JPS61265847A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
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- JPS61265847A JPS61265847A JP60107025A JP10702585A JPS61265847A JP S61265847 A JPS61265847 A JP S61265847A JP 60107025 A JP60107025 A JP 60107025A JP 10702585 A JP10702585 A JP 10702585A JP S61265847 A JPS61265847 A JP S61265847A
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- JP
- Japan
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- resin
- semiconductor device
- resin composition
- general formula
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
- H01L23/293—Organic, e.g. plastic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、信頼性の高い動作が可能な樹脂封止型半導体
装置に関する。
装置に関する。
従来、樹脂封止型の半導体装置は、セラミックス封止型
の半導体装置に比べて、高温放置あるいは、高温高湿状
態(65〜85℃、95%相対湿度中、121℃、2気
圧過飽和水蒸気中)での動作信頼性の点で劣っていた。
の半導体装置に比べて、高温放置あるいは、高温高湿状
態(65〜85℃、95%相対湿度中、121℃、2気
圧過飽和水蒸気中)での動作信頼性の点で劣っていた。
樹脂封止型の半導体装置では、樹脂とリード線との隙間
、あるいは樹脂と半導体素子との界面に隙間が生じ、そ
の間隙を通じて外部から水分が浸入し、素子上のAt配
線、ボンディングバンド部などが、腐食し断線し易いた
めである。
、あるいは樹脂と半導体素子との界面に隙間が生じ、そ
の間隙を通じて外部から水分が浸入し、素子上のAt配
線、ボンディングバンド部などが、腐食し断線し易いた
めである。
そこで、この対策として素子表面のカップリング剤処理
により、樹脂との接着性を高める方法や、カップリング
剤を配合した樹脂組成物で封止する方法などが提案され
ている。
により、樹脂との接着性を高める方法や、カップリング
剤を配合した樹脂組成物で封止する方法などが提案され
ている。
しかし、これらの方法によっても、樹脂封止型半導体装
置の耐湿特性の充分な向上を達成するには至っていない
。
置の耐湿特性の充分な向上を達成するには至っていない
。
また、メモリ用LSIなどにおいては、高密度高集積度
化のすう勢が著しく、1セルの電荷容量が益々小さくな
ってきた。このために、パッケージ材料(例えば、封止
用樹脂組成物中のフィラー)に微量台まれているウラン
、トリウムから発生するα線エネルギーによシ、セル中
の電荷容量の調節動作に不良を生ずる(ソフトエラー)
問題がある。
化のすう勢が著しく、1セルの電荷容量が益々小さくな
ってきた。このために、パッケージ材料(例えば、封止
用樹脂組成物中のフィラー)に微量台まれているウラン
、トリウムから発生するα線エネルギーによシ、セル中
の電荷容量の調節動作に不良を生ずる(ソフトエラー)
問題がある。
この対策としては、半導体素子及びリード線と、封止材
料との間に高純度のα線遮へい材(例えばポリイミドな
ど)を設けることが行われている。しかし、α線遮へい
材は、半導体素子との密着性、接着性に劣シ、先に述べ
たAA配線の腐食防止の点で必ずしも効果を上げるに至
っていない。
料との間に高純度のα線遮へい材(例えばポリイミドな
ど)を設けることが行われている。しかし、α線遮へい
材は、半導体素子との密着性、接着性に劣シ、先に述べ
たAA配線の腐食防止の点で必ずしも効果を上げるに至
っていない。
本発明の目的は、高温放置あるいは、高温高湿下におい
ても、信頼性の高い動作が可能な樹脂封止型半導体装置
を提供することにある。
ても、信頼性の高い動作が可能な樹脂封止型半導体装置
を提供することにある。
本発明を概説すれば、本発明は樹脂封止型半導体装置に
関する発明であって、半導体装置の少なくとも一部を、
下記一般式I: I ?H− (式中mは零、1又は2の数を示す)で表される多官能
性エポキシ化合物を含有する樹脂組成物で被覆及び/又
は封止してなることを特徴とする。
関する発明であって、半導体装置の少なくとも一部を、
下記一般式I: I ?H− (式中mは零、1又は2の数を示す)で表される多官能
性エポキシ化合物を含有する樹脂組成物で被覆及び/又
は封止してなることを特徴とする。
該樹脂組成物において上記式!で表される多官能エポキ
シ化合物と併用できる化合物の例としては、ノボラック
型フェノール樹脂、ポリ−p−ヒドロキシスチレン、下
記一般式II:で表されるグリセリントリス(トリメリ
テート〕、下記一般式m: (式中Rは水素又は臭素を示す)で表されるフェノキシ
ホスファゼンの3量体と4量体の混合物、含窒Xフルオ
ロカーボンポリマー、ウレトジオン環を有するインシア
ネート系化合物、マレイミド系化合物、硬化剤、及びエ
ポキシ基と反応可能な官能基を有するゴム成分よりなる
群から選択した少なくとも1種の成分がある。
シ化合物と併用できる化合物の例としては、ノボラック
型フェノール樹脂、ポリ−p−ヒドロキシスチレン、下
記一般式II:で表されるグリセリントリス(トリメリ
テート〕、下記一般式m: (式中Rは水素又は臭素を示す)で表されるフェノキシ
ホスファゼンの3量体と4量体の混合物、含窒Xフルオ
ロカーボンポリマー、ウレトジオン環を有するインシア
ネート系化合物、マレイミド系化合物、硬化剤、及びエ
ポキシ基と反応可能な官能基を有するゴム成分よりなる
群から選択した少なくとも1種の成分がある。
また、本発明の半導体装置の例には、半導体素子及びリ
ード線を該樹脂組成物で被覆し、無機質光てん材を含有
する樹脂組成物で封止したものがある。
ード線を該樹脂組成物で被覆し、無機質光てん材を含有
する樹脂組成物で封止したものがある。
本発明において、一般式!で表されるトリス(ヒドロキ
シフェニルコメタンをペーストスル多官能エポキシ化合
物は、米国特許第4.594゜496号明細−WE記載
されている製法によシ得られ、ダウケミ力A/ (Do
w Chemical ) 社よりXD−9053の
商品名で市販されている。
シフェニルコメタンをペーストスル多官能エポキシ化合
物は、米国特許第4.594゜496号明細−WE記載
されている製法によシ得られ、ダウケミ力A/ (Do
w Chemical ) 社よりXD−9053の
商品名で市販されている。
本発明において、グリセリントリス(トリメリテートを
主成分とする化合物とは、一般式■で表される、新日本
理化社からリカレジンTMTA (軟化点65〜85℃
)の商品名で市販されている化合物を主成分とする多官
能カルボン酸無水物を云い、50重fits以下の商品
名:リカレジンTMI!iG (新日本理化社製)ある
いは、 晶3 商品名: リカレジンETA−37(新日本理化社製)
などを含むことも、本発明の効果を損なわない範囲内で
可能である。また、無水マレイン酸、無水テトラヒドロ
フタル酸、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸、
無水ベンゾフェノンテトラカルボン酸、無水ビフェニル
テトラカルボン酸など公知のカルボン酸系化合物と併用
することもできる。
主成分とする化合物とは、一般式■で表される、新日本
理化社からリカレジンTMTA (軟化点65〜85℃
)の商品名で市販されている化合物を主成分とする多官
能カルボン酸無水物を云い、50重fits以下の商品
名:リカレジンTMI!iG (新日本理化社製)ある
いは、 晶3 商品名: リカレジンETA−37(新日本理化社製)
などを含むことも、本発明の効果を損なわない範囲内で
可能である。また、無水マレイン酸、無水テトラヒドロ
フタル酸、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸、
無水ベンゾフェノンテトラカルボン酸、無水ビフェニル
テトラカルボン酸など公知のカルボン酸系化合物と併用
することもできる。
また、本発明において、一般式■で表されるフェノキン
ホスファゼンの3〜4を体、!:しては、フェノキシホ
スファゼン(新日曹化工社製P−3800など)、p−
ブロモフェノキ7ホスフアゼン(新日曹化工社B−38
00)などがある。これらには更に、一般式: (式中nは正の整数)で表される、ボ’J)ルフルオロ
エトキシホスファゼンを併用して用いることもできる。
ホスファゼンの3〜4を体、!:しては、フェノキシホ
スファゼン(新日曹化工社製P−3800など)、p−
ブロモフェノキ7ホスフアゼン(新日曹化工社B−38
00)などがある。これらには更に、一般式: (式中nは正の整数)で表される、ボ’J)ルフルオロ
エトキシホスファゼンを併用して用いることもできる。
また、本発明においては、含窒素フルオロポリマーを添
加して用いることもできる。含窒素フルオロカーボンポ
リマーとしては、例えば次のようなものがある(式中p
及びqは整数を示す)。
加して用いることもできる。含窒素フルオロカーボンポ
リマーとしては、例えば次のようなものがある(式中p
及びqは整数を示す)。
CF!1
3C−OF
o−ay含−ay、−cH!N(cHs)=OF’。
醤
ay ツ、−OF =、−OF、−OH,ヒN(CHs
)+≧ay。
)+≧ay。
CH2N (c)i、 )。
○
CF2−C’IP!−CE、N (CH,−CE5)。
CF2
CF。
CF3−CF
o−apt−aH,N(cas)。
CF2
また、本発明において、ウレトジオン環を有するインシ
アネート系化合物としては、例えば、次式で表されるも
のがある。
アネート系化合物としては、例えば、次式で表されるも
のがある。
nは整数、U/、 U# :脂肪族、芳香族、脂環式の
2価の炭化水素基であり、R/、 RIとしては芳香族
炭化水素基が有用である。
2価の炭化水素基であり、R/、 RIとしては芳香族
炭化水素基が有用である。
このようなものとしては、例えば1.3−ビス(3−イ
ンシアナー)−o−)リル)λ4−ウレテジンジオン、
1,3−ビス(3−イソシアナ−)−p−)リル)−2
,4−ウレチジンジオン、1.3−ビス(3−インシア
ナート−4−メトキシフェニル) −2,4−ウレチジ
ンジオン、1.3−ビスC4−(4−インシアナートフ
ェニルメチル)フェニル3−2.4−ウレテジンジオン
などがある。
ンシアナー)−o−)リル)λ4−ウレテジンジオン、
1,3−ビス(3−イソシアナ−)−p−)リル)−2
,4−ウレチジンジオン、1.3−ビス(3−インシア
ナート−4−メトキシフェニル) −2,4−ウレチジ
ンジオン、1.3−ビスC4−(4−インシアナートフ
ェニルメチル)フェニル3−2.4−ウレテジンジオン
などがある。
上記、ウレトジオン環を有するジイソシアネート化合物
とエポキシ化合物との混合物は、高温下で、インシアヌ
レート環とオキサゾリドン環を形成し、その中にブタジ
ェン系重合体、クロキサン重合体などのゴム粒子が分散
した状態で存在すると優れた耐熱性と低い弾性率を兼ね
備えた硬化物が生成される。
とエポキシ化合物との混合物は、高温下で、インシアヌ
レート環とオキサゾリドン環を形成し、その中にブタジ
ェン系重合体、クロキサン重合体などのゴム粒子が分散
した状態で存在すると優れた耐熱性と低い弾性率を兼ね
備えた硬化物が生成される。
本発明においては、上記、ウレトジオン環を有するジイ
ンシアネート化合物とエポキシ化合物の配合割合につい
ては、ウレトジオン環が熱解離して生ずるインシアネー
ト基を含むインシアネート基の全量が、エポキシ化合物
のエボキン基1モルに対してα6〜1α0モルの割合で
あることが望ましい。
ンシアネート化合物とエポキシ化合物の配合割合につい
ては、ウレトジオン環が熱解離して生ずるインシアネー
ト基を含むインシアネート基の全量が、エポキシ化合物
のエボキン基1モルに対してα6〜1α0モルの割合で
あることが望ましい。
本発明において、\N′−置換ビスマレイミド化合物と
しては例えば、N、N’−エチレンジマレイミド、N、
N′−エチレンビス〔2−メチルマレイミド]、N、N
’−)リメチレンジマレイミド、N、 N’−テトラメ
チレンジマレイミド、N、N’−へキサメチレンジマレ
イミド K N/−へキサメチレンビス[2−メチルマ
レイミド]、y、u’−)”デカメチレンジマレイミド
、NIN’−m−フェニレンジマレイミド、\N’−p
−Nニーレンジマレイミド、14.N’−(オキシ−p
−)ユニしン)シマレイミド、Bl、N’−(メチレン
−ジーP−フェニレン)シマレイミ)”、N、N’−(
メfし/−ジ−p−フェニレン)ビス〔2−メチルマレ
イミドl、an’−z4−)リレンシマレイミド、N、
N’−2,6−トリレンジマレイミド、N、 N’ −
m−キンリレンシマレイミド、3N’−p−キシリレン
シマレイミド、N、N′−オキシプロピレンジマレイミ
ド、N、N’−エチレンビス(オキ7プロピレンマレイ
ミド)、xn’−オキ7ジエチレンジマレイミドなどが
あり、これらの少なくとも1種が用いられる。
しては例えば、N、N’−エチレンジマレイミド、N、
N′−エチレンビス〔2−メチルマレイミド]、N、N
’−)リメチレンジマレイミド、N、 N’−テトラメ
チレンジマレイミド、N、N’−へキサメチレンジマレ
イミド K N/−へキサメチレンビス[2−メチルマ
レイミド]、y、u’−)”デカメチレンジマレイミド
、NIN’−m−フェニレンジマレイミド、\N’−p
−Nニーレンジマレイミド、14.N’−(オキシ−p
−)ユニしン)シマレイミド、Bl、N’−(メチレン
−ジーP−フェニレン)シマレイミ)”、N、N’−(
メfし/−ジ−p−フェニレン)ビス〔2−メチルマレ
イミドl、an’−z4−)リレンシマレイミド、N、
N’−2,6−トリレンジマレイミド、N、 N’ −
m−キンリレンシマレイミド、3N’−p−キシリレン
シマレイミド、N、N′−オキシプロピレンジマレイミ
ド、N、N’−エチレンビス(オキ7プロピレンマレイ
ミド)、xn’−オキ7ジエチレンジマレイミドなどが
あり、これらの少なくとも1種が用いられる。
また、本発明におけるブタジェン系重合体としては、分
子量約300〜1Q、口00の1.2−ポリプタジエ/
、及び1.4−ポリブタジェン並びにブタジェン−スチ
レン共重合体及びブタジェン−アクリロニトリル共重合
体、そして更に末端に反応性基として、カルホキフル基
、水酸基、アミン基及びビニル基などを有するそれらの
重合体などを挙げることができ、これらは日本曹達、宇
部興産、及び三井ポリケミカルなどの各社より市販され
ている。
子量約300〜1Q、口00の1.2−ポリプタジエ/
、及び1.4−ポリブタジェン並びにブタジェン−スチ
レン共重合体及びブタジェン−アクリロニトリル共重合
体、そして更に末端に反応性基として、カルホキフル基
、水酸基、アミン基及びビニル基などを有するそれらの
重合体などを挙げることができ、これらは日本曹達、宇
部興産、及び三井ポリケミカルなどの各社より市販され
ている。
本発明の封止用樹脂組成物には、従来公知のエポキシ樹
脂、例えばビスフェノールAのジグリシジルエーテル、
ブタジエンジエボキシド、3.4−エボキシンクロペキ
ンルメチル−(44−エボキシ)シクロヘキサンカルボ
キンレート、ビニルンクロヘキサンジオキシド、4.4
’−ジ(1,2−エポキシエチル)ジフェニルエーテル
、4、4’−(1,2−エポキシエチル)ビフェニル、
2.2−ビス(瓜4−エボキシンクロヘキシル)プロパ
ン、レゾルシンのグリシジルエーテル、フロログルシン
のジグリシジルエーテル、メチル70ログルシンのジグ
リシジルx −テA/、gx−(2,s’−エボキンン
クロベンチル)エーテル、2−(3,4−エポキシ)シ
クロヘキサン−s、 s −スヒロ(へ4−エポキシ)
−7クロヘキサン−m−ジオキサン、ビス−(44−エ
ポキシ−6−メチルンクロヘキシル)アジペート、\N
’−m−フ二二レンビス(し、5−エボキ7−1.2−
シクロヘキサン)ジカルポキンイミドなどの2官能性の
エポキシ化合物、パラアミノフェノールのトリグリシジ
ルエーテル、ポリアリルグリシジルエーテル、1. A
5− )す(1,2−エポキシエチル)ベンゼン、2
.2.’ 4.4’−テトラグリシドキンベンゾフェノ
ン、フェノールホルムアルデヒドノボラックのポリグリ
ンジルエーテル、グリセリンのトリグリシジルエーテル
、トリメチロールプロパンのトリグリシジルエーテルな
ど3官能性以上のエポキシ化合物が用いられる。
脂、例えばビスフェノールAのジグリシジルエーテル、
ブタジエンジエボキシド、3.4−エボキシンクロペキ
ンルメチル−(44−エボキシ)シクロヘキサンカルボ
キンレート、ビニルンクロヘキサンジオキシド、4.4
’−ジ(1,2−エポキシエチル)ジフェニルエーテル
、4、4’−(1,2−エポキシエチル)ビフェニル、
2.2−ビス(瓜4−エボキシンクロヘキシル)プロパ
ン、レゾルシンのグリシジルエーテル、フロログルシン
のジグリシジルエーテル、メチル70ログルシンのジグ
リシジルx −テA/、gx−(2,s’−エボキンン
クロベンチル)エーテル、2−(3,4−エポキシ)シ
クロヘキサン−s、 s −スヒロ(へ4−エポキシ)
−7クロヘキサン−m−ジオキサン、ビス−(44−エ
ポキシ−6−メチルンクロヘキシル)アジペート、\N
’−m−フ二二レンビス(し、5−エボキ7−1.2−
シクロヘキサン)ジカルポキンイミドなどの2官能性の
エポキシ化合物、パラアミノフェノールのトリグリシジ
ルエーテル、ポリアリルグリシジルエーテル、1. A
5− )す(1,2−エポキシエチル)ベンゼン、2
.2.’ 4.4’−テトラグリシドキンベンゾフェノ
ン、フェノールホルムアルデヒドノボラックのポリグリ
ンジルエーテル、グリセリンのトリグリシジルエーテル
、トリメチロールプロパンのトリグリシジルエーテルな
ど3官能性以上のエポキシ化合物が用いられる。
上記化合物は、用途、目的に応じてim以上併用して使
用することも出来る。これらのエポキシ樹脂には硬化剤
が併用される。それらに、垣内弘著:エボキシ樹脂(昭
′Ju45年9月、昭屍堂発行〕第109〜149頁、
リー、ネビル(Lee 、 Nevl’le )著:
エポキシ レジンス(Epoxy Re5ins )
二z −ヨーク匝、−r 7 i 。
用することも出来る。これらのエポキシ樹脂には硬化剤
が併用される。それらに、垣内弘著:エボキシ樹脂(昭
′Ju45年9月、昭屍堂発行〕第109〜149頁、
リー、ネビル(Lee 、 Nevl’le )著:
エポキシ レジンス(Epoxy Re5ins )
二z −ヨーク匝、−r 7 i 。
ウーヒル ブック カンパニー インコーホレーテッド
(Mc Graw−Hlll Book Compan
y工nc )(1957年発行)第63〜141頁、p
、 Lブルニx (Brunis ) 著:エポキシ
レジンステクノロジー(Kpoxy Re5ins
Technolog7 ) ニューヨーク市、インター
サイエンス パフ゛リツシャース(工nterscie
nce Publishers ) (1968年発行
)第45〜111頁などに記載の化合物であり、例えば
脂肪族ポリアミ/、芳香族ポリアミン、第2及び第3級
アミンを含むアミン類、カルボン酸類、カルボン酸無水
物類、脂肪族及び芳香族ポリアミドオリゴマー及びポリ
マー類、三フッ化ホウ素−アミンコンプレックス類、フ
ェノール樹脂、メラミン樹脂、ウレア樹脂、ウレタン樹
脂などの合成樹脂初期縮合物類、その他、ジクアンジア
ミド、カルボン酸ヒドラジド、ポリアミノマレイミド類
などがある。
(Mc Graw−Hlll Book Compan
y工nc )(1957年発行)第63〜141頁、p
、 Lブルニx (Brunis ) 著:エポキシ
レジンステクノロジー(Kpoxy Re5ins
Technolog7 ) ニューヨーク市、インター
サイエンス パフ゛リツシャース(工nterscie
nce Publishers ) (1968年発行
)第45〜111頁などに記載の化合物であり、例えば
脂肪族ポリアミ/、芳香族ポリアミン、第2及び第3級
アミンを含むアミン類、カルボン酸類、カルボン酸無水
物類、脂肪族及び芳香族ポリアミドオリゴマー及びポリ
マー類、三フッ化ホウ素−アミンコンプレックス類、フ
ェノール樹脂、メラミン樹脂、ウレア樹脂、ウレタン樹
脂などの合成樹脂初期縮合物類、その他、ジクアンジア
ミド、カルボン酸ヒドラジド、ポリアミノマレイミド類
などがある。
上記硬化剤は、用途、目的に応じて1種以上使用するこ
とが出来る。
とが出来る。
特に、フェノールノボランク樹脂は、硬化樹脂の金属イ
ンサートに対する密着性、成形時の作業性などの点から
、上記半導体封止用材料の硬化剤成分として、好適であ
る。
ンサートに対する密着性、成形時の作業性などの点から
、上記半導体封止用材料の硬化剤成分として、好適であ
る。
該樹脂組成物には、エポキシ化合物とノボラック型フェ
ノ−□ル樹脂の硬化反応を促進する効果が知られている
公知の触媒を使用することが出来る。
ノ−□ル樹脂の硬化反応を促進する効果が知られている
公知の触媒を使用することが出来る。
かかる触媒としては、例えば、トリエタノールアミン、
テトラメチルブタンジアミン、テトラメチルペンタンジ
アミン、テトラメチルヘキサンジアミン、トリエチレン
ジアミン、ジメチルアニリンなどの第3級アミン、ジメ
チルアミノエタノール、ジメチルアミノペンタノールな
どのオキシアルキルアミ/やトリス(ジメチルアミノメ
チル)フェノール、N−メチルモルホリン、N−エチル
モルホリンなどのアミン類がある。
テトラメチルブタンジアミン、テトラメチルペンタンジ
アミン、テトラメチルヘキサンジアミン、トリエチレン
ジアミン、ジメチルアニリンなどの第3級アミン、ジメ
チルアミノエタノール、ジメチルアミノペンタノールな
どのオキシアルキルアミ/やトリス(ジメチルアミノメ
チル)フェノール、N−メチルモルホリン、N−エチル
モルホリンなどのアミン類がある。
また、セチルトリメチルアンモニウムブロマイド、セチ
ルトリメチルアンモニウムクロライド、ドデシルトリメ
チルアンモニウムアイオダイド、トリメチルドデシルア
ンモニウムクロライド、ベンジルジメチルテトラデシル
アンモニウムクロライド、ペンジルメチルパルメチルア
ンモニウムクロライド、アリルドデシルトリメチルアン
モニウムブロマイド、ベンジルジメチルステアリルアン
モニウムブロマイド、ステアリルトリメチルアンモニウ
ムクロライド、ベンジルジメチルテトラデシルアンモニ
ウムアセテートなどの第4級ア/モニウム塩がある。
ルトリメチルアンモニウムクロライド、ドデシルトリメ
チルアンモニウムアイオダイド、トリメチルドデシルア
ンモニウムクロライド、ベンジルジメチルテトラデシル
アンモニウムクロライド、ペンジルメチルパルメチルア
ンモニウムクロライド、アリルドデシルトリメチルアン
モニウムブロマイド、ベンジルジメチルステアリルアン
モニウムブロマイド、ステアリルトリメチルアンモニウ
ムクロライド、ベンジルジメチルテトラデシルアンモニ
ウムアセテートなどの第4級ア/モニウム塩がある。
また、2−エチルイミダゾール、2−ウンデクルイミダ
ゾール、2−ヘプタデシルイミダゾール、2−メチル−
4−エチルイミダゾール、1−ブチルイミダゾール、1
−プロピル−2−メチルイミダゾール、1−ベンジル−
2−メチルイミダゾール、1−シアンエチル−2−メチ
ルイミダゾール、1−シアンエチル−2−ウンデシルイ
ミダゾール、1−シアンエチル−2−フェニルイミダゾ
ール、1−アジン−2−メチルイミダゾール、1−アジ
ン−2−ウンデシルイミダゾールなどのイミダゾール類
、トリフェニルホスフィンテトラフェニルボレート、テ
トラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、ト
リエチルアミンテトラフェニルボレート、N−メチルモ
ルホリンテトラフェニルボレート、2−エチル−4−メ
チルイミダゾールテトラフェニルボレート、2−エチル
−1,4−ジメチルイミダゾールテトラフェニルボレー
トなどのテトラフェニルボロン塩などがある。
ゾール、2−ヘプタデシルイミダゾール、2−メチル−
4−エチルイミダゾール、1−ブチルイミダゾール、1
−プロピル−2−メチルイミダゾール、1−ベンジル−
2−メチルイミダゾール、1−シアンエチル−2−メチ
ルイミダゾール、1−シアンエチル−2−ウンデシルイ
ミダゾール、1−シアンエチル−2−フェニルイミダゾ
ール、1−アジン−2−メチルイミダゾール、1−アジ
ン−2−ウンデシルイミダゾールなどのイミダゾール類
、トリフェニルホスフィンテトラフェニルボレート、テ
トラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、ト
リエチルアミンテトラフェニルボレート、N−メチルモ
ルホリンテトラフェニルボレート、2−エチル−4−メ
チルイミダゾールテトラフェニルボレート、2−エチル
−1,4−ジメチルイミダゾールテトラフェニルボレー
トなどのテトラフェニルボロン塩などがある。
本発明においては樹脂組成物に、目的と用途に応じて、
各種の無機物質や添加剤を配合して用いることが出来る
。それらの具体例をあげればジルコン、シリカ、溶融石
英ガラス、アルミナ、水酸化アルミニウム、ガラス、石
英ガラス、ケイ醗カルシウム、石コウ、炭酸カルシウム
、マグネサイト、クレー、カオリン、メルク、鉄粉、銅
粉、マイカ、アスベスト、炭化ケイ素、窒化ホウ素、二
硫化モリブデン、鉛化合物、鉛酸化物、亜鉛華、チタン
白、カーボンブランクなどの充てん剤、あるいは、高級
脂肪酸、ワンジス類などの離型剤、エポキシシラ/、ビ
ニルシラン、アミノシラン、ポラン系化合物、アルコキ
クチタネート系化合物、アルミニウムキレート化合物な
どのカンプリング剤などである。
各種の無機物質や添加剤を配合して用いることが出来る
。それらの具体例をあげればジルコン、シリカ、溶融石
英ガラス、アルミナ、水酸化アルミニウム、ガラス、石
英ガラス、ケイ醗カルシウム、石コウ、炭酸カルシウム
、マグネサイト、クレー、カオリン、メルク、鉄粉、銅
粉、マイカ、アスベスト、炭化ケイ素、窒化ホウ素、二
硫化モリブデン、鉛化合物、鉛酸化物、亜鉛華、チタン
白、カーボンブランクなどの充てん剤、あるいは、高級
脂肪酸、ワンジス類などの離型剤、エポキシシラ/、ビ
ニルシラン、アミノシラン、ポラン系化合物、アルコキ
クチタネート系化合物、アルミニウムキレート化合物な
どのカンプリング剤などである。
更に、アンチモン、リン化合物、臭素や塩素を含む公知
の難燃化剤を用いることが出来る。
の難燃化剤を用いることが出来る。
以下、本発明を実施例により更に具体的に説明するが、
本発明はこれら実施例に限定されない。
本発明はこれら実施例に限定されない。
実施例1〜13
本発明の必須成分であるトリス(ヒドロキシフェニルツ
メタンをベースとする多官能−’d’+シ化合物として
、XD−9053(ダウ・ケミカル社製、エポキシ当量
、220、軟化点、85℃)を用いて、これに、下記第
1表に示した、各種素材を所定配合量、配合した13種
類の配合組成物を作成した。
メタンをベースとする多官能−’d’+シ化合物として
、XD−9053(ダウ・ケミカル社製、エポキシ当量
、220、軟化点、85℃)を用いて、これに、下記第
1表に示した、各種素材を所定配合量、配合した13種
類の配合組成物を作成した。
次いで、上記配合組成物は、8インチ径の2本ロールで
、75〜85℃、10分間混練した後、冷却、粗粉砕し
て半導体封止用の樹脂m酸物を作成した。
、75〜85℃、10分間混練した後、冷却、粗粉砕し
て半導体封止用の樹脂m酸物を作成した。
次いで、256 kblt D、RAM (ダイナミッ
ク・ランダムアクセスメモリ)LEI工を、175〜1
80℃、1.5分% 70ky/cm”の条件下で、ト
ランスファ成形して、本発明の半導体装置を得た。
ク・ランダムアクセスメモリ)LEI工を、175〜1
80℃、1.5分% 70ky/cm”の条件下で、ト
ランスファ成形して、本発明の半導体装置を得た。
また、同様の成形条件で、90■径X2mm厚さの円板
を成形し、そこから、TMA測定用試片を作成した。
を成形し、そこから、TMA測定用試片を作成した。
第1表に、硬化物のガラス転移点と樹脂封止したL8工
を各々(50個ずつ)121℃、2気圧過飽和水蒸気中
(PCT)に放置して、所定時間後に釜よシ取出し、L
8工素子上のムを配線の腐食による断線不良を電気的作
動の有無によシチェックした結果を示した。
を各々(50個ずつ)121℃、2気圧過飽和水蒸気中
(PCT)に放置して、所定時間後に釜よシ取出し、L
8工素子上のムを配線の腐食による断線不良を電気的作
動の有無によシチェックした結果を示した。
なお、第1表において、エポキシレジンはダウ・ケミカ
ル社製のXD−9055、ノボラック型エポキシレジン
は住友化学社製0EF3ON−195、ノボラック型フ
ェノールレジンは日本化薬社製のEPPM−201、!
Jカレジンは新日本理化社製のTMTム、フェノキシホ
スファゼンは新円i化学社製のP−3800、TDI−
ダイマーは住友バイエル社製のDTT、ポリフタジエン
ゴムは宇部興産社製のカルボキシル基末端ポリブタジェ
ンCTBNX130 Q、含窒素フルオロカーボンポリ
マーは合成品、ポリ−p−ヒドロキクスチレンは丸善石
油社製のMレシン、トリエチルアミンテトラフェニルボ
レートは北興化学社製のTPP−に、)!Jフェニルホ
スフィンは北興化学社製、エポキシ7ランは信越化学社
製のKBM505、溶融石英ガラス粉は高純度品を使用
した。
ル社製のXD−9055、ノボラック型エポキシレジン
は住友化学社製0EF3ON−195、ノボラック型フ
ェノールレジンは日本化薬社製のEPPM−201、!
Jカレジンは新日本理化社製のTMTム、フェノキシホ
スファゼンは新円i化学社製のP−3800、TDI−
ダイマーは住友バイエル社製のDTT、ポリフタジエン
ゴムは宇部興産社製のカルボキシル基末端ポリブタジェ
ンCTBNX130 Q、含窒素フルオロカーボンポリ
マーは合成品、ポリ−p−ヒドロキクスチレンは丸善石
油社製のMレシン、トリエチルアミンテトラフェニルボ
レートは北興化学社製のTPP−に、)!Jフェニルホ
スフィンは北興化学社製、エポキシ7ランは信越化学社
製のKBM505、溶融石英ガラス粉は高純度品を使用
した。
第1表から明らかなように、本発明の半導体装置は、従
来材で封止した半導体に比べて、高温高湿状態での動作
信頼性が格段に向上していることが分る。
来材で封止した半導体に比べて、高温高湿状態での動作
信頼性が格段に向上していることが分る。
以上説明したように、本発明の樹脂封止型半導体装置は
、耐湿及び耐熱性に優れており、それに伴い、水の浸入
が防止され、信頼性の高い動作が可能であるという顕著
な効果が奏せられる。
、耐湿及び耐熱性に優れており、それに伴い、水の浸入
が防止され、信頼性の高い動作が可能であるという顕著
な効果が奏せられる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、半導体装置の少なくとも一部を、下記一般式 I : ▲数式、化学式、表等があります▼・・・〔 I 〕 (式中mは零、1又は2の数を示す)で表される多官能
性エポキシ化合物を含有する樹脂組成物で被覆及び/又
は封止してなることを特徴とする樹脂封止型半導体装置
。 2、該樹脂組成物が、該多官能性エポキシ化合物と、ノ
ボラック型フェノール樹脂、ポリ−p−ヒドロキシスチ
レン、下記一般式II: ▲数式、化学式、表等があります▼・・・〔II〕 で表されるグリセリントリス(トリメリテート)、下記
一般式III: ▲数式、化学式、表等があります▼・・・[III] (式中Rは水素又臭素を示す)で表される フェノキシホスフアゼンの3量体と4量体の混合物、含
窒素フルオロカーボンポリマー、ウレトジオン環を有す
るイソシアネート系化合物、マレイミド系化合物、硬化
剤、及びエポキシ基と反応可能な官能基を有するゴム成
分よりなる群から選択した少なくとも1種の成分とを含
有するものである特許請求の範囲第1項記載の樹脂封止
型半導体装置。 3、該マレイミド系化合物が、N、N′−置換ビスマレ
イミド系化合物である特許請求の範囲第2項記載の樹脂
封止型半導体装置。 4、該ゴム成分が、カルボキシル基末端のポリブタジエ
ン又はシロキサン骨格を有する重合体である特許請求の
範囲第2項記載の樹脂封止型半導体装置。 5、半導体素子及びリード線を該樹脂組成物で被覆し、
無機質充てん材を含有する樹脂組成物で封止したもので
ある特許請求の範囲第1項〜第4項のいずれかに記載の
樹脂封止型半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60107025A JPH0653787B2 (ja) | 1985-05-21 | 1985-05-21 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60107025A JPH0653787B2 (ja) | 1985-05-21 | 1985-05-21 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61265847A true JPS61265847A (ja) | 1986-11-25 |
JPH0653787B2 JPH0653787B2 (ja) | 1994-07-20 |
Family
ID=14448607
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60107025A Expired - Lifetime JPH0653787B2 (ja) | 1985-05-21 | 1985-05-21 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0653787B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002105174A (ja) * | 2000-09-21 | 2002-04-10 | Choshun Jinzo Jushisho Kofun Yugenkoshi | 難燃性エポキシ樹脂組成物およびその用途 |
CN111729610A (zh) * | 2020-03-23 | 2020-10-02 | 北京化工大学 | 一种四苯乙烯基烷基溴化铵盐表面活性剂及其制备与应用 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2123712A1 (en) | 2008-05-19 | 2009-11-25 | Evonik Degussa GmbH | Epoxy resin composition and electronic part |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4394496A (en) * | 1971-08-19 | 1983-07-19 | The Dow Chemical Company | Epoxidation products of 1,1,1-tri-(hydroxyphenyl) alkanes |
-
1985
- 1985-05-21 JP JP60107025A patent/JPH0653787B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4394496A (en) * | 1971-08-19 | 1983-07-19 | The Dow Chemical Company | Epoxidation products of 1,1,1-tri-(hydroxyphenyl) alkanes |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002105174A (ja) * | 2000-09-21 | 2002-04-10 | Choshun Jinzo Jushisho Kofun Yugenkoshi | 難燃性エポキシ樹脂組成物およびその用途 |
CN111729610A (zh) * | 2020-03-23 | 2020-10-02 | 北京化工大学 | 一种四苯乙烯基烷基溴化铵盐表面活性剂及其制备与应用 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0653787B2 (ja) | 1994-07-20 |
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