JPS6148928A - ハイブリッド集積回路 - Google Patents
ハイブリッド集積回路Info
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- JPS6148928A JPS6148928A JP59170838A JP17083884A JPS6148928A JP S6148928 A JPS6148928 A JP S6148928A JP 59170838 A JP59170838 A JP 59170838A JP 17083884 A JP17083884 A JP 17083884A JP S6148928 A JPS6148928 A JP S6148928A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明はハイブリッド集積回路に係り、特に軽量、薄形
化を図ったハイブリッド集積回路に関する〔発明の背景
〕 従来のハイブリッド集積回路として、例えば、第1図に
示すものがあり、所定の大きさのセラミック基板10上
に回路図に従って、その接続線に該当するパターン(金
属箔)を配設し、各パターン間にモノリシックIC12
、コンデンサ14及び印刷抵抗16等をボンディングに
よって接続した構成となっている。外部回路との接続は
図示せぬビンによってなされ、セラミック基板10の側
部に突出して設けられる。各素子を固定して振動を防止
し且つ絶縁を維持するために、第2図に示すように素子
装着面にエポキシ樹脂18等で被覆される。更に、必要
に応じてパッケージが被着される。
化を図ったハイブリッド集積回路に関する〔発明の背景
〕 従来のハイブリッド集積回路として、例えば、第1図に
示すものがあり、所定の大きさのセラミック基板10上
に回路図に従って、その接続線に該当するパターン(金
属箔)を配設し、各パターン間にモノリシックIC12
、コンデンサ14及び印刷抵抗16等をボンディングに
よって接続した構成となっている。外部回路との接続は
図示せぬビンによってなされ、セラミック基板10の側
部に突出して設けられる。各素子を固定して振動を防止
し且つ絶縁を維持するために、第2図に示すように素子
装着面にエポキシ樹脂18等で被覆される。更に、必要
に応じてパッケージが被着される。
しかし、従来のハイブリッド集積回路によれば、厚みを
有する基板上に素子を載置し、ワイヤ17をボンディン
グ後更にその上方から樹脂18によって固定する構造が
とられているため、全体の厚みが大きくなり、狭いスペ
ース例えば内視鏡挿入部内に組込むことができない不都
合がある。
有する基板上に素子を載置し、ワイヤ17をボンディン
グ後更にその上方から樹脂18によって固定する構造が
とられているため、全体の厚みが大きくなり、狭いスペ
ース例えば内視鏡挿入部内に組込むことができない不都
合がある。
本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、全
体の厚みを薄くできるようにしたハイブリッド集積回路
を提案することを目的としている〔発明の概要〕 本発明は、前記目的を達成するために、表面に結線用の
パターンが設けられた素子を、所定のプリントパターン
が施されたサブストレートに設置し、装着した素子の厚
み相当の厚みを有すると共に各素子の上面が露出可能な
開口を有すると共にスルーホールが所定位置に設けられ
たセラミック等の絶縁材を介挿して、該絶縁材及び各素
子の上面にプリントパターンが下面に配設されると共に
該パターンに接続されたスルーホールを存するフィルム
を設置し、スルーホール内にハンダ又はコンダクティブ
エポキシ樹脂を流し込むようにしたものである。
体の厚みを薄くできるようにしたハイブリッド集積回路
を提案することを目的としている〔発明の概要〕 本発明は、前記目的を達成するために、表面に結線用の
パターンが設けられた素子を、所定のプリントパターン
が施されたサブストレートに設置し、装着した素子の厚
み相当の厚みを有すると共に各素子の上面が露出可能な
開口を有すると共にスルーホールが所定位置に設けられ
たセラミック等の絶縁材を介挿して、該絶縁材及び各素
子の上面にプリントパターンが下面に配設されると共に
該パターンに接続されたスルーホールを存するフィルム
を設置し、スルーホール内にハンダ又はコンダクティブ
エポキシ樹脂を流し込むようにしたものである。
以下、添付図面に従って本発明に係るハイブリッド集積
回路の好ましい実施例を詳説する。
回路の好ましい実施例を詳説する。
第3図は本発明の一実施例を示す組立斜視図である。
素子20の各々は、その種類を問わず同一高さに設定し
、各々の表面には結線用のプリントパターン22が設け
られる。これら素子20の底面を接着剤等によって所定
位置に固定設置するセラミック等の材料を用いたサブス
トレート24の表面には、素子20を含んで所望の回路
を構成するためのプリントパターン26が予め設けられ
ている。このサブストレート24のプリント面には、素
子20の高さと同一の厚みを有し、サブストレート24
に装着した素子20の表面を露出させる開口28及びプ
リントパターン26と素子20のプリントパターン26
を電気的に接続する為のスルーホール32の設けられた
セラミック等による介挿板30が、接着剤等を用いて被
着される。更に、介挿板30及び素子20のプリントパ
ターン22の上面には、スルーホール32に対応するス
ルーホール34、及び該スルーホール34を囲み、素子
20のプリントパターン22に接触して電気的に接続さ
れ翼プリントパターン36が下面に形成されたフィルム
40が接着剤等を用いて貼り合わせられる。
、各々の表面には結線用のプリントパターン22が設け
られる。これら素子20の底面を接着剤等によって所定
位置に固定設置するセラミック等の材料を用いたサブス
トレート24の表面には、素子20を含んで所望の回路
を構成するためのプリントパターン26が予め設けられ
ている。このサブストレート24のプリント面には、素
子20の高さと同一の厚みを有し、サブストレート24
に装着した素子20の表面を露出させる開口28及びプ
リントパターン26と素子20のプリントパターン26
を電気的に接続する為のスルーホール32の設けられた
セラミック等による介挿板30が、接着剤等を用いて被
着される。更に、介挿板30及び素子20のプリントパ
ターン22の上面には、スルーホール32に対応するス
ルーホール34、及び該スルーホール34を囲み、素子
20のプリントパターン22に接触して電気的に接続さ
れ翼プリントパターン36が下面に形成されたフィルム
40が接着剤等を用いて貼り合わせられる。
以上の構成において、その組立方法を説明すると、先ず
、所望の回路構成に従って表面にプリントパターン26
が形成されたサブストレート24のパターン面の所定の
位置に所定の素子20を接着剤等を用いて固定する。つ
いで方向を合わせて、素子20の表面のプリントパター
ン22が開口28より露出するように介挿板30を、サ
ブストレート24のプリント面に重ね合せる。この重ね
合せ面に予め接着剤が塗付されているため、両者は固着
される。更に、内面に接着剤のめ付されたスルーホール
34をスルーホール32に位置合せをして介挿板30の
表面にフィルム40を接着し、一体化されたハイブリッ
ド回路の厚み方向の両側から所定の圧力を加えて、各部
材を密着させる。こののち第4図に示すようにスルーホ
ール34からハンダ50(或いはコンダクティブエポキ
シ樹脂)を流し込んで、プリントパターン26と36を
電気的に接続する。このスルーホール34及び32への
ハンダ流し込みによって、従来のワイヤボンディングに
相当する作業を行なったことになる。以上の処理により
完成したハイブリッド回路は第4図の如くとなり、厚み
を薄くできるばかりか、樹脂による盛り付けが不要にな
る。特に、本発明は装置や機器と一体的に組込まれるカ
スタムICに適している。
、所望の回路構成に従って表面にプリントパターン26
が形成されたサブストレート24のパターン面の所定の
位置に所定の素子20を接着剤等を用いて固定する。つ
いで方向を合わせて、素子20の表面のプリントパター
ン22が開口28より露出するように介挿板30を、サ
ブストレート24のプリント面に重ね合せる。この重ね
合せ面に予め接着剤が塗付されているため、両者は固着
される。更に、内面に接着剤のめ付されたスルーホール
34をスルーホール32に位置合せをして介挿板30の
表面にフィルム40を接着し、一体化されたハイブリッ
ド回路の厚み方向の両側から所定の圧力を加えて、各部
材を密着させる。こののち第4図に示すようにスルーホ
ール34からハンダ50(或いはコンダクティブエポキ
シ樹脂)を流し込んで、プリントパターン26と36を
電気的に接続する。このスルーホール34及び32への
ハンダ流し込みによって、従来のワイヤボンディングに
相当する作業を行なったことになる。以上の処理により
完成したハイブリッド回路は第4図の如くとなり、厚み
を薄くできるばかりか、樹脂による盛り付けが不要にな
る。特に、本発明は装置や機器と一体的に組込まれるカ
スタムICに適している。
以上説明したように本発明に係るハイブリッド集積回路
によれば、表面にプリントパターンが形成された素子の
両側にプリントパターン面を配設し、両パターン面間に
配設したスルーホールによって回路を構成するようにし
たため、全体の厚みを小さくし、小型化を図ることがで
きる。
によれば、表面にプリントパターンが形成された素子の
両側にプリントパターン面を配設し、両パターン面間に
配設したスルーホールによって回路を構成するようにし
たため、全体の厚みを小さくし、小型化を図ることがで
きる。
第1図は従来のハイブリッド集積回路を示す斜視図、第
2図は該回路の断面図、第3図は本発明の一実施例を示
す組立斜視図、第4図は第3図の実施例の断面図である
。 20・・・素子、 22.26.36・・・プリントパ
ターン、 24・・・サブストレート、 28・・
・開口、 30・・・介’tr+Fi、32.34・・
・スルーホール、 40・・・フィルム、 50・・
・ハンダ。
2図は該回路の断面図、第3図は本発明の一実施例を示
す組立斜視図、第4図は第3図の実施例の断面図である
。 20・・・素子、 22.26.36・・・プリントパ
ターン、 24・・・サブストレート、 28・・
・開口、 30・・・介’tr+Fi、32.34・・
・スルーホール、 40・・・フィルム、 50・・
・ハンダ。
Claims (1)
- (1)所望の回路に応じたプリントパターンが片面に形
成された基材と、統一された高さを有し前記基材のプリ
ント面の所定位置に固定設置されると共に表面にプリン
トパターンが設けられた素子と、該素子の高さと同一の
厚み及び前記素子のプリントパターン面が露出する開口
を有すると共に該プリントパターンに接続される第1の
スルーホールが設けられて前記基材に被着される介挿板
と、前記素子のプリントパターンに接触するプリントパ
ターン及び前記第1のスルーホールに対応する第2のス
ルーホールが設けられて前記素子の表面及び前記介挿板
の表面に設置されるフィルムと、前記第1のスルーホー
ルと前記第2のスルーホール内に流入されて各パターン
を電気的に接続する接続部材とを設けたことを特徴とす
るハイブリッド集積回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59170838A JPS6148928A (ja) | 1984-08-16 | 1984-08-16 | ハイブリッド集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59170838A JPS6148928A (ja) | 1984-08-16 | 1984-08-16 | ハイブリッド集積回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6148928A true JPS6148928A (ja) | 1986-03-10 |
JPH0451064B2 JPH0451064B2 (ja) | 1992-08-18 |
Family
ID=15912264
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59170838A Granted JPS6148928A (ja) | 1984-08-16 | 1984-08-16 | ハイブリッド集積回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6148928A (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01156582U (ja) * | 1988-04-20 | 1989-10-27 | ||
US5552326A (en) * | 1995-03-01 | 1996-09-03 | Texas Instruments Incorporated | Method for forming electrical contact to the optical coating of an infrared detector using conductive epoxy |
US5557149A (en) * | 1994-05-11 | 1996-09-17 | Chipscale, Inc. | Semiconductor fabrication with contact processing for wrap-around flange interface |
JP2009197815A (ja) * | 2009-06-11 | 2009-09-03 | Yamaha Motor Co Ltd | エンジン |
JP2009197811A (ja) * | 2009-06-11 | 2009-09-03 | Yamaha Motor Co Ltd | エンジン |
JP2009197813A (ja) * | 2009-06-11 | 2009-09-03 | Yamaha Motor Co Ltd | エンジン |
JP2009197810A (ja) * | 2009-06-11 | 2009-09-03 | Yamaha Motor Co Ltd | エンジン |
JP2009197812A (ja) * | 2009-06-11 | 2009-09-03 | Yamaha Motor Co Ltd | エンジン |
-
1984
- 1984-08-16 JP JP59170838A patent/JPS6148928A/ja active Granted
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01156582U (ja) * | 1988-04-20 | 1989-10-27 | ||
US5557149A (en) * | 1994-05-11 | 1996-09-17 | Chipscale, Inc. | Semiconductor fabrication with contact processing for wrap-around flange interface |
US5656547A (en) * | 1994-05-11 | 1997-08-12 | Chipscale, Inc. | Method for making a leadless surface mounted device with wrap-around flange interface contacts |
US5552326A (en) * | 1995-03-01 | 1996-09-03 | Texas Instruments Incorporated | Method for forming electrical contact to the optical coating of an infrared detector using conductive epoxy |
JP2009197815A (ja) * | 2009-06-11 | 2009-09-03 | Yamaha Motor Co Ltd | エンジン |
JP2009197811A (ja) * | 2009-06-11 | 2009-09-03 | Yamaha Motor Co Ltd | エンジン |
JP2009197813A (ja) * | 2009-06-11 | 2009-09-03 | Yamaha Motor Co Ltd | エンジン |
JP2009197810A (ja) * | 2009-06-11 | 2009-09-03 | Yamaha Motor Co Ltd | エンジン |
JP2009197812A (ja) * | 2009-06-11 | 2009-09-03 | Yamaha Motor Co Ltd | エンジン |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0451064B2 (ja) | 1992-08-18 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |