JPS6065020A - 半導体封止用樹脂組成物 - Google Patents

半導体封止用樹脂組成物

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Publication number
JPS6065020A
JPS6065020A JP58173037A JP17303783A JPS6065020A JP S6065020 A JPS6065020 A JP S6065020A JP 58173037 A JP58173037 A JP 58173037A JP 17303783 A JP17303783 A JP 17303783A JP S6065020 A JPS6065020 A JP S6065020A
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JP
Japan
Prior art keywords
resin
xylene
compound
resin composition
polyepoxy
Prior art date
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Pending
Application number
JP58173037A
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English (en)
Inventor
Akio Nishikawa
西川 昭夫
Masaji Ogata
正次 尾形
Masahiro Kitamura
北村 允宏
Masakuni Segawa
瀬川 正訓
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
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Publication of JPS6065020A publication Critical patent/JPS6065020A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H01L23/293Organic, e.g. plastic
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

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  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Epoxy Resins (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明のオU用分野〕 本発明は、萬温高湿下に於いて、偏頼性の高い動作が可
能で、樹脂封止成形時の作業性にすぐれた樹脂封止型半
導体装tt’を提供可能な樹脂組成物に関する。
〔発明の背景〕
現在、半導体封止用の樹脂組成物は、エポキシ樹脂をノ
ボラック型フェノール樹脂で硬化させた系が主流でめる
しかし、一般に樹脂封止型半導体装置は、高温高湿下で
は、樹脂バルク中や、樹脂とリード線、素子との隙間を
通じて外部の水分が、パッケージ内部に浸入し、素子上
のAt配線、ポンディングパッド部のAtが腐食し断線
する問題がある。
また、樹脂封止成形時には、金型からの封止品の離型性
や、パリの発生、硬化物中のボイド発生などによる特性
への影響が問題となっている。
これらの対策としては、まず前者のAt配線の腐食の問
題については、素子表面のカップリング剤処理、あるい
は硬化物の低応力化、素材の低応力化などが図られてき
た。しかし、パッケージ内部への水分の浸入は、樹脂バ
ルクからの経路を抑えてやらなければ、十分とは云えな
い。しかし、この方面からの検討は必らずしも対拠され
てきたことは云えない。
一方、作業性の問題に対しては、拐料の流動性調整、成
形菌性の検討、離型剤の倹約など種々の対策がなされて
きているが、今後の自動封止システム化に対応するには
、まだまだ改善の余地が残されている。
〔発明の目的〕
本発明は上記の状況に鑑みてなされたもので、その目的
は、高温高湿下に於いて、信頼性の高い動作が可能で、
樹脂封止成形時の作業性にすぐれた樹脂封止型半導体装
置を提供可能な樹脂酸物に関する。
〔発明の概要〕
本発明の特徴は、多官能エポキシ化合物と、メタキシレ
ン樹脂を少なくとも含むことを特徴とする半導体封止用
樹脂組成物。更に云えば、多官能エポキシ化合物と、ノ
ボラック型フェノール樹脂メタキシレン樹脂を少なくと
も含むことを特徴とする半導体封止用樹脂酸物である。
本発明において多官能エポキシ化合物(A)としては、
例えばビスフェノールAのジグリシジルエーテル、ブタ
ジエンジエボキサイド、3.4−エポキシシクロヘキシ
ルメチル−(3,4−エポキシ)シクロヘキサンカルボ
キシレート、ビニルシクロヘキサンジオキシド、4.4
’−ジ(1゜2−エポキシエチル)ジフェニルエーテル
、4゜4’ −(1,2−エポキシエチル)ビフェニル
、2.2−ビス(3,4−エポキシシクロヘキシAI)
プロパン、レゾルシンのグリシジルエーテル、フロログ
ルシンのジグリシジルエーテル、メチル70ログルシン
のジグリシジルエーテル、ビス−(2,3−エホキシン
クロベンチル)ニーデル、2−(3,4−エポキシ)シ
クロヘキサン−5゜5−スピロ(3,4−エポキシ)−
シクロヘキサン−m−ジオキサン、ビス−(3,4−エ
ポキシ−6−メチルシクロヘキシル)7ンベー)、N。
N’−nl−7エニレンビス(4,5−エポキシ−1,
2−シクロヘキサン)ジカルボキシイミドなどの2官能
のエポキシ化合物、バラアばノフェノールのトリグリシ
ジルエーテル、ポリアリルグリシジルエーテル、1,3
.5−トリ(1,2−エポキシエチル)ベンゼン、2.
2’、4.4’ −ナト2グリシドキシベンゾフエノン
、テトラグリシドキシテトシフェニルエタン、フェノー
ルホルムアルデヒドノボラックのポリグリシジルエーテ
ル、グリセリンのトリグリシジルエーテル、トリメチロ
ールプロパンのトリグリシジルエーテルなど3官能以上
のエポキシ化合物が用いられろう次に、フェノールとア
ルデヒドとの縮合反応物(B)としては、各種のフェノ
ール系化合物とアルデヒド系化合物とを、酸性もしくは
塩基性触媒の存在において、付加縮合反応させることに
よシ生成される樹脂類が使用され、特にフェノール、ブ
レゾールなどとホルムアルデヒドとを用いて、酸性触媒
反応によって合成されるノボラック樹脂が有用である。
また、本発明を完成する上で極めて重要な成分であるメ
タキシレン樹脂としては、例えば(n−1〜3) などがある。また、メタキシレン樹脂中には、などの化
合物も含まれておシ、これらの含有量については特に限
定するものではない。
メタキシレン樹脂の添加景については、特に限定するも
のではないが多官能エポキシ樹脂1oO重量部に対して
、30重量部以下、特に好ましくは10重敷部以下配合
することが、本発明の効果を発揮する上で好ましい。
さらに、本発明においては、前記3成分を含む組成物の
硬化反応を促進する目的で各種の触媒を添加することが
でき、この触媒としては、例えばトリエタノールアミン
、テトラメチルブタンジアミン、テトラメチルペンタン
シアミン、テトラメチルヘキサンシアミン、トリエチレ
ンジアミン及びジメチルアニリン等の第3級アミン、ジ
メチルアミノエタノール及びジメチルアミノペンタノー
ル等のオキシアルキルアミンならびにトリス(ジメチル
アばツメチル)フェノール及びメチルモルホリン等のア
ミン類を適用することができる。
又、同じ目的で、触媒として、例えばセチルトリメチル
アンモニウムブロマイド、セチルトリメチルアンモニウ
ムクロライド、ドデシルトリメチルアンモニウムアイオ
ダイド、トリメチルドデシルアンモニウムクロライド、
ベンジルジメテルテト’if’yルアンモニウムクロ2
イド、ベンジルメチルバルミテルアンモニウムクロライ
ド、アリルドデシルトリメチルアンモニウムブロマイド
、ベンジルジメチルステアリルアンモニウムブロマイド
、ステアリルトリメチルアンモニウムクロライド及びペ
ンジルジメチ巧2トラデシルアンモニウムアセテート等
の第4級アンモニウム塩を適用することができ、更には
、2−ウンデシルイミダゾール、2−メチルイミダゾー
ル、2−エチルイミダゾール、2−ヘプタデシルイばダ
ゾール、2−メチル−4−エチルイミダゾール、1−ブ
チルイミダゾール、1−プロピル−2−メチルイミダゾ
ール、l−ベンジル−2−メチルイミタ7”−/l/、
1−シアノエチル−2−メチルイミダゾール、1−シア
ノエチル−2−ウンデシルイミダゾール、1−シアンエ
チル−2−フェニルイミダゾール、1−アジン−2−メ
チルイミダゾール及び1−アジ/−2−ウンデシルイミ
ダゾール等のイミダゾール化合物めるいは又、トリノエ
ニルホスフィンテトラフェニルボレート、トリエチルア
ミンテトラフェニルボレート、N−メチルモルホリンテ
トラフェニルボレート、ビリジンテトシ+フェニルボレ
ート2−エチル−4−メチルイミダゾールテトラフェニ
ルボレート及び2−エチル−1,4・−ジメチルイミダ
ゾールテトラフェニルボレー ト等のテトラフェニルボ
ロン塩等が有用である。
上記の触媒はその2種以上を併用することもでき、その
鉦は、多官能エポキシ化合物(A)to。
に対して、重量比で、0.01〜20の範囲で用いれば
よい。
また、本発明のエポキシ樹脂組成物には、その用途、使
用目的に応じて、例えば炭酸カルシウム、クリ力、アル
ミナ、チタニア、水酸化アルミニウム、ケイ酸アルミニ
ウム、ケイ酸ジルコニウム、ジルコン、ガラス、タルク
、マイカ、黒鉛、アルミニウム、銅、鉄などの粉末や短
繊維状充填剤、脂肪酸及びワックス類等の離型剤、エポ
キシシラン、ビエルシ2ン、ボラン系化合物及びアルキ
ルチタネート系化合物等のカップリング剤、そしてさら
に、アンチモンやリンの化合物及びハロゲン含有化合物
のような難燃剤を加えることができる。
本発明の樹脂組成物は、上記した成分をロール、ニーダ
−、コニーダー、またはヘンシェルミキサー等を用いて
加熱(約70〜80C)混線することによって調製され
る。また、成分化合物が固体である場合に社、微粉化し
た後混合するトライブレンド法によって配合することも
できる。得られた組成物は約150〜200Cの温度で
短時間に硬化できる。
〔発明の実施例〕
実施例1〜4 多官能エポキシ化合物ECN1273(チル社製、エポ
キシ轟量225)100重量部に、フェノール−ホルム
アルデヒド/ボラック型樹脂(日立化成社製HP−60
7N)60重量部、メタキシレイ樹脂(三菱瓦斯化学社
製:ニカノール)を、1,5゜10.20ffi斂部を
、それぞれ別個に配合して、4種類の配合物を作った。
次いで、これらにそれぞれ、触媒として、トリエチルア
ミンテトラフェニルボレート(略号TEA−K)3重量
部、離型剤としてステアリン酸亜鉛2重量部、カップリ
ング剤としてエポキシシランKBM403 (信越化学
社製)1重量部、着色剤としてカーボンブラック1重量
部を配合して、70〜80Cで7分間ロール混練した後
、粗粉砕して目的の半導体封止用樹脂組成物を得た。
この材料を、180U、1.5分、70Kg/副2の条
件でトランスファ成形して得た硬化樹脂試片について、
成形時の作業性、耐熱性、耐湿性、耐冷熱サイクルによ
るクラック発生の有無の試験をした。
実施例5

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、多官能エポキシ化合物と、メタキシレン樹脂を少な
    くとも含むことを特許とする半導体封止用樹脂組成物。 2、多官能エポキシ化付物と、ノボラック型フェノール
    樹脂、メタキシレン樹脂を少なくとも含むことをを徴と
    する半導体封止用樹脂組成物。
JP58173037A 1983-09-21 1983-09-21 半導体封止用樹脂組成物 Pending JPS6065020A (ja)

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JP58173037A JPS6065020A (ja) 1983-09-21 1983-09-21 半導体封止用樹脂組成物

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JPS6065020A true JPS6065020A (ja) 1985-04-13

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ID=15953027

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JP58173037A Pending JPS6065020A (ja) 1983-09-21 1983-09-21 半導体封止用樹脂組成物

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6465120A (en) * 1987-09-07 1989-03-10 Sumitomo Bakelite Co Liquid epoxy resin composition
EP0417787A2 (en) * 1989-09-13 1991-03-20 Kabushiki Kaisha Toshiba Multimold semiconductor device and the manufacturing method therefor

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6465120A (en) * 1987-09-07 1989-03-10 Sumitomo Bakelite Co Liquid epoxy resin composition
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