JPS6223094Y2 - - Google Patents

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JPS6223094Y2
JPS6223094Y2 JP16963380U JP16963380U JPS6223094Y2 JP S6223094 Y2 JPS6223094 Y2 JP S6223094Y2 JP 16963380 U JP16963380 U JP 16963380U JP 16963380 U JP16963380 U JP 16963380U JP S6223094 Y2 JPS6223094 Y2 JP S6223094Y2
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tab lead
lead
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Description

【考案の詳細な説明】 この考案は、樹脂封止の半導体装置に関するも
のである。
第1図は、従来の半導体装置について示したも
のである。第1図aは従来の半導体装置の完成後
の外観形状を示したもので、完成前はタブリード
2は突出している。第1図bは、従来の半導体装
置の製造時の1工程であるタブリードの切断工程
について説明したもので、第1図aのΑΑ矢視断
面方向から見た図である。第1図cは、タブリー
ド切断後の断面図を示す。
従来の半導体装置は、タブリード2にチツプ4
を塔載し、リード3にボンデイングワイヤを接続
した後、樹脂1で封止し、第1図bに示す如く、
金型6の上に置き、金型5を矢印()の方向に
移動させてタブリード2を切断する。
ところで、第1図bぬ示す金型5,6でタブリ
ード2を切断する方法では、タブリード2と金型
6が直接接触せず、樹脂1を介して接触するの
で、切断時樹脂1が金型6の方に圧縮される。こ
の為、従来の半導体装置の断面は第1図cの如く
なり、樹脂1とタブリード2の間に、間隙8を生
じる。特に封止1の硬度が軟かい場合は、間隙8
も大きくなる。
間隙8が生じている場合、半導体装置を長時間
使用している間に、空気中の水分が間隙8を通つ
てチツプ4に到達し、チツプ4上のボンデイング
パツドを腐食させ、断線事故を発生させる問題が
ある。
そこで、この考案の目的とするところは、上記
の如き従来の問題点を除去するもので、間隙8を
生じさせることなくタブリード2を切断すること
ができるようにした半導体装置を提供することに
ある。
この考案の特徴とするところは、半導体装置の
端部のタブリードの一部周辺を樹脂でモールドせ
ず、一部に切込みを設けておき、この切込みを利
用して金型とタブリードを密着させ、タブリード
を切断するものである。
次にこの考案の実施例について図面を用いて詳
細に説明する。第2図は、本考案の一実施例であ
る半導体装置について示すもので、a,d,eは
完成後の外観形状図を示し、bはタブリードの切
断工程図を、cはタブリード切断後の半導体装置
の断面図を示したものである。
第2図aに示す如く、半導体装置のタブリード
2の下側に切込み7を設けて樹脂1をモールドさ
せる。また、第2図bに示す如く、金型9を切込
み7の部分迄入る形状にして、タブリード2に密
着させる様に作つておく。このようにしておく
と、金型5を矢印()の方向に移動させて、タ
ブリード2を切断する場合、タブリード2は直接
金型9で支持されているので、切断後も、第2図
cに示す如く、タブリード2と樹脂1間には間隙
を生じない。
なお、第2図では、切込み7をタブリード2の
下面に設けたが、これを切断方向に応じて側面、
上面に設けても良い。
切込み7の寸法としては、切断するタブリード
の幅(0.5〜1mm)をわずかに超える幅で、奥行
寸法としてはプレス型の強度を満足する程度(約
2mm)のプレス型が入る寸法を満足すれば良い。
このようにして切断すれば切断したタブリード
7の切断ダレはタブリード7の板厚(約0.2〜0.4
mm)の約20%で多くとも0.1mmを超えることな
く、タブリード2と樹脂1間に生ずる間隙も前記
寸法を超えることなく、従つて一般の樹脂封止半
導体装置でのタブリード切断端からチツプ4迄の
寸法(約5〜10mm)に比べ無視できる値となり水
分の侵入を阻止できる。
以上の如き本考案によれば、樹脂とタブリード
が密着しているので水分がチツプに侵入するのを
防止できる。また水分がチツプに侵入しないの
で、水分によるチツプのボンデイングパツドの腐
食、断線を防止できる効果を持つ。
【図面の簡単な説明】
第1図a〜cは従来の半導体装置の外観形状及
びタブリードの切断工程を示す図、第2図a〜e
は本考案による半導体装置の外観形状及びタブリ
ードの切断工程を示す図である。 第2図a〜eにおいて、1…樹脂、2…タブリ
ード、3…リード、4…チツプ、5,9…金型、
7…切込み。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. タブリード及びリードが樹脂封止され、該リー
    ドの折曲げ及び該タブリードの不用部分の切断除
    去がなされた半導体装置において、切断された全
    てのタブリード片の少なくともタブリードの切断
    方向と反対面側でかつタブリードの両端に前記タ
    ブリードを切断するためのプレス型を直接タブリ
    ードにあてうる切込みを設けたことを特徴とする
    半導体装置。
JP16963380U 1980-11-28 1980-11-28 Expired JPS6223094Y2 (ja)

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JPS5793156U JPS5793156U (ja) 1982-06-08
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JPS60258940A (ja) * 1984-06-05 1985-12-20 Toshiba Corp 樹脂封止型半導体装置

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JPS5793156U (ja) 1982-06-08

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