JPS61247625A - 合成石英原料の生成方法 - Google Patents
合成石英原料の生成方法Info
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- JPS61247625A JPS61247625A JP8597885A JP8597885A JPS61247625A JP S61247625 A JPS61247625 A JP S61247625A JP 8597885 A JP8597885 A JP 8597885A JP 8597885 A JP8597885 A JP 8597885A JP S61247625 A JPS61247625 A JP S61247625A
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- Japan
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- vessel
- synthetic quartz
- oxide powder
- silicon oxide
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
- C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
- C03B37/01413—Reactant delivery systems
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C1/00—Ingredients generally applicable to manufacture of glasses, glazes, or vitreous enamels
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C1/00—Ingredients generally applicable to manufacture of glasses, glazes, or vitreous enamels
- C03C1/02—Pretreated ingredients
- C03C1/022—Purification of silica sand or other minerals
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- Silicon Compounds (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野ｊ
本発明は合成石英の原料である四フッ化ケイ素の生成方
法に関する。
法に関する。
「従来の技術」
通信用、光学用のガラス母材を製造するとき、ＣＶＤ法
、ＶＡＤ法、ＯＶＤ法ナト、適宜の方法が採用される。
、ＶＡＤ法、ＯＶＤ法ナト、適宜の方法が採用される。
周知の通り、これらの方法では５ｉＧＩ４． ＳｉＨ４
，５ｉＨＣ：ｈなどの気相原料を熱分解反応、火炎加水
分解反応、または醇化反応させることにより酸化ケイ素
粉末（スート状のガラス微粒子）を生成し、その粉末を
堆積させることにより所望のガラス母材を作製している
が、この際の収率は一般に５０〜７０％程度であり、堆
積されないガラス微粒−ｆ（非堆積物）はこれを廃棄し
ている。
，５ｉＨＣ：ｈなどの気相原料を熱分解反応、火炎加水
分解反応、または醇化反応させることにより酸化ケイ素
粉末（スート状のガラス微粒子）を生成し、その粉末を
堆積させることにより所望のガラス母材を作製している
が、この際の収率は一般に５０〜７０％程度であり、堆
積されないガラス微粒−ｆ（非堆積物）はこれを廃棄し
ている。
もちろん、上記非堆積物の再利用法も考えられており、
例えばその非堆積物が５ｉ０２あるいはＧｅ０７を含む
Ｓ ｉ０２であるとき、これを溶融法等による多成分ガ
ラスの原料にしたり、高価なＧｅを回収している。
例えばその非堆積物が５ｉ０２あるいはＧｅ０７を含む
Ｓ ｉ０２であるとき、これを溶融法等による多成分ガ
ラスの原料にしたり、高価なＧｅを回収している。
「発明が解決しようとする問題点」
ところで、］−述した非堆積物を原料とするガラス溶融
法の場合、Ｆｅ等による汚染が避けられず、そのため、
これら非堆積物を原料として通’Ｐ３用、光学用のガラ
ス母材を作製しようとするとき、特性のよいものが得ら
れない。
法の場合、Ｆｅ等による汚染が避けられず、そのため、
これら非堆積物を原料として通’Ｐ３用、光学用のガラ
ス母材を作製しようとするとき、特性のよいものが得ら
れない。
本発明は上記の問題点に鑑み、前述した酸化ケイ素粉末
を原料として通信用、光学用のガラスｆｉＪ材を製造す
る際、特性のよいガラスは材を得ることのできる合成石
英原料の生成方法を提供しようとするものである。
を原料として通信用、光学用のガラスｆｉＪ材を製造す
る際、特性のよいガラスは材を得ることのできる合成石
英原料の生成方法を提供しようとするものである。
「問題点を解決するための手段ｊ
本発明に係る方法は、純度を問わない酸化ケイ素粉末を
、高温下においてフッ素化合物ガスと反応させることに
より四フフ化ケイ素を生成することを特徴としている。
、高温下においてフッ素化合物ガスと反応させることに
より四フフ化ケイ素を生成することを特徴としている。
「作用ｊ
本発明方法では、５ｉ０２あるいはＧｅＯ２を含む５ｉ
０２などの酸化ケイ素粉末を加熱容器内に入れて高温に
保持し、その加熱容器内に例えばＣＣｌ２Ｆ２などのフ
ッ素化合物ガスを導入する。
０２などの酸化ケイ素粉末を加熱容器内に入れて高温に
保持し、その加熱容器内に例えばＣＣｌ２Ｆ２などのフ
ッ素化合物ガスを導入する。
高温状態の」１記加熱容器内では、５ｉ０２がＣＣｌ２
Ｆ２（またはｃＦａ 、 Ｃ２Ｆ２、Ｃ３Ｆ８など）と
反応することにより、Ｓ ｉＦ４のガスが得られる。
Ｆ２（またはｃＦａ 、 Ｃ２Ｆ２、Ｃ３Ｆ８など）と
反応することにより、Ｓ ｉＦ４のガスが得られる。
このＳｉＦ４はフッ素以外、他の不純物をほとんど含ま
ず、したがってＣＶＤ法、ＶＡＤ法、ＣＶＤ法など、任
意の手段で石英を合成して通信用、光学用のガラス母材
をつくるとき、そのガラス合成用の反応系へ上記５ｉＦ
ａを供給することにより、特性のよいガラス母材が得ら
れる。
ず、したがってＣＶＤ法、ＶＡＤ法、ＣＶＤ法など、任
意の手段で石英を合成して通信用、光学用のガラス母材
をつくるとき、そのガラス合成用の反応系へ上記５ｉＦ
ａを供給することにより、特性のよいガラス母材が得ら
れる。
しかも、」−記合成石英原料はフッ素を含んでいるので
、得られるガラス母材にはＯＨ基の混入がなく、ＩＩ）
材透明ガラス化に際しての脱水処理が不要となる。
、得られるガラス母材にはＯＨ基の混入がなく、ＩＩ）
材透明ガラス化に際しての脱水処理が不要となる。
特にＧｅＯ２を含む５１０２などの酸化ケイ素粉末を、
塩素を含まない０２ Ｆ２、ｃ３Ｆ８等で−１−記のご
とく処理した場合、ＳｉＦ４揮散後の残部がＧｅリッチ
となり、したがってその残部から容易かつ効率よ＜Ｇａ
が回収できる。
塩素を含まない０２ Ｆ２、ｃ３Ｆ８等で−１−記のご
とく処理した場合、ＳｉＦ４揮散後の残部がＧｅリッチ
となり、したがってその残部から容易かつ効率よ＜Ｇａ
が回収できる。
「実 施 例Ｊ
以下、本発明方法の実施例につき１図面を参照して説明
する。
する。
図において、１は円筒状をなす白金製の容器であり、こ
の容器はその下部にガス入１１２を有し、その」一部に
ガス出口３を有する。
の容器はその下部にガス入１１２を有し、その」一部に
ガス出口３を有する。
４は上記容器１内の底部側に配置された目皿、５はＬ記
容器１の外周に設けられた加熱炉、６は酸化ケイ素粉末
である。
容器１の外周に設けられた加熱炉、６は酸化ケイ素粉末
である。
本発明方法では、容器１内の目皿４上に酸化ケイ素粉末
６を入れ、容器１全体を加熱炉５により加熱するととも
にガス入口２からその容器１内にフッ素化合物ガスを導
入する。
６を入れ、容器１全体を加熱炉５により加熱するととも
にガス入口２からその容器１内にフッ素化合物ガスを導
入する。
こうして醇化ケイ素粉末６を処理した場合、前述した反
応により四フッ化ケイ素（ガス状）が生成される。
応により四フッ化ケイ素（ガス状）が生成される。
かかる四フッ化ケイ素ガスは容器１のガス出口３からそ
の容器ｌ外へ取り出されて、石英を合成すべき反応系へ
送られるか、または必要時に使用すべくガスボンベ内に
回収される。
の容器ｌ外へ取り出されて、石英を合成すべき反応系へ
送られるか、または必要時に使用すべくガスボンベ内に
回収される。
つぎに、」−記の手段で生成した四フフ化ケイ素をＶＡ
Ｄ法、ＣＶＤ法等の反応系へ供給してガラス母材を作製
する際の具体例について説明する。
Ｄ法、ＣＶＤ法等の反応系へ供給してガラス母材を作製
する際の具体例について説明する。
具体例１
酸化ケイ素粉末６として、石英合成時の非堆積物から回
収したものを用い、これを前記容器ｌ内に入れて加熱炉
５により１４００℃に加熱する一方、フッ素化合物とし
てはＣＣｌ２Ｆ２を用い、２００ｍＪ１ ／ｍｉｎの供
給流量とした該フッ素化合物をガス入口２から容器ｌ内
に供給し、所定の反応により生成されたＳｉＦ＋＋を容
器１のガス出口３からＶＡＤ法の反応系へ給送した。
収したものを用い、これを前記容器ｌ内に入れて加熱炉
５により１４００℃に加熱する一方、フッ素化合物とし
てはＣＣｌ２Ｆ２を用い、２００ｍＪ１ ／ｍｉｎの供
給流量とした該フッ素化合物をガス入口２から容器ｌ内
に供給し、所定の反応により生成されたＳｉＦ＋＋を容
器１のガス出口３からＶＡＤ法の反応系へ給送した。
上記ＶＡＤ法の反応系は、同心状とした第１流路（中心
流路）〜第４流路（最外周流路）を有する四重管構造の
バーナを介して火炎加水分解反応を行なっており、その
バーナの第１流路にはＳ ｉＦ４を０．２４１ ／ｗｉ
ｎ、第２流路には０２をＩＪＩ／ｍｉｎ、第３流路には
Ｈｅを０．５Ｊ１／ｌ１ｌｉｎ、第４流路にはＦ２を１
４１／ｍｉｎにて供給した。
流路）〜第４流路（最外周流路）を有する四重管構造の
バーナを介して火炎加水分解反応を行なっており、その
バーナの第１流路にはＳ ｉＦ４を０．２４１ ／ｗｉ
ｎ、第２流路には０２をＩＪＩ／ｍｉｎ、第３流路には
Ｈｅを０．５Ｊ１／ｌ１ｌｉｎ、第４流路にはＦ２を１
４１／ｍｉｎにて供給した。
当該ＶＡＤ法では、既知のごとく上記各ガスの火炎加水
分解反応により得られたスート状のガラス微粒子（酸化
ケイ素粉末）を棒状に堆積させ、これにより多孔質ガラ
ス母材を得た後、その多孔質ガラス母材を常法にて透明
ガラス化した。
分解反応により得られたスート状のガラス微粒子（酸化
ケイ素粉末）を棒状に堆積させ、これにより多孔質ガラ
ス母材を得た後、その多孔質ガラス母材を常法にて透明
ガラス化した。
この具体例１により得られたガラス母材は、その合成石
英中に０．１％のフッ素を含有していたが、他の不純物
については、いずれもｐｐｍ単位の微小量であった。
英中に０．１％のフッ素を含有していたが、他の不純物
については、いずれもｐｐｍ単位の微小量であった。
また、この具体例１ではスート状のガラス微粒子をフッ
素含有雰囲気中で合成しているので、ＯＨ基の混入が少
なく、透明ガラス化に際して脱水処理を必要としなかっ
た。
素含有雰囲気中で合成しているので、ＯＨ基の混入が少
なく、透明ガラス化に際して脱水処理を必要としなかっ
た。
具体例２
プラズマト−チを用いたＯＶＤ法を実施するとき、具体
例１と同様にしてＳｉＦ４’を得た後、これをプラズマ
トーチ内に導入し、当該トーチを介して生成したガラス
微粒子を純粋石英棒の外周に堆積させて光フアイバクラ
ッド用のガラス層を形成した。
例１と同様にしてＳｉＦ４’を得た後、これをプラズマ
トーチ内に導入し、当該トーチを介して生成したガラス
微粒子を純粋石英棒の外周に堆積させて光フアイバクラ
ッド用のガラス層を形成した。
かかるハナ材の場合、屈折率差で０．８ｚのクラッドが
得られた。
得られた。
「発明の効果Ｊ
以」二説明した通り、本発明方法によるときは、所望の
酸化ケイ素粉末を、高温下においてフッ素化合物ガスと
反応させることにより四フフ化ケイ素を生成するから、
通信用、光学用として特性のよいガラス母材の得られる
合成石莢原料が提供できる。
酸化ケイ素粉末を、高温下においてフッ素化合物ガスと
反応させることにより四フフ化ケイ素を生成するから、
通信用、光学用として特性のよいガラス母材の得られる
合成石莢原料が提供できる。
図面は本発明方法の一実施例を略示した説明図である。
１ ・・・反応のための容器
２・・・容器のガス入口
３拳・・容器のガス出口
４・・・容器内の１］冊
５・・・加熱炉
６・・・醇化ケイ素粉末
Claims (1)
- 純度を問わない酸化ケイ素粉末を、高温下においてフッ
素化合物ガスと反応させることにより四フッ化ケイ素を
生成することを特徴とする合成石英原料の生成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8597885A JPS61247625A (ja) | 1985-04-22 | 1985-04-22 | 合成石英原料の生成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8597885A JPS61247625A (ja) | 1985-04-22 | 1985-04-22 | 合成石英原料の生成方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20850085A Division JPS61247615A (ja) | 1985-09-20 | 1985-09-20 | フツ素含有石英の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61247625A true JPS61247625A (ja) | 1986-11-04 |
Family
ID=13873798
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8597885A Pending JPS61247625A (ja) | 1985-04-22 | 1985-04-22 | 合成石英原料の生成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61247625A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5218318A (en) * | 1991-02-14 | 1993-06-08 | Leader Electronics Corp. | Variable gain amplifier |
-
1985
- 1985-04-22 JP JP8597885A patent/JPS61247625A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5218318A (en) * | 1991-02-14 | 1993-06-08 | Leader Electronics Corp. | Variable gain amplifier |
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