JPS62108562A - 半導体装置用リ−ドフレ−ム - Google Patents

半導体装置用リ−ドフレ−ム

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Publication number
JPS62108562A
JPS62108562A JP24709385A JP24709385A JPS62108562A JP S62108562 A JPS62108562 A JP S62108562A JP 24709385 A JP24709385 A JP 24709385A JP 24709385 A JP24709385 A JP 24709385A JP S62108562 A JPS62108562 A JP S62108562A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resin
lead frame
semiconductor device
outer frame
voids
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP24709385A
Other languages
English (en)
Inventor
Sakae Ogiwara
荻原　栄
Junichi Saeki
準一 佐伯
Aizo Kaneda
金田　愛三
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Renesas Eastern Japan Semiconductor Inc
Original Assignee
Hitachi Tokyo Electronics Co Ltd
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Tokyo Electronics Co Ltd, Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Tokyo Electronics Co Ltd
Priority to JP24709385A priority Critical patent/JPS62108562A/ja
Publication of JPS62108562A publication Critical patent/JPS62108562A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は半導体装置用リードフレームにかかわり、特に
、樹脂封止によっ℃半導体装置の耐湿性を向上させるの
に適したリードフレームに関するものである。
〔発明の背景〕
半導体装置を防湿のため樹脂封止することは広く知られ
ているが、その際内部ボイドが発生すると防湿性を損な
うので、これを防止する必要がある。従来の内部ボイド
発生防止は、例えば特開昭５８−１６１５３０号公報番
（記載のように、金型構造での対策であった。しかし、
この対策では、完全に内部ボイドの発生を防止すること
は難しいとされていた。
〔発明の目的〕
本発明の目的は、半導体装置を樹脂封止する際に発生す
る内部ボイドを防止して、半導体装置の耐湿性を向上さ
せ得る半導体装置用リードフレームを提供することにあ
る。
〔発明の概要〕
本発明は、上記目的を達成するために、リードフレーム
内に、少な（とも１箇所のレジン流出部を設けるこ、と
を特徴とするもので、例えばリードフレームの外枠部、
内側に切欠きを設けることにより、半導体装置の樹脂封
止時に、キャビティ端に次工程での除去が可能なパリを
出すことによりて、金型、キャビティ部のエアーベント
効果を向上させ、キャビティ内残留エアーをキャピテイ
外部に抜（ようにしたものである。
〔発明の実施例〕
以下、本発明の一実施例を第１図により説明する。図に
おいて、コネクタワイヤ７により、リードフレーム１の
外部引出しリード３に半導体素子６が′ＭＩｃ続されて
いる。また、タブ４を保持するタブリード５が外枠２に
連結されている。
さらに、この連結箇所を避けて、外枠２にレジン流出部
８が設けられている。
上記構成の半導体装置用リードフレームを用いて、半導
体装置を熱硬化性樹脂により封止するが、このように樹
脂封止したものを第２図に示す。熱硬化性樹脂により封
止すると、封止されたキャビティ９の下流側内部１０に
ボイドが残りやすいが、本実施例の場合は、外枠２のレ
ジン流出部８にバリ１１を出すことＫよって、ボイドな
キャビティ９の外部に抜（ことができる。
〔発明の効果〕
本発明によれば、リードフレーム内にレジン流出部を設
けることにより、半導体装置を樹脂封止する際、熱硬化
性樹脂の注入時に発生する内部ボイドは、リードフレー
ム内に微少量の樹脂をバリとして流出させることによっ
てキャビテイ外部に抜（ことができるので、内部ボイド
な防止できる。従って、樹脂封止後の半導体装置の耐湿
性を向上させる効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例のリードフレームの平面図、
第２図は該リードフレームを使用し半導体装置の樹脂封
止後の状況を示す平面図である。 符号の説明 １・・・リードフレーム　６・・・半導体装置８・・・
レジン流出ｇ４　　９・・・キャビティ１１・・・バリ ー　°、

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 半導体素子を搭載し、コネクタワイヤによって外部引出
    しリードと接続された半導体装置用リードフレームにお
    いて、リードフレーム内に、少なくとも１箇所のレジン
    流出部を設けたことを特徴とする半導体装置用リードフ
    レーム。
JP24709385A 1985-11-06 1985-11-06 半導体装置用リ−ドフレ−ム Pending JPS62108562A (ja)

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JP24709385A JPS62108562A (ja) 1985-11-06 1985-11-06 半導体装置用リ−ドフレ−ム

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JPS62108562A true JPS62108562A (ja) 1987-05-19

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JP24709385A Pending JPS62108562A (ja) 1985-11-06 1985-11-06 半導体装置用リ−ドフレ−ム

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01276657A (ja) * 1988-04-27 1989-11-07 Matsushita Electron Corp リードフレーム
JPH0536847U (ja) * 1991-10-16 1993-05-18 株式会社三井ハイテツク リードフレーム

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS576252B2 (ja) * 1975-06-24 1982-02-04

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