１枚の電子線露光用マスク１０に、それぞれ３個
ずつ形成されていて、合計９個の露光領域が形成されて
いる。
【００２１】上記の構成の電子線露光用マスク１０を用
いて電子線露光する場合、通常はホール層露光領域Ａ、
配線層露光領域Ｂ、およびゲート層露光領域Ｃの３個の
露光領域を使用する。残りの２個ずつの露光領域は、使
用している露光領域が汚れた際に交換する予備マスクと
して用いる。
いて電子線露光する場合、通常はホール層露光領域Ａ、
配線層露光領域Ｂ、およびゲート層露光領域Ｃの３個の
露光領域を使用する。残りの２個ずつの露光領域は、使
用している露光領域が汚れた際に交換する予備マスクと
して用いる。
【００２２】ここで、例えば１０枚の露光用ウェハのう
ち、１枚目から３枚目にはホール層に転写すべき露光パ
ターンを露光し、４枚目から６枚目には配線層に転写す
べき露光パターンを露光し、７枚目から１０枚目にはゲ
ート層に転写すべき露光パターンを露光するような場合
について説明する。
ち、１枚目から３枚目にはホール層に転写すべき露光パ
ターンを露光し、４枚目から６枚目には配線層に転写す
べき露光パターンを露光し、７枚目から１０枚目にはゲ
ート層に転写すべき露光パターンを露光するような場合
について説明する。
【００２３】この場合、本形態の電子線露光用マスク１
０によれば、ホール層への露光後で配線層への露光前、
および配線層への露光後でゲート層への露光前に、それ
ぞれマスク交換してから露光する従来の方法とは異な
り、電子線露光用マスク１０を交換せずに、ウェハを連
続的に露光することが可能である。本形態の電子線露光
用マスク１０を用いる場合、まず、１０枚の露光用ウェ
ハのうち３枚目までのウェハはホール層露光領域Ａを用
いて露光する。次いで、電子線露光用マスク１０が固定
されているマスクステージを移動させ、ホール層露光領
域Ａと配線層露光領域Ｂとの位置を変え、この配線層露
光領域Ｂを用いて４枚目から６枚目までのウェハを露光
する。ゲート層露光領域Ｃについても同様に、電子線露
光用マスク１０が固定されているマスクステージを移動
させ、配線層露光領域Ｂとゲート層露光領域Ｃとの位置
を変え、このゲート層露光領域Ｃを用いて７枚目から１
０枚目のウェハを露光する。
０によれば、ホール層への露光後で配線層への露光前、
および配線層への露光後でゲート層への露光前に、それ
ぞれマスク交換してから露光する従来の方法とは異な
り、電子線露光用マスク１０を交換せずに、ウェハを連
続的に露光することが可能である。本形態の電子線露光
用マスク１０を用いる場合、まず、１０枚の露光用ウェ
ハのうち３枚目までのウェハはホール層露光領域Ａを用
いて露光する。次いで、電子線露光用マスク１０が固定
されているマスクステージを移動させ、ホール層露光領
域Ａと配線層露光領域Ｂとの位置を変え、この配線層露
光領域Ｂを用いて４枚目から６枚目までのウェハを露光
する。ゲート層露光領域Ｃについても同様に、電子線露
光用マスク１０が固定されているマスクステージを移動
させ、配線層露光領域Ｂとゲート層露光領域Ｃとの位置
を変え、このゲート層露光領域Ｃを用いて７枚目から１
０枚目のウェハを露光する。
【００２４】このように、本形態の電子線露光用マスク
１０によれば、複数種の層を露光する場合、交換するの
はウェハのみであり、電子線露光用マスク１０は、各層
の露光に応じて各露光領域の移動はするが、電子線露光
装置外に取り出して他と交換する必要がない。したがっ
て、露光時間を短縮することができる。
１０によれば、複数種の層を露光する場合、交換するの
はウェハのみであり、電子線露光用マスク１０は、各層
の露光に応じて各露光領域の移動はするが、電子線露光
装置外に取り出して他と交換する必要がない。したがっ
て、露光時間を短縮することができる。
【００２５】なお、上記の説明で用いたホール層、配線
層、およびゲート層は単なる例であって、電子線露光用
マスク１０に形成する露光領域としては、当然、これら
以外の層の露光パターンが形成された露光領域であって
もよい。また、電子線露光用マスク１０に形成される露
光領域の露光パターンは、ホール層用、配線層用、およ
びゲート層用のように複数種であってもよいし、ホール
層用のみ、あるいは配線層用のみといった単一種であっ
てもよい。さらに、上記の説明では、各露光領域につい
て予備マスクを２個としたが、個数はこれに限定される
ものではない。
層、およびゲート層は単なる例であって、電子線露光用
マスク１０に形成する露光領域としては、当然、これら
以外の層の露光パターンが形成された露光領域であって
もよい。また、電子線露光用マスク１０に形成される露
光領域の露光パターンは、ホール層用、配線層用、およ
びゲート層用のように複数種であってもよいし、ホール
層用のみ、あるいは配線層用のみといった単一種であっ
てもよい。さらに、上記の説明では、各露光領域につい
て予備マスクを２個としたが、個数はこれに限定される
ものではない。
【００２６】図２は第２の実施の形態に係る電子線露光
用マスクの平面図である。電子線露光用マスク２０に
は、ウェハに転写すべき露光パターンが形成された露光
領域、例えば、半導体製造過程のホール層に転写すべき
露光パターンが形成された露光領域であるホール層露光
領域Ａ１，Ａ２，Ａ３、配線層に転写すべき露光パター
ンが形成された露光領域である配線層露光領域Ｂ１，Ｂ
２，Ｂ３、およびゲート層に転写すべき露光パターンが
形成された露光領域であるゲート層露光領域Ｃ１，Ｃ
２，Ｃ３の、合計９個の露光領域が形成されている。こ
こで、ホール層露光領域Ａ１，Ａ２，Ａ３には互いに同
形の露光パターンである同形露光パターンが形成されて
いる。同様に、配線層露光領域Ｂ１，Ｂ２，Ｂ３には同
形露光パターンが形成されていて、ゲート層露光領域Ｃ
１，Ｃ２，Ｃ３には同形露光パターンが形成されてい
る。
用マスクの平面図である。電子線露光用マスク２０に
は、ウェハに転写すべき露光パターンが形成された露光
領域、例えば、半導体製造過程のホール層に転写すべき
露光パターンが形成された露光領域であるホール層露光
領域Ａ１，Ａ２，Ａ３、配線層に転写すべき露光パター
ンが形成された露光領域である配線層露光領域Ｂ１，Ｂ
２，Ｂ３、およびゲート層に転写すべき露光パターンが
形成された露光領域であるゲート層露光領域Ｃ１，Ｃ
２，Ｃ３の、合計９個の露光領域が形成されている。こ
こで、ホール層露光領域Ａ１，Ａ２，Ａ３には互いに同
形の露光パターンである同形露光パターンが形成されて
いる。同様に、配線層露光領域Ｂ１，Ｂ２，Ｂ３には同
形露光パターンが形成されていて、ゲート層露光領域Ｃ
１，Ｃ２，Ｃ３には同形露光パターンが形成されてい
る。
【００２７】上記の構成の電子線露光用マスク２０を用
いて行う電子線露光について、２重露光により転写パタ
ーンを形成する場合を例にして説明する。まず、ホール
層に転写すべき露光パターンを露光する場合、ホール層
露光領域Ａ１を用いて、転写パターンの形成に必要な総
露光量の１／２の露光量で露光する。次いで、電子線露
光用マスク２０が固定されているマスクステージを移動
させ、ホール層露光領域Ａ２を、それまでホール層露光
領域Ａ１が配置されていたホール層の露光位置に移動す
る。このホール層露光領域Ａ２を用いて、転写パターン
の形成に必要な総露光量の１／２の露光量で露光する。
いて行う電子線露光について、２重露光により転写パタ
ーンを形成する場合を例にして説明する。まず、ホール
層に転写すべき露光パターンを露光する場合、ホール層
露光領域Ａ１を用いて、転写パターンの形成に必要な総
露光量の１／２の露光量で露光する。次いで、電子線露
光用マスク２０が固定されているマスクステージを移動
させ、ホール層露光領域Ａ２を、それまでホール層露光
領域Ａ１が配置されていたホール層の露光位置に移動す
る。このホール層露光領域Ａ２を用いて、転写パターン
の形成に必要な総露光量の１／２の露光量で露光する。
【００２８】続いて配線層に転写すべき露光パターンを
露光する場合、配線層露光領域Ｂ１を用いて、転写パタ
ーンの形成に必要な総露光量の１／２の露光量で露光
し、マスクステージを移動させ、配線層露光領域Ｂ２を
用いて、転写パターンの形成に必要な総露光量の１／２
の露光量で露光する。
露光する場合、配線層露光領域Ｂ１を用いて、転写パタ
ーンの形成に必要な総露光量の１／２の露光量で露光
し、マスクステージを移動させ、配線層露光領域Ｂ２を
用いて、転写パターンの形成に必要な総露光量の１／２
の露光量で露光する。
【００２９】ゲート層に転写すべき露光パターンを露光
する場合も同様に、ゲート層露光領域Ｃ１を用いて、転
写パターンの形成に必要な総露光量の１／２の露光量で
露光し、マスクステージを移動させ、ゲート層露光領域
Ｃ２を用いて、転写パターンの形成に必要な総露光量の
１／２の露光量で露光する。
する場合も同様に、ゲート層露光領域Ｃ１を用いて、転
写パターンの形成に必要な総露光量の１／２の露光量で
露光し、マスクステージを移動させ、ゲート層露光領域
Ｃ２を用いて、転写パターンの形成に必要な総露光量の
１／２の露光量で露光する。
【００３０】このように２重露光する場合には、ホール
層露光領域Ａ３、配線層露光領域Ｂ３、ゲート層露光領
域Ｃ３は、それぞれ使用している露光領域が汚れた際に
交換する予備マスクとして用いる。
層露光領域Ａ３、配線層露光領域Ｂ３、ゲート層露光領
域Ｃ３は、それぞれ使用している露光領域が汚れた際に
交換する予備マスクとして用いる。
【００３１】また、本形態の電子線露光用マスク２０を
用いて３重露光する場合には、ホール層露光領域Ａ１，
Ａ２，Ａ３をそれぞれ転写パターンの形成に必要な総露
光量の１/３の露光量でそれぞれ露光する。配線層露光
領域Ｂ１，Ｂ２，Ｂ３、およびゲート層露光領域Ｃ１，
Ｃ２，Ｃ３についても同様に、総露光量の１/３の露光
量でそれぞれ露光する。
用いて３重露光する場合には、ホール層露光領域Ａ１，
Ａ２，Ａ３をそれぞれ転写パターンの形成に必要な総露
光量の１/３の露光量でそれぞれ露光する。配線層露光
領域Ｂ１，Ｂ２，Ｂ３、およびゲート層露光領域Ｃ１，
Ｃ２，Ｃ３についても同様に、総露光量の１/３の露光
量でそれぞれ露光する。
【００３２】このように、転写パターンを、電子線露光
用マスク２０に形成された、例えばホール層露光領域Ａ
１，Ａ２，Ａ３といった、同形露光パターンの異なる露
光領域を用いて多重露光するので、電子線露光用マスク
２０を電子線露光装置外に取り出して他と交換する必要
がなく、露光時間を短縮することができる。さらに、同
形露光パターン同士の同じ位置に欠陥が生じている場合
はほとんどなく、異なる露光領域を用いて多重露光する
ことにより、欠陥転写性を低減することができる。
用マスク２０に形成された、例えばホール層露光領域Ａ
１，Ａ２，Ａ３といった、同形露光パターンの異なる露
光領域を用いて多重露光するので、電子線露光用マスク
２０を電子線露光装置外に取り出して他と交換する必要
がなく、露光時間を短縮することができる。さらに、同
形露光パターン同士の同じ位置に欠陥が生じている場合
はほとんどなく、異なる露光領域を用いて多重露光する
ことにより、欠陥転写性を低減することができる。
【００３３】なお、上記の説明で用いたホール層、配線
層、およびゲート層は単なる例であって、電子線露光用
マスク２０に形成する露光領域としては、当然、これら
以外の層の露光パターンが形成された露光領域であって
もよい。また、電子線露光用マスク２０に形成される露
光領域の露光パターンは、ホール層用、配線層用、およ
びゲート層用のように複数種であってもよいし、ホール
層用のみ、あるいは配線層用のみといった単一種であっ
てもよい。さらに、上記の説明では、露光回数を２また
は３回として露光領域を形成しているが、露光回数およ
び形成する露光領域の個数はこれに限定されるものでは
ない。
層、およびゲート層は単なる例であって、電子線露光用
マスク２０に形成する露光領域としては、当然、これら
以外の層の露光パターンが形成された露光領域であって
もよい。また、電子線露光用マスク２０に形成される露
光領域の露光パターンは、ホール層用、配線層用、およ
びゲート層用のように複数種であってもよいし、ホール
層用のみ、あるいは配線層用のみといった単一種であっ
てもよい。さらに、上記の説明では、露光回数を２また
は３回として露光領域を形成しているが、露光回数およ
び形成する露光領域の個数はこれに限定されるものでは
ない。
【００３４】図３は第３の実施の形態に係る電子線露光
用マスクの平面図である。電子線露光用マスク３０に
は、ウェハに転写すべき露光パターンが形成された露光
領域Ｄ１，Ｄ２がそれぞれ２個ずつ形成されていて、露
光領域Ｄ１の露光パターンと露光領域Ｄ２の露光パター
ンとは互いに相補関係にある相補パターンであって、こ
れら双方の露光領域Ｄ１，Ｄ２を用いて露光することに
より、目的の転写パターンが得られるように構成されて
いる。
用マスクの平面図である。電子線露光用マスク３０に
は、ウェハに転写すべき露光パターンが形成された露光
領域Ｄ１，Ｄ２がそれぞれ２個ずつ形成されていて、露
光領域Ｄ１の露光パターンと露光領域Ｄ２の露光パター
ンとは互いに相補関係にある相補パターンであって、こ
れら双方の露光領域Ｄ１，Ｄ２を用いて露光することに
より、目的の転写パターンが得られるように構成されて
いる。
【００３５】このような電子線露光用マスク３０を用い
て電子線露光する場合、まず、露光領域Ｄ１を用いて露
光し、次いで、電子線露光用マスク３０が固定されてい
るマスクステージを移動して、露光領域Ｄ１と露光領域
Ｄ２とを変え、露光領域Ｄ２を用いて露光する。
て電子線露光する場合、まず、露光領域Ｄ１を用いて露
光し、次いで、電子線露光用マスク３０が固定されてい
るマスクステージを移動して、露光領域Ｄ１と露光領域
Ｄ２とを変え、露光領域Ｄ２を用いて露光する。
【００３６】このように、互いに相補関係にある露光パ
ターンが形成されている露光領域Ｄ１，Ｄ２が、１枚の
電子線露光用マスク３０に形成されているので、露光の
際、電子線露光用マスク３０を電子線露光装置外に取り
出して他と交換することなく相補パターンを形成するこ
とができ、露光時間を短縮することができる。
ターンが形成されている露光領域Ｄ１，Ｄ２が、１枚の
電子線露光用マスク３０に形成されているので、露光の
際、電子線露光用マスク３０を電子線露光装置外に取り
出して他と交換することなく相補パターンを形成するこ
とができ、露光時間を短縮することができる。
【００３７】露光領域Ｄ１，Ｄ２はそれぞれ２個ずつ形
成されているが、通常の露光には一組の露光領域Ｄ１，
Ｄ２を用い、残りの２個の露光領域Ｄ１，Ｄ２は、使用
している一組の露光領域Ｄ１，Ｄ２が汚れた際に交換す
る予備マスクとして用いることができる。
成されているが、通常の露光には一組の露光領域Ｄ１，
Ｄ２を用い、残りの２個の露光領域Ｄ１，Ｄ２は、使用
している一組の露光領域Ｄ１，Ｄ２が汚れた際に交換す
る予備マスクとして用いることができる。
【００３８】また、露光領域Ｄ１，Ｄ２はそれぞれ２個
ずつ形成されているので、それぞれを転写パターンの形
成に必要な総露光量の１／２の露光量で多重露光するこ
とにより、欠陥転写性の低減を図ることができる。
ずつ形成されているので、それぞれを転写パターンの形
成に必要な総露光量の１／２の露光量で多重露光するこ
とにより、欠陥転写性の低減を図ることができる。
【００３９】なお、上記の説明では、電子線露光用マス
ク３０に露光領域Ｄ１，Ｄ２を２個ずつ形成した場合に
ついて述べたが、露光領域Ｄ１，Ｄ２のほかに、これと
異なる形状の他の相補パターンが形成された露光領域を
形成する構成としてもよい。また、電子線露光用マスク
３０には合計４個の露光領域が形成されているが、形成
する露光領域の個数はこれに限定されるものではない。
ク３０に露光領域Ｄ１，Ｄ２を２個ずつ形成した場合に
ついて述べたが、露光領域Ｄ１，Ｄ２のほかに、これと
異なる形状の他の相補パターンが形成された露光領域を
形成する構成としてもよい。また、電子線露光用マスク
３０には合計４個の露光領域が形成されているが、形成
する露光領域の個数はこれに限定されるものではない。
【００４０】さらに、上記の説明では、露光領域Ｄ１，
Ｄ２を、互いに相補関係にある露光パターンが形成され
ている構成としたが、例えば、ホール層用、配線層用、
ゲート層用といった層に転写すべき露光パターンを形成
してもよい。
Ｄ２を、互いに相補関係にある露光パターンが形成され
ている構成としたが、例えば、ホール層用、配線層用、
ゲート層用といった層に転写すべき露光パターンを形成
してもよい。
【００４１】以上の説明において、露光を等倍露光で行
う場合、電子線露光用マスクに形成される露光領域の露
光パターンは、ウェハに形成される転写パターンと同サ
イズであるので、１／４倍露光あるいは１／５倍露光の
場合よりも、電子線露光用マスクに露光領域を多く形成
しておくことができ、露光時間短縮効果が大きくなる。
う場合、電子線露光用マスクに形成される露光領域の露
光パターンは、ウェハに形成される転写パターンと同サ
イズであるので、１／４倍露光あるいは１／５倍露光の
場合よりも、電子線露光用マスクに露光領域を多く形成
しておくことができ、露光時間短縮効果が大きくなる。
【００４２】
【発明の効果】以上説明したように本発明では、１枚の
電子線露光用マスクが、１または２種類以上の露光領域
をそれぞれ２個以上有するように構成にした。これによ
り、リソグラフィ工程において、電子線露光用マスクの
交換回数を減らすことができ、露光時間を短縮すること
ができる。
電子線露光用マスクが、１または２種類以上の露光領域
をそれぞれ２個以上有するように構成にした。これによ
り、リソグラフィ工程において、電子線露光用マスクの
交換回数を減らすことができ、露光時間を短縮すること
ができる。
【００４３】また、１枚の電子線露光用マスクに、相補
関係にある露光パターンを形成することにより、電子線
露光用マスクを電子線露光装置外に取り出すことなく相
補パターンを形成することができ、露光時間を短縮する
ことができる。
関係にある露光パターンを形成することにより、電子線
露光用マスクを電子線露光装置外に取り出すことなく相
補パターンを形成することができ、露光時間を短縮する
ことができる。
【００４４】１枚の電子線露光用マスクに形成された、
異なる露光領域を用い、電子線露光装置外に取り出すこ
となく多重露光することができ、交換回数を減らし、か
つ、転写パターンの欠陥を低減することができる。
異なる露光領域を用い、電子線露光装置外に取り出すこ
となく多重露光することができ、交換回数を減らし、か
つ、転写パターンの欠陥を低減することができる。
【００４５】さらに、電子線露光用マスクの洗浄回数が
減るので、交換回数が減り、交換に伴う時間を省くこと
ができる。このような電子線露光用マスクにより、露光
に用いる電子線露光用マスクの枚数を削減できるので、
コスト低減、電子線露光用マスクの保管エリア低減など
を図ることができるようになる。
減るので、交換回数が減り、交換に伴う時間を省くこと
ができる。このような電子線露光用マスクにより、露光
に用いる電子線露光用マスクの枚数を削減できるので、
コスト低減、電子線露光用マスクの保管エリア低減など
を図ることができるようになる。
【図１】第１の実施の形態に係る電子線露光用マスクの
平面図である。
平面図である。
【図２】第２の実施の形態に係る電子線露光用マスクの
平面図である。
平面図である。
【図３】第３の実施の形態に係る電子線露光用マスクの
平面図である。
平面図である。
【図４】転写パターンとそれを形成するための電子線露
光用マスクの例を示す平面図であり、（ａ）は転写パタ
ーン、（ｂ）および（ｃ）は相補マスクを示す図であ
る。
光用マスクの例を示す平面図であり、（ａ）は転写パタ
ーン、（ｂ）および（ｃ）は相補マスクを示す図であ
る。
【図５】リソグラフィ工程で用いる従来の電子線露光用
マスクの例を示す平面図である。
マスクの例を示す平面図である。
１０，２０，３０……電子線露光用マスク、Ａ，Ａ１，
Ａ２，Ａ３……ホール層露光領域、Ｂ，Ｂ１，Ｂ２，Ｂ
３……配線層露光領域、Ｃ，Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３……ゲー
ト層露光領域、Ｄ１，Ｄ２……露光領域。
Ａ２，Ａ３……ホール層露光領域、Ｂ，Ｂ１，Ｂ２，Ｂ
３……配線層露光領域、Ｃ，Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３……ゲー
ト層露光領域、Ｄ１，Ｄ２……露光領域。
Claims (6)
- 【請求項１】 ウェハに転写すべき露光パターンが形成
された露光領域を有する電子線露光用マスクであって、 １または２種類以上の前記露光領域を、それぞれ２個以
上有することを特徴とする電子線露光用マスク。 - 【請求項２】 ウェハに転写すべき露光パターンが形成
された露光領域を有する電子線露光用マスクであって、 一の露光パターンが形成された一の露光領域と、 他の露光パターンが形成された他の露光領域と、 を有することを特徴とする電子線露光用マスク。 - 【請求項３】 前記一の露光パターンと前記他の露光パ
ターンとは、相補関係にある相補パターンであることを
特徴とする請求項２記載の電子線露光用マスク。 - 【請求項４】 ウェハに転写すべき露光パターンが形成
された露光領域を有する電子線露光用マスクを用いた電
子線露光方法において、 ウェハに転写すべき一の露光パターンが形成された一の
露光領域を用いて露光し、 前記一の露光領域が形成されている電子線露光用マスク
に有って、他の露光パターンが形成されている他の露光
領域を用いて露光することを特徴とする電子線露光方
法。 - 【請求項５】 前記一の露光領域を用いて露光した後、 前記一の露光領域が形成されている前記電子線露光用マ
スクに有って、前記一の露光領域と同形露光パターンが
形成されている一の同形露光領域を用いて露光し、 前記他の露光領域を用いて露光し、 前記他の露光領域と同形露光パターンが形成されている
他の同形露光領域を用いて露光することを特徴とする請
求項４記載の電子線露光方法。 - 【請求項６】 前記一の露光パターンと前記他の露光パ
ターンとは、相補関係にある相補パターンであることを
特徴とする請求項４記載の電子線露光方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001169420A JP2002367885A (ja) | 2001-06-05 | 2001-06-05 | 電子線露光用マスクおよびそれを用いた電子線露光方法 |
| US10/343,228 US6972165B2 (en) | 2001-06-05 | 2002-05-30 | Electron beam exposure mask and electron beam exposure method using the same |
| KR10-2003-7001524A KR20030018066A (ko) | 2001-06-05 | 2002-05-30 | 전자선노광용 마스크 및 그것을 이용한 전자선노광방법 |
| PCT/JP2002/005269 WO2002099856A1 (en) | 2001-06-05 | 2002-05-30 | Electron beam exposure-use mask and electron beam exposure method |
| TW091111965A TW542944B (en) | 2001-06-05 | 2002-06-04 | Mask for electron beam exposure and electron beam exposure method using the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001169420A JP2002367885A (ja) | 2001-06-05 | 2001-06-05 | 電子線露光用マスクおよびそれを用いた電子線露光方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002367885A true JP2002367885A (ja) | 2002-12-20 |
Family
ID=19011493
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001169420A Abandoned JP2002367885A (ja) | 2001-06-05 | 2001-06-05 | 電子線露光用マスクおよびそれを用いた電子線露光方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6972165B2 (ja) |
| JP (1) | JP2002367885A (ja) |
| KR (1) | KR20030018066A (ja) |
| TW (1) | TW542944B (ja) |
| WO (1) | WO2002099856A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100475031B1 (ko) * | 1998-03-12 | 2005-05-27 | 삼성전자주식회사 | 수명 연장이 가능한 전자선 직접 묘화 장비의 블록 마스크 및그 제조방법 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100589055B1 (ko) * | 2004-07-23 | 2006-06-12 | 삼성전자주식회사 | 노광 방법 및 이를 수행하기 위한 노광 장치 |
| US20150146179A1 (en) * | 2013-11-25 | 2015-05-28 | Takao Utsumi | Low energy electron beam lithography |
| JP6027150B2 (ja) | 2014-06-24 | 2016-11-16 | 内海 孝雄 | 低エネルギー電子ビームリソグラフィ |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5797941U (ja) * | 1980-12-05 | 1982-06-16 | ||
| JPS5797941A (en) | 1980-12-11 | 1982-06-17 | Sony Corp | Rotary output generator |
| JPH0732111B2 (ja) | 1985-06-10 | 1995-04-10 | 日本電信電話株式会社 | 荷電ビ−ム投影露光装置 |
| US6180289B1 (en) * | 1997-07-23 | 2001-01-30 | Nikon Corporation | Projection-microlithography mask with separate mask substrates |
-
2001
- 2001-06-05 JP JP2001169420A patent/JP2002367885A/ja not_active Abandoned
-
2002
- 2002-05-30 US US10/343,228 patent/US6972165B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2002-05-30 WO PCT/JP2002/005269 patent/WO2002099856A1/ja active Application Filing
- 2002-05-30 KR KR10-2003-7001524A patent/KR20030018066A/ko not_active Application Discontinuation
- 2002-06-04 TW TW091111965A patent/TW542944B/zh not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100475031B1 (ko) * | 1998-03-12 | 2005-05-27 | 삼성전자주식회사 | 수명 연장이 가능한 전자선 직접 묘화 장비의 블록 마스크 및그 제조방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2002099856A1 (en) | 2002-12-12 |
| US20040013949A1 (en) | 2004-01-22 |
| KR20030018066A (ko) | 2003-03-04 |
| TW542944B (en) | 2003-07-21 |
| US6972165B2 (en) | 2005-12-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8202681B2 (en) | Hybrid multi-layer mask | |
| JPH06118621A (ja) | 欠陥のないプリントレチクルおよびその製造方法 | |
| CN110716386B (zh) | 一种光学临近效应的修正方法、修正装置及掩模 | |
| US9513552B2 (en) | Multiple-patterning photolithographic mask and method | |
| US5948572A (en) | Mixed mode photomask for nikon stepper | |
| US8361335B2 (en) | Methods for fabricating semiconductor devices | |
| US6656646B2 (en) | Fabrication method of semiconductor integrated circuit device | |
| JP2002367885A (ja) | 電子線露光用マスクおよびそれを用いた電子線露光方法 | |
| JP2000221662A (ja) | パターン形成方法 | |
| US20070178410A1 (en) | Method of forming three-dimensional lithographic pattern | |
| US20070015088A1 (en) | Method for lithographically printing tightly nested and isolated hole features using double exposure | |
| JP2002373845A (ja) | 電子線露光方法及び電子線露光装置 | |
| JPH0448715A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| CN113504710B (zh) | 光刻工艺中的多次曝光的方法 | |
| CN110647006A (zh) | 掩模制造方法 | |
| US6910203B2 (en) | Photomask and method for qualifying the same with a prototype specification | |
| US8383324B2 (en) | Mask registration correction | |
| CN111435218B (zh) | 光刻掩膜版缺陷的修复方法及光刻掩膜版 | |
| US6607674B2 (en) | Method of repairing a phase shifting mask | |
| JP2005217047A (ja) | マスク、露光方法および半導体装置の製造方法 | |
| US7078133B2 (en) | Photolithographic mask | |
| KR100442572B1 (ko) | 반도체 레티클의 제조 방법 | |
| KR100855864B1 (ko) | 반도체소자의 마스크 제조방법 | |
| KR20110077956A (ko) | 패턴의 임계치수 불균일을 개선한 포토마스크 | |
| JP2008147546A (ja) | ステンシルマスク |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050412 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050610 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060516 |
|
| A762 | Written abandonment of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A762 Effective date: 20060619 |