JPS61269342A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
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- JPS61269342A JPS61269342A JP11041085A JP11041085A JPS61269342A JP S61269342 A JPS61269342 A JP S61269342A JP 11041085 A JP11041085 A JP 11041085A JP 11041085 A JP11041085 A JP 11041085A JP S61269342 A JPS61269342 A JP S61269342A
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- resin
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
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-
- H—ELECTRICITY
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- Epoxy Resins (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、高温高湿状態の元で長時間放置しても信頼性
の高い機能を保持可能な樹脂封止型半導体装置に関する
。
の高い機能を保持可能な樹脂封止型半導体装置に関する
。
樹脂封止型半導体装置は、半導体素子の高密度化に伴な
い、その封止用樹脂には、益々高信頼性の付与が求めら
れている。特に、高湿状態(例え−ば1.85C,85
1%相対湿度中+バイアス印加試験、121C,2気圧
過飽和水蒸気中放置など)の元でのAt配線の腐食防止
にすぐれた封止用樹脂の開発が長い間の課題となってき
た。
い、その封止用樹脂には、益々高信頼性の付与が求めら
れている。特に、高湿状態(例え−ば1.85C,85
1%相対湿度中+バイアス印加試験、121C,2気圧
過飽和水蒸気中放置など)の元でのAt配線の腐食防止
にすぐれた封止用樹脂の開発が長い間の課題となってき
た。
これまでは、この封止用樹脂としては、金属との接着性
にすぐれ、電気絶縁性にすぐれたエポキシ系(ノボラッ
ク型フェノール樹脂硬化剤)材料が使用されてきた。し
かし、封止材料の素材であるエポキシレジン中に含まれ
ているイオン性不純物や、そのモールド品の熱応力が素
子表面の無機物と大きな差があるために、水分がパッケ
ージ内に浸入することに対する、効果的な対応がなされ
ずに今日に至っている。
にすぐれ、電気絶縁性にすぐれたエポキシ系(ノボラッ
ク型フェノール樹脂硬化剤)材料が使用されてきた。し
かし、封止材料の素材であるエポキシレジン中に含まれ
ているイオン性不純物や、そのモールド品の熱応力が素
子表面の無機物と大きな差があるために、水分がパッケ
ージ内に浸入することに対する、効果的な対応がなされ
ずに今日に至っている。
反応により得られる。
本発明において、多官能エポキシ化合物としては、例え
ばビスフェノールAのジグリシジルエーテ/I/、ブタ
ジエンジエポキサイド、3,4−エポキシシクロヘキシ
ルメチル−(3,4−エポキシ)シクロヘキサンカルボ
キシレート、ビニルシクロヘキサンジオキサイド、4,
4′−ジ(1,2−エポキシエチル)シフェニルエーテ
)L/%4.4’−(1,2−エボキシェチルフビフェ
ニル、2゜2−ビス(3,4−エポキシシクロヘキシル
)プロパン、レゾルシンのグリシジルエーテル、フロロ
グルシンのジグリシジルエーテル、メチルフロログルシ
ンのジグリシジルエーテル、ビス−(2゜3/−エポキ
シシクロベンチル)エーテル、2−(3,4−エポキシ
)シクロヘキサン−5,5−スピロ(3,4−エポキシ
)−シクロヘキ?/−m−ジオキサン、ビス−3,4−
エポキシ−6−メチルシクロヘキシル)アジペート、N
、 N’ −m−フェニレンビス(4,5−エポキシ−
1,2−シクロヘキサン)ジカルボキシイミドなどの官
拒のエポキシ化合物、パラアミノフェノールのトリグリ
シジルエーテル、ポリアリルグリシジルエーテル、1,
3.5−トリ(1,2−エポキシエチル)ベンゼン、2
.2’、4,4’−テトラグリシドキシベンゾフェノン
、フェノールホルムルデヒドノボランクのポリグリシジ
ルエーテル、グリセリンのトリグリシジルエーテル、ト
リメチロールフロパンのトリグリシジルエーテルなど3
官拒以上のエポキシ化合物が用いられる。上記化合物は
、用途、目的に応じて1穐以上併用して使用することも
出来る。これらのエポキシ樹脂には硬化剤が併用される
。それらは、垣内弘著;エポキシ樹脂(昭和45年9月
発行)109〜149ページ、:[、ee、 Nevi
lle著;Epoxy Re5ins(ム(C()ra
w−H511J3ook Company Inc+N
ew ’fork 。
ばビスフェノールAのジグリシジルエーテ/I/、ブタ
ジエンジエポキサイド、3,4−エポキシシクロヘキシ
ルメチル−(3,4−エポキシ)シクロヘキサンカルボ
キシレート、ビニルシクロヘキサンジオキサイド、4,
4′−ジ(1,2−エポキシエチル)シフェニルエーテ
)L/%4.4’−(1,2−エボキシェチルフビフェ
ニル、2゜2−ビス(3,4−エポキシシクロヘキシル
)プロパン、レゾルシンのグリシジルエーテル、フロロ
グルシンのジグリシジルエーテル、メチルフロログルシ
ンのジグリシジルエーテル、ビス−(2゜3/−エポキ
シシクロベンチル)エーテル、2−(3,4−エポキシ
)シクロヘキサン−5,5−スピロ(3,4−エポキシ
)−シクロヘキ?/−m−ジオキサン、ビス−3,4−
エポキシ−6−メチルシクロヘキシル)アジペート、N
、 N’ −m−フェニレンビス(4,5−エポキシ−
1,2−シクロヘキサン)ジカルボキシイミドなどの官
拒のエポキシ化合物、パラアミノフェノールのトリグリ
シジルエーテル、ポリアリルグリシジルエーテル、1,
3.5−トリ(1,2−エポキシエチル)ベンゼン、2
.2’、4,4’−テトラグリシドキシベンゾフェノン
、フェノールホルムルデヒドノボランクのポリグリシジ
ルエーテル、グリセリンのトリグリシジルエーテル、ト
リメチロールフロパンのトリグリシジルエーテルなど3
官拒以上のエポキシ化合物が用いられる。上記化合物は
、用途、目的に応じて1穐以上併用して使用することも
出来る。これらのエポキシ樹脂には硬化剤が併用される
。それらは、垣内弘著;エポキシ樹脂(昭和45年9月
発行)109〜149ページ、:[、ee、 Nevi
lle著;Epoxy Re5ins(ム(C()ra
w−H511J3ook Company Inc+N
ew ’fork 。
1957年発行)63−141ページ、P、E。
13runis著; Epoxy Re5ins ’l
’echnology(工nterscience p
ublishers、 New York。
’echnology(工nterscience p
ublishers、 New York。
1968年発行)456〜111ページなどに記載の化
合物で、1、例えば脂肪族ポリアミン、芳香族ポリアミ
ン、第2および第3アミンを含むアミン類、カルボン酸
類、カルボン酸無水物類、脂肪族および芳香族ポリアミ
ドオリゴマーおよびポリマー類、三フッ化ホウ素−アミ
ニ/コンプレックス類。
合物で、1、例えば脂肪族ポリアミン、芳香族ポリアミ
ン、第2および第3アミンを含むアミン類、カルボン酸
類、カルボン酸無水物類、脂肪族および芳香族ポリアミ
ドオリゴマーおよびポリマー類、三フッ化ホウ素−アミ
ニ/コンプレックス類。
フェノール樹脂、メラミン樹脂、ウレア樹脂、ウレタン
嘴脂などの合成樹脂初期縮合物類、その他、ジシアンジ
アミド、カルボン酸ヒドラジド、ポリアミノマレイミド
類などがある。
嘴脂などの合成樹脂初期縮合物類、その他、ジシアンジ
アミド、カルボン酸ヒドラジド、ポリアミノマレイミド
類などがある。
上記硬化剤は、用途、目的に応じて1種以上使用するこ
とが出来る。
とが出来る。
特に、フェノールノボランク樹脂は、硬化樹脂の金属イ
ンサートに対する密着性、成形時の作業性などの点から
、上記半導体封止用材料の硬化剤成分として、好適であ
る。
ンサートに対する密着性、成形時の作業性などの点から
、上記半導体封止用材料の硬化剤成分として、好適であ
る。
該樹脂組成物には、エポキシ化合物とノボラック型フェ
ノール樹脂の硬化反応を促進する効果が知られている公
知の触媒を使用することが出来る。
ノール樹脂の硬化反応を促進する効果が知られている公
知の触媒を使用することが出来る。
かかる触媒としては、例えば、トリエタノールアミン、
テトラメチルブタンジアミン、テトラメチルペンタンジ
アミン、テトラメチルヘキサンジアミン、トリエチレン
ジアミン、ジメチルアニリンなどの三級アミン、ジメチ
ルアミノエタノール、ジメチルアミノペタノールなどの
オキシアルキルアミンやトリス(ジメチルアミノメチル
)フェノール、N−メチルモルホ+)7.N−エチルモ
ルホリンなどのアミン類がある。
テトラメチルブタンジアミン、テトラメチルペンタンジ
アミン、テトラメチルヘキサンジアミン、トリエチレン
ジアミン、ジメチルアニリンなどの三級アミン、ジメチ
ルアミノエタノール、ジメチルアミノペタノールなどの
オキシアルキルアミンやトリス(ジメチルアミノメチル
)フェノール、N−メチルモルホ+)7.N−エチルモ
ルホリンなどのアミン類がある。
マタ、セチルトリメチルアンモニウムブロマイド、セチ
ルトリメチルアンモニウムクロライド、ドデシルトリメ
チルアンモニウムアイオダイド。
ルトリメチルアンモニウムクロライド、ドデシルトリメ
チルアンモニウムアイオダイド。
トリメチルドデジルア/モニクムクロライド、ベンジル
ジメチルテトラデシルアンモニウムクロライド、ベンジ
ルメチルパルミチルアンモニウムクロライド、アリルド
デシルトリメチルアンモニウムブロマイド、ベンジルジ
メチルステアリルアンモニウムブロマイド、ステアリル
トリメチルアンモニウムクロライド、ベンジルジメチル
テトラデシルアンモニウムアセテートナトの第4級アン
モニウム塩がある。
ジメチルテトラデシルアンモニウムクロライド、ベンジ
ルメチルパルミチルアンモニウムクロライド、アリルド
デシルトリメチルアンモニウムブロマイド、ベンジルジ
メチルステアリルアンモニウムブロマイド、ステアリル
トリメチルアンモニウムクロライド、ベンジルジメチル
テトラデシルアンモニウムアセテートナトの第4級アン
モニウム塩がある。
また、2−エチルイミダゾール、2−ウ/デフルイミダ
ゾール、2−ヘプタデシルイミダゾール、2−メチノと
−4−エチルイミダゾール、1−ブチルイミダゾール、
1−プロピル−2−メチルイミダゾール、1−ベンジル
−2−メチルイミダゾール、1−シアンエチル−2−メ
チルイミダゾール、1−シアンエチル−2−ウンデフル
イミダゾール、1−シアンエチル−2−フェニルイミダ
ゾ−)L/、1−アジン−2−メチルイミダゾール、1
−アジン−2−ウンデシルイミダゾ−yなどのイミダゾ
ール類、トリフェニルホスフィンテトラフェニルボレー
ト、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレー
ト、トリエチルアミンテトラフェニルボレート、N−メ
チルモルホリンテトラフェニルボレート、2−エチル−
4−メチルイミダソールfト5フェニルボレート、2−
エチル−1,4−ジメチルイミダゾールテトラフェニル
ボレートなどのテトラフェニルボロン塩などがある。
ゾール、2−ヘプタデシルイミダゾール、2−メチノと
−4−エチルイミダゾール、1−ブチルイミダゾール、
1−プロピル−2−メチルイミダゾール、1−ベンジル
−2−メチルイミダゾール、1−シアンエチル−2−メ
チルイミダゾール、1−シアンエチル−2−ウンデフル
イミダゾール、1−シアンエチル−2−フェニルイミダ
ゾ−)L/、1−アジン−2−メチルイミダゾール、1
−アジン−2−ウンデシルイミダゾ−yなどのイミダゾ
ール類、トリフェニルホスフィンテトラフェニルボレー
ト、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレー
ト、トリエチルアミンテトラフェニルボレート、N−メ
チルモルホリンテトラフェニルボレート、2−エチル−
4−メチルイミダソールfト5フェニルボレート、2−
エチル−1,4−ジメチルイミダゾールテトラフェニル
ボレートなどのテトラフェニルボロン塩などがある。
本発明においては樹脂組成物に、目的と用途に応じて、
各種の無機物質や添加剤を配合して用いることが出来る
。それらの具体例ヲあげればジルコン、シリカ、溶融石
英ガラス、アルミナ、水酸化アルミニウム、ガラス、石
英ガラス、ケイ酸カルシウム、石コウ、炭酸カルシウム
、マグネサイト、クレー、カオリ/、//I/り、鉄粉
、銅粉、マイカ、アスベスト、炭化珪素、窒化ホウ素、
二硫化モリブデン、鉛化合物、鉛酸化物、亜鉛華、チタ
ン白、カーボンブランクなどの充填剤、あるいは、高級
脂肪酸、ワックス類などの離型剤、エポキシシラ/、ビ
ニルシラ/、アミノシラン、ボラン系化合物、アルコキ
シチタネート系化合物、ア/’ ミニラムキレート化合
物などのカンプリング剤などである。さらに、アンチモ
ン、燐化合物、臭素や塩素を含む公知の難燃化剤を用い
ることが出来る。
各種の無機物質や添加剤を配合して用いることが出来る
。それらの具体例ヲあげればジルコン、シリカ、溶融石
英ガラス、アルミナ、水酸化アルミニウム、ガラス、石
英ガラス、ケイ酸カルシウム、石コウ、炭酸カルシウム
、マグネサイト、クレー、カオリ/、//I/り、鉄粉
、銅粉、マイカ、アスベスト、炭化珪素、窒化ホウ素、
二硫化モリブデン、鉛化合物、鉛酸化物、亜鉛華、チタ
ン白、カーボンブランクなどの充填剤、あるいは、高級
脂肪酸、ワックス類などの離型剤、エポキシシラ/、ビ
ニルシラ/、アミノシラン、ボラン系化合物、アルコキ
シチタネート系化合物、ア/’ ミニラムキレート化合
物などのカンプリング剤などである。さらに、アンチモ
ン、燐化合物、臭素や塩素を含む公知の難燃化剤を用い
ることが出来る。
実施例1,2
エポキシ化合物として、0−クレゾールノボラック型エ
ポキシ樹脂EOCN−102(エポキシ当量;195日
本化薬社製)101ti部、ビスイミドアミン系化合物
として、 化合物A 重量部、化合
物B 重量部、の2種類を
、それぞれ別個に配合した。
ポキシ樹脂EOCN−102(エポキシ当量;195日
本化薬社製)101ti部、ビスイミドアミン系化合物
として、 化合物A 重量部、化合
物B 重量部、の2種類を
、それぞれ別個に配合した。
これらにそれぞれ、触媒としてトリフェニルホヌフィン
20重量部、カンプリング剤としてエポキシシラ7KB
M403 (信越化学社製)20重量部、難燃材として
赤す71.0重量部、三酸化アンチモン′2..0重量
部、離型剤としてヘキストワックスE(ヘキストジャパ
ン社gi)1.0重量部と、ステアリン酸Ca2.0重
量部、フィシとして溶融石英ガラス粉重量部(75重量
%)、着色剤としてカーボンブランク20重量部を配合
した。
20重量部、カンプリング剤としてエポキシシラ7KB
M403 (信越化学社製)20重量部、難燃材として
赤す71.0重量部、三酸化アンチモン′2..0重量
部、離型剤としてヘキストワックスE(ヘキストジャパ
ン社gi)1.0重量部と、ステアリン酸Ca2.0重
量部、フィシとして溶融石英ガラス粉重量部(75重量
%)、着色剤としてカーボンブランク20重量部を配合
した。
次いで、75−80Cに加熱された2本ロール(8イン
チ径)で8分間混練した後、冷却、粗粉砕して半導体封
止用の樹脂組成物を得た。
チ径)で8分間混練した後、冷却、粗粉砕して半導体封
止用の樹脂組成物を得た。
この樹脂組成物は、180C,70hg/crn”、1
.5分間の条件でトランスファ成形して、レジンパッケ
ージ型メモリ用LSI (16pin、256にビット
メモリLSI)に成形され次。
.5分間の条件でトランスファ成形して、レジンパッケ
ージ型メモリ用LSI (16pin、256にビット
メモリLSI)に成形され次。
上記のモールド品100ケを、121C,2気ツクした
。第1表に結果を示じた。
。第1表に結果を示じた。
第 1 表
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、多官能エポキシ化合物と、硬化剤として次式▲数式
、化学式、表等があります▼ 〔式中、Rは▲数式、化学式、表等があります▼、▲数
式、化学式、表等があります▼ ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼ で表わされる〕で表わされるビスイミドアミン系化合物
を少なくとも含むことを特徴とする樹脂封止型半導体装
置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11041085A JPS61269342A (ja) | 1985-05-24 | 1985-05-24 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11041085A JPS61269342A (ja) | 1985-05-24 | 1985-05-24 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61269342A true JPS61269342A (ja) | 1986-11-28 |
Family
ID=14535071
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11041085A Pending JPS61269342A (ja) | 1985-05-24 | 1985-05-24 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61269342A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0446580A1 (en) * | 1990-03-14 | 1991-09-18 | International Business Machines Corporation | Solder interconnection structure with encapsulant and composition of the latter |
EP0446666A3 (en) * | 1990-03-14 | 1992-01-08 | International Business Machines Corporation | Solder interconnection structure on organic substrates and process for making |
JP2020532597A (ja) * | 2017-08-30 | 2020-11-12 | サウジ アラビアン オイル カンパニー | フッ素化ポリイミド系エポキシ材料 |
-
1985
- 1985-05-24 JP JP11041085A patent/JPS61269342A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0446580A1 (en) * | 1990-03-14 | 1991-09-18 | International Business Machines Corporation | Solder interconnection structure with encapsulant and composition of the latter |
EP0446666A3 (en) * | 1990-03-14 | 1992-01-08 | International Business Machines Corporation | Solder interconnection structure on organic substrates and process for making |
US5292688A (en) * | 1990-03-14 | 1994-03-08 | International Business Machines Corporation | Solder interconnection structure on organic substrates and process for making |
JP2020532597A (ja) * | 2017-08-30 | 2020-11-12 | サウジ アラビアン オイル カンパニー | フッ素化ポリイミド系エポキシ材料 |
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