JPS6144435Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6144435Y2 JPS6144435Y2 JP1716181U JP1716181U JPS6144435Y2 JP S6144435 Y2 JPS6144435 Y2 JP S6144435Y2 JP 1716181 U JP1716181 U JP 1716181U JP 1716181 U JP1716181 U JP 1716181U JP S6144435 Y2 JPS6144435 Y2 JP S6144435Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- lead frame
- sealed
- semiconductor device
- lead
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 21
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 21
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 17
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 5
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 4
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は樹脂封止型半導体装置に関する。リー
ドフレームを有する半導体装置の製造工程の一つ
に、リードフレームの素子配設部および内部リー
ド部を樹脂にて封止する樹脂モールド工程があ
る。
ドフレームを有する半導体装置の製造工程の一つ
に、リードフレームの素子配設部および内部リー
ド部を樹脂にて封止する樹脂モールド工程があ
る。
この工程は、第１図で示すように、素子配設部
１、内部リード部２および外部リード部３を等厚
に形成たリードフレーム４に半導体ペレツト５を
接合（マウント）し、該半導体ペレツト５の電極
（図示せず）と内部リード２ａ（第２図）とをワ
イヤ６を用いて結線した後、該リードフレーム４
を金型（図示せず）に移送し、そこで熱硬化性等
の樹脂を用いて上記素子配設部１および内部リー
ド部２を樹脂７にてモールドすることによつてな
されている。
１、内部リード部２および外部リード部３を等厚
に形成たリードフレーム４に半導体ペレツト５を
接合（マウント）し、該半導体ペレツト５の電極
（図示せず）と内部リード２ａ（第２図）とをワ
イヤ６を用いて結線した後、該リードフレーム４
を金型（図示せず）に移送し、そこで熱硬化性等
の樹脂を用いて上記素子配設部１および内部リー
ド部２を樹脂７にてモールドすることによつてな
されている。
しかしながら、かかる樹脂封止型半導体装置に
おいては、上述の如く等厚のリードフレームが使
用されていることから次のような難点がある。
おいては、上述の如く等厚のリードフレームが使
用されていることから次のような難点がある。
即ち、樹脂モールド時に、内部リード部から外
部リード部に向つて流れやすく、これが樹脂モー
ルド後バリとなり、その後の工程において必要と
される半田付性を損なつたり、また電気的接触を
著しく低下させる。
部リード部に向つて流れやすく、これが樹脂モー
ルド後バリとなり、その後の工程において必要と
される半田付性を損なつたり、また電気的接触を
著しく低下させる。
更に、リードフレームの上部および下部にモー
ルドされる樹脂の体積が違うため、この影響から
樹脂硬化後に樹脂封止部内部に変形を生じ半導体
装置の特性劣化を招く。
ルドされる樹脂の体積が違うため、この影響から
樹脂硬化後に樹脂封止部内部に変形を生じ半導体
装置の特性劣化を招く。
また、樹脂封止後に、リードフレームと樹脂と
のパーテイングライン（境界）に隙間が生じた場
合に、水分等が容易に浸入し、半導体装置の特性
劣化を招く。
のパーテイングライン（境界）に隙間が生じた場
合に、水分等が容易に浸入し、半導体装置の特性
劣化を招く。
本考案はかかる難点を解消するためになされた
もので、リードフレームの素子配設部および内部
リード部を樹脂にて封止してなる樹脂封止型半導
体装置において、前記リードフレームは、樹脂封
止部の外側に囲繞壁を有することを特徴とする樹
脂封止型半導体装置を提供するものである。
もので、リードフレームの素子配設部および内部
リード部を樹脂にて封止してなる樹脂封止型半導
体装置において、前記リードフレームは、樹脂封
止部の外側に囲繞壁を有することを特徴とする樹
脂封止型半導体装置を提供するものである。
以下図面に基づいて本考案の一実施例を詳細に
説明する。
説明する。
本考案に係る樹脂封止型半導体装置は、第３図
に示すように、囲繞壁８ａ，８ｂを有するリード
フレーム８の素子配設部９に半導体ペレツト１０
を接合し、該半導体ペレツト１０の電極（図示せ
ず）と内部リード１１ａ（第４図）とをワイヤ１
２等で結線し、該リードフレーム８の素子配設部
９および内部リード部１１を熱硬化性等の樹脂１
３を用いてモールドしたものである。
に示すように、囲繞壁８ａ，８ｂを有するリード
フレーム８の素子配設部９に半導体ペレツト１０
を接合し、該半導体ペレツト１０の電極（図示せ
ず）と内部リード１１ａ（第４図）とをワイヤ１
２等で結線し、該リードフレーム８の素子配設部
９および内部リード部１１を熱硬化性等の樹脂１
３を用いてモールドしたものである。
ここで、樹脂封止型半導体装置として囲繞壁８
ａ，８ｂを有するリードフレーム８を用いた理由
は次の通りである。
ａ，８ｂを有するリードフレーム８を用いた理由
は次の通りである。
即ち、樹脂モールド時に、内部リード部１１か
ら外部リード部１４に向つて樹脂が流れるのを囲
繞壁８ａ，８ｂにて食い止めることができる。
ら外部リード部１４に向つて樹脂が流れるのを囲
繞壁８ａ，８ｂにて食い止めることができる。
更に、囲繞壁８ａ，８ｂの高さを変えることに
より、リードフレーム８の上部および下部にモー
ルドされる樹脂の体積の相違から生じる樹脂封止
部内部の変形を緩和できる。
より、リードフレーム８の上部および下部にモー
ルドされる樹脂の体積の相違から生じる樹脂封止
部内部の変形を緩和できる。
また、囲繞壁８ａ，８ｂにより、リードフレー
ム８と樹脂のパーテイングラインから浸入する水
分等の素子配設部９への到達経路を長くすること
ができる。
ム８と樹脂のパーテイングラインから浸入する水
分等の素子配設部９への到達経路を長くすること
ができる。
以上のように本考案は、リードフレームに囲繞
壁を有するので、バリの発生、樹脂封止部内部の
変形および水分等の素子配設部への到達を緩和す
ることができ、したがつて半導体装置の信頼性お
よび歩留の向上を図ることができその実用的価値
は頗る甚大である。
壁を有するので、バリの発生、樹脂封止部内部の
変形および水分等の素子配設部への到達を緩和す
ることができ、したがつて半導体装置の信頼性お
よび歩留の向上を図ることができその実用的価値
は頗る甚大である。
第１図、第２図は従来の樹脂封止型半導体装置
の説明図、第３図、第４図は本考案に係る樹脂封
止型半導体装置の説明図である。 １，９……素子配設部、２，１１……内部リー
ド部、４，８……リードフレーム、８ａ，８ｂ…
…囲繞壁、７，１３……樹脂。
の説明図、第３図、第４図は本考案に係る樹脂封
止型半導体装置の説明図である。 １，９……素子配設部、２，１１……内部リー
ド部、４，８……リードフレーム、８ａ，８ｂ…
…囲繞壁、７，１３……樹脂。
Claims (1)
- リードフレームの素子配設部および内部リード
部を樹脂にて封止してなる樹脂封止型半導体装置
において、前記リードフレームは、樹脂封止部の
外側にこの樹脂封止部を囲むよう、前記内部リー
ド部より厚く形成された囲繞壁を有することを特
徴とする樹脂封止型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1716181U JPS6144435Y2 (ja) | 1981-02-12 | 1981-02-12 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1716181U JPS6144435Y2 (ja) | 1981-02-12 | 1981-02-12 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57132461U JPS57132461U (ja) | 1982-08-18 |
| JPS6144435Y2 true JPS6144435Y2 (ja) | 1986-12-15 |
Family
ID=29815134
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1716181U Expired JPS6144435Y2 (ja) | 1981-02-12 | 1981-02-12 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6144435Y2 (ja) |
-
1981
- 1981-02-12 JP JP1716181U patent/JPS6144435Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57132461U (ja) | 1982-08-18 |
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