JPS62111453A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS62111453A JPS62111453A JP25077985A JP25077985A JPS62111453A JP S62111453 A JPS62111453 A JP S62111453A JP 25077985 A JP25077985 A JP 25077985A JP 25077985 A JP25077985 A JP 25077985A JP S62111453 A JPS62111453 A JP S62111453A
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- resin
- polymer
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
- H01L23/293—Organic, e.g. plastic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
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- H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は耐湿性にすぐれ、耐α線性にすぐれた半導体装
置に係り、特に耐湿性にすぐれた保護被覆を施された樹
脂封止型半導体装置に関する。
置に係り、特に耐湿性にすぐれた保護被覆を施された樹
脂封止型半導体装置に関する。
半導体装置の耐湿信頼性の向上、あるいは高集積度化に
伴なって生ずる種々の問題、例えばパッケージ材料中の
ウラン、トリウムから放射されるα線によるメモリセル
のダメージ（Ｓｏｆｔ ｉ ｒｒｏｒ）などを防止する
ために、半導体素子の表面にポリイミド樹脂やシリコー
ンゲルなどの保護被覆を施された半導体装置、並びにポ
リイミドなどの樹脂材料を配線導体層間に絶縁膜として
用いた多層配線構造を有する半導体装置は従事から知ら
れている。
伴なって生ずる種々の問題、例えばパッケージ材料中の
ウラン、トリウムから放射されるα線によるメモリセル
のダメージ（Ｓｏｆｔ ｉ ｒｒｏｒ）などを防止する
ために、半導体素子の表面にポリイミド樹脂やシリコー
ンゲルなどの保護被覆を施された半導体装置、並びにポ
リイミドなどの樹脂材料を配線導体層間に絶縁膜として
用いた多層配線構造を有する半導体装置は従事から知ら
れている。
しかし、保護被覆としてのポリイミドやシリコーンゲル
には、一般に吸湿率や透湿率が大きく。
には、一般に吸湿率や透湿率が大きく。
その上調子との密着性、接着性が悪いと云う問題があっ
た。
た。
特に、ポリイミドは吸湿すると剥離し易くなり、耐湿性
の低下を来たすために１本質的には水の透過を避けられ
ない樹脂封止型半導体装置の弱点となっていた。また、
多層配線構造を有する半導体装置においては、それが高
温高温雰囲気中に放置された場合に、パッシベーション
膜（ＳｉＯｚ。
の低下を来たすために１本質的には水の透過を避けられ
ない樹脂封止型半導体装置の弱点となっていた。また、
多層配線構造を有する半導体装置においては、それが高
温高温雰囲気中に放置された場合に、パッシベーション
膜（ＳｉＯｚ。
ＰＳＧ、５ｉｓＮ４など）とポリイミド樹脂膜との接着
強度が著るしく低下する。その結果、侵入した水分、不
純物などによって、アルミニウムなどの配線導体金属が
腐食されて、断線し半導体装置の故障を来す問題がある
。
強度が著るしく低下する。その結果、侵入した水分、不
純物などによって、アルミニウムなどの配線導体金属が
腐食されて、断線し半導体装置の故障を来す問題がある
。
ところで、被覆材として、含フツ素ポリマ、特にテトラ
フルオロエチレンは吸湿性、透湿率が極めて少ないなど
極めて興味ある特性を有している。
フルオロエチレンは吸湿性、透湿率が極めて少ないなど
極めて興味ある特性を有している。
このため、半導体素子の表面に被覆保護することが、何
度が繰り返し検討されてきた。しかし、従来の含フツ素
ポリマは、溶媒に対する溶解性に乏しく被覆する工程が
むずかしいことや、素子との接着性が劣ることなどの欠
点があり、実用化に至らなかった。
度が繰り返し検討されてきた。しかし、従来の含フツ素
ポリマは、溶媒に対する溶解性に乏しく被覆する工程が
むずかしいことや、素子との接着性が劣ることなどの欠
点があり、実用化に至らなかった。
なお、関連する技術としては「有機化学、第４２巻第９
号、８４１辺、８４２頁」に記載がある。
号、８４１辺、８４２頁」に記載がある。
本発明の目的は、上記欠点を除去した半導体装置を提供
するにある。
するにある。
本発明は、半導体素子およびリード線等を含む回路が、
そり表面の一部または全部を成膜材料によって被覆され
てなる半導体装置において、成膜材料が一般式（１） 〔式中、Ｒはアルキル、シクロアルキル、ヒドロキシア
ルキル、カルボキシアルキルであり、ＸはＦまたはＨで
表わされる。〕 で表わされるフルオロオレフィンと炭化水素系ビニルエ
ーテルモノマとの交互共重合体を基本骨格とする含フツ
素ポリマであることを特徴とする。
そり表面の一部または全部を成膜材料によって被覆され
てなる半導体装置において、成膜材料が一般式（１） 〔式中、Ｒはアルキル、シクロアルキル、ヒドロキシア
ルキル、カルボキシアルキルであり、ＸはＦまたはＨで
表わされる。〕 で表わされるフルオロオレフィンと炭化水素系ビニルエ
ーテルモノマとの交互共重合体を基本骨格とする含フツ
素ポリマであることを特徴とする。
半導体素子およびリード線等を含む回路が、そり表面の
一部または全部を成膜材料によって被覆された上、Ｗ脂
組成物をもって封止成形されてなる半導体装置において
、成膜材料が一般式〔■〕〔式中、Ｒはアルキル、シク
ロアルキル、ヒドロキシアルキル、カルボキシアルキル
であり、ＸはＦまたはＨで表わされる。〕 で表わされる含フツ素ポリマであることを特徴とする。
一部または全部を成膜材料によって被覆された上、Ｗ脂
組成物をもって封止成形されてなる半導体装置において
、成膜材料が一般式〔■〕〔式中、Ｒはアルキル、シク
ロアルキル、ヒドロキシアルキル、カルボキシアルキル
であり、ＸはＦまたはＨで表わされる。〕 で表わされる含フツ素ポリマであることを特徴とする。
半導体素子およびリード線等を含む回路がその表面の一
部または全部を成膜材料によって被覆された上、樹脂組
成物をもって封止成形されてなる半導体装置において、
成膜材料が一般式（１）〔式中、Ｒはアルキル、シクロ
アルキル、ヒドロキシアルキル、カルボキシアルキルで
あり、ＸはＦまたはＨで表わされる。〕 で表わされるフルオロオレフィンと炭化水素系ビニルエ
ーテルモノマとの交互共重合体と、ペテロ環を有する共
重族ポリマであることを特徴とする。
部または全部を成膜材料によって被覆された上、樹脂組
成物をもって封止成形されてなる半導体装置において、
成膜材料が一般式（１）〔式中、Ｒはアルキル、シクロ
アルキル、ヒドロキシアルキル、カルボキシアルキルで
あり、ＸはＦまたはＨで表わされる。〕 で表わされるフルオロオレフィンと炭化水素系ビニルエ
ーテルモノマとの交互共重合体と、ペテロ環を有する共
重族ポリマであることを特徴とする。
半導体素子およびリード線等を含む回路が、その表面の
一部または全部を成膜材料によって被覆された上、樹脂
封止物をもって封止成形されてなる半導体装置において
、成膜材料が一般式〔！〕〔式中、Ｒはアルキル、シク
ロアルキル、ヒドロキシアルキル、カルボキシアルキル
であり、ＸはＦまたはＩ（で表わされる。〕 で表わされるフルオロオレフィンと炭化水素系ビニルエ
ーテルモノマとの交互共重合体と、シロキサン骨格を有
するポリマとより成ることを特徴とする。
一部または全部を成膜材料によって被覆された上、樹脂
封止物をもって封止成形されてなる半導体装置において
、成膜材料が一般式〔！〕〔式中、Ｒはアルキル、シク
ロアルキル、ヒドロキシアルキル、カルボキシアルキル
であり、ＸはＦまたはＩ（で表わされる。〕 で表わされるフルオロオレフィンと炭化水素系ビニルエ
ーテルモノマとの交互共重合体と、シロキサン骨格を有
するポリマとより成ることを特徴とする。
本発明において、一般式（１）で表わされるフルオロオ
レフィンと炭化水素系ビニルエーテルモノマとの交互共
重合体は、具体的には有機合成化学、 ４２． Ｎｏ９
、 Ｐａｇｅ８４１〜８４９ （１９８４）に記載の
種々の共重合体を含み、旭硝子に、によリルミフロンの
名称で市販されているフッ素樹脂が代表的なものである
。
レフィンと炭化水素系ビニルエーテルモノマとの交互共
重合体は、具体的には有機合成化学、 ４２． Ｎｏ９
、 Ｐａｇｅ８４１〜８４９ （１９８４）に記載の
種々の共重合体を含み、旭硝子に、によリルミフロンの
名称で市販されているフッ素樹脂が代表的なものである
。
また、本発明において、ペテロ環を有する共重族ポリマ
としては、例えば、ポリイミド、ポリベンズイミダゾー
ル、ポリオキサゾールポリチアゾール、などがあり、上
記ポリマの１種以上を併用することも出来る。
としては、例えば、ポリイミド、ポリベンズイミダゾー
ル、ポリオキサゾールポリチアゾール、などがあり、上
記ポリマの１種以上を併用することも出来る。
また、本発明において、シロキサン骨格を有するポリマ
としては例えば、また、本発明において封止用の樹脂組
成物としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂
、ジアリルフタレート樹脂。
としては例えば、また、本発明において封止用の樹脂組
成物としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂
、ジアリルフタレート樹脂。
メラミン樹脂、尿素樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ウ
レタン樹脂、耐加型ボリイミ脂樹脂、ポリパラヒドロキ
シスチレン樹脂、シリコーン樹脂。
レタン樹脂、耐加型ボリイミ脂樹脂、ポリパラヒドロキ
シスチレン樹脂、シリコーン樹脂。
パーフルオロエチレン樹脂などが用いられる。
これらの中では、特にエポキシ樹脂組成物が有用である
。
。
本発明において多官能エポキシ化合物としては、例えば
ビスフェノールＡのジグリシジルエーテル。
ビスフェノールＡのジグリシジルエーテル。
ブタジエンジエポキサイド、３，４−エポキシシクロヘ
キシルメチル−（３，４−エポキシ）シクロヘキサンカ
ルボキシレート、ビニルシクロヘキサンジオキシド、４
．４’−ジ（１，２−エポキシエチル）ジフェニルエー
テル、４．４’ −（１゜２−エポキシエチル）ビフェ
ニル、２，２−ビス（３，４−エポキシシクロヘキシル
）プロパン。
キシルメチル−（３，４−エポキシ）シクロヘキサンカ
ルボキシレート、ビニルシクロヘキサンジオキシド、４
．４’−ジ（１，２−エポキシエチル）ジフェニルエー
テル、４．４’ −（１゜２−エポキシエチル）ビフェ
ニル、２，２−ビス（３，４−エポキシシクロヘキシル
）プロパン。
レゾルシンのグリシジエーテル、フロログルシンのジグ
リシジルエーテル、メチルフロログルシンのジグリシジ
ルエーテル、ビス−（２，３−エボキシシグロペンチル
）エーテル、２’−（３，４−エポキシ）シクロヘキサ
ン−５，５−スピロ（３゜４−エポキシ）−シクロヘキ
サン−ｍ−ジオキサン、ビス−（３，４−エポキシ−６
−メチルシクロヘキシル）アジペート、Ｎ、Ｎ’ −ｍ
−フェニレンビス（４，，５−エポキシ−１，２−シク
ロヘキサジ）ジカルボキシイミドなどの２官能のエポキ
シ化合物、パラアミノフェノールのトリグリシジルエー
テル、ポリアリルグリシジルエーテル。
リシジルエーテル、メチルフロログルシンのジグリシジ
ルエーテル、ビス−（２，３−エボキシシグロペンチル
）エーテル、２’−（３，４−エポキシ）シクロヘキサ
ン−５，５−スピロ（３゜４−エポキシ）−シクロヘキ
サン−ｍ−ジオキサン、ビス−（３，４−エポキシ−６
−メチルシクロヘキシル）アジペート、Ｎ、Ｎ’ −ｍ
−フェニレンビス（４，，５−エポキシ−１，２−シク
ロヘキサジ）ジカルボキシイミドなどの２官能のエポキ
シ化合物、パラアミノフェノールのトリグリシジルエー
テル、ポリアリルグリシジルエーテル。
１．３．５−トリ（１，２−エポキシエチル）ベンセン
、２．２’ 、４．４’ −テトラグリシドキシベンゾ
フェノン、テトラグリシドキシテトラフェニルエタン、
フェノールホルムアルデヒドノボラックのポリグリシジ
ルエーテル、グリセリンのトリグリシジルエーテル、ト
リメチロールプロパンのトリグリシジルエーテルなど３
官能以上のエポキシ化合物が用いられる。
、２．２’ 、４．４’ −テトラグリシドキシベンゾ
フェノン、テトラグリシドキシテトラフェニルエタン、
フェノールホルムアルデヒドノボラックのポリグリシジ
ルエーテル、グリセリンのトリグリシジルエーテル、ト
リメチロールプロパンのトリグリシジルエーテルなど３
官能以上のエポキシ化合物が用いられる。
次に、フェノールとアルデヒドとの縮合反応物（Ｔ３）
としては、各種のフェノール系化合物とアルデヒド系化
合物とを、酸性もしくは塩基性触媒の存在において、付
加縮合反応させることにより生成される樹脂類が使用さ
れ、特にフェノール。
としては、各種のフェノール系化合物とアルデヒド系化
合物とを、酸性もしくは塩基性触媒の存在において、付
加縮合反応させることにより生成される樹脂類が使用さ
れ、特にフェノール。
クレゾールなどとホルムアルデヒドとを用いて、酸性触
媒反応によって合成されるノボラック樹脂が有用である
。
媒反応によって合成されるノボラック樹脂が有用である
。
さらに、本発明においては、前記３成分を含む組成物の
硬化反応を促進する目的で各種の触媒を添加することが
でき、この触媒としては、例えばトリエタノールアミン
、テトラメチルブタンジアミン、テトラメチルペンタン
ジアミン、テトラメチルヘキサンジアミン、トリエチレ
ンジアミン及びジメチルアニリン等の第３級アミン、ジ
メチルアミノエタノール及びジメチルアミノペンタノー
ル等のオキシアルキルアミンならびにトリス（ジメチル
アミノメチル）フェノール及びメチルモルホリン等のア
ミン類を適用することができる。
硬化反応を促進する目的で各種の触媒を添加することが
でき、この触媒としては、例えばトリエタノールアミン
、テトラメチルブタンジアミン、テトラメチルペンタン
ジアミン、テトラメチルヘキサンジアミン、トリエチレ
ンジアミン及びジメチルアニリン等の第３級アミン、ジ
メチルアミノエタノール及びジメチルアミノペンタノー
ル等のオキシアルキルアミンならびにトリス（ジメチル
アミノメチル）フェノール及びメチルモルホリン等のア
ミン類を適用することができる。
又、同じ目的で、触媒として、例えばセチルトリメチル
アンモニウムブロマイド、セチルトリメチルアンモニウ
ムクロライド、ドデシルトリメチルアンモニウムアイオ
ダイド、トリメチルドデシルアンモニウムクロライド、
ベンジルジメチルテトラデシルアンモニウムクロライド
、ベンジルメチルパルミチルアンモニウムクロライド、
アリルドデシルトリメチルアンモニラ１１ブロマイド、
ペンジルジメチルステアリルアンモニラ１１ブロマイド
、ステアリルトリメチルアンモニウムクロライド及びベ
ンジルジメチルテトラデシルアンモニウムアセテート等
の第４級アンモニウム塩を適用することができ、更には
、２−ウンデシルイミダゾール、２−メチルイミダゾー
ル、２−エチルイミダゾール２−ヘプタデシルイミダゾ
ール、２−メチル−４−エチルイミダゾール、１−ブチ
ルイミダゾール、１−プロピル−２−メチルイミダゾー
ル、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール、１−シア
ノエチル−２−メチルイミダゾール、１−シアノエチル
−２−ウンデシルイミダゾール、１−シアノエチル−２
−フェニルイミダゾール、１−アジン−２−メチルイミ
ダゾール及び１−アジン−２−ウンデシルイミダゾール
等のイミダゾール化合物あるいは又、トリフェニルホス
フィンテトラフェニルボレート、トリエチルアミンテト
ラフェニルボレート、Ｎ−メチルモルホリンテトラフェ
ニルボレート、ピリジンテトラフェニルボレート２−エ
チル−４−メチルイミダゾールテトラフェニルボレート
及び２−エチル−１，４−ジメチルイミダゾールテトラ
フェニルボレート等のテトラフェニルボロン塩等が有用
である。
アンモニウムブロマイド、セチルトリメチルアンモニウ
ムクロライド、ドデシルトリメチルアンモニウムアイオ
ダイド、トリメチルドデシルアンモニウムクロライド、
ベンジルジメチルテトラデシルアンモニウムクロライド
、ベンジルメチルパルミチルアンモニウムクロライド、
アリルドデシルトリメチルアンモニラ１１ブロマイド、
ペンジルジメチルステアリルアンモニラ１１ブロマイド
、ステアリルトリメチルアンモニウムクロライド及びベ
ンジルジメチルテトラデシルアンモニウムアセテート等
の第４級アンモニウム塩を適用することができ、更には
、２−ウンデシルイミダゾール、２−メチルイミダゾー
ル、２−エチルイミダゾール２−ヘプタデシルイミダゾ
ール、２−メチル−４−エチルイミダゾール、１−ブチ
ルイミダゾール、１−プロピル−２−メチルイミダゾー
ル、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール、１−シア
ノエチル−２−メチルイミダゾール、１−シアノエチル
−２−ウンデシルイミダゾール、１−シアノエチル−２
−フェニルイミダゾール、１−アジン−２−メチルイミ
ダゾール及び１−アジン−２−ウンデシルイミダゾール
等のイミダゾール化合物あるいは又、トリフェニルホス
フィンテトラフェニルボレート、トリエチルアミンテト
ラフェニルボレート、Ｎ−メチルモルホリンテトラフェ
ニルボレート、ピリジンテトラフェニルボレート２−エ
チル−４−メチルイミダゾールテトラフェニルボレート
及び２−エチル−１，４−ジメチルイミダゾールテトラ
フェニルボレート等のテトラフェニルボロン塩等が有用
である。
上記の触媒はその２種以上を併用することもでき、その
量は、多官能エポキシ化合物（Ａ） １００に対して、
重量比で、０．０１〜２０の範囲で用いればよい。
量は、多官能エポキシ化合物（Ａ） １００に対して、
重量比で、０．０１〜２０の範囲で用いればよい。
また、本発明のエポキシ樹脂組成物には、その用途、使
用目的に応じて、例えば炭酸カルシウム。
用目的に応じて、例えば炭酸カルシウム。
シリカ、アルミナ、チタニア、水酸化アルミニウム、ケ
イ酸アルミニウム、ケイ酸ジルコニウム。
イ酸アルミニウム、ケイ酸ジルコニウム。
ジルコン、ガラス、タルク、マイカ、黒鉛、アルミニウ
ム、銅、鉄などの粉末や短繊維状充填剤、脂肪酸及びワ
ックス類等の離型剤、エポキシシラン、ビニルシラン、
ボラン系化合物及びアルキルチタネート系化合物等のカ
ップリング剤、そしてさらに、アンチモンやリンの化合
物及びハロゲン含有化合物のような歿燃剤を加えること
ができる。
ム、銅、鉄などの粉末や短繊維状充填剤、脂肪酸及びワ
ックス類等の離型剤、エポキシシラン、ビニルシラン、
ボラン系化合物及びアルキルチタネート系化合物等のカ
ップリング剤、そしてさらに、アンチモンやリンの化合
物及びハロゲン含有化合物のような歿燃剤を加えること
ができる。
本発明の樹脂組成物は、上記した成分をロール。
ニーダ−、コニーダー、またはヘンシェルミキサー等を
用いて加熱（約７０〜８０℃）混練することによって調
製される。また、成分化合物が固体である場合には、微
粉化した後混合するトライブレンド法によって配合する
こともできる。、得られた組成物は約１５０〜２００℃
の温度で短時間に硬化できる。
用いて加熱（約７０〜８０℃）混練することによって調
製される。また、成分化合物が固体である場合には、微
粉化した後混合するトライブレンド法によって配合する
こともできる。、得られた組成物は約１５０〜２００℃
の温度で短時間に硬化できる。
以下に実施例を述べる。
５００ｍｕの三角フラスコ中に、２５０ｍＱのＮ−メチ
ルピロリドンを採り、次式 で表わされる含フツ素樹脂（ＰＦＡ樹脂）を第１表に記
した所定配合量を加え、加熱撹拌して溶解し、４種類の
含フツ素樹脂溶液を作成した。
ルピロリドンを採り、次式 で表わされる含フツ素樹脂（ＰＦＡ樹脂）を第１表に記
した所定配合量を加え、加熱撹拌して溶解し、４種類の
含フツ素樹脂溶液を作成した。
次いで、これらの溶液にそれぞれ、ポリイミド摩駆体（
ビフェニルテトラカルボン酸とＰ−フェニレンジアミン
とのボリアミツド酸ワニス）、あるいはアルミニウムキ
レートＡＬＣＴ−ＴＲ（用研ファインケミカル社）をそ
れぞれ所定量添加して溶解させ被覆用組成物を得る。
ビフェニルテトラカルボン酸とＰ−フェニレンジアミン
とのボリアミツド酸ワニス）、あるいはアルミニウムキ
レートＡＬＣＴ−ＴＲ（用研ファインケミカル社）をそ
れぞれ所定量添加して溶解させ被覆用組成物を得る。
次いで、６４にビットＤ−ＲＡＭメモリ用ＬＳＩ （
１６ビン）の素子及びリード線（ワイヤボンディングを
含む）上に、上記被覆用組成物の溶液を滴下した。その
後、１００℃で１時間。
１６ビン）の素子及びリード線（ワイヤボンディングを
含む）上に、上記被覆用組成物の溶液を滴下した。その
後、１００℃で１時間。
２００℃で１時間、２５０℃で３０分加熱を続け、素子
上に３０〜６０μｍの厚さの被覆膜を得た。
上に３０〜６０μｍの厚さの被覆膜を得た。
次いで、少なくともフェノキシ樹脂を含む組成物で被覆
された上記メモリ用ＬＳＩ素子は、下記のエポキシ樹脂
組成物で、トランスファ成形（１８０℃、７０ｋｇ／ｆ
ｆｌ、１．５ 分成形）により封止され、樹脂封止型半
導体装置を得た。それぞれ１００ケのＬＳＩについて耐
湿信頼性を評価した。結果を第１表に記した。なお、比
較の為にフェノキシ樹脂を含まない樹脂組成物を用いた
ものも比較例として記載した。
された上記メモリ用ＬＳＩ素子は、下記のエポキシ樹脂
組成物で、トランスファ成形（１８０℃、７０ｋｇ／ｆ
ｆｌ、１．５ 分成形）により封止され、樹脂封止型半
導体装置を得た。それぞれ１００ケのＬＳＩについて耐
湿信頼性を評価した。結果を第１表に記した。なお、比
較の為にフェノキシ樹脂を含まない樹脂組成物を用いた
ものも比較例として記載した。
−封止用エポキシ樹脂組成物の作成−
エポキシ化合物として、トリス（ヒドロキシフェニルメ
タン）ベースの多官能エポキシ化合物。
タン）ベースの多官能エポキシ化合物。
Ｘ Ｄ −９０５３（ｘボキシ当量２２５）１００重量
部。
部。
硬化剤として、ノボラック型フェノール樹脂ＨＰ−６０
７Ｎ （日立化成社）５５重量部、硬化促進剤として、
トリエチルアミンテトラフェニルボレート（ＴＥＡ−Ｋ
）３重量部、カップリング剤として、エポキシシランＫ
ＢＭ３０３ （信越化学社）２重量部、難燃材として、
付加型イミドコート赤リン５重量部、離型剤として、ス
テアリン酸カルシウｂ ２重量部、カルナワックス１重
量部、充填材として５溶融石英ガラス粉７５重量パーセ
ント、着色剤として、カーボンブラック（キャボット社
）２重量部、添加化合物として重量部を配合した。
７Ｎ （日立化成社）５５重量部、硬化促進剤として、
トリエチルアミンテトラフェニルボレート（ＴＥＡ−Ｋ
）３重量部、カップリング剤として、エポキシシランＫ
ＢＭ３０３ （信越化学社）２重量部、難燃材として、
付加型イミドコート赤リン５重量部、離型剤として、ス
テアリン酸カルシウｂ ２重量部、カルナワックス１重
量部、充填材として５溶融石英ガラス粉７５重量パーセ
ント、着色剤として、カーボンブラック（キャボット社
）２重量部、添加化合物として重量部を配合した。
次いで、７０−８５℃の８インチ２本ロールで７分間混
練した後、粗粉砕して半導体封止用樹脂組成物を得た。
練した後、粗粉砕して半導体封止用樹脂組成物を得た。
次いで該樹脂組成物は、２５６にビットＤ−ＲＡＭメモ
リＬＳＩの素子１００ケを充填した金型をセットしたト
ランスファ成形機により、１８０°Ｃ，’７０ｋｇｆ／
ａｌ、１．５ 分の条件で成形された。
リＬＳＩの素子１００ケを充填した金型をセットしたト
ランスファ成形機により、１８０°Ｃ，’７０ｋｇｆ／
ａｌ、１．５ 分の条件で成形された。
得られた樹脂封止型半導体装置は、１２１℃。
２気圧の過飽和水蒸気（プレッシャ、ダッカ釜）中に投
入された後２所定時間各に取り出し、ＬＳＩの′６気的
動作が正常であるか否かをチェックした。
入された後２所定時間各に取り出し、ＬＳＩの′６気的
動作が正常であるか否かをチェックした。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、半導体装置およびリード線等を含む回路が、その表
面の一部または全部を成膜材料によつて被覆されてなる
半導体装置において、成膜材料が一般式〔 I 〕 ▲数式、化学式、表等があります▼〔 I 〕 〔式中、Ｒはアルキル、シクロアルキル、ヒドロキシア
ル、カルボキシアルキルであり、ＸはＦまたはＨで表わ
されるフルオロオレフィンと炭化水素系ビニルエーテル
モノマとの交互共重合体を基本格骨とする含フッ素ポリ
マであることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25077985A JPS62111453A (ja) | 1985-11-11 | 1985-11-11 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25077985A JPS62111453A (ja) | 1985-11-11 | 1985-11-11 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62111453A true JPS62111453A (ja) | 1987-05-22 |
Family
ID=17212917
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25077985A Pending JPS62111453A (ja) | 1985-11-11 | 1985-11-11 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62111453A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0366282A2 (en) * | 1988-10-27 | 1990-05-02 | Dow Corning S.A. | Cavity packages |
| JPH02208321A (ja) * | 1989-02-07 | 1990-08-17 | Toray Ind Inc | Ｌｓｉ塔載用実装基板用ポリイミド |
| US5288948A (en) * | 1989-06-26 | 1994-02-22 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Structure of a semiconductor chip having a conductive layer |
| US6302485B1 (en) | 1999-08-09 | 2001-10-16 | Aisin Seiki Kabushiki Kaisha | Head rest device for vehicles |
| JP2013157400A (ja) * | 2012-01-27 | 2013-08-15 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
-
1985
- 1985-11-11 JP JP25077985A patent/JPS62111453A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0366282A2 (en) * | 1988-10-27 | 1990-05-02 | Dow Corning S.A. | Cavity packages |
| JPH02208321A (ja) * | 1989-02-07 | 1990-08-17 | Toray Ind Inc | Ｌｓｉ塔載用実装基板用ポリイミド |
| US5288948A (en) * | 1989-06-26 | 1994-02-22 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Structure of a semiconductor chip having a conductive layer |
| US6302485B1 (en) | 1999-08-09 | 2001-10-16 | Aisin Seiki Kabushiki Kaisha | Head rest device for vehicles |
| JP2013157400A (ja) * | 2012-01-27 | 2013-08-15 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
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