JPS5868955A - 半導体封止用樹脂組成物 - Google Patents
半導体封止用樹脂組成物Info
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- JPS5868955A JPS5868955A JP56167092A JP16709281A JPS5868955A JP S5868955 A JPS5868955 A JP S5868955A JP 56167092 A JP56167092 A JP 56167092A JP 16709281 A JP16709281 A JP 16709281A JP S5868955 A JPS5868955 A JP S5868955A
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- Japan
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- compound
- resin
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- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
- H01L23/293—Organic, e.g. plastic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、耐熱性、耐冷熱サイクル性、耐湿性にすぐれ
、かつ高温領域での電気特性にすぐれた半導体封止用樹
脂組成物に関する。
、かつ高温領域での電気特性にすぐれた半導体封止用樹
脂組成物に関する。
近年、電子部品の分野では、小型軽量化および高信頼性
化に伴い、半導体素子ペレットの大型化、能動素子、受
動素子の複合などによる多機能化が指向されている。
化に伴い、半導体素子ペレットの大型化、能動素子、受
動素子の複合などによる多機能化が指向されている。
そのため、各種素子のモールド用樹脂材料としては、じ
かにモールドしてもインサートに対する応力の影響が小
さいと云う特性が強く要求されている。
かにモールドしてもインサートに対する応力の影響が小
さいと云う特性が強く要求されている。
従来、半導体などの電子部品や電気機器の封止用樹脂と
して、エポキシ系、シリコーン系などの材料が使用され
てきた。その中でもノボラック型フェノール樹脂を硬化
剤とするエポキシ樹脂組成物がインサートに対する接着
性、電気特性などが均衡している点ですぐれ、封止用樹
脂の主流となっている。
して、エポキシ系、シリコーン系などの材料が使用され
てきた。その中でもノボラック型フェノール樹脂を硬化
剤とするエポキシ樹脂組成物がインサートに対する接着
性、電気特性などが均衡している点ですぐれ、封止用樹
脂の主流となっている。
しかし、この系統の樹脂組成物には、素子ペレットに可
撓性保護コートを施すことなく、直接該樹脂で封止する
と、素子ペレットに割れを生じたり、ボンディング線が
切断されるなど、封止樹脂のインサートに対する応力に
起因する障害がみられる。その対策としては、インサー
トに及ぼす応力を低減させることが重要であって、低弾
性率で。
撓性保護コートを施すことなく、直接該樹脂で封止する
と、素子ペレットに割れを生じたり、ボンディング線が
切断されるなど、封止樹脂のインサートに対する応力に
起因する障害がみられる。その対策としては、インサー
トに及ぼす応力を低減させることが重要であって、低弾
性率で。
低膨張率、高ガラス転移点をもつ封止樹脂の開発が必要
である。
である。
封止用樹脂を低弾性率化する手段の一つとして。
可撓化剤の添加が考えられる。−しかし、ノボラック型
フェノール樹脂を硬化剤とするエポキシ樹脂組成物にこ
の方法を採用すると、硬化樹脂のガラ゛ス転移点は急激
に降下し、それに伴って高温領域での電気特性が低下す
るため、信頼性の高い封止製品を得がたい。
フェノール樹脂を硬化剤とするエポキシ樹脂組成物にこ
の方法を採用すると、硬化樹脂のガラ゛ス転移点は急激
に降下し、それに伴って高温領域での電気特性が低下す
るため、信頼性の高い封止製品を得がたい。
本発明の目的は、耐熱性、耐冷熱サイクル性。
耐湿性にすぐれた半導体封止用樹脂組成物を提供するこ
とにある。
とにある。
本発明の要旨は、
！、 （Ａ ） 多官能エポキシ化合物（Ｂ） ノ
ボラック型フェノール樹脂（（１） フッ素含有化合
物 （Ｄ） 無機質フィラー ましくけ上記、（Ｃ）成分が、ポリテトラフルオロエチ
レンあるいけ、テトラフルオロエチレンとオレフィン系
化合物の共重合体であり、その添加量が（Ｃ）ｘ１００
／（Ａ）−）−（Ｂ）＝４．０以下である゛半導体封止
用樹脂組成物である。
ボラック型フェノール樹脂（（１） フッ素含有化合
物 （Ｄ） 無機質フィラー ましくけ上記、（Ｃ）成分が、ポリテトラフルオロエチ
レンあるいけ、テトラフルオロエチレンとオレフィン系
化合物の共重合体であり、その添加量が（Ｃ）ｘ１００
／（Ａ）−）−（Ｂ）＝４．０以下である゛半導体封止
用樹脂組成物である。
本発明において、（’ Ａ ）多官能エポキシ化合物と
しては、例えばビスフェノールＡのジグリシジルエーテ
ル、ブダジｂンジエボキサイド、３．４−エポキシシク
ロヘキシルメチル−（３，４−エポキシ）シクロヘキサ
ンジオキシド、 ４．４’ −（１，２−エポキシエチ
ル）ジフェニルエーテル、４．４’−（１，２−エポキ
シエチル）ビフェニル、−２，２−ビス（３，４−エポ
キシシクロヘキシル）プロパン。
しては、例えばビスフェノールＡのジグリシジルエーテ
ル、ブダジｂンジエボキサイド、３．４−エポキシシク
ロヘキシルメチル−（３，４−エポキシ）シクロヘキサ
ンジオキシド、 ４．４’ −（１，２−エポキシエチ
ル）ジフェニルエーテル、４．４’−（１，２−エポキ
シエチル）ビフェニル、−２，２−ビス（３，４−エポ
キシシクロヘキシル）プロパン。
レゾルクンのグリシジルエーテル、７０口グルシンのジ
グリシジルエーテル、メチルフロログルシンのジグリシ
ジルエーテル、ビス−（２，３−エポキシシクロペンチ
ル）′″エーテル２−（３，４−エポキシ）シクロヘキ
サン−５，５−スピロ（３，４−エポキシ）シクロヘキ
サ／−ｍ−ジオキサン、ビス−（３，４−エポキシ−６
−メチルシクロヘキシル）アジペート＋Ｎ、Ｎ’ ｍ
−フェニレンビス（４′、５−エポキシ−１，２−シク
ロヘキサン）ジカルボキシイミドなどの２官能のエポキ
シ化合物、パラアミノフェノールのトリグリシジルエー
テル、ポリアルグリシジルエーテル、１．３．５−トリ
（１，２−エポキシエチル）ベンゼン、 ２．２’、
４．４’−テトラグリンドキシベンゾフエノン、テトラ
グリシドキシテトラフェニルエタン、フェノールホルム
アルデヒドノボラックのポリグリシジルエーテル、グリ
セリン°のトリグリシジルエーテル１．トリメチロール
プロパンのトリグリシジルエーテルなど３官能以上のエ
ポキシ化合物が用いられる。
グリシジルエーテル、メチルフロログルシンのジグリシ
ジルエーテル、ビス−（２，３−エポキシシクロペンチ
ル）′″エーテル２−（３，４−エポキシ）シクロヘキ
サン−５，５−スピロ（３，４−エポキシ）シクロヘキ
サ／−ｍ−ジオキサン、ビス−（３，４−エポキシ−６
−メチルシクロヘキシル）アジペート＋Ｎ、Ｎ’ ｍ
−フェニレンビス（４′、５−エポキシ−１，２−シク
ロヘキサン）ジカルボキシイミドなどの２官能のエポキ
シ化合物、パラアミノフェノールのトリグリシジルエー
テル、ポリアルグリシジルエーテル、１．３．５−トリ
（１，２−エポキシエチル）ベンゼン、 ２．２’、
４．４’−テトラグリンドキシベンゾフエノン、テトラ
グリシドキシテトラフェニルエタン、フェノールホルム
アルデヒドノボラックのポリグリシジルエーテル、グリ
セリン°のトリグリシジルエーテル１．トリメチロール
プロパンのトリグリシジルエーテルなど３官能以上のエ
ポキシ化合物が用いられる。
これらエポキシ化合物の１種以上が使用でき、トくニビ
スフェノール人ジグリシジルエーテル系化合物とフェノ
ールノボラック型化合物を併用することが有利である。
スフェノール人ジグリシジルエーテル系化合物とフェノ
ールノボラック型化合物を併用することが有利である。
本発明において、（Ｂ）ノボラック型フェノール樹脂と
しては、倒木ばフェノール、クレゾール。
しては、倒木ばフェノール、クレゾール。
キシン、ノール、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ
、レゾルシン、カテコール、ハイ−ドロキノン。
、レゾルシン、カテコール、ハイ−ドロキノン。
ピロガロールなどのフェノール系化合物とホルムアル１
デヒドとを、酸性触媒の元で縮合反応させて得られたも
のである。
デヒドとを、酸性触媒の元で縮合反応させて得られたも
のである。
本発明において、（Ｃ）フッ素含有化合物としては、例
えば、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、ポリ
クロロトリフルオロエチレン（ＰＣＴＦＥ）、テトラフ
ルオロエチレン−へキサフルオロプロピレン共重合体（
ＦＥＰ）、ポリビニＵ ｆンフルオロライド（ＰＶｄＦ
）、ポリビニルフルオライド（ＰＶＦ）、テトラフルオ
ロエチレン−エチレン共重合体、クロロトリフルオロエ
チレン−エチレン共重合体、テトラフルオロエチレン−
パーフルオロビニルエーテル共重合体など各種の共重合
体がある。
えば、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、ポリ
クロロトリフルオロエチレン（ＰＣＴＦＥ）、テトラフ
ルオロエチレン−へキサフルオロプロピレン共重合体（
ＦＥＰ）、ポリビニＵ ｆンフルオロライド（ＰＶｄＦ
）、ポリビニルフルオライド（ＰＶＦ）、テトラフルオ
ロエチレン−エチレン共重合体、クロロトリフルオロエ
チレン−エチレン共重合体、テトラフルオロエチレン−
パーフルオロビニルエーテル共重合体など各種の共重合
体がある。
なお、上記、フッ素含有化合物は１種以上を併用して用
いることも出来る。
いることも出来る。
フッ素含有化合物の添加量は、（Ｃ）成分×１００／（
Ａ）成分＋（Ｂ）成分＝４０以下とすることにより、本
発明の効果が得られる。４０以上となった場合には樹脂
組成物の成形時の流動性の低下が大キく、半導体素子上
のボンディング線の変形あるいは切断などの問題が生じ
る。
Ａ）成分＋（Ｂ）成分＝４０以下とすることにより、本
発明の効果が得られる。４０以上となった場合には樹脂
組成物の成形時の流動性の低下が大キく、半導体素子上
のボンディング線の変形あるいは切断などの問題が生じ
る。
上記、′フッ素含有化合物の形状には、液状または、固
形の状態のものであり、固形のものについては、フレー
ク状あるいは、粉末状のものを用いることが出来る。粉
末状のものについては、５０ｐ ｍ以下の平均粒径のも
のが適している。
形の状態のものであり、固形のものについては、フレー
ク状あるいは、粉末状のものを用いることが出来る。粉
末状のものについては、５０ｐ ｍ以下の平均粒径のも
のが適している。
本発明において、ＣＤ）無機質フィシとしては。
例えば、ジルコン、結晶シリカ、溶融石英ガラス。
アルミナ、水酸化アルミニウム、ガラス、石英ガラス、
ケイ酸カルシウム、石コウ、炭酸カルシウ゛ム、マグネ
サイト、クレー、カオリン、タルク。
ケイ酸カルシウム、石コウ、炭酸カルシウ゛ム、マグネ
サイト、クレー、カオリン、タルク。
マイカ、アスベスト、炭化珪素１．窒化ホウ素、二硫化
モリブデン、鉛化合物、鉛酸化物、亜鉛華。
モリブデン、鉛化合物、鉛酸化物、亜鉛華。
チタン白、カーボンブラック、アンチモン（三酸°化ア
ンチモン）、燐化合物、ブロムやクロルを含む無機難燃
化材などがある。
ンチモン）、燐化合物、ブロムやクロルを含む無機難燃
化材などがある。
これらの１種以上を併用して用いることも出来る。
定するものではないが、好ましくは、本発明の材料組成
物全体の３０〜８０容量％の範囲内で用い些ば、材料の
成形時の流動性、硬化物の冷熱サイクル時の耐クラツク
性な−どで良好な結果が得られまた、本発明の樹脂組成
物には、エポキシ化合物と、ノボラック型フェノール樹
脂の硬化反応を促進する効果の知られている公知の触媒
を使用することが出来る。
物全体の３０〜８０容量％の範囲内で用い些ば、材料の
成形時の流動性、硬化物の冷熱サイクル時の耐クラツク
性な−どで良好な結果が得られまた、本発明の樹脂組成
物には、エポキシ化合物と、ノボラック型フェノール樹
脂の硬化反応を促進する効果の知られている公知の触媒
を使用することが出来る。
かかる触媒としては、例えば、トリエタノールアミン、
テトラメチルブタンジアミン、テトラメチルペンタンジ
アミン、テトラメチルへ、キサンジ′アミン、トーリエ
ナレンジアＺ７．−）メチルアニリ 、ンなどの三級ア
ミン、ジメチルアミノエタノール。
テトラメチルブタンジアミン、テトラメチルペンタンジ
アミン、テトラメチルへ、キサンジ′アミン、トーリエ
ナレンジアＺ７．−）メチルアニリ 、ンなどの三級ア
ミン、ジメチルアミノエタノール。
ジメチルアミノエタノールなどのオキシアルキルアミン
やト１門ス（ジメチルアミンメチル）フェノール、Ｎ−
メチルモルホリン、Ｎ−エチルモルホリンなどのアミ、
ン類がある。
やト１門ス（ジメチルアミンメチル）フェノール、Ｎ−
メチルモルホリン、Ｎ−エチルモルホリンなどのアミ、
ン類がある。
また、セチルトリメチルアンモニウムブロマイド、セチ
ルトリメチルアンモニウムクロライド。
ルトリメチルアンモニウムクロライド。
ドデシルトリメチルアンモニウムアイオダイド。
トリメチルドデシルアンモニウムクロライド、ベンジル
ジメチルテトラデシルアンモニウムクロライト、ベンジ
ルメチルパルミチルアンモニウムクロライド、アリルド
デシルトリメチルアンモニウムブロマイド、ベンジルジ
メチルステアリルアンモニウムブロマイド、ステアリル
トリメチルアンモニウムクロライド、ベンジルジメチル
テトラデシルアンモニウムアセテートなどの第４級アン
モニウム塩がある。
ジメチルテトラデシルアンモニウムクロライト、ベンジ
ルメチルパルミチルアンモニウムクロライド、アリルド
デシルトリメチルアンモニウムブロマイド、ベンジルジ
メチルステアリルアンモニウムブロマイド、ステアリル
トリメチルアンモニウムクロライド、ベンジルジメチル
テトラデシルアンモニウムアセテートなどの第４級アン
モニウム塩がある。
また、２−エチルイミダゾール、２−ウンデシル−イミ
ダゾール、２−ヘプタデシルイミダゾール。
ダゾール、２−ヘプタデシルイミダゾール。
２−メチル−４−エチルイミダゾール、１−ブチルイミ
ダゾール、１−プロピル−２−メチルイミグゾール、１
−ベンジル−２−メチルイミダソール、１−シアノエチ
ル′−２−メチルイミダゾール。
ダゾール、１−プロピル−２−メチルイミグゾール、１
−ベンジル−２−メチルイミダソール、１−シアノエチ
ル′−２−メチルイミダゾール。
１−シアンエチル−２−ウンデシルイミダゾール。
１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール。
１−アジン−２−メチルイミダゾール、１−アジン−２
−ウンデシルイミダゾールなどのイミダゾール類、トリ
フエ冊牛ホスフィンテトラフェルボレート、テトラフェ
ニルホスホニウムテトラフェニルボレート、トリエチル
アミンテトラフェニルボレート、Ｎ−メチルモルホリン
テトラフェニルボレート、２−エチル−４−メチルイミ
ダゾールテトラフェニルボレート、２−エチル−１，４
−ジメチルイミダゾールテトラフェニルボレートなど、
のテトラフェニルポロン塩などがある。
−ウンデシルイミダゾールなどのイミダゾール類、トリ
フエ冊牛ホスフィンテトラフェルボレート、テトラフェ
ニルホスホニウムテトラフェニルボレート、トリエチル
アミンテトラフェニルボレート、Ｎ−メチルモルホリン
テトラフェニルボレート、２−エチル−４−メチルイミ
ダゾールテトラフェニルボレート、２−エチル−１，４
−ジメチルイミダゾールテトラフェニルボレートなど、
のテトラフェニルポロン塩などがある。
また１本発明の樹脂組成物には、注型などの目的のため
に、公知の希釈剤（垣内 弘著：エポキシ樹脂；３１８
〜３１９ページ記載、昭和４５年９月発行など）、例え
ば、フタル酸エステル、リン酸エステル、スチレンオキ
サイド、オクチレンオキサイド、ブチルグリシジルエー
テル、アリルグリ、シジルエーテル、フェニルクリシジ
ルエーテル、多しジルグリシジルエーテル、ジグシジル
エーテル、エポキシ化植物油（アゾカルジンＥｐ−１０
００など）３分子量５ＱＯＯＯ以下のポリシロキサン、
分子量１００００以下のポリブタジエンスチレン、ジア
リルフタレート８グリシジルメタクリレート、トリフェ
ニルホスファイト、ポリオール。
に、公知の希釈剤（垣内 弘著：エポキシ樹脂；３１８
〜３１９ページ記載、昭和４５年９月発行など）、例え
ば、フタル酸エステル、リン酸エステル、スチレンオキ
サイド、オクチレンオキサイド、ブチルグリシジルエー
テル、アリルグリ、シジルエーテル、フェニルクリシジ
ルエーテル、多しジルグリシジルエーテル、ジグシジル
エーテル、エポキシ化植物油（アゾカルジンＥｐ−１０
００など）３分子量５ＱＯＯＯ以下のポリシロキサン、
分子量１００００以下のポリブタジエンスチレン、ジア
リルフタレート８グリシジルメタクリレート、トリフェ
ニルホスファイト、ポリオール。
ラクトン、トリアリルシアヌレートなどを添加すること
が出来る。
が出来る。
゛まだ、高級脂肪酸、流動パラフィン類ワックス類など
の離型剤、エポキシシラン、ビニル７ラン。
の離型剤、エポキシシラン、ビニル７ラン。
アミノシラン、ボラン系化合物、有機チタネート系化合
物、アルミニウムアルコレート系化合物。
物、アルミニウムアルコレート系化合物。
アルミニウム上１ノート系化合物などの公知のカシ−ブ
リング剤全使用出来る。
リング剤全使用出来る。
実施例 １〜１１
多官能エポキン化合物として、ＥｅＮ１２７３（チバ社
製エポキシ当量２２５ ）、ＤＥＮ４３８（ダウケミカ
ル社製エポキシ当量１７９１．Ｅｐｌｏｏｌ（シェル社
製エポキシ当量４７５）の３種を、ノボラック型フェノ
ール樹脂として、Ｉ（ｐ６０７Ｎ（日立化成製：軟化点
６０〜８０Ｃ）、フッ素含有化合物として、微粉末のポ
リテトラフルオロエチレン（三井フルオロケミカル社製
ＰＴＦＥ）、テトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロ
プロパン共重合体（ＦＥｐ）、テトラフルオロエチレン
−エチレン共重合体の３種ヲ、マた、無機質フィシとし
て、溶融石英ガラス粉と、シリカ粉を、第１表に示す所
定の割合に配合して、１１種類の配合組成物を作った。
製エポキシ当量２２５ ）、ＤＥＮ４３８（ダウケミカ
ル社製エポキシ当量１７９１．Ｅｐｌｏｏｌ（シェル社
製エポキシ当量４７５）の３種を、ノボラック型フェノ
ール樹脂として、Ｉ（ｐ６０７Ｎ（日立化成製：軟化点
６０〜８０Ｃ）、フッ素含有化合物として、微粉末のポ
リテトラフルオロエチレン（三井フルオロケミカル社製
ＰＴＦＥ）、テトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロ
プロパン共重合体（ＦＥｐ）、テトラフルオロエチレン
−エチレン共重合体の３種ヲ、マた、無機質フィシとし
て、溶融石英ガラス粉と、シリカ粉を、第１表に示す所
定の割合に配合して、１１種類の配合組成物を作った。
これらにそれぞれ、硬化促進剤として、トリエチルアミ
ンテトラフェニルボレート２重量部、カップリング剤と
して、エポキシシラン（信越化学社製ＫＢＭ４０３）２
重量部、その他の各種添加剤の所定量を添加した。
ンテトラフェニルボレート２重量部、カップリング剤と
して、エポキシシラン（信越化学社製ＫＢＭ４０３）２
重量部、その他の各種添加剤の所定量を添加した。
次に、前記諸成分を含む酸合物をそれぞれ、７０〜８０
Ｃの熱ロールで１０分間混練したのち、粗粉砕すること
によって、目的とする半導体封止用樹′脂組成物を得た
。
Ｃの熱ロールで１０分間混練したのち、粗粉砕すること
によって、目的とする半導体封止用樹′脂組成物を得た
。
これらの組成物を、１８０ｔｌ’、７０ＫｇＡ席２゜２
分の条件でトランスファ成形して、第１表記載の特性の
試片を作成並びに測定した。
分の条件でトランスファ成形して、第１表記載の特性の
試片を作成並びに測定した。
表中、スパイラルフローは、１８０ｔＺ’、２分成形時
の値（１ｎｃｈ ）であり、ガラス転移点Ｔｇ（高温体
積抵抗率）は′、１８０Ｃ１２分成形後。
の値（１ｎｃｈ ）であり、ガラス転移点Ｔｇ（高温体
積抵抗率）は′、１８０Ｃ１２分成形後。
モールド品を金型よシ取り出し、１６０ｔ？１５時間ア
フタキュアした後の硬化物の値である。
フタキュアした後の硬化物の値である。
また、耐冷熱サイクル性と、耐湿性の評価は、１６ ｐ
ｉｎのメモリ用ＬＳＩ（モールド品の厚さ５鴎）のモー
ルド品について、それぞれの条件下で、の腐蝕断線不良
に基づく動作不良率全チェックした結果である。
ｉｎのメモリ用ＬＳＩ（モールド品の厚さ５鴎）のモー
ルド品について、それぞれの条件下で、の腐蝕断線不良
に基づく動作不良率全チェックした結果である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、（Ａ） 多官、能エポキシ化合物（Ｂ）゛ ノボ
ラック形フェノール樹脂（’Ｃ） フッ素含有化合物 （Ｄｌ 無機質フィラー を含むことを特徴とする半導体封止用樹脂組成物。 ２、 （、（ｌ成分であるフッ素含有゛化合物がポリ
テｌ、ラフルオロエチレンあるいは、テトラフルオロエ
チレンとオレノフィン系化合物の共重合体であることを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体封止用樹
脂組成物。 ３、’（Ｃ）成分であるフッ素含有化合物の添加量が、
（Ｃ）Ｘ１００／（Ａ）＋（Ｂ）＝４０以下であること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体封止用
樹脂組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56167092A JPS5868955A (ja) | 1981-10-21 | 1981-10-21 | 半導体封止用樹脂組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56167092A JPS5868955A (ja) | 1981-10-21 | 1981-10-21 | 半導体封止用樹脂組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5868955A true JPS5868955A (ja) | 1983-04-25 |
Family
ID=15843268
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56167092A Pending JPS5868955A (ja) | 1981-10-21 | 1981-10-21 | 半導体封止用樹脂組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5868955A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6221509B1 (en) | 1998-04-16 | 2001-04-24 | Tatsumori Ltd. | Semiconductor encapsulating epoxy resin compositions, and semiconductor devices encapsulated therewith |
| JP2009138074A (ja) * | 2007-12-05 | 2009-06-25 | Hitachi Chem Co Ltd | 樹脂組成物、それを用いたプリプレグ、および積層板 |
| JP2014210843A (ja) * | 2013-04-17 | 2014-11-13 | 株式会社カネカ | 硬化性樹脂組成物、硬化性樹脂組成物タブレット、成形体、半導体のパッケージ、半導体部品及び発光ダイオード |
| WO2019181139A1 (ja) * | 2018-03-22 | 2019-09-26 | 太陽インキ製造株式会社 | 熱硬化性樹脂組成物、ドライフィルム、硬化物、および、電子部品 |
-
1981
- 1981-10-21 JP JP56167092A patent/JPS5868955A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP2019167426A (ja) * | 2018-03-22 | 2019-10-03 | 太陽インキ製造株式会社 | 熱硬化性樹脂組成物、ドライフィルム、硬化物、および、電子部品 |
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