JPS6080259A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS6080259A JPS6080259A JP58187052A JP18705283A JPS6080259A JP S6080259 A JPS6080259 A JP S6080259A JP 58187052 A JP58187052 A JP 58187052A JP 18705283 A JP18705283 A JP 18705283A JP S6080259 A JPS6080259 A JP S6080259A
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- molybdate
- resin
- epoxy compound
- epoxy
- semiconductor device
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- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
- H01L23/293—Organic, e.g. plastic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、高温高湿状態で信頼性の高い動作が可能な樹
脂封止型の半導体装置に関する。
脂封止型の半導体装置に関する。
メモリ用ＬＳＩは、高密度化、高集積度化のすう勢にあ
シ、高温高湿状態の下での信頼性向上は、必然的な要求
となっている。高温高湿状態、・例えば６５ｔ；、９５
％相対湿度中、８５Ｃ，８５％相対湿度中、１２１Ｃ，
２気圧過飽和水蒸気中などの雰囲気中に、樹脂封止型半
導体装置を放置した場合には、素子上のＡｔ配線が腐食
断線する故障が生じ、これが信頼性低下の大きな要因と
なっている。
シ、高温高湿状態の下での信頼性向上は、必然的な要求
となっている。高温高湿状態、・例えば６５ｔ；、９５
％相対湿度中、８５Ｃ，８５％相対湿度中、１２１Ｃ，
２気圧過飽和水蒸気中などの雰囲気中に、樹脂封止型半
導体装置を放置した場合には、素子上のＡｔ配線が腐食
断線する故障が生じ、これが信頼性低下の大きな要因と
なっている。
Ａｔ配線の腐食断線の大きな原因としては、ノ（ツケー
ジ内部に浸入した水分、樹脂組成物中に含まれているイ
オン性不純物、おるいは加水分解性イオンによる所が大
である。しかし、樹脂封止型半導体装置については、樹
脂バルク中を透湿、吸湿して素子表面に至る水分を除去
することは、現状では難しい。また、加水分解性のイオ
ン性化合物を含む素材を用いている現状の樹脂組成物に
おいては、各素材を単に精製することによっても、根本
的な対策となり得ないのが現状である。
ジ内部に浸入した水分、樹脂組成物中に含まれているイ
オン性不純物、おるいは加水分解性イオンによる所が大
である。しかし、樹脂封止型半導体装置については、樹
脂バルク中を透湿、吸湿して素子表面に至る水分を除去
することは、現状では難しい。また、加水分解性のイオ
ン性化合物を含む素材を用いている現状の樹脂組成物に
おいては、各素材を単に精製することによっても、根本
的な対策となり得ないのが現状である。
本発明は、上記の状況に鑑みてなされたもので、その目
的は、高温高湿の状態の下で長時間放置しても、信頼性
の高い動作が可能な樹脂封止型の半導体装置を提供する
ことにある。
的は、高温高湿の状態の下で長時間放置しても、信頼性
の高い動作が可能な樹脂封止型の半導体装置を提供する
ことにある。
本発明の要旨は、Ａｔ配線の腐食防止対策は、Ａｔの防
食化にあるとの考え方に基づき、封止用樹脂組成物に、
予めモリブデン酸塩を混入せしめておくことにある。す
なわち、多官能エポキシ化 −合物と、モリブデン酸塩
を少なくとも含む樹脂組成物を封止してなることを特徴
とする半導体装置であシー更に大えば、多官能エポキシ
化合物と、ノボラック型フェノール樹脂と、モリブデン
酸塩を少なくとも含む樹脂組成物で封止してなることを
特徴とする半導体装置である。
食化にあるとの考え方に基づき、封止用樹脂組成物に、
予めモリブデン酸塩を混入せしめておくことにある。す
なわち、多官能エポキシ化 −合物と、モリブデン酸塩
を少なくとも含む樹脂組成物を封止してなることを特徴
とする半導体装置であシー更に大えば、多官能エポキシ
化合物と、ノボラック型フェノール樹脂と、モリブデン
酸塩を少なくとも含む樹脂組成物で封止してなることを
特徴とする半導体装置である。
本発明において多官能エポキシ化合物（Ａ）としては、
例えばビスフェノールＡのジグリシジルエーテル、ブタ
ジェンジェボキサイド、３．４−エポキシシクロヘキシ
ルメチル−（３，４−エポキシ）シクロヘキサンカルボ
キシレート、ビニルシクロヘキサンジオキシド、４．４
’−ジ（ｌ。
例えばビスフェノールＡのジグリシジルエーテル、ブタ
ジェンジェボキサイド、３．４−エポキシシクロヘキシ
ルメチル−（３，４−エポキシ）シクロヘキサンカルボ
キシレート、ビニルシクロヘキサンジオキシド、４．４
’−ジ（ｌ。
２−エポキシエチル）ジフェニルエーテル、４゜４’−
（１，２−エポキシエチル）ピフェニル、２．２−ビス
（３，４−エポキシシクロヘキシル）プロパン、レゾル
シンのグリシジルエーテル、フロログルシンのジフェニ
ルエーテル、Ｊｆｋ７゜ログルシンのジグリシジルエー
テル、ビス−（２゜３−エポキシシクロベンチル）エー
テル、２−（３，４−エポキシ）シクロへΦサン−５，
５−スピｏ （３，４−エポキシ）−シクロヘキサン−
ｍ−ジオキサン、ビス−（３，４−エポキシ−６−メチ
ルシクロヘキシル）アジペー）、ＮＩ Ｎ’ −ｍ−７
二二レンビス（４，５−エポキシ−１，２−シクロヘキ
サン）ジカルボキシイミドなどの２官能のエポキシ化付
物、パラアミノフェノールのトリグリシジルエーテル、
ポリアリルグリシジルエーテル、１，３，５．−）す（
１，２−エポキシエチル）ベンゼン、２．２’ 、４．
４’−テトラグリシドキンベンシフエノン、テトラグリ
シドキシテトラフェニルエタン、フェノールホルムアル
デヒドノボラックのポリグリシジルエーテル、グリセリ
ンのトリグリシジルエーテル、トリメチロールプロパン
のトリグリシジルエーテルなど３官能以上のエポキシ化
合物が用いられる。
（１，２−エポキシエチル）ピフェニル、２．２−ビス
（３，４−エポキシシクロヘキシル）プロパン、レゾル
シンのグリシジルエーテル、フロログルシンのジフェニ
ルエーテル、Ｊｆｋ７゜ログルシンのジグリシジルエー
テル、ビス−（２゜３−エポキシシクロベンチル）エー
テル、２−（３，４−エポキシ）シクロへΦサン−５，
５−スピｏ （３，４−エポキシ）−シクロヘキサン−
ｍ−ジオキサン、ビス−（３，４−エポキシ−６−メチ
ルシクロヘキシル）アジペー）、ＮＩ Ｎ’ −ｍ−７
二二レンビス（４，５−エポキシ−１，２−シクロヘキ
サン）ジカルボキシイミドなどの２官能のエポキシ化付
物、パラアミノフェノールのトリグリシジルエーテル、
ポリアリルグリシジルエーテル、１，３，５．−）す（
１，２−エポキシエチル）ベンゼン、２．２’ 、４．
４’−テトラグリシドキンベンシフエノン、テトラグリ
シドキシテトラフェニルエタン、フェノールホルムアル
デヒドノボラックのポリグリシジルエーテル、グリセリ
ンのトリグリシジルエーテル、トリメチロールプロパン
のトリグリシジルエーテルなど３官能以上のエポキシ化
合物が用いられる。
次に、フェノールとアルデヒドとの縮合反応物（Ｂ）と
しては、各種のフェノール系化合物とアルデヒド系化合
物とを、酸性もしくは塩基性触媒の存在において、付加
縮合反応させることにより生成される樹脂類が使用され
、特にフェノール、クレゾールなどとホルムアルデヒド
とを用いて、酸性触媒反応によって合成されるノボラッ
ク樹脂が有用である。
しては、各種のフェノール系化合物とアルデヒド系化合
物とを、酸性もしくは塩基性触媒の存在において、付加
縮合反応させることにより生成される樹脂類が使用され
、特にフェノール、クレゾールなどとホルムアルデヒド
とを用いて、酸性触媒反応によって合成されるノボラッ
ク樹脂が有用である。
本発明において、モリブデン酸塩としては、一般に太わ
れでいる酸化モリブデンと陽性金属の酸化物とから成る
塩であシ、例えば、モリブデン酸ビスマス、モリブデン
酸スズ、モリブデン酸バナジウム、モリブデン酸ボロン
、モリブデン酸セレン、モリブデン酸ナトリウム、モリ
ブデン酸鉛およびリン−モリブデン酸などがアシ、これ
らの１種以上を併用してもよい。また、リン−モリブデ
ン−ビスマスよりなる化合物を用いることも出来る。
れでいる酸化モリブデンと陽性金属の酸化物とから成る
塩であシ、例えば、モリブデン酸ビスマス、モリブデン
酸スズ、モリブデン酸バナジウム、モリブデン酸ボロン
、モリブデン酸セレン、モリブデン酸ナトリウム、モリ
ブデン酸鉛およびリン−モリブデン酸などがアシ、これ
らの１種以上を併用してもよい。また、リン−モリブデ
ン−ビスマスよりなる化合物を用いることも出来る。
さらに、本発明においては、前記３成分を含む組成物の
硬化反応を促進する目的で各種の触媒を添加することが
でき、この触媒としては、例えばトリエタノールアミン
、テトラメチルブタンジアミン、テトラメチルペンタン
ジアミン、テトラメチルヘキサ／ジアミン、トリエチレ
ンジアミン及びジメチルアニリン等の第３級アミン、ジ
メチルアミノエタノール及びジメチルアミノペンタノー
ル等のオキシアルキルアミンならびにトリス（ジメチル
アミンメチル）フェノール及びメチルモルホリン等のア
ミン類を適用することができる。
硬化反応を促進する目的で各種の触媒を添加することが
でき、この触媒としては、例えばトリエタノールアミン
、テトラメチルブタンジアミン、テトラメチルペンタン
ジアミン、テトラメチルヘキサ／ジアミン、トリエチレ
ンジアミン及びジメチルアニリン等の第３級アミン、ジ
メチルアミノエタノール及びジメチルアミノペンタノー
ル等のオキシアルキルアミンならびにトリス（ジメチル
アミンメチル）フェノール及びメチルモルホリン等のア
ミン類を適用することができる。
又、同じ目的で、触媒として、例えばセチルトリメチル
アンモニウムブロマイド、セチルトリメチルアンモニウ
ムクロライド、ドデシルトリメチルアンモニウムアイオ
ダイド、トリメチルドデシルアンモニウムクロライド、
ベンジルジメチルテトラデシルアンモニウムクロライド
、ペンジルメチルパルミチルアンモニウムクロライド、
アリルドデシルトリメチルアンモニウムブロマイド、ベ
ンジルジメチルステアリルアンモニウムブロマイド、ス
テアリルトリメチルアンモニウムクロライド及びベンジ
ルジメチルテトラデシルアンモニウムアセテート等の第
４級アンモニウム塩を適用することができ、更には、２
−ウンデシルイミダゾール、２−メチルイミダゾール、
２−エチルイミダゾール、２−ヘプタデシルイミダゾー
ル、２−メチル−４−エチルイミダゾール、１−プチル
イミダゾール、■−プロピルー２−メチルイミダゾール
、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール、１−シアノ
エチル−２−メチルイミダゾール、ｌ−シアンエチル−
２−ウンデシルイミダゾール、１−シアノエチル−２−
フェニルイミダゾール、１−アジン−２−メチルイミダ
ゾール及び１−アジン−２−ウンデシルイミダゾール等
のイミダゾ−Ａ４合物６るいは又、トリフェニルボスフ
ィンテトラフェニルボレート、トリエチルアミンテトラ
フェニルボレート、Ｎ−メチルモルポリンテトランエニ
ルポレート、ピリジンテトラフェニルボレート２−エチ
ル−４−メチルイミダゾールテトラフェニルボレート及
び２−エチル−１，４−ジメチルイミダゾールテトラフ
ェニルボレート等のテトラフェニルボロン塩等が有用で
ある。
アンモニウムブロマイド、セチルトリメチルアンモニウ
ムクロライド、ドデシルトリメチルアンモニウムアイオ
ダイド、トリメチルドデシルアンモニウムクロライド、
ベンジルジメチルテトラデシルアンモニウムクロライド
、ペンジルメチルパルミチルアンモニウムクロライド、
アリルドデシルトリメチルアンモニウムブロマイド、ベ
ンジルジメチルステアリルアンモニウムブロマイド、ス
テアリルトリメチルアンモニウムクロライド及びベンジ
ルジメチルテトラデシルアンモニウムアセテート等の第
４級アンモニウム塩を適用することができ、更には、２
−ウンデシルイミダゾール、２−メチルイミダゾール、
２−エチルイミダゾール、２−ヘプタデシルイミダゾー
ル、２−メチル−４−エチルイミダゾール、１−プチル
イミダゾール、■−プロピルー２−メチルイミダゾール
、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール、１−シアノ
エチル−２−メチルイミダゾール、ｌ−シアンエチル−
２−ウンデシルイミダゾール、１−シアノエチル−２−
フェニルイミダゾール、１−アジン−２−メチルイミダ
ゾール及び１−アジン−２−ウンデシルイミダゾール等
のイミダゾ−Ａ４合物６るいは又、トリフェニルボスフ
ィンテトラフェニルボレート、トリエチルアミンテトラ
フェニルボレート、Ｎ−メチルモルポリンテトランエニ
ルポレート、ピリジンテトラフェニルボレート２−エチ
ル−４−メチルイミダゾールテトラフェニルボレート及
び２−エチル−１，４−ジメチルイミダゾールテトラフ
ェニルボレート等のテトラフェニルボロン塩等が有用で
ある。
上記の触媒はその２４１１ｉ以上を併用することもでき
、その址は、多官能エポキシ化合物（Ａ） １００に対
して、重址比で、０．０１〜２ｏの範囲で用いてもよい
。
、その址は、多官能エポキシ化合物（Ａ） １００に対
して、重址比で、０．０１〜２ｏの範囲で用いてもよい
。
また、本発明のエポキシ樹脂組成物には、その用途、使
用目的に応じて、例えば炭酸カルシウム、シリカ、アル
ミナ、チタニア、水酸化アルミニウム、ケイ酸アルミニ
ウム、ケイ酸ジルコニウム、ジルコン、ガラス、タルク
、マイカ、魚船、アルミニウム、銅、鉄などの粉末や短
繊維状充填剤、脂肪酸及びワックス類等の離型剤、エポ
キシシラン、ビニルシラン、ボラン系化合物及びアルキ
ルチタネート系化合物等のカップリング剤、そしてさら
に、アンチモンやリンの化合物及びハロゲン含有化合物
のような難燃剤を加えることができる。
用目的に応じて、例えば炭酸カルシウム、シリカ、アル
ミナ、チタニア、水酸化アルミニウム、ケイ酸アルミニ
ウム、ケイ酸ジルコニウム、ジルコン、ガラス、タルク
、マイカ、魚船、アルミニウム、銅、鉄などの粉末や短
繊維状充填剤、脂肪酸及びワックス類等の離型剤、エポ
キシシラン、ビニルシラン、ボラン系化合物及びアルキ
ルチタネート系化合物等のカップリング剤、そしてさら
に、アンチモンやリンの化合物及びハロゲン含有化合物
のような難燃剤を加えることができる。
本発明の樹脂組成物は、上記した成分をロール、ニーダ
−、コニーダー、またはヘンシェルミキサー等を用いて
加熱（約７０〜８０Ｃ）混線することによって調製され
る。また、成分化合物が固体である場合には、微粉化し
た後混合するトライブレンド法によって配合することも
できる。得られた組成物は約１５０〜２００Ｃの温度で
短時間に硬化できる。
−、コニーダー、またはヘンシェルミキサー等を用いて
加熱（約７０〜８０Ｃ）混線することによって調製され
る。また、成分化合物が固体である場合には、微粉化し
た後混合するトライブレンド法によって配合することも
できる。得られた組成物は約１５０〜２００Ｃの温度で
短時間に硬化できる。
次に、本発明を実施例を挙げて具体的に説明する。
実施例１〜４
多官能エポキシ化合物として、クレゾールノボシック型
エポキシ樹脂ＥＣＮ１２７３ （チバ社製；エポキシ当
量；２２５）１００ｆｆｉ量部、フェノールとアルデヒ
ドとの縮合反応物として、フェノールとホルムアルデヒ
ドとを、塩酸触媒下で縮合反応させて得られるノボラッ
ク型フェノール樹脂（日立化成製：ＨＰ−６０７Ｎ）５
５重量部、モリブデン酸ナトリウムを、８１表に示した
所定量をそれぞれ別個に配合した、４ａ類の配合組成物
を作った。
エポキシ樹脂ＥＣＮ１２７３ （チバ社製；エポキシ当
量；２２５）１００ｆｆｉ量部、フェノールとアルデヒ
ドとの縮合反応物として、フェノールとホルムアルデヒ
ドとを、塩酸触媒下で縮合反応させて得られるノボラッ
ク型フェノール樹脂（日立化成製：ＨＰ−６０７Ｎ）５
５重量部、モリブデン酸ナトリウムを、８１表に示した
所定量をそれぞれ別個に配合した、４ａ類の配合組成物
を作った。
これらのそれぞれに、促進剤として、トリエチルアミン
テトラフェニルボレート２重量部、カップリング剤とし
て、エポキシシランＫＢＭ４０３（信越化学展）２重量
部、充填剤として、溶融石英ガラス粉４６５重量部、着
色剤としてカーボンブラック２重量部を添加した。
テトラフェニルボレート２重量部、カップリング剤とし
て、エポキシシランＫＢＭ４０３（信越化学展）２重量
部、充填剤として、溶融石英ガラス粉４６５重量部、着
色剤としてカーボンブラック２重量部を添加した。
上記、４種類の配合物を、それぞれ別個に、８インチ径
の２本四−ルで、７０〜８０ｃ、１０分間混練した後、
冷却、粗粉砕して目的の樹脂組成物を得た。
の２本四−ルで、７０〜８０ｃ、１０分間混練した後、
冷却、粗粉砕して目的の樹脂組成物を得た。
該組成物を用いて、１６ピンの６４にピットメモリ用Ｄ
−ＲＡＭＬＳＩを、１８０１：’ 、 ７０Ｋｇ／ｃａ
ｒ”、１．５分の条件でトランスファ成形して、それぞ
れの組成物について、１４０ケの樹脂封止型メモリ用Ｌ
ＳＩを作成した。
−ＲＡＭＬＳＩを、１８０１：’ 、 ７０Ｋｇ／ｃａ
ｒ”、１．５分の条件でトランスファ成形して、それぞ
れの組成物について、１４０ケの樹脂封止型メモリ用Ｌ
ＳＩを作成した。
次いで、上記樹脂封止型メモリ用ＬＳＩを、１２１Ｃ１
２気圧過飽和水蒸気中に、所定時間放置した場合の、Ａ
ｔ配線の腐食による断線故障率を、第１表に示した。参
考例は、上記、封止用樹脂組成物よシ、モリブデン酸ナ
トリウムを除いた場合の耐湿性について示したものであ
る。
２気圧過飽和水蒸気中に、所定時間放置した場合の、Ａ
ｔ配線の腐食による断線故障率を、第１表に示した。参
考例は、上記、封止用樹脂組成物よシ、モリブデン酸ナ
トリウムを除いた場合の耐湿性について示したものであ
る。
Claims (1)
- １、多官能エポキシ化合物と、モリブデン酸塩を少なく
とも含む樹脂組成物で封止してなることを特徴とする半
導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58187052A JPS6080259A (ja) | 1983-10-07 | 1983-10-07 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58187052A JPS6080259A (ja) | 1983-10-07 | 1983-10-07 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6080259A true JPS6080259A (ja) | 1985-05-08 |
Family
ID=16199329
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58187052A Pending JPS6080259A (ja) | 1983-10-07 | 1983-10-07 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6080259A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5093712A (en) * | 1989-11-15 | 1992-03-03 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Resin-sealed semiconductor device |
| EP0926196A4 (ja) * | 1997-07-02 | 1999-06-30 | ||
| EP1049152A3 (en) * | 1999-04-26 | 2001-02-07 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Semiconductor encapsulating epoxy resin composition and semiconductor device |
| EP0953603A3 (en) * | 1998-04-27 | 2001-04-25 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Flame retardant semiconductor encapsulating epoxy resin compositions |
-
1983
- 1983-10-07 JP JP58187052A patent/JPS6080259A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5093712A (en) * | 1989-11-15 | 1992-03-03 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Resin-sealed semiconductor device |
| EP0926196A4 (ja) * | 1997-07-02 | 1999-06-30 | ||
| US6190787B1 (en) * | 1997-07-02 | 2001-02-20 | Sumitomo Bakelite Company, Ltd. | Epoxy resin compositions for encapsulating semiconductors, and semiconductor devices |
| EP0953603A3 (en) * | 1998-04-27 | 2001-04-25 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Flame retardant semiconductor encapsulating epoxy resin compositions |
| US6518332B2 (en) * | 1998-04-27 | 2003-02-11 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Semiconductor encapsulating epoxy resin compositions, and semiconductor devices encapsulated therewith |
| EP1049152A3 (en) * | 1999-04-26 | 2001-02-07 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Semiconductor encapsulating epoxy resin composition and semiconductor device |
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